JPS6212652A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6212652A JPS6212652A JP60148605A JP14860585A JPS6212652A JP S6212652 A JPS6212652 A JP S6212652A JP 60148605 A JP60148605 A JP 60148605A JP 14860585 A JP14860585 A JP 14860585A JP S6212652 A JPS6212652 A JP S6212652A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- main component
- lead
- ceramic composition
- sintered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、磁器組成物、特に１０５０°Ｃ以下の低温で
焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗
の高いしかも機械的強度の高い積層コンデンサに適した
磁器組成物に関するものである。
焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗
の高いしかも機械的強度の高い積層コンデンサに適した
磁器組成物に関するものである。
（従来技術）
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉＯ３）を主成分とする磁器が広く実用化されてい
ることは周知のとおりである。しかしながら、チタン酸
バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分とするものは、焼結
温度が通常１３００〜１４００°Ｃの高温である。
ａＴｉＯ３）を主成分とする磁器が広く実用化されてい
ることは周知のとおりである。しかしながら、チタン酸
バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分とするものは、焼結
温度が通常１３００〜１４００°Ｃの高温である。
このためこれを積層形コンデンサに利用する場合には内
部電極としてこの焼結温度に耐える材料、例えば白金、
パラジウムなどの高価な貴金属を使用しなければならず
、製造コストが高くつくという欠点がある。このため銀
やニッケルなどを主成分とする安価な金属が使用できる
ような、できるだけ低温で焼結できる磁器が必要である
。このため既にＰｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｏ３Ｐｂ（
Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（特公昭５５−３４９６２
）や（Ｓｒ−Ｐｂ）ＰｉＯ３−Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／
２）Ｏ３（特開昭５２−２１６９９）などの多くの提案
がある。
部電極としてこの焼結温度に耐える材料、例えば白金、
パラジウムなどの高価な貴金属を使用しなければならず
、製造コストが高くつくという欠点がある。このため銀
やニッケルなどを主成分とする安価な金属が使用できる
ような、できるだけ低温で焼結できる磁器が必要である
。このため既にＰｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｏ３Ｐｂ（
Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（特公昭５５−３４９６２
）や（Ｓｒ−Ｐｂ）ＰｉＯ３−Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／
２）Ｏ３（特開昭５２−２１６９９）などの多くの提案
がある。
本発明者らはこれらと異なる新たな磁器組成物を探索し
たところＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３とＰｂ（Ｎ
ｉ１／２Ｗ１／２）ｏ３およびＰｂＴｉＯ３からなる３
成分組成物は１０５０°Ｃ以下の低温で焼結でき、誘電
率が高く、誘電損失が小さく、しかも比抵抗の高いこと
を見い出し、特願昭５８−１９３８０６号として提案し
た。しかしながら上記３成分磁器組成物は機械的強度が
低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得す
、実用上より改良が望まれていた。
たところＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３とＰｂ（Ｎ
ｉ１／２Ｗ１／２）ｏ３およびＰｂＴｉＯ３からなる３
成分組成物は１０５０°Ｃ以下の低温で焼結でき、誘電
率が高く、誘電損失が小さく、しかも比抵抗の高いこと
を見い出し、特願昭５８−１９３８０６号として提案し
た。しかしながら上記３成分磁器組成物は機械的強度が
低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得す
、実用上より改良が望まれていた。
（発明の目的）
本発明の目的は１０５０°Ｃ以下の低温で焼結でき、誘
電率が高く、誘電損失の低い、比抵抗の高いしかも機械
的強度の高い、積層コンデンサ用磁器組成物を提供する
ことにある。
電率が高く、誘電損失の低い、比抵抗の高いしかも機械
的強度の高い、積層コンデンサ用磁器組成物を提供する
ことにある。
（発明の構成）
本発明の主成分磁器組成物は［Ｐｂ（Ｎｘ１／３Ｎｂ２
／３）Ｏａ］ｘ［Ｐｂ（Ｎｉｌ１２Ｗ１／２）Ｏ３］ｙ
［ＰｂＴｉＯ３］ｚと表現したとき（ただしｘ＋ｙ＋ｚ
＝１．００）、配合比Ｘ１３’ｌｚがこの三成分組成図
において、以下の組成点 Ａ： （ｘ＝０．８９． ｙ＝０．０１． ｚ
＝０．１０）Ｂ： （ｘ＝０．００． ｙ＝０．６
０． ｚ＝０．４０）Ｃ： （ｘ＝０．００．
ｙ＝０．３０． ｚ＝０．７０）Ｄ： （ｘ＝
０．５０． ｙ＝０．０５． ｚ＝０．４５）を
結ぶ線上（ただしＢとＣを結ぶ線上は先願の特願昭５７
−１６７８２０により除く）およびこの線に囲まれる組
成範囲にあり、副成分としてマンガン・アンチモン酸鉛
［Ｐｂ ＣＭｎ１／２Ｓｂ１／２）Ｏ３］を上記主成分
に対して０．０５モル％ないし４モル％添加含有せしめ
ることを特徴とする。
／３）Ｏａ］ｘ［Ｐｂ（Ｎｉｌ１２Ｗ１／２）Ｏ３］ｙ
［ＰｂＴｉＯ３］ｚと表現したとき（ただしｘ＋ｙ＋ｚ
＝１．００）、配合比Ｘ１３’ｌｚがこの三成分組成図
において、以下の組成点 Ａ： （ｘ＝０．８９． ｙ＝０．０１． ｚ
＝０．１０）Ｂ： （ｘ＝０．００． ｙ＝０．６
０． ｚ＝０．４０）Ｃ： （ｘ＝０．００．
ｙ＝０．３０． ｚ＝０．７０）Ｄ： （ｘ＝
０．５０． ｙ＝０．０５． ｚ＝０．４５）を
結ぶ線上（ただしＢとＣを結ぶ線上は先願の特願昭５７
−１６７８２０により除く）およびこの線に囲まれる組
成範囲にあり、副成分としてマンガン・アンチモン酸鉛
［Ｐｂ ＣＭｎ１／２Ｓｂ１／２）Ｏ３］を上記主成分
に対して０．０５モル％ないし４モル％添加含有せしめ
ることを特徴とする。
（構成に関する説明）
本発明の磁器組成物は主成分原料と同時にマンガン・ア
ンチモン酸鉛［Ｐｂ （Ｍｎ１／２Ｓｂ１／２）Ｏ３］
を主成分に対して０．０５モル％ないし４モル％となる
よう含有せしめることにより、抗折強度を著るしく改良
し、しかも誘電損失を小さく、比抵抗を増大せしめるこ
とができる。
ンチモン酸鉛［Ｐｂ （Ｍｎ１／２Ｓｂ１／２）Ｏ３］
を主成分に対して０．０５モル％ないし４モル％となる
よう含有せしめることにより、抗折強度を著るしく改良
し、しかも誘電損失を小さく、比抵抗を増大せしめるこ
とができる。
（実施例）
以下本発明を実施例にて詳細に説明する。
出発原料として純度９９．９％以上の酸化鉛（ｐｂｏ）
、酸化ニッケル（Ｎｉｐ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２０．）
、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化チタン（Ｔ１０２
）および炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）を使用し、所定の
配合比に秤量する。
、酸化ニッケル（Ｎｉｐ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２０．）
、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化チタン（Ｔ１０２
）および炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３）を使用し、所定の
配合比に秤量する。
次にボールミル中で湿式混合した後７５０°Ｃ〜８２５
°Ｃで予焼した。その後ボールミルで粉砕し、濾別、乾
燥後、有機バインダーを入れ整粒し、プレスした。
°Ｃで予焼した。その後ボールミルで粉砕し、濾別、乾
燥後、有機バインダーを入れ整粒し、プレスした。
直径１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板を４枚と、直径１６
ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱とを作成した。次に空気中
９００〜１０５０°Ｃで１時間焼結した。焼結した円板
の上下面に銀電極を６００°Ｃで焼付け、デジタルＬＣ
Ｒメータで周波数ＩＫＨｚ、電圧ＩＶｒｍｓで容量と誘
電損失（ｔａｎδ）を測定し、誘電率を算出した。次に
超絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印加して絶縁抵抗
を測定し、比抵抗を算出した。
ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱とを作成した。次に空気中
９００〜１０５０°Ｃで１時間焼結した。焼結した円板
の上下面に銀電極を６００°Ｃで焼付け、デジタルＬＣ
Ｒメータで周波数ＩＫＨｚ、電圧ＩＶｒｍｓで容量と誘
電損失（ｔａｎδ）を測定し、誘電率を算出した。次に
超絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印加して絶縁抵抗
を測定し、比抵抗を算出した。
機械的性質を抗折強度で評価するため、焼結した円柱か
ら厚さ０．５ｍｍ、幅２ｍｍ、長さ約１３ｍｍの矩形板
を１０枚切り出した。支点間距離を９ｍｍにとり、３点
法で破壊荷重Ｐｍ［ｋｇｌを測定し、ｔ＝３／２−（ｋ
ｇ／ｃｍ２１ ｗｔ” なる式に従い、抗折強度Ｉ［ｋｇ１ｃｍ２］を求めた。
ら厚さ０．５ｍｍ、幅２ｍｍ、長さ約１３ｍｍの矩形板
を１０枚切り出した。支点間距離を９ｍｍにとり、３点
法で破壊荷重Ｐｍ［ｋｇｌを測定し、ｔ＝３／２−（ｋ
ｇ／ｃｍ２１ ｗｔ” なる式に従い、抗折強度Ｉ［ｋｇ１ｃｍ２］を求めた。
ただしｌは支点間距離、ｔは試料の厚み、Ｗは試料の幅
である。電気的特性は円板試料４点の平均値、抗折強度
は矩形板試料１０点の平均値より求めた。このようにし
て得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２１３
）Ｏ３］ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ１１２Ｗ１１２）Ｏ３］、［Ｐ
ｂＴｉＯ３］ｚの配合比ｘ、 ｙ、 ｚおよび副成分添
加量と誘電率、誘電損失比抵抗および抗折強度との関係
を次表に示す。
である。電気的特性は円板試料４点の平均値、抗折強度
は矩形板試料１０点の平均値より求めた。このようにし
て得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２１３
）Ｏ３］ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ１１２Ｗ１１２）Ｏ３］、［Ｐ
ｂＴｉＯ３］ｚの配合比ｘ、 ｙ、 ｚおよび副成分添
加量と誘電率、誘電損失比抵抗および抗折強度との関係
を次表に示す。
ｌ′
以（下余白
（発明の効果）
表に示した結果から明らかなように本発明はｐｂ（Ｎｉ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏａ−Ｐｂ（Ｎｉ１／２Ｗ１／２）
Ｏｓ ＰｂＴｔＯｓ３成分系に副成分としてＰｂ（Ｍ五
１／２Ｓｂ１／２）Ｏ３を０．０５〜４モル％含有せし
めて抗折強度を大巾に改良し、かつ高誘電率で誘電損失
が低く、比抵抗も高い。しかも低温で焼結できるため信
頼性の高い積層コンデンサ用磁器組成物として優れた材
料を提供している。
１／３Ｎｂ２／３）Ｏａ−Ｐｂ（Ｎｉ１／２Ｗ１／２）
Ｏｓ ＰｂＴｔＯｓ３成分系に副成分としてＰｂ（Ｍ五
１／２Ｓｂ１／２）Ｏ３を０．０５〜４モル％含有せし
めて抗折強度を大巾に改良し、かつ高誘電率で誘電損失
が低く、比抵抗も高い。しかも低温で焼結できるため信
頼性の高い積層コンデンサ用磁器組成物として優れた材
料を提供している。
なお主成分配合比が本発明の範囲外（ＢとＣを結ぶ線上
は先願の特願昭５７−１６７８２０により除く）では、
誘電率が低下したり、比抵抗が低くなったり、焼結温度
が高くなる。副成分の添加量が０．０５モル％未満では
抗折強度の改善効果が小さく、４モル％を越えると逆に
抗折強度が小さくなるため実用的でない。マンガン化合
物として本実施例では炭酸マンガンを使用したがマンガ
ンの酸化物や高温で分解し、酸化物になるしゅう酸塩、
硫酸塩、水酸化物などを使用してもよい。
は先願の特願昭５７−１６７８２０により除く）では、
誘電率が低下したり、比抵抗が低くなったり、焼結温度
が高くなる。副成分の添加量が０．０５モル％未満では
抗折強度の改善効果が小さく、４モル％を越えると逆に
抗折強度が小さくなるため実用的でない。マンガン化合
物として本実施例では炭酸マンガンを使用したがマンガ
ンの酸化物や高温で分解し、酸化物になるしゅう酸塩、
硫酸塩、水酸化物などを使用してもよい。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ
＿２＿／＿３）Ｏ＿３］、ニッケル・タングステン酸鉛
［Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３］と
チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ＿３］からなる三成分磁器組成
物を［Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿
３］＿ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ
＿３］＿ｙ［ＰｂＴｉＯ＿３］＿ｚと表現したとき（た
だしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）、配合比ｘ、ｙ、ｚがこの
三成分組成図において、以下の組成点 Ａ：（ｘ＝０．８９ ｙ＝０．０１ ｚ＝０．１０）Ｂ
：（ｘ＝０．００ ｙ＝０．６０ ｚ＝０．４０）Ｃ：
（ｘ＝０．００ ｙ＝０．３０ ｚ＝０．７０）Ｄ：（
ｘ＝０．５０ ｙ＝０．０５ ｚ＝０．４５）を結ぶ線
上（ただしＢとＣを結ぶ線上は除く）およびこの線に囲
まれる組成範囲にある主成分組成物に、副成分としてマ
ンガン・アンチモン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｎ＿１＿／＿２Ｓｂ
＿１＿／＿２）Ｏ＿３］を主成分に対して０．０５〜４
モル％添加含有せしめることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60148605A JPS6212652A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60148605A JPS6212652A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212652A true JPS6212652A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15456507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60148605A Pending JPS6212652A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6212652A (ja) |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP60148605A patent/JPS6212652A/ja active Pending
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