JPS62122195A - 多層回路基板 - Google Patents
多層回路基板Info
- Publication number
- JPS62122195A JPS62122195A JP26101085A JP26101085A JPS62122195A JP S62122195 A JPS62122195 A JP S62122195A JP 26101085 A JP26101085 A JP 26101085A JP 26101085 A JP26101085 A JP 26101085A JP S62122195 A JPS62122195 A JP S62122195A
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- JP
- Japan
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- conductor
- wiring
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- multilayer
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Laminated Bodies (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は多層配線基板に係わり、特に低抵抗の配線材料
としてＡ２導体を用いるに好適な多層基板の構成に関す
る。
としてＡ２導体を用いるに好適な多層基板の構成に関す
る。
半導体ＩＣを搭載する多層配置ｆ板では絶縁材料として
アルミナ、配線材料としてＭｏ 、 Ｗ等の耐火性金属
−が用いられていたが、近年信号伝播の高速化の要求が
高℃・。これに対処するものとして、アルミナに比べて
低誘′亀率でかつ１０００Ｇ以下の低温度で焼結するガ
ラス質材料を絶縁材料として用い、Ｗ−Ｍｏより導電性
が高く融点の低いＡｔ 、Ａｕ 、Ｃｕ、等の金属を配
線材料として用いる多層配線基板が開示されている（％
公昭６０−８２２９号）。
アルミナ、配線材料としてＭｏ 、 Ｗ等の耐火性金属
−が用いられていたが、近年信号伝播の高速化の要求が
高℃・。これに対処するものとして、アルミナに比べて
低誘′亀率でかつ１０００Ｇ以下の低温度で焼結するガ
ラス質材料を絶縁材料として用い、Ｗ−Ｍｏより導電性
が高く融点の低いＡｔ 、Ａｕ 、Ｃｕ、等の金属を配
線材料として用いる多層配線基板が開示されている（％
公昭６０−８２２９号）。
配線材料として抵抗が小さいこと、即ち固有抵抗の低い
ことが機能上型まれる。最も固有抵抗の低いＡｇは湿中
電界下でマイグレーションを生じ易く、基板としての信
頼性に不安を残すため用い難い。次に固有抵抗の低いム
はマイグレーションの危惧はないが、材料価格が高く性
能が価格より重視される極めて特殊な分野にしか適用し
難い。また、次いで固有抵抗の低いＣｔｂはマイグレー
ションやコストの問題はないが、非酸化雰囲気中での熱
処理が必要なため、多層基板作成プロセス上用いる各種
有機高分子材の分解・揮散が困難であるという難点があ
る。ここで、マイグレーションの発生を防ぐ構成とすれ
ば、材料コスト、プロセスの平易性からＡＰ配線多層基
板が最も有用となる。
ことが機能上型まれる。最も固有抵抗の低いＡｇは湿中
電界下でマイグレーションを生じ易く、基板としての信
頼性に不安を残すため用い難い。次に固有抵抗の低いム
はマイグレーションの危惧はないが、材料価格が高く性
能が価格より重視される極めて特殊な分野にしか適用し
難い。また、次いで固有抵抗の低いＣｔｂはマイグレー
ションやコストの問題はないが、非酸化雰囲気中での熱
処理が必要なため、多層基板作成プロセス上用いる各種
有機高分子材の分解・揮散が困難であるという難点があ
る。ここで、マイグレーションの発生を防ぐ構成とすれ
ば、材料コスト、プロセスの平易性からＡＰ配線多層基
板が最も有用となる。
回路基板の湿中電界下におけるＡ２配線のマイグレーシ
ョンは■Ａｒ配線が湿中に直接曝されること、あるいは
■ＡｇＡｔ配線蔵する絶縁層に外部からＡｔ配線に至る
微小なピンホールが存在し。
ョンは■Ａｒ配線が湿中に直接曝されること、あるいは
■ＡｇＡｔ配線蔵する絶縁層に外部からＡｔ配線に至る
微小なピンホールが存在し。
ピンホールに水分が侵入することによって生じる。当該
絶縁材料がガラス質の場合、ガン３粒子相互の溶融によ
ってち密な焼結絶縁層が形成できるため内蔵配線間のマ
イグレーションの発生はない。
絶縁材料がガラス質の場合、ガン３粒子相互の溶融によ
ってち密な焼結絶縁層が形成できるため内蔵配線間のマ
イグレーションの発生はない。
そこで、Ａｙ配線基板のマイグレーションの発生を抑止
し湿中電界下での耐性を向上するには、基板表面の部品
接続及び検査用端子ならびこれらと内蔵配線とを接続す
る最外皮層のヴィア導体の構成が重要な点となる。
し湿中電界下での耐性を向上するには、基板表面の部品
接続及び検査用端子ならびこれらと内蔵配線とを接続す
る最外皮層のヴィア導体の構成が重要な点となる。
本発明の目的は、ＡＰを配線とする多層回路基板におい
て、そのマイグレーションの発生を防止する基板の構成
を提供することにある。
て、そのマイグレーションの発生を防止する基板の構成
を提供することにある。
本発明の特徴は、多層回路基板の表面層の部品接続及び
検査用導体端子と内蔵Ａｔ配線とを電気的に接続する最
外絶縁層のヴィア導体にム導体あるいはＰｄを含有する
Ａｔ系得体を用いることにある。これらの導体材料は、
Ａｇそのものより固有抵抗はやや大きいが、０．１〜０
．５ ｗｍφｘｏ、ｏ４〜０，６ｍｌ１ｌＩｔの形状と
なるヴィア導体の配線抵抗は、０．１〜０．５ ａｒｍ
ＷＸ Ｏ，０１−０，０５ｔｔｒｍ’のＡｔ配線に比べ
て実効上極めて低い抵抗値となるため、多層配線として
は無視できる抵抗となる。
検査用導体端子と内蔵Ａｔ配線とを電気的に接続する最
外絶縁層のヴィア導体にム導体あるいはＰｄを含有する
Ａｔ系得体を用いることにある。これらの導体材料は、
Ａｇそのものより固有抵抗はやや大きいが、０．１〜０
．５ ｗｍφｘｏ、ｏ４〜０，６ｍｌ１ｌＩｔの形状と
なるヴィア導体の配線抵抗は、０．１〜０．５ ａｒｍ
ＷＸ Ｏ，０１−０，０５ｔｔｒｍ’のＡｔ配線に比べ
て実効上極めて低い抵抗値となるため、多層配線として
は無視できる抵抗となる。
即ち、セラミック焼結基板あるいはガラス質材料のグリ
ーンシートを印刷基体とし、Ａｔ導体ペーストとガラス
質絶縁ペーストとを交互にスクリーン印刷によって多層
化する方法にお（・ては、最上回路・端子層と内蔵Ａｔ
配線とを接続する最外絶縁層中のヴィア導体を尼導体ペ
ーストあるいはＰｄを含むＡｔ系導体ペーストを当該絶
縁層中のスルーホールに印刷充填し℃形成する。
ーンシートを印刷基体とし、Ａｔ導体ペーストとガラス
質絶縁ペーストとを交互にスクリーン印刷によって多層
化する方法にお（・ては、最上回路・端子層と内蔵Ａｔ
配線とを接続する最外絶縁層中のヴィア導体を尼導体ペ
ーストあるいはＰｄを含むＡｔ系導体ペーストを当該絶
縁層中のスルーホールに印刷充填し℃形成する。
また、ガラス質グリーンシートを積層して多層化する方
法においては、多層基板の最下層及び最上層に相当する
グリーンシートのスルーホールにはム導体ペーストある
いはＰｄを含むＡｔ系導体ペーストを印刷充填しておき
、内蔵配線に相当する部分はｈ導体ペーストのスクリー
ン印刷によって形成してお（。
法においては、多層基板の最下層及び最上層に相当する
グリーンシートのスルーホールにはム導体ペーストある
いはＰｄを含むＡｔ系導体ペーストを印刷充填しておき
、内蔵配線に相当する部分はｈ導体ペーストのスクリー
ン印刷によって形成してお（。
表面導体回路層はム導体ペースト、Ｐｔを含む劾系導体
ペーストのスクリーン印刷による形成、めりき法による
Ｃμ導体の形成、Ｃｒ −ＣＷ薄展の形成等によって行
なう。
ペーストのスクリーン印刷による形成、めりき法による
Ｃμ導体の形成、Ｃｒ −ＣＷ薄展の形成等によって行
なう。
このようにマイグレーションを生じ易い低抵抗のＡｔ配
線を基板の内部に完全に包含させ、基板表面から隔絶す
ることで湿中電界下における耐性を向上させた。
線を基板の内部に完全に包含させ、基板表面から隔絶す
ることで湿中電界下における耐性を向上させた。
実施例を
第１図を用いて一実施例を説明する。
く材料〉
絶縁材料として、アルミノホウケイ酸ガラス粉とアルミ
ナ粉の混合物を用いた。この混合粉体に高分子バインダ
（プイラール樹脂）。
ナ粉の混合物を用いた。この混合粉体に高分子バインダ
（プイラール樹脂）。
可塑剤（ブチルフタリルブチルグリコール）。
揮発性溶剤（ブチルアルコール−トリクロルエチレン−
テトラクロルエチレン混合溶剤）を加え通常のドクタブ
レード法により０．８ｍａｔのグリーンシートを作成し
た。また、混合粉ニ高分子バインダ（エチルセルローズ
）ヲ有機溶剤（テルピネオール）に溶解したビヒクルを
加え、混練して絶縁層用ペーストとした。
テトラクロルエチレン混合溶剤）を加え通常のドクタブ
レード法により０．８ｍａｔのグリーンシートを作成し
た。また、混合粉ニ高分子バインダ（エチルセルローズ
）ヲ有機溶剤（テルピネオール）に溶解したビヒクルを
加え、混練して絶縁層用ペーストとした。
内部配線用導体にはＡＰ粉に上記ビヒクルン加えて混練
したＡ、導体ペーストを用℃・た。最外絶縁層中のヴィ
ア導体にはム導体ペースト、表面回路層にはＰｄを１０
ｕｔ％含むＡ、系導体を用（・た。
したＡ、導体ペーストを用℃・た。最外絶縁層中のヴィ
ア導体にはム導体ペースト、表面回路層にはＰｄを１０
ｕｔ％含むＡ、系導体を用（・た。
くプロセス〉
グリーンシートを印刷基体１とし、Ａｔ導体ペーストを
印刷して第１配線層２を形成したｄ第２配線層３とヴィ
ア導体４を通して接続するだめの第１配線上の端子部を
除き、第１配線層の全面を覆うように絶縁ペーストを絶
縁層６を形成する。この時ヴィア導体部分はスルーホー
ルとなって中空状態にある。次（・で同じ＜ Ａｙ導体
ペーストをスルーホールのみを充填するよう印刷し、次
いで第２配線層３を印刷して形成する。以下同様にして
第３．第４配線層を形成し、第４配線層を覆う絶縁層を
形成する。この絶縁層には第４配線層と表面導体層５と
を接続するヴィア導体形成のためのスルーホールが形成
しである。当該スルーホールにム導体ペーストを印刷充
填して最外層ヴィア導体４′を形成し、次いでＡｙ −
Ｐｇ導体ペーストを印刷して表面層導体５を形成した。
印刷して第１配線層２を形成したｄ第２配線層３とヴィ
ア導体４を通して接続するだめの第１配線上の端子部を
除き、第１配線層の全面を覆うように絶縁ペーストを絶
縁層６を形成する。この時ヴィア導体部分はスルーホー
ルとなって中空状態にある。次（・で同じ＜ Ａｙ導体
ペーストをスルーホールのみを充填するよう印刷し、次
いで第２配線層３を印刷して形成する。以下同様にして
第３．第４配線層を形成し、第４配線層を覆う絶縁層を
形成する。この絶縁層には第４配線層と表面導体層５と
を接続するヴィア導体形成のためのスルーホールが形成
しである。当該スルーホールにム導体ペーストを印刷充
填して最外層ヴィア導体４′を形成し、次いでＡｙ −
Ｐｇ導体ペーストを印刷して表面層導体５を形成した。
この多層体を多孔質セラミック板に乗せ、８５０Ｃ−１
０分を最高温度とする条件で空気中熱処理した。
０分を最高温度とする条件で空気中熱処理した。
０．３諷間隔の表面端子５α−５ｂ間に１０ＶＤＣ印加
した試料において、６ＤＣ−９５％Ｒ，Ｈ，１０００Ｊ
で絶縁抵抗の低下はなかった。
した試料において、６ＤＣ−９５％Ｒ，Ｈ，１０００Ｊ
で絶縁抵抗の低下はなかった。
表面層５に劾導体を用いた場合は１０ＪＬで短絡に至っ
た。表面層５にＡｔ−Ｐｄ導体を用い最外皮層ヴィア導
体４′にＡ９導体を用いた場合には２００ｔで短絡に至
った。
た。表面層５にＡｔ−Ｐｄ導体を用い最外皮層ヴィア導
体４′にＡ９導体を用いた場合には２００ｔで短絡に至
った。
実施例λ
第２図を用いて他の実施例を説明する。
実施例１に用いたアルミノホウケイ酸ガラス粉とアルミ
ナ粉の混合物を実施例１と同様にして０．２ｗｔのグリ
ーンシート１とした。こノシートの所定の位置に０．２
φ騨のスルーホールをパンチングにより形成しておく。
ナ粉の混合物を実施例１と同様にして０．２ｗｔのグリ
ーンシート１とした。こノシートの所定の位置に０．２
φ騨のスルーホールをパンチングにより形成しておく。
第１層目グリ−シート及び第４層目グリーンシートのス
ルーホールには実施例１のＡｒ −Ｐｄ導体ベーストを
印刷充填してヴィア導体を形成した、当該グリーンシー
トで内蔵される構造となる内蔵配線及びヴィア導体には
実施例１のＡｊ導体を用℃・た。所定のバタンを形成し
た４枚のグリーンシートを１２０Ｃ−７０’ｆ／ｃ＋Ｊ
の条件で圧着積層し、８５０ Ｃ−１０分を液高温度と
する条件で空気中熱処理した。
ルーホールには実施例１のＡｒ −Ｐｄ導体ベーストを
印刷充填してヴィア導体を形成した、当該グリーンシー
トで内蔵される構造となる内蔵配線及びヴィア導体には
実施例１のＡｊ導体を用℃・た。所定のバタンを形成し
た４枚のグリーンシートを１２０Ｃ−７０’ｆ／ｃ＋Ｊ
の条件で圧着積層し、８５０ Ｃ−１０分を液高温度と
する条件で空気中熱処理した。
多層体の裏面及び表面の部品接続用導体として焼結体に
通常のマスク蒸着法によりＣｒ／Ｃｕ。
通常のマスク蒸着法によりＣｒ／Ｃｕ。
２層構成導体を形成した。
０．３鶏間隔の表面端子５α−５ｂ間Ｖｃ１０ＶＤＣ印
加した試料ニオイテ、６０Ｃ−９５％Ｒ，Ｈ，−１ｏｏ
ｏｚ で絶縁抵抗の低下はなかった。
加した試料ニオイテ、６０Ｃ−９５％Ｒ，Ｈ，−１ｏｏ
ｏｚ で絶縁抵抗の低下はなかった。
本発明によれば、固有抵抗が小さいｋｆ導体配線が基板
表面から隔絶される構成となるため機中電界下でのＡｇ
マイグレーショコン発生を抑止できる効果がある。
表面から隔絶される構成となるため機中電界下でのＡｇ
マイグレーショコン発生を抑止できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は他の
実施例を示す断面図である。 １・・・グリーンシートによる絶縁層、２・・・第１層
配線、 ３・・・第２層配線、４・・・ヴィア導体、 ４″・・・最外皮絶縁層のヴィア導体、５．５α、５ｂ
・・・表面層導体、 ６・・・印刷形成による絶縁層。 代理人弁理士 小 川 勝 −パ′ 第１図 第 ２図
実施例を示す断面図である。 １・・・グリーンシートによる絶縁層、２・・・第１層
配線、 ３・・・第２層配線、４・・・ヴィア導体、 ４″・・・最外皮絶縁層のヴィア導体、５．５α、５ｂ
・・・表面層導体、 ６・・・印刷形成による絶縁層。 代理人弁理士 小 川 勝 −パ′ 第１図 第 ２図
Claims (1)
- １、電気的絶縁層を介して多層化する回路基板において
、内層の平面配線材料及び上・下方向の配線材料Ａｇ導
体を用い、表面配線層と内層配線層とを接続するヴィア
導体材料にはＡｕ導体、あるいはＰｄを含有するＡｇ導
体を用いることを特徴とする多層回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26101085A JPS62122195A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26101085A JPS62122195A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 多層回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62122195A true JPS62122195A (ja) | 1987-06-03 |
Family
ID=17355800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26101085A Pending JPS62122195A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 多層回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62122195A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315753A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Nec Corp | セラミック多層配線基板 |
| JP2006102268A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Pentax Corp | 内視鏡用多層配線基板および内視鏡 |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP26101085A patent/JPS62122195A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315753A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Nec Corp | セラミック多層配線基板 |
| JP2006102268A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Pentax Corp | 内視鏡用多層配線基板および内視鏡 |
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