JPS62119940A - 半導体基板 - Google Patents
半導体基板Info
- Publication number
- JPS62119940A JPS62119940A JP60261733A JP26173385A JPS62119940A JP S62119940 A JPS62119940 A JP S62119940A JP 60261733 A JP60261733 A JP 60261733A JP 26173385 A JP26173385 A JP 26173385A JP S62119940 A JPS62119940 A JP S62119940A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- film
- substrate
- sapphire substrate
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体基板の改良に関するものである。
〈従来の技術〉
従来より、青色の発光素子はサファイア基板上にｎ型単
結晶の窒化ガリウムを形成し、Ｚｎをドープさせたｉｎ
構造のＭ ｉＳ型デバイスとして作製されている。
結晶の窒化ガリウムを形成し、Ｚｎをドープさせたｉｎ
構造のＭ ｉＳ型デバイスとして作製されている。
特に、窒化ガリウムの単結晶基板は大きなものが得られ
にくり、かつエピタキシャル成長温度が非常に高いため
、通常、サファイア基板上へ窒化ガリウムをエピタキシ
ャル成長させる方法が用いられている。
にくり、かつエピタキシャル成長温度が非常に高いため
、通常、サファイア基板上へ窒化ガリウムをエピタキシ
ャル成長させる方法が用いられている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
サファイア基板上に窒化ガリウムの単結晶膜をエピタキ
シャル成長させて、青色発光素子を作製する際、第３図
に示す従来の様に、サファイア基板１上に、直接窒化ガ
リウム２を形成すると格子のミスマツチングや整合性が
比較的大きいという問題が生じている。それ等は発光素
子の結晶性や欠陥密度に大きく影響を与えるため、再現
性や発光効率を著しく低下させ、青色の発光素子等が十
分な実用化に供していないのが現状である。
シャル成長させて、青色発光素子を作製する際、第３図
に示す従来の様に、サファイア基板１上に、直接窒化ガ
リウム２を形成すると格子のミスマツチングや整合性が
比較的大きいという問題が生じている。それ等は発光素
子の結晶性や欠陥密度に大きく影響を与えるため、再現
性や発光効率を著しく低下させ、青色の発光素子等が十
分な実用化に供していないのが現状である。
本発明は、上記の点に鑑みて創案されたものであり、上
記の欠点を除去し、青色発光等の発光素子の性能に影響
を及ぼさない半導体基板を提供することを目的としたも
のである。
記の欠点を除去し、青色発光等の発光素子の性能に影響
を及ぼさない半導体基板を提供することを目的としたも
のである。
く問題点を解決するだめの手段〉
上記の目的を達成するため、本発明に係る半導体基板は
、サファイア基板と、このサファイア基板上に窒化物と
してエピタキシャル成長させた窒化アルミニウムの単結
晶薄膜とを備えてなり、更にその上に連続的に窒化ガリ
ウムの単結晶薄膜を形成してなる様に構成している。
、サファイア基板と、このサファイア基板上に窒化物と
してエピタキシャル成長させた窒化アルミニウムの単結
晶薄膜とを備えてなり、更にその上に連続的に窒化ガリ
ウムの単結晶薄膜を形成してなる様に構成している。
〈作 用〉
本発明に係る半導体基板の構成はサファイア基板上に窒
化アルミニウムの単結晶薄膜を形成し、その上に窒化ガ
リウムの単結晶薄膜を形成する様になされている。
化アルミニウムの単結晶薄膜を形成し、その上に窒化ガ
リウムの単結晶薄膜を形成する様になされている。
このような構成によれば、特に、窒化アルミニウムの単
結晶薄膜はサファイア基板上に形成するとサファイア基
板とのなじみが良く、良好な単結を 品薄膜が得→ることか出来る。従って、その上に窒化ガ
リウムの薄膜を形成する場合には、同一窒化の化合物で
あることや、格子定数も類似しているため、発光素子を
構成する窒化ガリウム単結晶膜の形成時に生ずる膜歪や
欠陥及び再現性等に対しての特性を向上させることが可
能となる。
結晶薄膜はサファイア基板上に形成するとサファイア基
板とのなじみが良く、良好な単結を 品薄膜が得→ることか出来る。従って、その上に窒化ガ
リウムの薄膜を形成する場合には、同一窒化の化合物で
あることや、格子定数も類似しているため、発光素子を
構成する窒化ガリウム単結晶膜の形成時に生ずる膜歪や
欠陥及び再現性等に対しての特性を向上させることが可
能となる。
〈実施例〉
以下、図面を参照しながら本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
第１図は、本発明に係る半導体基板の基本構造を図式的
に示した構造断面図である。
に示した構造断面図である。
第１図において、１はサファイア基板であり、そのサフ
ァイア基板１上に窒化アルミニウムの単結晶薄膜３を設
けている。この窒化アルミニウムの単結晶薄膜３はサフ
ァイア基板１上にスパッタリングやＭＯＣＶＤ、ＡＬＥ
、イオンプレーテング法等により、膜厚はＩＯＡ〜１μ
ｍの範囲で付着させている。
ァイア基板１上に窒化アルミニウムの単結晶薄膜３を設
けている。この窒化アルミニウムの単結晶薄膜３はサフ
ァイア基板１上にスパッタリングやＭＯＣＶＤ、ＡＬＥ
、イオンプレーテング法等により、膜厚はＩＯＡ〜１μ
ｍの範囲で付着させている。
この窒化アルミニウム（ＡＩＮ）膜３は高温に耐え、高
純度の薄膜が得られ易いため、高絶縁性の基板を作製す
ることが出来る。
純度の薄膜が得られ易いため、高絶縁性の基板を作製す
ることが出来る。
第２図は、本発明に係る半導体基板を用いた基板の構造
断面を示したものである。
断面を示したものである。
第２図において、１１はサファイア基板上に窒化アルミ
ニウム（ＡＩＮ）の単結晶薄膜の形成された本発明に係
る半導体基板であり、この半導体基板１１上に窒化ガリ
ウム（ＧａＮ）の単結晶膜１２が、塩化ガリウム（Ｇａ
４１□）、トリメチルガリウム（（ＣＨ３）３Ｇａ
）−）リエチルガリウムＧａ（Ｃ２Ｈ５）３やアンモニ
ア（ＮＨ３）の原料を用いて、基板温度８００℃〜１５
００℃に加熱して、膜厚は０．１〜５０μｍの範囲内に
形成される。作製された窒化ガリウムの単結晶薄膜は、
窒化アルミニウムとの整合性が良く、サファイア基板と
単結晶窒化ガリウム膜の間に挿入された窒化アルミニウ
ム（ＡＩＮ）の単結晶薄膜によって、サファイア基板と
単結晶窒化ガリウム膜との格子整合の違いが緩和され、
結晶欠陥が少なく、再現性のある優れた性能を有してい
る。
ニウム（ＡＩＮ）の単結晶薄膜の形成された本発明に係
る半導体基板であり、この半導体基板１１上に窒化ガリ
ウム（ＧａＮ）の単結晶膜１２が、塩化ガリウム（Ｇａ
４１□）、トリメチルガリウム（（ＣＨ３）３Ｇａ
）−）リエチルガリウムＧａ（Ｃ２Ｈ５）３やアンモニ
ア（ＮＨ３）の原料を用いて、基板温度８００℃〜１５
００℃に加熱して、膜厚は０．１〜５０μｍの範囲内に
形成される。作製された窒化ガリウムの単結晶薄膜は、
窒化アルミニウムとの整合性が良く、サファイア基板と
単結晶窒化ガリウム膜の間に挿入された窒化アルミニウ
ム（ＡＩＮ）の単結晶薄膜によって、サファイア基板と
単結晶窒化ガリウム膜との格子整合の違いが緩和され、
結晶欠陥が少なく、再現性のある優れた性能を有してい
る。
〈発明の効果〉
以上のように、本発明によれば、サファイア基板上に良
質な窒化アルミニウムの単結晶薄膜を形成し、その半導
体基板上に窒化ガリウムの単結晶薄膜を形成するように
なしているため、サファイア基板と単結晶窒化ガリウム
膜との格子整合の違いが緩和され、素子デバイスの性能
を飛躍的に向上させることができる。
質な窒化アルミニウムの単結晶薄膜を形成し、その半導
体基板上に窒化ガリウムの単結晶薄膜を形成するように
なしているため、サファイア基板と単結晶窒化ガリウム
膜との格子整合の違いが緩和され、素子デバイスの性能
を飛躍的に向上させることができる。
第１図は、本発明に係る半導体基板の断面を示す図、第
２図は本発明に係る半導体基板を用いた基板の構造断面
図、第３図は従来の青色発光素子基板の基本構造を示す
断面図である。 １・・・サファイア基板、３・・・窒化アルミニウムの
単結晶薄膜、１１・・・半導体基板、１２・・・窒化ガ
リウムの単結晶薄膜。
２図は本発明に係る半導体基板を用いた基板の構造断面
図、第３図は従来の青色発光素子基板の基本構造を示す
断面図である。 １・・・サファイア基板、３・・・窒化アルミニウムの
単結晶薄膜、１１・・・半導体基板、１２・・・窒化ガ
リウムの単結晶薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 サファイア基板と、 該サファイア基板上に形成された窒化アルミニウム単結
晶薄膜とを備え、 該窒化アルミニウム単結晶薄膜上に単結晶窒化ガリウム
膜を形成してなることを特徴とする半導体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261733A JPS62119940A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60261733A JPS62119940A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 半導体基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119940A true JPS62119940A (ja) | 1987-06-01 |
Family
ID=17365954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60261733A Pending JPS62119940A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119940A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5006908A (en) * | 1989-02-13 | 1991-04-09 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Epitaxial Wurtzite growth structure for semiconductor light-emitting device |
| US7312480B2 (en) | 1998-10-22 | 2007-12-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
-
1985
- 1985-11-19 JP JP60261733A patent/JPS62119940A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5006908A (en) * | 1989-02-13 | 1991-04-09 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Epitaxial Wurtzite growth structure for semiconductor light-emitting device |
| US7312480B2 (en) | 1998-10-22 | 2007-12-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2593960B2 (ja) | 化合物半導体発光素子とその製造方法 | |
| US5665986A (en) | Compound semiconductor light emitting device and method of preparing the same | |
| JPH0945960A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH03203388A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| US6648966B2 (en) | Wafer produced thereby, and associated methods and devices using the wafer | |
| JPH11135889A (ja) | 結晶成長用基板及びそれを用いた発光装置 | |
| JPH07273048A (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法、該化合物半導体の単結晶および単結晶基板の製造方法 | |
| CN108110097A (zh) | GaN基LED器件及其制备方法 | |
| US5864573A (en) | Epitaxial wafer and compound semiconductor light emitting device, and method of fabricating the same | |
| JPS62119940A (ja) | 半導体基板 | |
| US9012934B2 (en) | Method of forming semiconductor layer and semiconductor light emitting device | |
| JP2001158691A (ja) | サファイヤ基板 | |
| JPH11298039A (ja) | ＧａＮ層および緩衝層の成長法およびその構造 | |
| JPH0864868A (ja) | 発光ダイオード、窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法 | |
| JP2003037069A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法 | |
| JPH0883926A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH10284802A (ja) | 窒化物系化合物半導体発光素子 | |
| JPS6134276B2 (ja) | ||
| JP2000012979A (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| KR100450785B1 (ko) | 질화갈륨후막제조방법 | |
| KR101282774B1 (ko) | 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR100892740B1 (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| KR19980072406A (ko) | 발광소자용 질화갈륨 기판 및 그 제조 방법 | |
| JPH09227297A (ja) | ＩｎＧａＮ単結晶およびその製造方法 | |
| JP2003282434A (ja) | ＺｎＯ系エピタキシャル成長基板、ＺｎＯ系エピタキシャル下地基板、及びＺｎＯ系膜の製造方法 |