JPS62124563A - 導電性支持体 - Google Patents
導電性支持体Info
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- JPS62124563A JPS62124563A JP26572885A JP26572885A JPS62124563A JP S62124563 A JPS62124563 A JP S62124563A JP 26572885 A JP26572885 A JP 26572885A JP 26572885 A JP26572885 A JP 26572885A JP S62124563 A JPS62124563 A JP S62124563A
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- oxide semiconductor
- conductive
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は静電記録体、電子写真記録体、静電転写体及び
通電感熱記録体などに用いられる導電性支持体に関する
ものである。
通電感熱記録体などに用いられる導電性支持体に関する
ものである。
「従来の技術」
静電記録や電子写真記録などでは文字や図形を電気信号
や光信号を介して静電潜像に変換し、トナーなどで可視
化して記録されるが、これらの記録体に用いられる支持
体は、一般に何等かの低抵抗処理が施される。
や光信号を介して静電潜像に変換し、トナーなどで可視
化して記録されるが、これらの記録体に用いられる支持
体は、一般に何等かの低抵抗処理が施される。
低抵抗処理の為に用いられる導電性物質の一種として、
無機塩や高分子電解質などのイオン導電性物質が挙げら
れるが、外部環境の湿度変化によってその抵抗値が大き
く変化するため、その利用範囲が限定される。その為、
湿度変化の影響を受は難い導電性物質として、結晶内に
不純物を含み電子導電性を示す酸化スズ、酸化亜鉛、酸
化インジウムなどの金属酸化物半導体が好ましく用いら
れる。
無機塩や高分子電解質などのイオン導電性物質が挙げら
れるが、外部環境の湿度変化によってその抵抗値が大き
く変化するため、その利用範囲が限定される。その為、
湿度変化の影響を受は難い導電性物質として、結晶内に
不純物を含み電子導電性を示す酸化スズ、酸化亜鉛、酸
化インジウムなどの金属酸化物半導体が好ましく用いら
れる。
しかし、これらの金属酸化物半導体は、通常、所望の抵
抗値を得るのに多くの処理量を必要とするため、コスト
的に問題がある。例えば、静電記録体の導電性支持体で
は、およそ１０′Ω程度の抵抗値が必要であるが、この
値を得るのに酸化亜鉛を約１０ｇ強程度塗被する必要が
ある。
抗値を得るのに多くの処理量を必要とするため、コスト
的に問題がある。例えば、静電記録体の導電性支持体で
は、およそ１０′Ω程度の抵抗値が必要であるが、この
値を得るのに酸化亜鉛を約１０ｇ強程度塗被する必要が
ある。
また、通電感熱記録体の場合には、これらの金属酸化物
半導体で得られる抵抗値では不充分なため、ヨウ化銅の
ような導電性物質が用いられる。
半導体で得られる抵抗値では不充分なため、ヨウ化銅の
ような導電性物質が用いられる。
しかし、ヨウ化銅はヨウ素を遊離するため、金属が腐蝕
したり、記録体に不必要な着色が生じる等の欠点が付随
する。
したり、記録体に不必要な着色が生じる等の欠点が付随
する。
「発明が解決しようとする問題点」
かかる現状に鑑み本発明者等は、金属酸化物半導体の導
電性を向上せしめることにより、高価な金属酸化物半導
体の塗工量を凍らし、結果的にコスト低減、製造工程の
省エネ化を図ると共に、腐蝕や着色といった問題が付随
するヨウ化銅の如き導電性物質の使用を回避し得る技術
について鋭意研究の結果、還元性を示すスルホキシル酸
塩誘導体を金属酸化物半導体に併用すると、金属酸化物
半導体の導電性が著しく向上することを見出し本発明を
達成するに至った。
電性を向上せしめることにより、高価な金属酸化物半導
体の塗工量を凍らし、結果的にコスト低減、製造工程の
省エネ化を図ると共に、腐蝕や着色といった問題が付随
するヨウ化銅の如き導電性物質の使用を回避し得る技術
について鋭意研究の結果、還元性を示すスルホキシル酸
塩誘導体を金属酸化物半導体に併用すると、金属酸化物
半導体の導電性が著しく向上することを見出し本発明を
達成するに至った。
「問題点を解決するための手段」
本発明は、金属酸化物半導体とスルホキシル酸塩誘導体
を含有する導電層を備えたことを特徴とする導電性支持
体である。
を含有する導電層を備えたことを特徴とする導電性支持
体である。
「作用」
本発明で用いられる金属酸化物半導体としては、酸化亜
鉛、二酸化錫、酸化カドミウム、二酸化チタン、酸化イ
ンジウム等、さらには酸化チタンの表面に導電性酸化錫
を生成させたような、金属酸化物半導体を主たる導電性
成分とした複合体（特開昭５７−１）８２５号）等が挙
げられるが、これらの中でも酸化亜鉛は比較的安価であ
り、取り扱いの簡便さ、環境に与える影響の少なさとい
った点からも特に好ましく用いられる。
鉛、二酸化錫、酸化カドミウム、二酸化チタン、酸化イ
ンジウム等、さらには酸化チタンの表面に導電性酸化錫
を生成させたような、金属酸化物半導体を主たる導電性
成分とした複合体（特開昭５７−１）８２５号）等が挙
げられるが、これらの中でも酸化亜鉛は比較的安価であ
り、取り扱いの簡便さ、環境に与える影響の少なさとい
った点からも特に好ましく用いられる。
これらの金属酸化物半導体は、いずれも原子価制御によ
り導電性がコントロールされるが、例えば導電性酸化亜
鉛は、酸化亜鉛に少量のアルミニウム、インジウム、ス
ズ等の不純物を添加、焼成する方法で製造される（特開
昭５５−１６２４７７号）。製造時の条件、例えば焼成
温度や還元雰囲気の制御によっても導電性をある程度制
御できるが、得られる酸化亜鉛粉末の着色状況や粒子の
大きさから、得られる導電性酸化亜鉛の抵抗値には自ず
と限界がある。
り導電性がコントロールされるが、例えば導電性酸化亜
鉛は、酸化亜鉛に少量のアルミニウム、インジウム、ス
ズ等の不純物を添加、焼成する方法で製造される（特開
昭５５−１６２４７７号）。製造時の条件、例えば焼成
温度や還元雰囲気の制御によっても導電性をある程度制
御できるが、得られる酸化亜鉛粉末の着色状況や粒子の
大きさから、得られる導電性酸化亜鉛の抵抗値には自ず
と限界がある。
本発明の導電性支持体では、かかる金属酸化物半導体に
スルホキシル酸塩誘導体を併用するものであるが、スル
ホキシル酸塩誘導体の具体例としては、下記一般式で表
される誘導体が例示される。
スルホキシル酸塩誘導体を併用するものであるが、スル
ホキシル酸塩誘導体の具体例としては、下記一般式で表
される誘導体が例示される。
ＭＳ Ｏｚ ・Ｘ−ｎ Ｈ２０又は
ＭＨ３Ｏｚ ’ Ｘ−ｎＨｚ Ｏ
〔式中Ｍは１価又は２価の金属、Ｘは有機化合物、ｎは
０以上の整数を示す。〕 さらに、具体的にはＮａ Ｈ３Ｏｚ 、Ｚｎ５Ｏｚ、Ｃ
ｏ５０ｚ 、ＮａＨ３Ｏｚ ＨＣＨｚ ０ ・２Ｈｚ
０１ＺｎＳＯ□ ・ＣＨ２Ｏ・Ｈ２Ｏ等が例示される
。
０以上の整数を示す。〕 さらに、具体的にはＮａ Ｈ３Ｏｚ 、Ｚｎ５Ｏｚ、Ｃ
ｏ５０ｚ 、ＮａＨ３Ｏｚ ＨＣＨｚ ０ ・２Ｈｚ
０１ＺｎＳＯ□ ・ＣＨ２Ｏ・Ｈ２Ｏ等が例示される
。
これらの中でも、次亜硫酸ソーダとホルマリンの反応で
得られるナトリウム・ホルムアルデヒド・スルホキシレ
ート（Ｎａ Ｈ３Ｏ２’ ＣＨｚ Ｏ’ ２Ｈ２０）及
び亜鉛ハイドロサルファイドにホルマリンを加え亜鉛粉
末と共に反応させて得られる亜鉛・ホルムアルデヒド・
スルホキシレート（ＺｎＳＯ４・ＣＨ２Ｏ・Ｈ２Ｏ）は
、特に優れた導電性向上効果をもたらすため、より好ま
しく用いられる。
得られるナトリウム・ホルムアルデヒド・スルホキシレ
ート（Ｎａ Ｈ３Ｏ２’ ＣＨｚ Ｏ’ ２Ｈ２０）及
び亜鉛ハイドロサルファイドにホルマリンを加え亜鉛粉
末と共に反応させて得られる亜鉛・ホルムアルデヒド・
スルホキシレート（ＺｎＳＯ４・ＣＨ２Ｏ・Ｈ２Ｏ）は
、特に優れた導電性向上効果をもたらすため、より好ま
しく用いられる。
これらのスルホキシル酸塩誘導体が、金属酸化物半導体
に対して優れた導電性向上効果をもたらす原因について
は、必ずしも明らかではないが、スルホキシル酸塩誘導
体は強い還元性を呈するため、金属酸化物半導体の表面
に吸着された気体分子、特に酸素分子を効率良く除去し
、結果的に、吸着分子の影響で阻害されていた金属酸化
物半導体の導電性能が著しく向上するためではないがと
推測される。
に対して優れた導電性向上効果をもたらす原因について
は、必ずしも明らかではないが、スルホキシル酸塩誘導
体は強い還元性を呈するため、金属酸化物半導体の表面
に吸着された気体分子、特に酸素分子を効率良く除去し
、結果的に、吸着分子の影響で阻害されていた金属酸化
物半導体の導電性能が著しく向上するためではないがと
推測される。
なお、スルホキシル酸塩誘導体が強い還元性を呈するの
は、 のように、ＳＯ２基が酸素をうばい相手を強く還元する
ためである。
は、 のように、ＳＯ２基が酸素をうばい相手を強く還元する
ためである。
本発明において、金属酸化物半導体に対するスルホキシ
ル酸塩ＢＦｙ ８体の併用割合は、金属酸化物半導体１
００重量部に対して、２０重量部以下の範囲で調節され
るのが望ましく、より好ましくは０．００１〜５重量部
程度の範囲で調節される。なお、ｏ、ｏｏｔ重量部より
少ないと充分な改良効果が得られず、逆に２０重量部を
超えると金属酸化物半導体同志の接触が妨げられるため
、やはり満足すべき改良効果は得られない。
ル酸塩ＢＦｙ ８体の併用割合は、金属酸化物半導体１
００重量部に対して、２０重量部以下の範囲で調節され
るのが望ましく、より好ましくは０．００１〜５重量部
程度の範囲で調節される。なお、ｏ、ｏｏｔ重量部より
少ないと充分な改良効果が得られず、逆に２０重量部を
超えると金属酸化物半導体同志の接触が妨げられるため
、やはり満足すべき改良効果は得られない。
金属酸化物半導体とスルホキシル酸塩誘導体を併用する
際には、金属酸化物半導体表面に直接スルホキシル酸塩
誘導体が接触吸着するように併用するのが好ましく、例
えば金属酸化物半導体粉末に対し、スルホキシル酸塩誘
導体の溶解液を霧状に噴霧して吸着させたり、金属酸化
物半導体スラリー中にスルホキシル酸塩誘導体を混合添
加する方法などが採用される。
際には、金属酸化物半導体表面に直接スルホキシル酸塩
誘導体が接触吸着するように併用するのが好ましく、例
えば金属酸化物半導体粉末に対し、スルホキシル酸塩誘
導体の溶解液を霧状に噴霧して吸着させたり、金属酸化
物半導体スラリー中にスルホキシル酸塩誘導体を混合添
加する方法などが採用される。
金属酸化物半導体を支持体に固定するための結着剤とし
ては、ポリビニルアルコール、ヒドロキシメチルセルロ
ース、澱粉、スチレン・マレイン酸共重合体等の水溶性
高分子結着剤、ポリビニルベンジルアンモニウムクロラ
イド等の如き高分子電解質、アクリルエマルジョン、ス
チレンブタジェンラテックス等のエマルジョン系結着剤
等が好ましく用いられるが、ブチルメタクリレート、ポ
リビニルブチラール、ポリエステル等の有機溶剤系結着
剤や電子線硬化型、光硬化型の樹脂等も使用できる。
ては、ポリビニルアルコール、ヒドロキシメチルセルロ
ース、澱粉、スチレン・マレイン酸共重合体等の水溶性
高分子結着剤、ポリビニルベンジルアンモニウムクロラ
イド等の如き高分子電解質、アクリルエマルジョン、ス
チレンブタジェンラテックス等のエマルジョン系結着剤
等が好ましく用いられるが、ブチルメタクリレート、ポ
リビニルブチラール、ポリエステル等の有機溶剤系結着
剤や電子線硬化型、光硬化型の樹脂等も使用できる。
金属酸化物半導体に対する結着剤の配合割合は、金属酸
化物半導体１００重量部に対して、５〜６０重量部程度
の範囲で調節するのが望ましい。５重量部より少ないと
接着性が不足して金属酸化物半導体が脱落する恐れがあ
り、逆に６０重量部を超える程多量に配合すると、金属
酸化物半導体同志の接触が阻害されて導電性が低下して
しまう。
化物半導体１００重量部に対して、５〜６０重量部程度
の範囲で調節するのが望ましい。５重量部より少ないと
接着性が不足して金属酸化物半導体が脱落する恐れがあ
り、逆に６０重量部を超える程多量に配合すると、金属
酸化物半導体同志の接触が阻害されて導電性が低下して
しまう。
本発明の導電性支持体は、一般に金属酸化物半導体と結
着剤を含有する導電性塗液を適当な支持体に塗布するこ
とによって製造されるが、導電性塗液中には例えば分散
剤、消泡剤、染料などの各種助剤を適宜添加することが
できる。
着剤を含有する導電性塗液を適当な支持体に塗布するこ
とによって製造されるが、導電性塗液中には例えば分散
剤、消泡剤、染料などの各種助剤を適宜添加することが
できる。
調整された導電性塗液は、例えば合成紙、紙、フィルム
、プラスチック板などの適当な支持体の片面又は両面に
塗布されるが、塗布方法については特に限定されず、例
えばバーコータ、ブレードコータ、ロールコータ等各種
公知のコータヘッドを備えた塗布機によって適宜塗布さ
れる。
、プラスチック板などの適当な支持体の片面又は両面に
塗布されるが、塗布方法については特に限定されず、例
えばバーコータ、ブレードコータ、ロールコータ等各種
公知のコータヘッドを備えた塗布機によって適宜塗布さ
れる。
かくして得られる本発明の導電性支持体は、スルホキシ
ル酸塩誘導体の併用によって金属酸化物半導体の導電性
が著しく改良されているため、比較的少ない塗布量でも
、所望の導電性が得られる。
ル酸塩誘導体の併用によって金属酸化物半導体の導電性
が著しく改良されているため、比較的少ない塗布量でも
、所望の導電性が得られる。
従って、高価な金属酸化物半導体の使用量を大幅に低減
でき、しかも塗布量の減少に伴い、乾燥エネルギーの消
費量も大幅に節約できるものである。
でき、しかも塗布量の減少に伴い、乾燥エネルギーの消
費量も大幅に節約できるものである。
加えて、ヨウ化銅の如き導電性物質の使用が回避される
ため、腐蝕や着色といった問題も解消される。
ため、腐蝕や着色といった問題も解消される。
以下に、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する
が、勿論これらに限定されるものではない。なお、例中
の部数は全て重量部を示す。
が、勿論これらに限定されるものではない。なお、例中
の部数は全て重量部を示す。
実施例１〜２．比較例１
アルミニウムを不純物として添加、焼成して製造された
導電性酸化亜鉛１００部と水１００部を混合し、更にス
ルホキシル酸塩誘導体としてカトリウム・ホルムアルデ
ヒド・スルホキシレートを１部〔実施例１〕、亜鉛・ホ
ルムアルデヒド・スルホキシレートを３部〔実施例２〕
それぞれ添加してボールミルで分散した。なお、スルホ
キシル酸塩誘導体を添加しない例を比較例１とした。
導電性酸化亜鉛１００部と水１００部を混合し、更にス
ルホキシル酸塩誘導体としてカトリウム・ホルムアルデ
ヒド・スルホキシレートを１部〔実施例１〕、亜鉛・ホ
ルムアルデヒド・スルホキシレートを３部〔実施例２〕
それぞれ添加してボールミルで分散した。なお、スルホ
キシル酸塩誘導体を添加しない例を比較例１とした。
かくして得られた３種類の分散液に、結着剤としてポリ
ビニルアルコール（クラレ社製、ＰＶＡ１０５）の１０
％水溶液をそれぞれ１００部混合して導電性塗液とした
。
ビニルアルコール（クラレ社製、ＰＶＡ１０５）の１０
％水溶液をそれぞれ１００部混合して導電性塗液とした
。
５８ ｇ／ｎ（の上質紙の片面に、上記導電性塗液を乾
燥重量で５ ｇ／ｒｄから１５ ｇ／ｒｄまで変化させ
ながら塗布し、塗布量が１２ ｇ／ｍの時の表面抵抗値
を測定した。また、表面抵抗値がｌ Ｘ １０’Ωとな
るのに必要な塗布量を求め、それぞれ第１表に記載した
。
燥重量で５ ｇ／ｒｄから１５ ｇ／ｒｄまで変化させ
ながら塗布し、塗布量が１２ ｇ／ｍの時の表面抵抗値
を測定した。また、表面抵抗値がｌ Ｘ １０’Ωとな
るのに必要な塗布量を求め、それぞれ第１表に記載した
。
第１表の結果から明らかなように、本発明の各実施例で
得られた導電性支持体は、金属酸化物半導体の導電性が
スルホキシル酸塩誘導体の添加で著しく向上しているた
め、少量の塗布量で充分所望の導電性を有していた。
得られた導電性支持体は、金属酸化物半導体の導電性が
スルホキシル酸塩誘導体の添加で著しく向上しているた
め、少量の塗布量で充分所望の導電性を有していた。
第１表
実施例３．比較例２
導電性酸化亜鉛の代わりに導電性酸化スズを使用し、ス
ルホキシル酸塩誘導体としてナトリウム・ホルムアルデ
ヒド・スルホキシレートをｏ、 １ 部混合した以外は
実施例１と同様にして導電性塗液を調製した。なお、ス
ルホキシル酸塩誘導体を添加しない例を比較例２とした
。
ルホキシル酸塩誘導体としてナトリウム・ホルムアルデ
ヒド・スルホキシレートをｏ、 １ 部混合した以外は
実施例１と同様にして導電性塗液を調製した。なお、ス
ルホキシル酸塩誘導体を添加しない例を比較例２とした
。
得られた導電性塗液をポリエステルシートに膜厚を変化
させて塗布し、膜厚５μの時の表面抵抗値を測定し、さ
らに表面抵抗値がＩ Ｘ １０７Ωとなるのに必要な膜
厚量を求め、それぞれ第２表に記載した。
させて塗布し、膜厚５μの時の表面抵抗値を測定し、さ
らに表面抵抗値がＩ Ｘ １０７Ωとなるのに必要な膜
厚量を求め、それぞれ第２表に記載した。
第２表
〔静電記録体への応用〕
実施例１及び比較例１で得られた５種類の導電性支持体
を、それぞれスーパーキャレンダーでヘフク平滑度が３
００秒となるように処理した。
を、それぞれスーパーキャレンダーでヘフク平滑度が３
００秒となるように処理した。
ポリエステル樹脂（東洋紡績社製、バイロン２００）５
０部、炭酸カルシウム粉末（備北粉化社製、ソフトン１
８００）５０部及びメチルエチルケトン２００部を混合
し、ボールミルで約１時間分散して調製した誘電体層用
塗液を、上記導電性支持体に乾燥塗布量が５ ｇ ／
ｎ？となるように譬布し５種類の静電記録体を得た。
０部、炭酸カルシウム粉末（備北粉化社製、ソフトン１
８００）５０部及びメチルエチルケトン２００部を混合
し、ボールミルで約１時間分散して調製した誘電体層用
塗液を、上記導電性支持体に乾燥塗布量が５ ｇ ／
ｎ？となるように譬布し５種類の静電記録体を得た。
これを静電記録用ファクシミリ装置（松下電送社製、Ｕ
Ｆ−５２０）で記録し、その画像濃度をマクヘス濃度計
で測定し、その結果を第３表に記載した。
Ｆ−５２０）で記録し、その画像濃度をマクヘス濃度計
で測定し、その結果を第３表に記載した。
第３表の結果から明らかなように、画像濃度で１．０以
上の値を得るには、通常１２ｇ／ｍ前後の導電性塗液を
塗布する必要があるが、本発明の実施例の導電性支持体
では８ ｇ ／ ｍ以下の塗布量で満足すべき画像濃度
が得られた。
上の値を得るには、通常１２ｇ／ｍ前後の導電性塗液を
塗布する必要があるが、本発明の実施例の導電性支持体
では８ ｇ ／ ｍ以下の塗布量で満足すべき画像濃度
が得られた。
第３表
Claims (3)
- （１）金属酸化物半導体とスルホキシル酸塩誘導体を含
有する導電層を備えたことを特徴とする導電性支持体。 - （２）スルホキシル酸塩誘導体が、ナトリウム・ホルム
アルデヒド・スルホキシレート又は亜鉛・ホルムアルデ
ヒド・スルホキシレートから選ばれる少なくとも１種で
ある請求の範囲第（１）項記載の導電性支持体。 - （３）金属酸化物半導体が酸化亜鉛である請求の範囲第
（１）項記載の導電性支持体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26572885A JPS62124563A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 導電性支持体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26572885A JPS62124563A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 導電性支持体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62124563A true JPS62124563A (ja) | 1987-06-05 |
| JPH0250466B2 JPH0250466B2 (ja) | 1990-11-02 |
Family
ID=17421174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26572885A Granted JPS62124563A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 導電性支持体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62124563A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01153864A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Seiko Epson Corp | 伝達歯車 |
| EP0587508A2 (en) * | 1992-08-28 | 1994-03-16 | Tomoegawa Paper Co. Ltd. | Electrostatic recording medium |
| JP2009210735A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
| JP2009282167A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
-
1985
- 1985-11-26 JP JP26572885A patent/JPS62124563A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01153864A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Seiko Epson Corp | 伝達歯車 |
| EP0587508A2 (en) * | 1992-08-28 | 1994-03-16 | Tomoegawa Paper Co. Ltd. | Electrostatic recording medium |
| EP0587508A3 (en) * | 1992-08-28 | 1994-11-09 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Electrostatic recording medium. |
| JP2009210735A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
| JP2009282167A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、並びに画像形成方法、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0250466B2 (ja) | 1990-11-02 |
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