JPS62117382A - 半導体レ−ザビ−ム発生装置 - Google Patents

半導体レ−ザビ−ム発生装置

Info

Publication number
JPS62117382A
JPS62117382A JP25796785A JP25796785A JPS62117382A JP S62117382 A JPS62117382 A JP S62117382A JP 25796785 A JP25796785 A JP 25796785A JP 25796785 A JP25796785 A JP 25796785A JP S62117382 A JPS62117382 A JP S62117382A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
light source
supporting part
invar
optical axis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25796785A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Kitajima
博史 北島
Tomiyoshi Yoshida
吉田 富省
Koji Morishita
森下 耕次
Nobuo Nakatsuka
中塚 信雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Tateisi Electronics Co
Priority to JP25796785A priority Critical patent/JPS62117382A/ja
Publication of JPS62117382A publication Critical patent/JPS62117382A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は半導体レーザビーム発生装flK関し、特に半
導体レーザから出射される拡散ビームを所望の形状のビ
ームに整形(〜て出射する光学系を含む装置に関する。
〈発明の概要〉 本発明は、光源部と鏡筒部を同一のインバー製支持部で
支持し、光源部の半導体レーザ支持部を断熱材で包囲し
、また光源部を半径方向外方からねじで支持するように
構成することにより、外方又は温度変化による半導体レ
ーザと鏡筒との間の位置ずれを除去し、また半導体レー
ザの光軸ずれを高精度で調整することができるようにし
たことを特徴とする。
〈従来の技術〉 この種の製電は第2図に示すようK、半導体レーザ1か
ら出射した拡散ビームを、鏡筒2に内蔵したレンズ系(
不図示)によシ整形し、所望のビ−ムウエスト位を及び
ビームウェスト径のビームを得るものである。
半導体レーザ1は、半導体レーザ位蟹調整機構3によシ
保持されるとともに機構3のリング4によシ半径方向に
移動されて光軸ずれが調整され、また機構3の後方に取
付けられたペルチエ素子5によシ冷却されて温度調整さ
れる。尚、リング4による調整は外部治具によυ行われ
る。ペルチエ素子5の後方(放熱側)は光源支持板6に
取付けられ、光源支持板6は放熱フィン7及び定盤8に
取付けられている。
定盤8にはまた、鏡筒2の支持部9が取付けられ、鏡筒
2を光軸方向に移動して所望のビームを実現する。定盤
8と鏡筒支持部9は熱膨張率の小さいインバーで形成さ
れている。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら上記構成の製雪にあっては、光源支持板6
が半導体レーザ1の鏡筒2に対する位置決めとペルチエ
素子5の放熱路とを兼用しているために、これを銅など
の熱伝導率の大きい材料で形成すると使用中に変形して
半導体レーザ1のと鏡筒2との位置ずれが生じ、他力、
インバーなどの熱膨率の小さい材t1で形成すると温調
効率が悪くなるという問題点がある。
また、半導体レーザ位置調整機構3はリング4を有する
ために被温調部分の体積が大きくまた被温調部分を断熱
材で囲むことができず、温調効率が悪いという問題点が
ある1、 更に、半導体レーザ位ft調整機構3と鏡筒2が定盤8
を介して結合されているために1外方や周囲温度変化に
より相対的な位置ずれが生じ、所望のビームが得られな
い。
また、半導体レーザJの光軸ずれ調整は、鏡筒2との間
で外部治具を操作し、リング4を移動して行うために、
作業性が悪く、調整後の位置ずれが生じやすいという問
題点がある。
本発明は上記問題点に鑑み、半導体レーザと鏡筒との位
置ずれが生ずることなく、ペルチエ素子の放熱効果を向
上し、また半導体レーザの温調効果を向上するとともに
半導体レーザの位置決めを容易にすることのできる半導
体レーザビーム発生装置を提供することを目的とする。
〈問題点を解決するための手段〉 本発明は上記問題点を解決するために、半導体レーザと
、該半導体レーザを支持し、熱伝導率の大きい材料で形
成された半導体レーザ支持部と、該半導体レーザを包囲
する断熱材と、前記半導体レーザ支持部を介して前記半
導体レーザを冷却するペルチエ素子とを有する光源部と
、繭記光源部の半導体レーザからの光を整形するレンズ
系を有し、インバーで形成された鏡筒部と、前記光源部
及び鏡筒部を一体で支持し、インバーで形成された支持
部と、前記支持部に設けられ、前記光源部を複数の半径
方向外方からねじKよシ支持することによシ前記半導体
レーザの光軸ずれを調整する光軸調整部と、前記光源部
のペルチエ素子の熱を伝導する熱伝導部と、前記熱伝導
部からの熱を放出する放熱フィンとを有することを特徴
とする。
〈実施例〉 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。第1図
は本発明に係る半導体レーザビーム発生装置の警部破断
側面図である。
光源である半導体レーザ11は、銅などの熱伝導率の大
きい材料で形成された半導体レーザ支持部12に固定さ
れて支持され、半導体レーザ支持部12の外側面は断熱
材13によシ包囲されている。半導体レーザ支持部12
の光軸方向後方(図面左方)には、半導体レーザ11を
冷却するためのペルチエ素子14が固定されており、こ
れらの部材11.12.13及び14により光源部を構
成している。
光源部のペルチエ素子14の光軸方向後方すなわち放熱
側は、銅などの熱伝導率の大きい材料で形成されたペル
チエ素子固定板15に固定され、この固定板15は同じ
く銅などで形成された熱伝導部161C半径方向に摺動
可能に嵌合している。
熱伝導部16は同じく銅などで形成された熱伝導部17
に固定され、熱伝導部17は放熱フィン18に固定され
ている。
ペルチエ素子固定板15の光軸方向前方すなわちペルチ
エ素子14の固定側は、インバーで形成された支持部1
9に半径方向に摺動可能に支持され、支持部19は熱伝
導部17に固定されている。
支持部19には、半径方向四方からペルチエ素子固定板
15の端面に当接するねじ20(下方向及び図面後方の
ねじは図示省略)が埋設され、とのねじ20を選択して
回転するととKよジペルチエ素子固定板15を移動し、
光源部(11,12゜13.14)特九半導体レーザ1
1の半径方向の位置ずれを調整する。
インバー製の支持部19は光軸方向前方に伸びておシ、
同じくインバーで形成された第1鏡筒21の外側面と螺
合している。第1鏡筒21の内側面には、光源部の半導
体レーザ11の拡散光が入射する第ルンズ群22が固定
され、また同じくインバーで形成された第2鏡筒23の
外側面及び第2鏡筒固定用リング24の外側面が螺合し
ている1、第2鏡筒23には、整形された半導体レーザ
ビームBが出射する第2レンズ群25が固定されている
尚、支持部19の壁部には光軸方向に伸びた切欠(不図
示)が形成され、またこの切欠を締付けるねじ(不図示
)が設けられている。このねじを締付けることKより第
1鏡筒21を支持部19に固定することができる。
上記構成において、半導体レーザ11は銅製の半導体レ
ーザ支持部12を介してペルチエ素子14により冷却さ
れて温度調整され、また半導体レーザ支持部12が断熱
材13により包囲されているので温調効率がよい。また
、ペルチエ素子14の放熱側もそれぞれ銅製のペルチエ
素子固定板15及び熱伝導部16.17を介して放熱フ
ィン18に結合されているので温調効率が良い。したが
って半導体レーザ11の拡散ビームは所望の径及び方向
で鏡筒部(21,、23)の方へ出射する。
また、半導体レーザ11の拡散ビームの整形は、第1鏡
筒21を支持部19に対して回転して光軸方向に移動す
るとともに第2鏡筒23を第1鏡筒21に対して回転し
て光軸方向に移動することKよシ、所望のビームウェス
ト位置及びビームウェスト径を有するビームBを実現す
る。この場合、光源部(11〜14)と鏡筒部(21〜
25)とはインバー製の同一の支持部19により支持さ
れており、第1及び第2鐘筒21.23はインバーで形
成されており、光源部(11〜14)は一定温度に維持
されているので、半導体レーザ11と鏡筒部(21〜2
5)との間の外方及び温度変化による位置ずれが生ずる
ことかない。
光源部(11〜14)の光軸ずれは、インバー製支持部
19に設けられた複数方向からのねじ20により行うの
で、調整後のずれが生じることもない。
〈発明の効果〉 以上説明したように本発明は、半導体レーザ支持部に一
定温度に維持され、また半導体レーザ支持部と鏡筒が同
一のインバー製支持部により支持されているので、外方
又は温度変化による半導体レーザと鏡筒との間の距離の
ずれが生じない。
また、半導体レーザ支持部を断熱材で包囲し、他方放熱
路は熱伝導率の大きい材料で形成されているので、半導
体レーザに対する温調効率を向上することができる。
本発明は更に、光源部を半径方向外方からねじ支持する
ように構成したので、外部治具を用いることなく高精度
に半導体レーザの光軸ずれを調整することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体レーザビーム発生装置の要
部破断側面図、第2図は従来例の要部破断側面図である
。 11・・・半導体レーザ、12・・・半導体レーザ支持
部、13・・・断熱材、14・・・ペルチエ素子、16
゜17・・・熱伝導部、18・・・放熱フィン、19・
・・支持部、20・・・ねじ、21.23・・・鏡筒、
22.25・・・レンズ系。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体レーザと、該半導体レーザを支持し、熱伝導率の
    大きい材料で形成された半導体レーザ支持部と、該半導
    体レーザを包囲する断熱材と、前記半導体レーザ支持部
    を介して前記半導体レーザを冷却するペルチエ素子とを
    有する光源部と、前記光源部の半導体レーザからの光を
    整形するレンズ系を有し、インバーで形成された鏡筒部
    と、前記光源部及び鏡筒部を一体で支持し、インバーで
    形成された支持部と、 前記支持部に設けられ、前記光源部を複数の半径方向外
    方からねじにより支持することにより前記半導体レーザ
    の光軸ずれを調整する光軸調整部と、 前記光源部のペルチエ素子の熱を伝導する熱伝導部と、 前記熱伝導部からの熱を放出する放熱フィンとを有する
    半導体レーザビーム発生装置。
JP25796785A 1985-11-18 1985-11-18 半導体レ−ザビ−ム発生装置 Pending JPS62117382A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25796785A JPS62117382A (ja) 1985-11-18 1985-11-18 半導体レ−ザビ−ム発生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25796785A JPS62117382A (ja) 1985-11-18 1985-11-18 半導体レ−ザビ−ム発生装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62117382A true JPS62117382A (ja) 1987-05-28

Family

ID=17313700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25796785A Pending JPS62117382A (ja) 1985-11-18 1985-11-18 半導体レ−ザビ−ム発生装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62117382A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6219364B1 (en) 1997-01-09 2001-04-17 Nec Corporation Semiconductor laser module having improved metal substrate on peltier element
JP2006269569A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd レーザモジュール
JP2007071229A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Sanki Eng Co Ltd 伸縮管継手および配管構造

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6219364B1 (en) 1997-01-09 2001-04-17 Nec Corporation Semiconductor laser module having improved metal substrate on peltier element
JP2006269569A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd レーザモジュール
JP2007071229A (ja) * 2005-09-02 2007-03-22 Sanki Eng Co Ltd 伸縮管継手および配管構造

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4953176A (en) Angular optical cavity alignment adjustment utilizing variable distribution cooling
US5210650A (en) Compact, passively athermalized optical assembly
CN103576319B (zh) 光偏转器、光源设备、图像投影装置和显示装置
US4948221A (en) Athermalized optical head
US5270870A (en) Athermalized beam source and collimator lens assembly
TW200923594A (en) Device for controlling temperature of an optical element
US10211589B2 (en) Laser apparatus and extreme ultraviolet light generation apparatus
US5270869A (en) Passively athermalized optical assembly incorporating laminate fiber compensation ring
US20180246280A1 (en) Fiber mounting units and fiber receiving elements
JPH04179180A (ja) 短波長レーザ光源
US5617440A (en) Device for holding a cylindrical laser tube in a stable radiation direction
JPS62117382A (ja) 半導体レ−ザビ−ム発生装置
JP2005152972A (ja) レーザ加工装置
CN215526205U (zh) 一种可调节角度的水冷准直镜头
US6762938B2 (en) Apparatus and method for providing auxiliary cooling and thermal stability to an opto-electronic component
JP2933578B2 (ja) 面冷却式高出力レーザ光学セル
JPS6232634B2 (ja)
JP6742717B2 (ja) 光学装置、それを備えた露光装置、および物品の製造方法
US5315605A (en) Ion laser apparatus
JPH01268080A (ja) 固体レーザ装置
JPH0479391A (ja) 半導体レーザモジュール
JPS6059794A (ja) 半導体レーザー用の安定化装置
JPH0228122B2 (ja)
US3735285A (en) Solid-state laser
JP7475755B2 (ja) レーザベースプレートの温度を均一化するための方法及び装置