JPH0864868A - 発光ダイオード、窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法 - Google Patents
発光ダイオード、窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法Info
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- JPH0864868A JPH0864868A JP19977894A JP19977894A JPH0864868A JP H0864868 A JPH0864868 A JP H0864868A JP 19977894 A JP19977894 A JP 19977894A JP 19977894 A JP19977894 A JP 19977894A JP H0864868 A JPH0864868 A JP H0864868A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】サファイア基板を用いたＧａＮ成長結晶の質を
大幅に高め、発光光率を上げる。 【構成】サファイア基板に、水素を流しながら１１５０
℃で２０分間保持し表面処理を行う。次に６００℃〜７
００℃に降温させ、ＴＭＡとＮＨ3 と水素を流して、１
分間ＡｌＮのバッファ層を成長させる。ＡｌＮバッファ
層成長後、さらに５００℃〜５５０℃に降温し、ＴＭＧ
とＮＨ3 と水素を流してＧａＮバッファ層を２分３０秒
成長させる。バッファ層成長後、１０００℃に昇温し、
ＴＭＧとＮＨ3 、水素を流して、９０分間ＧａＮ層を成
長させた。
大幅に高め、発光光率を上げる。 【構成】サファイア基板に、水素を流しながら１１５０
℃で２０分間保持し表面処理を行う。次に６００℃〜７
００℃に降温させ、ＴＭＡとＮＨ3 と水素を流して、１
分間ＡｌＮのバッファ層を成長させる。ＡｌＮバッファ
層成長後、さらに５００℃〜５５０℃に降温し、ＴＭＧ
とＮＨ3 と水素を流してＧａＮバッファ層を２分３０秒
成長させる。バッファ層成長後、１０００℃に昇温し、
ＴＭＧとＮＨ3 、水素を流して、９０分間ＧａＮ層を成
長させた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード、窒化
ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法に関す
る。
ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】低消費電力で長寿命な発光素子である発
光ダイオードは、インジケータランプ・警告表示・公告
表示などに広く用いられている。現在、実用化されてい
る発光ダイオードの発光色は、赤色、橙色、黄色、緑色
である。光の三原色−赤色・緑色・青色−の内、青色だ
けが、まだ、実用化に至っていない。青色発光ダイオー
ドが実用化できればＬＥＤでフルカラー表示が可能とな
る。青色を発光させるためには広い禁制帯幅の半導体結
晶が必要である。そのため、窒化ガリウム（ＧａＮ）、
ＳｉＣ、ＺｎＳｅ等の広い禁制帯幅の半導体結晶につい
て開発が進められている。窒化ガリウムは直接遷移型半
導体であるため、高い発光効率が期待されている。
光ダイオードは、インジケータランプ・警告表示・公告
表示などに広く用いられている。現在、実用化されてい
る発光ダイオードの発光色は、赤色、橙色、黄色、緑色
である。光の三原色−赤色・緑色・青色−の内、青色だ
けが、まだ、実用化に至っていない。青色発光ダイオー
ドが実用化できればＬＥＤでフルカラー表示が可能とな
る。青色を発光させるためには広い禁制帯幅の半導体結
晶が必要である。そのため、窒化ガリウム（ＧａＮ）、
ＳｉＣ、ＺｎＳｅ等の広い禁制帯幅の半導体結晶につい
て開発が進められている。窒化ガリウムは直接遷移型半
導体であるため、高い発光効率が期待されている。
【０００３】発光ダイオード用窒化ガリウムのエピタキ
シャルウェハの構造は、基板にサファイアを使用し、そ
の上に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）もしくはＧａＮのバ
ッファ層の一層を設け、さらにその上にｎ型ＧａＮ、ｐ
型ＧａＮを成長させた構造となっている。
シャルウェハの構造は、基板にサファイアを使用し、そ
の上に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）もしくはＧａＮのバ
ッファ層の一層を設け、さらにその上にｎ型ＧａＮ、ｐ
型ＧａＮを成長させた構造となっている。
【０００４】このウェハの成長には、水素ガスをキャリ
アガスとして、有機金属ガスであるトリメチルガリウム
（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、及び
アンモニア（ＮＨ3 ）ガスを用いて行う。添加不純物に
は、ｎ型としてはシラン（ＳｉＨ4 ）を、ｐ型にはビス
シクロペンタディエニルマグネシウム（ＣＰ2 Ｍｇ）を
用いる。
アガスとして、有機金属ガスであるトリメチルガリウム
（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、及び
アンモニア（ＮＨ3 ）ガスを用いて行う。添加不純物に
は、ｎ型としてはシラン（ＳｉＨ4 ）を、ｐ型にはビス
シクロペンタディエニルマグネシウム（ＣＰ2 Ｍｇ）を
用いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＧａＮ
結晶の製造方法における問題は、良質なＧａＮ結晶が得
られていないことにある。これは、基板であるサファイ
アとＧａＮの物性が大きく異なるために、良好なエピタ
キシャル成長が困難であるためである。良好な結晶を得
ることを目的に、前記したように、サファイア基板とＧ
ａＮ結晶との間に、ＡｌＮ層、もしくはＧａＮ層の一層
からなるバッファ層を設ける工夫が検討されている。こ
のバッファ層をどのように作製するかが、その上に成長
するＧａＮの結晶性を左右している。結晶性は、発光ダ
イオードの発光効率に大きな影響を及ぼし、結晶性が悪
いと著しく発光光率が低くなってしまう。
結晶の製造方法における問題は、良質なＧａＮ結晶が得
られていないことにある。これは、基板であるサファイ
アとＧａＮの物性が大きく異なるために、良好なエピタ
キシャル成長が困難であるためである。良好な結晶を得
ることを目的に、前記したように、サファイア基板とＧ
ａＮ結晶との間に、ＡｌＮ層、もしくはＧａＮ層の一層
からなるバッファ層を設ける工夫が検討されている。こ
のバッファ層をどのように作製するかが、その上に成長
するＧａＮの結晶性を左右している。結晶性は、発光ダ
イオードの発光効率に大きな影響を及ぼし、結晶性が悪
いと著しく発光光率が低くなってしまう。
【０００６】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消し、発光光率を高めることが可能な発光ダイオー
ドを提供することにある。
を解消し、発光光率を高めることが可能な発光ダイオー
ドを提供することにある。
【０００７】また、本発明の目的は、サファイア基板を
用いたＧａＮ成長結晶の質を大幅に高めることができる
窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法を
提供することにある。
用いたＧａＮ成長結晶の質を大幅に高めることができる
窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
は、サファイア基板上にバッファ層とＧａＮ層とを有す
る発光ダイオードにおいて、上記バッファ層がＡｌＮ層
からなる第１のバッファ層と、ＧａＮ層からなる第２の
バッファ層とを備えたものである。
は、サファイア基板上にバッファ層とＧａＮ層とを有す
る発光ダイオードにおいて、上記バッファ層がＡｌＮ層
からなる第１のバッファ層と、ＧａＮ層からなる第２の
バッファ層とを備えたものである。
【０００９】また、本発明のＧａＮ結晶は、サファイア
基板上にバッファ層とＧａＮ層とを有するＧａＮ結晶に
おいて、上記バッファ層がＡｌＮ層からなる第１のバッ
ファ層と、ＧａＮ層からなる第２のバッファ層とを備え
たものである。
基板上にバッファ層とＧａＮ層とを有するＧａＮ結晶に
おいて、上記バッファ層がＡｌＮ層からなる第１のバッ
ファ層と、ＧａＮ層からなる第２のバッファ層とを備え
たものである。
【００１０】本発明の窒化ガリウム結晶の製造方法は、
有機金属及びアンモニアを用いてサファイア基板上にバ
ッファ層及び窒化ガリウム層を形成する工程を有し、上
記バッファ層の形成時、サファイア基板上に第１のバッ
ファ層として成長温度６００℃から７００℃で窒化アル
ミニウム層を形成し、第２のバッファ層として５００℃
から５５０℃で窒化ガリウム層を形成するものである。
有機金属及びアンモニアを用いてサファイア基板上にバ
ッファ層及び窒化ガリウム層を形成する工程を有し、上
記バッファ層の形成時、サファイア基板上に第１のバッ
ファ層として成長温度６００℃から７００℃で窒化アル
ミニウム層を形成し、第２のバッファ層として５００℃
から５５０℃で窒化ガリウム層を形成するものである。
【００１１】
【作用】サファイア基板上へのバッファ層が、成長温度
６００〜７００℃で成長させたＡｌＮ層からなる第１の
バッファ層と、成長温度５００℃から５３０℃で成長さ
せたＧａＮ層からなる第２のバッファ層との２つのバッ
ファ層で構成すると、なぜ、効果があるのかは不明であ
るが、次のように推定することができる。
６００〜７００℃で成長させたＡｌＮ層からなる第１の
バッファ層と、成長温度５００℃から５３０℃で成長さ
せたＧａＮ層からなる第２のバッファ層との２つのバッ
ファ層で構成すると、なぜ、効果があるのかは不明であ
るが、次のように推定することができる。
【００１２】サファイア基板上へのＧａＮ層の成長のよ
うに両者の物性が大きく異なる場合のエピタキシャル成
長では、アモルファス状のバッファ層がよく用いられ
る。これは、基板側の結晶のくせをある程度ぼかし、そ
の上に、成長させる結晶のくせを損ねることが少ないか
らと思われる。サファイア基板上にＧａＮ層を成長させ
るバッファ層として、本発明方法がそれに適していると
考えられる。
うに両者の物性が大きく異なる場合のエピタキシャル成
長では、アモルファス状のバッファ層がよく用いられ
る。これは、基板側の結晶のくせをある程度ぼかし、そ
の上に、成長させる結晶のくせを損ねることが少ないか
らと思われる。サファイア基板上にＧａＮ層を成長させ
るバッファ層として、本発明方法がそれに適していると
考えられる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。アンドープＧａＮのエピタキシャル成長を、本実施
例の方法と比較例の方法で成長させ、結晶の特性比較を
行った。本実施例の方法はバッファ層を２層成長させた
ものであり、比較例の方法は１層のバッファ層でＡｌＮ
とＧａＮとの２通りで成長させたものである。成長は、
有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）で行った。横型炉
を使用し、成長圧力は１．３×１０4 Ｐａで行った。基
板表面の面方位がＣ面のサファイア基板を用いた。
る。アンドープＧａＮのエピタキシャル成長を、本実施
例の方法と比較例の方法で成長させ、結晶の特性比較を
行った。本実施例の方法はバッファ層を２層成長させた
ものであり、比較例の方法は１層のバッファ層でＡｌＮ
とＧａＮとの２通りで成長させたものである。成長は、
有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）で行った。横型炉
を使用し、成長圧力は１．３×１０4 Ｐａで行った。基
板表面の面方位がＣ面のサファイア基板を用いた。
【００１４】（実施例）成長の温度プログラムを図１に
示す。成長は、まず、サファイア基板に、１０l/min で
水素を流しながら、１１５０℃で２０分間保持し表面処
理を行った。その次に、６２０℃に降温させ、２０μmo
l/min のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）と５l/min
のアンモニア（ＮＨ3 ）と５l/min の水素を流して、１
分間ＡｌＮのバッファ層を成長させた。ちなみに、この
流量比で６０分間成長させ、断面を観察したところ、
１．１μｍ層の膜が形成していた。このことから１分間
の成長では、１８nm成長したと考えられる。このＡｌＮ
バッファ層成長後、さらに５２０℃に降温し、３０μmo
l/min のＴＭＧと５l/min のＮＨ3 と５l/min の水素を
流してＧａＮバッファ層を２分３０秒成長させた。バッ
ファ層成長後、１０００℃に昇温し、８０μmol/min の
ＴＭＧと５l/min のＮＨ3 、５l/min の水素を流して、
９０分間ＧａＮエピタキシャル層を成長させた。断面を
観察したところ、６．１μｍ成長していた。図２に構造
を示す。サファイア基板１上にＡｌＮバッファ層４、Ｇ
ａＮバッファ層５、ＧａＮエピタキシャル層３が順次積
層されている。この結晶の質を調べるために、ホール測
定を行った。電極には、真空蒸着させたアルミニウムを
用いた。測定の結果はｎ型を示し、キャリア濃度が３×
１０16cm-3、移動度が７２０cm2 ／Ｖ・Ｓであった。
示す。成長は、まず、サファイア基板に、１０l/min で
水素を流しながら、１１５０℃で２０分間保持し表面処
理を行った。その次に、６２０℃に降温させ、２０μmo
l/min のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）と５l/min
のアンモニア（ＮＨ3 ）と５l/min の水素を流して、１
分間ＡｌＮのバッファ層を成長させた。ちなみに、この
流量比で６０分間成長させ、断面を観察したところ、
１．１μｍ層の膜が形成していた。このことから１分間
の成長では、１８nm成長したと考えられる。このＡｌＮ
バッファ層成長後、さらに５２０℃に降温し、３０μmo
l/min のＴＭＧと５l/min のＮＨ3 と５l/min の水素を
流してＧａＮバッファ層を２分３０秒成長させた。バッ
ファ層成長後、１０００℃に昇温し、８０μmol/min の
ＴＭＧと５l/min のＮＨ3 、５l/min の水素を流して、
９０分間ＧａＮエピタキシャル層を成長させた。断面を
観察したところ、６．１μｍ成長していた。図２に構造
を示す。サファイア基板１上にＡｌＮバッファ層４、Ｇ
ａＮバッファ層５、ＧａＮエピタキシャル層３が順次積
層されている。この結晶の質を調べるために、ホール測
定を行った。電極には、真空蒸着させたアルミニウムを
用いた。測定の結果はｎ型を示し、キャリア濃度が３×
１０16cm-3、移動度が７２０cm2 ／Ｖ・Ｓであった。
【００１５】（比較例１）成長温度プログラムを図３に
示す。成長は、実施例１の成長方法の表面処理までは同
様に行った。その次に、１１５０℃から６２０℃に降温
し、２０μmol/min のＴＭＡと５l/min のＮＨ3 と５l/
min の水素を流して、ＡｌＮバッファ層を３分間成長さ
せた。バッファ層成長後、１０００℃に昇温し、８０μ
mol/min のＴＭＧと５l/min のＮＨ3 、５l/min の水素
を流して、９０分間ＧａＮエピタキシャル層を成長させ
た。ＧａＮ成長は、実施例１と同様に行った。図４に構
造を示す。また、同様にホール測定を行った。測定の結
果はｎ型を示し、キャリア濃度が１×１０17cm-3で移動
度が４００cm2 ／Ｖ・Ｓであった。
示す。成長は、実施例１の成長方法の表面処理までは同
様に行った。その次に、１１５０℃から６２０℃に降温
し、２０μmol/min のＴＭＡと５l/min のＮＨ3 と５l/
min の水素を流して、ＡｌＮバッファ層を３分間成長さ
せた。バッファ層成長後、１０００℃に昇温し、８０μ
mol/min のＴＭＧと５l/min のＮＨ3 、５l/min の水素
を流して、９０分間ＧａＮエピタキシャル層を成長させ
た。ＧａＮ成長は、実施例１と同様に行った。図４に構
造を示す。また、同様にホール測定を行った。測定の結
果はｎ型を示し、キャリア濃度が１×１０17cm-3で移動
度が４００cm2 ／Ｖ・Ｓであった。
【００１６】（比較例２）一層のバッファ層として、Ｇ
ａＮを用いた成長も行った。温度プログラムを図５に示
す。バッファ層の成長条件は、５２５℃でＴＭＧ６０μ
mol/min 、ＮＨ3６l/min 、水素４l/min であった。成
長は２分間行った。他の成長条件は、実施例１と同様で
ある。図６に構造を示す。ホール測定の結果、ｎ型を示
し、キャリア濃度は２．５×１０17cm-3、移動度は３０
０cm2 ／Ｖ・Ｓであった。
ａＮを用いた成長も行った。温度プログラムを図５に示
す。バッファ層の成長条件は、５２５℃でＴＭＧ６０μ
mol/min 、ＮＨ3６l/min 、水素４l/min であった。成
長は２分間行った。他の成長条件は、実施例１と同様で
ある。図６に構造を示す。ホール測定の結果、ｎ型を示
し、キャリア濃度は２．５×１０17cm-3、移動度は３０
０cm2 ／Ｖ・Ｓであった。
【００１７】（本実施例と比較例との比較）ＧａＮで
は、結晶欠陥は一般的にｎ型のキャリアとなるので、低
キャリア程結晶性がよい。ホール測定の結果、比較例
１、２よりも本実施例の方がキャリア濃度が大幅に低
く、しかも、移動度が大きくなっており、結晶の質が良
好であることがわかった。
は、結晶欠陥は一般的にｎ型のキャリアとなるので、低
キャリア程結晶性がよい。ホール測定の結果、比較例
１、２よりも本実施例の方がキャリア濃度が大幅に低
く、しかも、移動度が大きくなっており、結晶の質が良
好であることがわかった。
【００１８】（本実施例のバッファ層成長条件の検討）
本実施例の成長方法において、ＡｌＮ、ＧａＮバッファ
層の成長温度条件の検討を行った。まず、ＡｌＮバッフ
ァ層成長温度の検討を行った。ＧａＮバッファ層の成長
条件は、先の実施例と同様に５２０℃固定し、ＡｌＮバ
ッファ層の成長温度を５５０℃から７５０℃の間で変え
て成長を行った。ホール測定を行った結果、図７のよう
になった。図７は、ＡｌＮバッファ層成長温度とキャリ
ア濃度の関係を示している。図からわかるように、６０
０℃から７００℃の間でキャリア濃度は低くなり、結晶
性がよかった。
本実施例の成長方法において、ＡｌＮ、ＧａＮバッファ
層の成長温度条件の検討を行った。まず、ＡｌＮバッフ
ァ層成長温度の検討を行った。ＧａＮバッファ層の成長
条件は、先の実施例と同様に５２０℃固定し、ＡｌＮバ
ッファ層の成長温度を５５０℃から７５０℃の間で変え
て成長を行った。ホール測定を行った結果、図７のよう
になった。図７は、ＡｌＮバッファ層成長温度とキャリ
ア濃度の関係を示している。図からわかるように、６０
０℃から７００℃の間でキャリア濃度は低くなり、結晶
性がよかった。
【００１９】次に、ＡｌＮバッファ層の成長温度を６２
０℃に固定し、ＧａＮバッファ層の成長温度を４５０℃
から６５０℃の間で変えた成長を行った。ホール測定の
結果は図８のようになった。図８はＧａＮバッファ層成
長温度とキャリア濃度の関係を示している。図からわか
るように、５００℃から５５０℃の間でキャリア濃度
は、低くなり、結晶性がよかった。
０℃に固定し、ＧａＮバッファ層の成長温度を４５０℃
から６５０℃の間で変えた成長を行った。ホール測定の
結果は図８のようになった。図８はＧａＮバッファ層成
長温度とキャリア濃度の関係を示している。図からわか
るように、５００℃から５５０℃の間でキャリア濃度
は、低くなり、結晶性がよかった。
【００２０】本実施例による成長方法を用いれば、結晶
性のよいＧａＮを成長することができる。この方法は、
発光光率が良好な発光ダイオード用ＧａＮ結晶の成長に
応用できる。
性のよいＧａＮを成長することができる。この方法は、
発光光率が良好な発光ダイオード用ＧａＮ結晶の成長に
応用できる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の発光ダイオード及び窒化ガリウ
ム結晶によれば、バッファ層を窒化アルミニウム層と窒
化ガリウム層との２層で構成したので、窒化ガリウムの
結晶性が向上し、発光光率を高めることができる。
ム結晶によれば、バッファ層を窒化アルミニウム層と窒
化ガリウム層との２層で構成したので、窒化ガリウムの
結晶性が向上し、発光光率を高めることができる。
【００２２】本発明の窒化ガリウム結晶の製造方法によ
れば、サファイア基板上に窒化アルミニウムの第１バッ
ファ層と窒化ガリウムの第２バッファ層とをそれぞれ最
適温度で形成するようにしたので、結晶欠陥の少ない結
晶性の良好なＧａＮエピタキシャル成長が可能となる。
れば、サファイア基板上に窒化アルミニウムの第１バッ
ファ層と窒化ガリウムの第２バッファ層とをそれぞれ最
適温度で形成するようにしたので、結晶欠陥の少ない結
晶性の良好なＧａＮエピタキシャル成長が可能となる。
【図１】本発明の窒化ガリウム結晶の製造方法の実施例
を説明するための温度プログラムを示す図。
を説明するための温度プログラムを示す図。
【図２】本発明の窒化ガリウム結晶の構造の実施例を示
す断面図。
す断面図。
【図３】従来例の窒化ガリウム結晶の製造方法の温度プ
ログラムを示す図。
ログラムを示す図。
【図４】従来例の窒化ガリウム結晶の構造を示す断面
図。
図。
【図５】他の従来例の窒化ガリウム結晶の製造方法の温
度プログラムを示す図。
度プログラムを示す図。
【図６】他の従来例の窒化ガリウム結晶の構造を示す断
面図。
面図。
【図７】本発明の成長方法の条件を検討するためのＡｌ
Ｎバッファ層成長温度とキャリア濃度の関係を示すグラ
フ。
Ｎバッファ層成長温度とキャリア濃度の関係を示すグラ
フ。
【図８】本発明の成長方法の条件を検討するためのＧａ
Ｎバッファ層成長温度とキャリア濃度の関係を示すグラ
フ。
Ｎバッファ層成長温度とキャリア濃度の関係を示すグラ
フ。
１ サファイア基板 ３ ＧａＮエピタキシャル層 ４ ＡｌＮバッファ層 ５ ＧａＮバッファ層
Claims (3)
- 【請求項１】サファイア基板上にバッファ層と窒化ガリ
ウム層とを有する発光ダイオードにおいて、上記バッフ
ァ層が窒化アルミニウム層からなる第１のバッファ層
と、窒化ガリウム層からなる第２のバッファ層とを備え
たことを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】サファイア基板上にバッファ層と窒化ガリ
ウム層とを有する窒化ガリウム結晶において、上記バッ
ファ層が窒化アルミニウム層からなる第１のバッファ層
と、窒化ガリウム層からなる第２のバッファ層とを備え
たことを特徴とする窒化ガリウム結晶。 - 【請求項３】有機金属及びアンモニアを用いてサファイ
ア基板上にバッファ層及び窒化ガリウム層を形成する工
程を有し、上記バッファ層の形成時、サファイア基板上
に第１のバッファ層として成長温度６００℃から７００
℃で窒化アルミニウム層を形成し、第２のバッファ層と
して５００℃から５５０℃で窒化ガリウム層を形成する
ことを特徴とする窒化ガリウム結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19977894A JPH0864868A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 発光ダイオード、窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19977894A JPH0864868A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 発光ダイオード、窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864868A true JPH0864868A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16413461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19977894A Pending JPH0864868A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | 発光ダイオード、窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864868A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1197996A2 (en) | 2000-10-13 | 2002-04-17 | Ngk Insulators, Ltd. | A III nitride epitaxial wafer and usage of the same |
| EP1223234A3 (en) * | 2001-01-15 | 2006-04-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Epitaxial base substrate and epitaxial substrate |
| CN1313654C (zh) * | 2004-06-02 | 2007-05-02 | 中国科学院半导体研究所 | 生长高阻氮化镓外延膜的方法 |
| CN1333471C (zh) * | 2004-03-12 | 2007-08-22 | 广镓光电股份有限公司 | 发光半导体装置的缓冲层 |
| CN100336942C (zh) * | 2004-06-02 | 2007-09-12 | 中国科学院半导体研究所 | 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 |
| JP2009508366A (ja) * | 2005-06-10 | 2009-02-26 | ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド | リング・トーンまたはリング・バックなどの個別の位置対応指標を提供するための方法および装置 |
| WO2009026748A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Lattice Power (Jiangxi) Corporation | Gallium nitride light-emitting device with ultra-high reverse breakdown voltage |
| JP2015023291A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 中国科学院福建物質構造研究所Ｆｕｊｉａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｏｎ Ｔｈｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｏｆ Ｍａｔｔｅｒ， Ｃｈｉｎｅｓｅ Ａｃａｄｅｍｙｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ | ＧａＮ系ＬＥＤエピタキシャル構造およびその製造方法 |
| JP2018160545A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体基板およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-08-24 JP JP19977894A patent/JPH0864868A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1197996A2 (en) | 2000-10-13 | 2002-04-17 | Ngk Insulators, Ltd. | A III nitride epitaxial wafer and usage of the same |
| JP2002187800A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-07-05 | Ngk Insulators Ltd | Ｉｉｉ族窒化物エピタキシャル基板及びその使用方法 |
| EP1197996A3 (en) * | 2000-10-13 | 2008-08-06 | Ngk Insulators, Ltd. | A III nitride epitaxial wafer and usage of the same |
| EP1223234A3 (en) * | 2001-01-15 | 2006-04-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Epitaxial base substrate and epitaxial substrate |
| CN1333471C (zh) * | 2004-03-12 | 2007-08-22 | 广镓光电股份有限公司 | 发光半导体装置的缓冲层 |
| CN1313654C (zh) * | 2004-06-02 | 2007-05-02 | 中国科学院半导体研究所 | 生长高阻氮化镓外延膜的方法 |
| CN100336942C (zh) * | 2004-06-02 | 2007-09-12 | 中国科学院半导体研究所 | 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 |
| JP2009508366A (ja) * | 2005-06-10 | 2009-02-26 | ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド | リング・トーンまたはリング・バックなどの個別の位置対応指標を提供するための方法および装置 |
| WO2009026748A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Lattice Power (Jiangxi) Corporation | Gallium nitride light-emitting device with ultra-high reverse breakdown voltage |
| JP2015023291A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 中国科学院福建物質構造研究所Ｆｕｊｉａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｏｎ Ｔｈｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｏｆ Ｍａｔｔｅｒ， Ｃｈｉｎｅｓｅ Ａｃａｄｅｍｙｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ | ＧａＮ系ＬＥＤエピタキシャル構造およびその製造方法 |
| JP2018160545A (ja) * | 2017-03-22 | 2018-10-11 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体基板およびその製造方法 |
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