JPS62125638A - 混成集積回路 - Google Patents

混成集積回路

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JPS62125638A
JPS62125638A JP60265655A JP26565585A JPS62125638A JP S62125638 A JPS62125638 A JP S62125638A JP 60265655 A JP60265655 A JP 60265655A JP 26565585 A JP26565585 A JP 26565585A JP S62125638 A JPS62125638 A JP S62125638A
Authority
JP
Japan
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integrated circuit
pads
chips
bonding
terminals
Prior art date
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Pending
Application number
JP60265655A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuro Hirayama
平山 哲朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS62125638A publication Critical patent/JPS62125638A/ja
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    • H01L2924/14Integrated circuits

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は複数の半導体集積回路チップから構成される混
成集積回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の混成集積回路において、2つの集積回路
チップを相互接続するには集積回路チップを一旦基盤に
づボンディングワイヤで接続し、基盤上の印刷配線を介
して別の集積回路チップに再びボンディングワイヤで接
続する方法が一般的となっていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の接続方法は集積回路チップ間にボンディ
ング・ぐラドや相互の印刷配線が必要であるだめ、高密
度配列の妨げになっていた。
本発明は高密度配列を実現する混成集積回路を提供する
ものである。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明は複数の半導体集積回路チップから構成される混
成集積回路において、相互に接続する2つの半導体集積
回路チップの各々の少くとも一辺の端子用ボンディング
パッドを互いにほぼ同一ピッチ間隔に配列し、上記2つ
の半導体集積回路チップのボンディングパッド間をワイ
ヤポンディングすることによりチップ間の端子を相互接
続したことを特徴とする混成集積回路である。
〔実施例〕
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図は本発明の一実施例の平面図である。1はCMO
8の集積回路で、入出力・ぐラド2,3.4.5を有す
る。18はバイポーラの集積回路で内部接続用パラl’
 6,7,8,9と外部接続用パッド14.15.16
.17と出力バッファ−10,11と入カパッファー1
.2.13を有する。
本実施例はCMO8集積回路1の・ぐラド2.3,4.
5とバイポーラ集積回路パラドロ、7,8.9とをほぼ
同一ピッチ間隔で向き合せに配列し、その・ぐラド間を
直接ワイヤボンディングすることで、CMO8集積回路
1とバイポーラ集積回路18の端子相互間を接続したも
のである。本発明によれば端子ノクッドをワイヤ、]?
ンディングにより接続するので、チップ1゜18間に印
刷配線が介在することがなく、しだがってチッゾ1,1
8間が最短距離で接続され、実装密度が高くなる。この
応用例では駆動能力の小さいCMO8集積回路を駆動能
力の大きいバイポーラ集積回路で補完した複合型集積回
路が得られる。上記CMO8集積回路のゼンディングノ
クッド2〜5間は多少不揃いでもバイポーラ集積回路1
8のボンディングパッド6〜9との相対位置がほぼ保た
れていれば特に支障はない。
又本実施例は一片のみの例を示しだが2片〜4片まで必
要により拡張することができることはいう壕でもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は対となる集積回路チップを
直接デンディングワイヤで結線することにより高密度の
混成集積回路を製作することができる効果を有するもの
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す平面図である。 1・・・CMO8集積回路チップ、2〜5・・・CMO
8集積回路チップ用ワイヤボンディングパッド、6〜9
・・・バイポーラ集積回路チップ用内部接続・ぐラド、
18・・・バイポーラ集積回路チップ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数の半導体集積回路チップから構成される混成
    集積回路において、相互に接続する2つの半導体集積回
    路チップの各々の少くとも一辺の端子用ボンディングパ
    ッドを互いにほぼ同一ピッチ間隔に配列し、上記2つの
    半導体集積回路チップのボンディングパッド間をワイヤ
    ボンディングすることによりチップ間の端子を相互接続
    したことを特徴とする混成集積回路。
JP60265655A 1985-11-26 1985-11-26 混成集積回路 Pending JPS62125638A (ja)

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JP60265655A JPS62125638A (ja) 1985-11-26 1985-11-26 混成集積回路

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JP60265655A JPS62125638A (ja) 1985-11-26 1985-11-26 混成集積回路

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JPS62125638A true JPS62125638A (ja) 1987-06-06

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ID=17420148

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JP60265655A Pending JPS62125638A (ja) 1985-11-26 1985-11-26 混成集積回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1605506A2 (en) * 2004-06-02 2005-12-14 Fujitsu Limited Semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1605506A2 (en) * 2004-06-02 2005-12-14 Fujitsu Limited Semiconductor device
EP1605506A3 (en) * 2004-06-02 2007-12-19 Fujitsu Limited Semiconductor device

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