JPS62125327A - 強誘電性液晶パネル - Google Patents
強誘電性液晶パネルInfo
- Publication number
- JPS62125327A JPS62125327A JP26650485A JP26650485A JPS62125327A JP S62125327 A JPS62125327 A JP S62125327A JP 26650485 A JP26650485 A JP 26650485A JP 26650485 A JP26650485 A JP 26650485A JP S62125327 A JPS62125327 A JP S62125327A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- rubbing
- ferroelectric liquid
- crystal panel
- glass substrate
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は表示装置あるいは光シャッタ一番こ属する強誘
電性液晶パネルに関するものである。
電性液晶パネルに関するものである。
従来の技術
近年、液晶表示パネルは簡便な表示用デバイスとして需
要が高まっている。なかでも強誘電性液晶パネルは高速
応答性、メモリ性、しきい値特性等の点において、現在
広く用いられているネマチンク液晶を越える特性をもつ
と言われ注目されている。
要が高まっている。なかでも強誘電性液晶パネルは高速
応答性、メモリ性、しきい値特性等の点において、現在
広く用いられているネマチンク液晶を越える特性をもつ
と言われ注目されている。
以下図面を参照しながら、上述した従来の強誘電性液晶
パネルの一例について説明する。
パネルの一例について説明する。
第５図は強誘電性液晶パネルの構造を、第６図は薄膜強
誘電性液晶セルの動作原理を示すものである。第５図に
おいて２７は上ガラス基板、２８は下ガラス基板、２９
は透明電極、３０は配向膜、３１は強誘電性液晶、３２
はシール樹脂、３３は偏光板である。
誘電性液晶セルの動作原理を示すものである。第５図に
おいて２７は上ガラス基板、２８は下ガラス基板、２９
は透明電極、３０は配向膜、３１は強誘電性液晶、３２
はシール樹脂、３３は偏光板である。
第６図において３４は強誘電性液晶分子、３５は自発分
極の向き、３６は液晶層、３７は電界の向き、３８は上
側の偏光板の偏光軸、３９は下側の偏光板の偏光軸であ
る。
極の向き、３６は液晶層、３７は電界の向き、３８は上
側の偏光板の偏光軸、３９は下側の偏光板の偏光軸であ
る。
以上のように構成された強誘電性液晶パネルについて、
以下その動作について説明する。
以下その動作について説明する。
第５図のような構成のパネルの厚みを強誘電性液晶の螺
旋ピッチ以下の薄さにすると、第６図ｆａ）のように層
に対して分子がθ傾いた領域と一θ傾いた領域にわかれ
る。それらの領域ではそれぞれの双極子は紙面に対して
上向き、下向きにそろっており、電圧を印加することに
よって（ｂｌのように全体を１つの領域にそろえられる
。この（ｂｌの状態は電圧を切っても保持される逆電圧
を印加すると、（Ｃ１のようなもう一方の領域に移すこ
とができる。
旋ピッチ以下の薄さにすると、第６図ｆａ）のように層
に対して分子がθ傾いた領域と一θ傾いた領域にわかれ
る。それらの領域ではそれぞれの双極子は紙面に対して
上向き、下向きにそろっており、電圧を印加することに
よって（ｂｌのように全体を１つの領域にそろえられる
。この（ｂｌの状態は電圧を切っても保持される逆電圧
を印加すると、（Ｃ１のようなもう一方の領域に移すこ
とができる。
この（Ｃ）の状態も電圧を切っても保持される（ｄｌ。
（ｂ）、（Ｃ１の２状態は複屈折あるいは２色性により
明・暗に対応できスイッチング素子として用いることが
できる。
明・暗に対応できスイッチング素子として用いることが
できる。
従来の強誘電性液晶パネルにおいて第７図はそのラビン
グ方向を示したものである。第７図において（ａｌはパ
ネルが組みたてられた状態で上からみた図、４０は上ガ
ラス基板、４１は下ガラス基板、（ｂ）、（Ｃ１は上下
基板を電極面側からみた図、４２は下基板に施すラビン
グ方向、４３は上基板に施すラビング方向である。
グ方向を示したものである。第７図において（ａｌはパ
ネルが組みたてられた状態で上からみた図、４０は上ガ
ラス基板、４１は下ガラス基板、（ｂ）、（Ｃ１は上下
基板を電極面側からみた図、４２は下基板に施すラビン
グ方向、４３は上基板に施すラビング方向である。
第８図はラビング方向と強誘電性液晶のＳａ相の分子の
並び方を示す図である。第８図において４４は液晶分子
、４５は液晶層、４６はラビング方向。
並び方を示す図である。第８図において４４は液晶分子
、４５は液晶層、４６はラビング方向。
■、。（等方性液体）−ｃｈ（コレステリック相）−Ｓ
Ａ （スメクティソクＡ相）−８ｃ″スメクテイツクＣ
カイラル相）又は１５０→Ｓ５→Ｓ％のようにＳＡ相を
経て、ＳＣ“相となる相系列を示す強誘電性液晶では、
まず■、。（−Ｃｈ ） −３Ａでの転移で液晶分子は
ラビング方向に長軸方向を向けて並ぶ。すなわちＳＡ相
では、ラビング方向に垂直に層を形成する。次に、ＳＡ
→Ｓ、ｍでの転移では、層方向は変わらず、液晶分子の
長軸方向がラビング方向に対して±θだけ傾く構造をと
る。これは、層方向の変化に伴うエネルギーが分子配列
の変化に伴うエネルギーより、大きいためである。ＳＣ
２相に生じた、液晶分子の＋θ、もしくは−θ傾いた２
つの状態は、電圧を印加すると＋θ傾いた状態に、逆電
圧を印加すると一θ傾いた状態にそろいスイッチング効
果を有している。
Ａ （スメクティソクＡ相）−８ｃ″スメクテイツクＣ
カイラル相）又は１５０→Ｓ５→Ｓ％のようにＳＡ相を
経て、ＳＣ“相となる相系列を示す強誘電性液晶では、
まず■、。（−Ｃｈ ） −３Ａでの転移で液晶分子は
ラビング方向に長軸方向を向けて並ぶ。すなわちＳＡ相
では、ラビング方向に垂直に層を形成する。次に、ＳＡ
→Ｓ、ｍでの転移では、層方向は変わらず、液晶分子の
長軸方向がラビング方向に対して±θだけ傾く構造をと
る。これは、層方向の変化に伴うエネルギーが分子配列
の変化に伴うエネルギーより、大きいためである。ＳＣ
２相に生じた、液晶分子の＋θ、もしくは−θ傾いた２
つの状態は、電圧を印加すると＋θ傾いた状態に、逆電
圧を印加すると一θ傾いた状態にそろいスイッチング効
果を有している。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では一軸方向にラビング
を施したために液晶分子はラビングの強制効果をうける
。そのため電圧の印加によって生じる２つの液晶分子の
ラビング軸に対して±θ傾いた状態は、電圧を切ると液
晶分子の傾き角θをせばめて層に対して垂直になろうと
し、不安定となる。つまり、ラビングを施さない時に強
誘電性パネルが有していたメモリー効果は弱まり、十分
なコントラスト比が得られなくなるという問題点を有し
ていた。
を施したために液晶分子はラビングの強制効果をうける
。そのため電圧の印加によって生じる２つの液晶分子の
ラビング軸に対して±θ傾いた状態は、電圧を切ると液
晶分子の傾き角θをせばめて層に対して垂直になろうと
し、不安定となる。つまり、ラビングを施さない時に強
誘電性パネルが有していたメモリー効果は弱まり、十分
なコントラスト比が得られなくなるという問題点を有し
ていた。
本発明は上記問題点に鑑み、メモリー効果すなわち双安
定性に優れた強誘電性液晶パネルを提供するものである
。
定性に優れた強誘電性液晶パネルを提供するものである
。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の強誘電性液晶パネ
ルは、上下基板の少なくとも一方に３方向のラビングを
施すという構成を用いたものである。
ルは、上下基板の少なくとも一方に３方向のラビングを
施すという構成を用いたものである。
作用
本発明は上記した構成によって、電圧の印加にともなっ
てとり得る液晶分子の２つの状態がどちらも安定で、十
分なメモリー効果をもつ強誘電性液晶パネルを得ること
となる。
てとり得る液晶分子の２つの状態がどちらも安定で、十
分なメモリー効果をもつ強誘電性液晶パネルを得ること
となる。
実施例
以下本発明の一実施例の強誘電性液晶パネルについて、
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例における強誘電性液晶パネル
のラビング方向を示す図である。第１図において、１は
上ガラス基板、２は下ガラス基板、（ａ）は上面図、（
ｂ）・（Ｃ）はそれぞれ上下ガラス基板を電極面側より
みた図、３は下ガラス基板に１番目に施すラビング方向
、４は下ガラス基板にて２番目に施すラビング方向、５
は下ガラス基板に３番目に施すラビング方向、６は上ガ
ラス基板に１番目に施すラビング方向、７は上ガラス基
板に２番目に施すラビング方向、８は上ガラス基板に３
番目に施すラビング方向である。
のラビング方向を示す図である。第１図において、１は
上ガラス基板、２は下ガラス基板、（ａ）は上面図、（
ｂ）・（Ｃ）はそれぞれ上下ガラス基板を電極面側より
みた図、３は下ガラス基板に１番目に施すラビング方向
、４は下ガラス基板にて２番目に施すラビング方向、５
は下ガラス基板に３番目に施すラビング方向、６は上ガ
ラス基板に１番目に施すラビング方向、７は上ガラス基
板に２番目に施すラビング方向、８は上ガラス基板に３
番目に施すラビング方向である。
以上のように構成された強誘電性液晶パネルについて、
以下第１図及び第２図を用いてその動作を説明する。
以下第１図及び第２図を用いてその動作を説明する。
まず第２図は強誘電性液晶パネルにおける液晶分子の分
子軸方向及びその並び方を示す図である。
子軸方向及びその並び方を示す図である。
第２図において９は液晶分子、１０は自発分極の向き、
１１は液晶層、１２は電界の向き、１３は上側の偏光板
の偏光軸、１４は下側の偏光板の偏光軸１５．１６は１
番目もしくは２番目にラビングを施した方向、１７は３
番目にラビングを施した方向である。液晶分子は電圧が
無印加の状態では決められた層方向の中で（ａｌのよう
にラビング方向に対して十〇傾いた領域と一〇傾いた領
域にわかれている。これに電圧を印加すると液晶分子は
（ｂ）のように３番目に施したラビング方向よりθ傾い
て一様に並ぶ。また逆電圧を印加すると液晶分子は２θ
変化して（Ｃ１のように３番目に施したラビング方向に
対して一θ傾いて一様に並ぶ。電圧の印加に伴って生じ
る２つの状態は、どちらも液晶分子の並び方が上下ガラ
ス基板に施したラビング方向に一致しているので安定で
あり、電圧を切っても次にその逆電圧を印加するまでそ
の状態が保持される（ｄ＋。ここで用いた液晶はエステ
ル系でＩ−、−Ｃｈ −＝ Ｓ −−５−０Ｂ ４ ’
（： ６９ ”（６５’Ｃの相移転を行い、室温
でＳ、″を示す強誘電性液晶である。ラビング角度は液
晶分子の傾き角θが室温でθ−２２，５°なので２２．
５°で行い、電圧を印加した時に生じる２つの状態が同
様に安定になるように、ラビングを施す順番は上下ガラ
ス基板で１番目−２番目、２番目−１番目の組み合わせ
で互い違いにしである。上下基板共、３番目に施したラ
ビング方向で、層方向を規定している。配向膜にはポリ
イミドを用いた。
１１は液晶層、１２は電界の向き、１３は上側の偏光板
の偏光軸、１４は下側の偏光板の偏光軸１５．１６は１
番目もしくは２番目にラビングを施した方向、１７は３
番目にラビングを施した方向である。液晶分子は電圧が
無印加の状態では決められた層方向の中で（ａｌのよう
にラビング方向に対して十〇傾いた領域と一〇傾いた領
域にわかれている。これに電圧を印加すると液晶分子は
（ｂ）のように３番目に施したラビング方向よりθ傾い
て一様に並ぶ。また逆電圧を印加すると液晶分子は２θ
変化して（Ｃ１のように３番目に施したラビング方向に
対して一θ傾いて一様に並ぶ。電圧の印加に伴って生じ
る２つの状態は、どちらも液晶分子の並び方が上下ガラ
ス基板に施したラビング方向に一致しているので安定で
あり、電圧を切っても次にその逆電圧を印加するまでそ
の状態が保持される（ｄ＋。ここで用いた液晶はエステ
ル系でＩ−、−Ｃｈ −＝ Ｓ −−５−０Ｂ ４ ’
（： ６９ ”（６５’Ｃの相移転を行い、室温
でＳ、″を示す強誘電性液晶である。ラビング角度は液
晶分子の傾き角θが室温でθ−２２，５°なので２２．
５°で行い、電圧を印加した時に生じる２つの状態が同
様に安定になるように、ラビングを施す順番は上下ガラ
ス基板で１番目−２番目、２番目−１番目の組み合わせ
で互い違いにしである。上下基板共、３番目に施したラ
ビング方向で、層方向を規定している。配向膜にはポリ
イミドを用いた。
実施例に関して、第３図のような光学系で測定を行い、
第４図のような透過率曲線（Ｂ −Ｖ特性）を得た。第
３図において １８は顕微鏡、１９は光源、２０は強誘電性液晶パ名ル
、２１は対物レンズ、２２はフォトマル、２３はオシロ
スコープ、２４はパルス電源、波形発生器、２５．２６
は偏光板である。１９の光源より発した白色光は２５の
偏光板で直線偏光を受け、２０の強誘電性液晶パネルを
通り２１の対物レンズ、さらに２６の偏光板で偏光を受
けて２２のフォトマルで感知され、２３のオシロスコー
プによって視覚的に認識することができる。電圧の電源
には２４の波形発生器を用いた。
第４図のような透過率曲線（Ｂ −Ｖ特性）を得た。第
３図において １８は顕微鏡、１９は光源、２０は強誘電性液晶パ名ル
、２１は対物レンズ、２２はフォトマル、２３はオシロ
スコープ、２４はパルス電源、波形発生器、２５．２６
は偏光板である。１９の光源より発した白色光は２５の
偏光板で直線偏光を受け、２０の強誘電性液晶パネルを
通り２１の対物レンズ、さらに２６の偏光板で偏光を受
けて２２のフォトマルで感知され、２３のオシロスコー
プによって視覚的に認識することができる。電圧の電源
には２４の波形発生器を用いた。
第４図のグラフによれば、電圧の印加と共に輝度特性は
変化し、電圧を除去しても輝度特性は消えることな（、
逆電圧を印加してはじめて液晶分子が動くことがわかる
。
変化し、電圧を除去しても輝度特性は消えることな（、
逆電圧を印加してはじめて液晶分子が動くことがわかる
。
以上のように本実施例によれば、上下基板をそれぞれ３
方向にラビングを施すことにより、十分な双安定性をも
ち、コントラスト比に優れた強誘電性液晶パネルを得る
ことができた。また、上下基板の一方のみに３方向のラ
ビングを施したパネルに於ても同等の効果が得られた。
方向にラビングを施すことにより、十分な双安定性をも
ち、コントラスト比に優れた強誘電性液晶パネルを得る
ことができた。また、上下基板の一方のみに３方向のラ
ビングを施したパネルに於ても同等の効果が得られた。
発明の効果
以上のように本発明は強誘電性液晶パネルにおいて上下
基板の少なくとも一方に３方向のラビングを施すことに
より、双安定性に優れた強誘電性液晶パネルを得ること
ができる。
基板の少なくとも一方に３方向のラビングを施すことに
より、双安定性に優れた強誘電性液晶パネルを得ること
ができる。
第１図は本発明の一実施例における強誘電性液晶パネル
のラビング方向の模式図、第２面は本発明の一実施例に
おける強誘電性液晶パネルにおける液晶分子の分子軸方
向及びその並び方の模式図、第３図は本発明の一実施例
における光学測定系の構成図、第４図は第３図の測定系
によって得た電圧−透過率曲線のグラフ、第５図は強誘
電性液晶パネルの構成図、第６図は薄Ｈり強誘電性液晶
セルの動作・原理図、第７図は従来の強誘電性液晶パネ
ルのラビング方向の模式図、第８図はラビング方向と強
誘電性液晶のＳＡ相の分子の並び方を示す模式図である
。 １・・・・・・上ガラス基板、２・・・川下ガラス基板
、３・・・・・・下ガラス基板に１番目に施すラビング
方向、４・・・・・・下ガラス基板に２番目に施すラビ
ング方向、５・・・・・・下ガラス基板に３番目に施す
ラビング方向、６・・・・・・上ガラス基板に１番目に
施すラビング方向、７・・・・・・上ガラス基板に２番
目に施すガビング方向、８・・・・・・上ガラス基板に
３番目に施すラビング方向。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はかＩ名Ｚ−−−’
？”力゛ラス基板 ３−ｍ−下前゛フス４４良ｌ″−１番１＋−８−−一
上η゛フ入＆辰！２３４目Ｉｓ第２図 第３図 ／ａ−顕微規 Ｉｑ−−−九凍 第４図 ｚ７−−−上刃゛フ入養１人 ２δ−一一下〃ヲ入基４艮 第 ５ 図
２デー−−４１烏９も矛ト
Ｊθ−−−配閂腋 Ｊ／−−−ま訪もａ東ｋ Ｊ２−−−シーｌし用層 Ｊ３−一 備尤長 第７図 ４θ−一一上ｎ゛フ入＆辰 ４ノー一一下刀゛フス番べ 第８図 町 磐−一一康品ｌｒ−号 荀−−一良ら４ ４６−−−ラごン７゛方旬 一う−
のラビング方向の模式図、第２面は本発明の一実施例に
おける強誘電性液晶パネルにおける液晶分子の分子軸方
向及びその並び方の模式図、第３図は本発明の一実施例
における光学測定系の構成図、第４図は第３図の測定系
によって得た電圧−透過率曲線のグラフ、第５図は強誘
電性液晶パネルの構成図、第６図は薄Ｈり強誘電性液晶
セルの動作・原理図、第７図は従来の強誘電性液晶パネ
ルのラビング方向の模式図、第８図はラビング方向と強
誘電性液晶のＳＡ相の分子の並び方を示す模式図である
。 １・・・・・・上ガラス基板、２・・・川下ガラス基板
、３・・・・・・下ガラス基板に１番目に施すラビング
方向、４・・・・・・下ガラス基板に２番目に施すラビ
ング方向、５・・・・・・下ガラス基板に３番目に施す
ラビング方向、６・・・・・・上ガラス基板に１番目に
施すラビング方向、７・・・・・・上ガラス基板に２番
目に施すガビング方向、８・・・・・・上ガラス基板に
３番目に施すラビング方向。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はかＩ名Ｚ−−−’
？”力゛ラス基板 ３−ｍ−下前゛フス４４良ｌ″−１番１＋−８−−一
上η゛フ入＆辰！２３４目Ｉｓ第２図 第３図 ／ａ−顕微規 Ｉｑ−−−九凍 第４図 ｚ７−−−上刃゛フ入養１人 ２δ−一一下〃ヲ入基４艮 第 ５ 図
２デー−−４１烏９も矛ト
Ｊθ−−−配閂腋 Ｊ／−−−ま訪もａ東ｋ Ｊ２−−−シーｌし用層 Ｊ３−一 備尤長 第７図 ４θ−一一上ｎ゛フ入＆辰 ４ノー一一下刀゛フス番べ 第８図 町 磐−一一康品ｌｒ−号 荀−−一良ら４ ４６−−−ラごン７゛方旬 一う−
Claims (1)
- 第１の透明基板上に細帯状の透明電極が複数本互いに平
行に設けられた第１の電極群を有し、上記第１の電極群
と相対向して第２の透明基板上に細帯状の透明電極が複
数本互いに平行に設けられており、上記第１の電極群と
は直交するごとく所定のギャップを隔てて配置された上
記第２の電極群との間に、カイラルスメクチック液晶が
はさまれてなる強誘電性マトリクス液晶表示パネルであ
って、前期第１、第２の透明基板の少なくとも一方の電
極群側に、３つの異なる方向にラビングを施したことを
特徴とする強誘電性液晶パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26650485A JPS62125327A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 強誘電性液晶パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26650485A JPS62125327A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 強誘電性液晶パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62125327A true JPS62125327A (ja) | 1987-06-06 |
Family
ID=17431831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26650485A Pending JPS62125327A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 強誘電性液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62125327A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6478220A (en) * | 1987-09-19 | 1989-03-23 | Idemitsu Kosan Co | Liquid crystal blind |
-
1985
- 1985-11-27 JP JP26650485A patent/JPS62125327A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6478220A (en) * | 1987-09-19 | 1989-03-23 | Idemitsu Kosan Co | Liquid crystal blind |
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