JPS62117376A - 光起電力装置用の基板およびその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業−にの利用分野１ 本発明は、表面粗さが比較的小さな表面を４５するアル
ミニウムまたはアルミニウム合金材からなる金属薄板（
金属箔も含む）と、その金属薄板の表面に形成された表
面粗さの小さな表面を有する芳香族ポリイミドからなる
コーティング層（有機絶縁材層）とからなる基板、およ
びその袈が、に係るものであり、その基板は５太陽電沌
、光検出器などの光起電力装置の基板として好適に使用
することができるものである。

［従来技術］ 近年、太陽の光熱を有効に利用しようとする］Ｉ的で太
陽電池が各方面に利用されその使用♀が増大し、一層安
定した品質の太陽電池が大間に低コストで供給されるこ
とが望まれている。

一般に、太陽電池は、基板１−にＶ・導体薄膜層を形成
して構成されているが、そのノ、（板としては、ガラス
板、有機樹脂膜（フィルム）、ステンレス板などが使用
されていた。

しかしながら、ガラス板は、屈曲性がないのでコイルツ
ーコイル法による非晶質半導体薄膜の形成ができないこ
と、割れ易いので取り扱いが不便であること、基板とし
て薄く、軽縫にすることが充分にできないことなどの問
題があった。

また、有機樹脂膜（フィルム）は、太陽電池用の基板と
して使用して太陽光に曝される場合に、長期間の耐候性
、耐久性に問題があった。

前述のガラス板、有機樹脂膜などが充分に満足できない
ものであったので、太陽電池用の基板としては、ステン
レス板、特に圧延法によって製造されるステンレス板が
多く使用されているが、通常使用されているステンレス
板では、−・般的に圧延時に発生する「うねり」、「傷
」などが多数形成され、表面に微細な凹凸が多数存在す
るため、太陽電池用の基板として使用した場合に、光起
電力素子をその基板の［二の形成する際または太陽電池
として使用している間に、ピンホールが発生する原因と
なり、セル特性を劣化さゼる。

そこで、圧延ステンレス板を太陽電池用の基板として使
用する場合には１通常、研磨材を含有させて行う電解複
合研Ｎｆ）、などによって鏡面（、ｔ：　−ｌ−げを行
い、表面粗さ（Ｒｍａｘ）が約０．０５〜０．２Ｊ７．
ｍ程度である表面にしてから、ノ、（板として使用して
いる。しかしながら、前記の研磨法による加工は極めて
煩雑で熟練を要し、その加［゛コストが高価となり、生
産に１を悪化させる原因となっていた。

最近、前述の圧延ステンレス板の表面性を改りするため
に、圧延ステンレス板に、１撓Ｐ１と耐熱性とを有する
ポリイミド系の４１機絶縁材層を形成させる方法（特開
昭５８−１８００６９＋３公報記載）が提案されている
。しかしながら、この方法では、ステンレス板の表面の
凹凸（最大１００４ｍの高さのものまである）のために
、その表面に有機絶縁材層を形成してステンレス板の凹
凸が有機絶縁被覆層によって一部は緩和されて表面性が
わずかに改善されるものの、必ずしも充分に満足すべき
表面モ滑性な有する鏡面が得られない。

したがって、圧延ステンレス板の表面に有機絶縁材料層
を形成する公知の技術においては、さらにその表面性の
改善のために、煩雑で熟練を要する研磨作業、あるいは
数回にわたる絶縁皮膜の形成を行って高価な有機絶縁被
覆層を厚くする必要があり、このため生産性を著しく悪
化する。

また、ステンレス板を基板とする太陽電池は、大型のも
のでは極めて重くなるので、設置個所の支持構造物を充
分な強度を有する巨大な構造体としなければならないし
、さらに、太陽の直射日光に長期間曝されると、太陽熱
が基板などに蓄積されて、太陽電池全体が高温となり、
半導体薄膜などの寿命を縮めるという問題もあった。

［発明の要件およびその作用効果］ 本発明者は、公知の技術における種々の欠点がなく、か
つ生産性のよい光起電力用基板の製法について鋭意検討
した結果、表面粗さくＲｍａｇ）が、０．０５〜０．４
．ｇｍの範囲であるような光輝圧延法によって製造され
たアルミニウムまたアルミニウム合金材からなる金属台
板をそのまま使用して、その金属薄板の前記表面粗さの
表面に芳香族ポリイミドまたは芳香族ポリアミック酸の
溶液を直接に塗布し、その塗布層を乾燥及び／又は加熱
処理することによって、表面粗さくＲ１１ｆｉりがＯ０
ｌｋｍ以下の表面性の優れた芳香族ポリイミドからなる
コーティング層を、前記金属ドル板の表面に容易に形成
できることを見い出し、この発明を完成した。

すなわち、未発［５１１は、アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金材からなる金属薄板がその少なくとも片面の
表面粗さ（Ｒｍａｘ）を０．０５−０．４ＪＬｍの範囲
内となされており、その金属薄板の前記表面に、表面粗
さ（Ｒｍａｘ）が０．１μ１ｍ以下である芳香族ポリイ
ミドからなるコーティング層（有機絶縁材層）が直接に
接合されていることを特徴とする光起電力装置用の基板
にある。

上記の光起電力装置用の基板は、少なくとも片面の表面
粗さくＲｍａｍ）が０．０５〜０．４１Ｌｍの範囲内と
なるように光輝圧延法によって製造されたアルミニウム
またはアルミニウム合金材からなる金属Ｑ板の表面に、
芳香族ポリイミドまたは芳香族ポリアミック酸の溶液を
均一・な厚さに塗布し、ついで 前記Ｑｉ　ｊｅｔ　’ｌｔ！Ｉを乾燥及び／又は加熱処
理して、表面粗さ（Ｒｍａｘ）が０．１ｇｍ以下である
芳香族ポリイミドからなるコーティング層（有機絶縁材
層）を、前記金属薄板の表面に直接に形成する方法によ
り効率良く製造することができる。

この発明の光起電力装置用の基板は、製造が比較的容易
である「中間的なレベルの表面粗さを有するアルミニウ
ム系の金属薄板」をまず製造しく準備し）、その金属−
ル板の表面に特定の芳香族ポリマー溶液を直接に塗布し
、その塗布層を乾燥・加熱処理して有機絶縁材層を形成
するという極めて簡単な操作で、高いレベルの表面平滑
性を有するアルミニウム系の基板を製造することができ
、その製造法が極めて簡単であるため、工業生産性が高
い。

また、この発明の光起電力装置用の基板では、芳香族ポ
リイミドからなるコーティング層が表面性について優れ
ていると共に、電気絶縁性、＃熱性、機械的強度、耐薬
品に１なども優れたものであるので、光起電力素ｆ−を
その基板の」−の種々の１段で形成する際または太陽電
池として使用している間に、ピンホールなどが発生する
ことが実質的になく、セル特性が劣化することがなく、
高い性能の太陽電池、光検出器などの光起電力装置を容
易に製造することができる。

さらに、この発明の光起電力装置用のノ、（板は、アル
ミニウムまたはアルミニウム合金材からなる金属薄板と
コーティング層（極めて薄い層）とが直接に接合してい
るものであるので、太陽光の熱が蓄積されて、この基板
から製造された光起電力装置が高温になることがなく、
しかも軽４１であって極めて柔軟性の高いものであり、
そのノ、（板の巻き取り操作などが可能である。

そして、この発明の光起電力装置用の）１（板は、前記
コーティング層が、光起電力素−ｆとなる半導体薄膜層
との密着性がよく、その）ｒ導体薄膜層の熱膨張係数と
近い値を有し、さらに、金属基材からの不純物を拡散さ
せずしかも良好なオーミック接触が得られるという光起
電力装置に必要な長所を有している。

［発明の各要件の詳しい説明］ この発明において使用されている金属薄板は、アルミニ
ウムまたはアルミニウム合金材からなる金属薄板（箔）
であり、その金属薄板の少なくとも片面の表面粗さ（Ｒ
ｍａｘ）が０．０５〜０．４川ｍ、用ましくは０．１〜
０．３ＪＬｍの範囲内となっているものであり、特に、
公知の光輝圧延法によって好適に製造される。

前記の金属薄板の表面粗さ（Ｒｍａｘ）があまりに大き
くなり過ぎると、そのような金属薄板の表面に芳香族ポ
リイミドまたは芳香族ポリアミック酸の溶液を塗布し、
その塗布層を乾燥および／または加熱処理してコーティ
ング層を形成した際に、そのコーティング層の表面粗さ
くＲｍａｚ）が望ましい値である０、１Ｂｍ以下とする
ことができない。そのような表面粗さが大きい基板を使
用して太陽電池を形成すると、光起電力素ｆ一層とアル
ミニウム系の金属薄板との間で短絡しやすくなり、必要
以−１−に有機絶縁材層であるコーディング層を厚くす
る必要が生ずる。

前記の金属節板のＬのコーティング層を厚くするには、
前記ポリマー溶液の塗、／Ｉｉ、乾燥・加熱などを繰り
返し行なわねばならず、極めて「稈が煩雑となり、生産
性が悪化すると同時に、厚い被覆層が基板の熱伝導性を
悪化させて、基板あるいはその基板から形成された光起
電力装置の直射１１光による高温にまでの昇温を生ずる
原因となる。

前記の金属薄板としては、台板（箔）または条としうる
材質のものならば、どのようま材質のアルミニウム材で
あってもよいが、特に光輝圧延法による処理などによっ
て、表面粗さくＲｍａｇ）を小さくでき、かつ、光起電
力装置用の゛ｒ導導体−脱膜形成際の加熱（例えば、約
２００〜３５０℃、０．５〜４時冊の加熱）によっても
変形が少ないような材質が好ましい。

前記の金属薄板としては、／ｌを９０．０％以１−１特
に９５．０％以り含有しているアルミニウムまたはアル
ミニウム合金材であればよく、例えばＡすを９９．０％
以上、特に９９．５％以り含有しているアルミニウム材
、あるいは前記のアルミニウム材にＭｇがさらに０．１
〜２．０％、特に０．２〜１．５％程度添加されている
アルミニウム合金材が好ましく、具体的には、特にＪＩ
Ｓ規格において１０００系、３０００系、５０００系と
呼ばれるアルミニウムまたはアルミニウム合金材が適当
である。さらにＪＩＳ規格の３００４のような９９．８
％ＡＪＩ純度のアルミニウム材にＭｇが０．４〜１．２
％の割合で添加されているアルミニウム合金材が最適で
ある。

また、前記金属薄板はその厚さが０．０５〜１ｍ　ｍ　
、特に０．１〜Ｏ−４ｍｍ程度であることが好ましい。

余りに厚くなりすぎると基板が重くなったり、柔軟性、
可撓性が無くなり、さらに基板が高価になるので望まし
くなく、また余りに薄くなると、基板として使用する際
の熱履歴により変形し易いので望ましくない。

この発明の製法において金属薄板を！Ｊ造するための光
輝圧延法は、研磨材による研磨仕トげやバブ什−■−げ
などにより光沢イ１トげをした（金属）ロールを用いて
アルミニウム材の圧延を行うノＪ法である。使用するロ
ールは、ＪＩＳ　　ＢＯ６０１に従って測定して得られ
る中心線乎均粗さくＲａ、被測定面の中位測定長さあた
りの高さの平均＆ｉ　）が０．１川ｍ以）゛になってい
ることが好ましく、これよりも中心線平均相さくＲａ）
が大きくなると、什］−げアルミ、−ラム相の表面粗さ
（Ｒｍａｘ）が大きくなるので望ましくない。

この発明の製法において、光輝圧延操作はｌバスで行っ
てもよいが、２バスで圧延することが、より表面粗さ（
Ｒｍａｘ）の小さいアルミニウム系の金属薄板を得るこ
とができるので適当である。

この発明の基板において芳養放ポリイミドからなるコー
ティング層はその表面粗さくＲ謬ａｘ　）が０．１ｐＬ
ｍ以Ｆである。そのようなコーティング層は、前述の表
面粗さくＲ■ａｘ０．０５〜０．４Ｊ１．ｍ）を有する
前述の金属薄板に、名香族ボリイミド又は芳香族ポリア
ミック酸の溶液（ワニス）を直接に塗布し、その塗布層
を乾煙及び／又は加熱処理することによって形成するこ
とができる。

前記の芳香族ポリイミドまたは芳香族ポリアミック酸の
溶液（芳香族ポリマー溶液）は、芳香族テトラカルボン
酸またはその酸二無水物と芳香族ジアミンとを有機極性
溶媒中、０〜２５０℃の重合温度で重合して得られ、有
機溶媒にｉｆ溶性で耐熱性の芳香族ポリマーの溶液であ
る。

前記の芳香族ポリマー溶液は、重合温度が０〜８０℃で
あると、芳香族ポリアミック酸溶液となり、Φ：合温Ｉ
Ｖが１２０〜２５０℃であると、芳香族ポリイミドの溶
液となる。

前記の芳香族ポリマー溶液は、ポリマー濃度が約３〜４
０型開−％、特に５〜３０重に％であることが好まＬ　
＜、また、回転粘度（２５℃）が、約０．５〜１０００
ボイズ、特に１〜５００ポイズ、さらに好ましくは１０
〜２００ボイズであることが好ましい。

前記の芳香族テトラカルボン酸としては、ビフェニルテ
トラカルボン ラカルポン酸、ビス（３．４−ジカルボキシフェニル）
メタン、２，２−ビス（Ｅ，４　−　ジカルボキシフェ
ニル）プロパン、ビス（３．４−ジカルボキシフェニル
）エーテル、ビロメリン！−酸、またはそれらの酸二無
水物、あるいはそれらの混合物を挙げることができる。

前記の芳香族ジアミンとしては、４，４°−ジアミノジ
フェニルエーテル、３，４°−ジアミノジフェニルエー
テル、４，４′−ジアミノシフ、、、ニーフルチオエー
テル、４，４゛−ジアミノジフェニルメタン、３，４°
−ジアミノジフェニルメタン、４，４°−ジアミノジフ
ェニルプロパン、４，４°−ジアミノベンゾフェノン、
　ｏ−、　ｍ−ｔタハｐ−フェニレンジアミン、あるい
はそれらの混合物を挙げることができる。

この発明の製法では、特に、３．３’，４．４’　−ビ
フェニルテトラカルボン酸又はその酸〕無水物、または
２，３．３’　、４°−ビフェニルテトラカルボン酸ヌ
はその酸乙無水物を５０モル％以１−、４、ｒに６０モ
ル％以上含有している芳香族７−トラカルボン酸成分と
４，４“−ジアミノジフェニルエーテル、３．４’−ジ
アミノフェニルエーテル、■−またはｐ−フェニレンジ
アミンなどの芳香族ジアミン成分とを重合して得られた
芳香族ポリイミドまたは芳香族ポリアミック酸の溶液、
また、３．３’、４．４°−ビフェニルテトラカルボン
酸又はその酸二無水物とピロメリット酸又はその酸二無
水物とからなる芳香族テトラカルボン酸成分と前記の芳
香族ジアミン成分とを重合して得られた芳香族ポリアミ
ック酸の溶液が、ポリマーの有機溶媒に対する溶解性（
溶解の保存安定性など）、コーティング層の機械的強度
、耐熱性などの点において好適である。

前記の有機溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアセトアミド′、Ｎ。

Ｎ−ジエチルアセトアミド、テトラメチルホスホトリア
ミドなどのアミド系溶媒、または、フェノール、０−１
−一またはｐ−クロルフェノール、２−クロル−５−ヒ
ドロキシトルエンなどのフェノール系溶媒などをあげる
ことができる。

前記のアミド系溶媒は、Ｌとして芳香族ポリアミック酸
の溶媒として使用され、フェノール系溶媒は、主として
芳香族ポリイミドの溶媒として使用されるが、　２，３
．３’、４’　−ビフェニルテトラカルボン酸またはそ
の酸″、！！［水物と芳香族ジアミンとから得られた芳
香族ポリイミドは、アミド系溶媒にも溶解する場合があ
るので好適である。

この発明の製法において、前述の金属薄板の表面に、前
述の芳香族ポリマー溶液を塗布する方法としては、金属
ｔ８Ｍ板を溶媒に浸漬して塗布する浸漬法、溶液を金ｈ
ル薄板の表面に流延して塗布する流延法、溶液を金属台
板の表面に噴霧して塗４１するスプレー法、溶液と接触
したロール」二の溶液を金属薄板に転写して塗布するロ
ールコーＩ・法、あるいは回転基板１−に金属台板を配
置してその金属薄板の」二に溶液を流して回転力（遠心
力）で流延させて塗布するスピンコード法などを採用す
ることができる。この発明の製法では、特にスピンコー
ド法は、比較的小面積の高１１ｉ−滑性基板の製造に好
適であり、ロールコート法は大面積の高平滑性基板の連
続的な製造に適している。また、前述の浸漬法、流延法
、スプレー法などでは、塗布層の厚さを均一・にするた
めに、ドクターブレード、リバースロールなどの手段を
併用することが適当である。

この発明の製法において、金属薄板の表面に直接に形成
される芳香族ポリイミドからなるコーティング層は、使
用される金属薄板の表面粗さ（Ｒｍａｘ）が、０．０５
〜０．４ｇｍと適度に高いので、コーティング層の厚さ
が約０．２〜１０ｇｍ、特に、０．３〜８ｐ、ｍ程度で
あれば充分に表面平滑性、電気絶縁性のよい基板を製造
することができ、従って製造された基板は熱伝導性がよ
く軽量であり、しかも柔軟な（可撓性のある）基板とな
る。

この発明の製法において、前述の厚さのコーティング層
は、一般に金属薄板へ芳香族ポリマー溶液を五回以下、
特に二回以下、通常は一回の塗布、および乾燥参加熱処
理することによって、容易に形成することができる。

この発明の製法において、金属薄板の表面に芳香族ポリ
マー溶液を塗４１シた後に、ｔ９ＩＩＯ層を約２０〜１
５０℃の温度で、常Ｉｆ二または減圧ドに乾燥して溶媒
を除去し、芳香族ポリマー溶液として芳香族ポリアミッ
ク酸溶液を使用した場合には。

さらに約１５０〜４００℃、特に１６０〜３００℃の温
度で加熱処理して、？ｈ層の溶媒の完全な除去と共にポ
リアミック酸のイミド化を行うことが適当である。

この発明の光起電力袋を用の基板は、そのＩ−に光起電
力素子層を形成して、太陽電池や、光検出器などの光起
電力装置に供することができる。

前記の光起電力装置としては、例えば透Ｉ！１１電極側
から光を照射するものとして、 （１）アルミニウム系薄板（箔）−有機絶縁材層−（透
明）電極−ｎ型半導体素ｆ一層−１型半導体素子層−ｐ
型半導体素子層−透明電極、（２）アルミニウム系薄板
（箔）−有機絶縁材層−（透明）電極−ｐ型半導体素子
層−１型゛Ｖ−導体素子層−〇型半導体素子層−透明電
極 などの構成を有するものを好適に挙げることができる。

電極はＣｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、ステンレス、Ａ９．、Ａｇ、
並びにＴｉｄｘ、Ｉ　ｎ２０３、ＮｂＯｘ、Ｓ　ｎ、　
０２などの１５０〜１００００又の厚さの蒸着層として
形成され、電極に接する下層の半導体素子層は１５０〜
２０００又の厚さに、中間層であるｉ型半導体素子層は
２５００〜１ｏｏｏｏ又の厚さに、そして透明電極に接
するＬ層の半導体素子層は３０〜１０００又に、グロー
放電分解、スパッタ、電子−ビーム蒸着、ＣＶＤ等の方
法を用いて形成される。

前記の半導体素Ｔ−はゲルマニウム、シリコン、並びに
、ＧａＡｓ、Ｉｎｋ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、お
よびこれらの複合系などの適当な光起電力作用を有する
素子が結晶質または非晶質状で適用されるが、現状では
非晶質シリコンが経済的に好適である。

前記の半導体素子としての非晶質シリコン層は、例えば
シランやフッ化シランなどのシリコン化合物の雰囲気中
でのグロー放電分解などによって生成され、基板の表面
に形成される。

前記の光起電力素ｆ一層をイＩする光起電力装置におい
ては、有機絶縁層とド部″ｒ′ｔ！、極との間には、所
望によッテ、ＴｉＯｘ、Ｓ　ｉｏｘ　、Ａ１０３ｔｔど
のガスバリア一層を形成する「段をイ）１用してもよい
。

さらに前記の光起電力素７層をイ］する光起電力装置に
おいては、最上層の透明電極は、半導体素子層の上に、
５ｎ０２、Ｔｉｄｙ　、Ｉ　ｎ２０３、ＮｂＯｘ　、Ｉ
’ＴＯ（Ｉ　ｎ　２０．−３　ｎｏ２）などを単層又は
積層状に電子ビーム蒸着法などによって、５００〜１０
０ＯＸの厚さに被覆することによって形成される。

［実施例］ 実施例１ ９９．５％Ａｆｉ純度のアルミニウム材を使用して、中
心線平均粗さくＲａ）が、０．０３〜０．０５ｇｍに仕
−１−げられたロールを使用する光輝圧延法によって処
理し、厚さ０．３ｍｍのアルミニウム薄板を得た。前述
の方法によって測定したこの薄板の表面粗さ（Ｒｍａｘ
）は０．２５＃１．ｍであった。

３．３’、４．４’　−ビ゛フェニルテトラカルボン酩
＝−無水物とピロメリット酸二無水物との等モルからな
る芳香族テトラカルボン酸成分と、４，４−ジアミノジ
フェニルエーテルからなる芳香族ジアミン成分とを常温
で重合して得られた芳香族ポリアミック酸のＮ−メチル
−２−ピロリドン溶液（ポリマー濃度；２０重量％、２
５℃の回転粘度；３５ボイズ）を、前記のアルミニウム
薄板の表面にスピンコード法によって塗布し、その塗布
層について８０℃での乾燥および２００℃以上の加熱処
理を行って、表面粗さ（Ｒｍａｘ）が、０．０７ｐＬｍ
であるコーティング層（膜厚；５ｇｍ）を形成して、基
板を製造した。

前述のようにして製造した基板は、その表面上に、１０
００又のステンレス、５００又のりんドープのｎ型非晶
質シリコン、３０００Ｘのｉ型非品質シリコン、８００
又のポロンドープのｐ型非晶質シリコン、２０００又の
ＩＴＯ（Ｉｎ２０３−　Ｓ　ｎ　Ｏ２）透明電極を、順
次形成して、太陽電池を製作した。その太陽電池につい
て諸検査を行ったが、短絡個所は生じておらず、良好な
光起電力装置としての性能を示した。

比較例１ 通常の圧延法によってｆりだステンレス板（厚さ０．３
ｍｍ、表面粗さ（Ｒｍａｘ　）　０　、６　＃Ｌｍ）を
使用したほかは実施例１と同様に１７で基板を製造した
。この基板のコーティング層の表面粗さくＲ＋１ａｘ）
は０．３ｐｍであった。

前述の基板を使用して、実施例１と同様にして製作した
太陽電池は、短絡の発生が認められた。

実施例２ ９９．９％Ａ！；１．純度を有するアルミニウム材に、
Ｍｇを０．８％添加して得られたアルミニウム合金材を
使用して、実施例１と同様の光輝圧延法で処理して、厚
さ０．２４ｍｍのアルミニウム合金薄板を製造した。前
記のアルミニウム合金薄板の表面粗さ（Ｒｍａｘ）は０
．２２ｊＬｍであった。

３．３“、４．４’　−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物からなる芳香族テトラカルボン酸成分と、ｐ−フ
ェニレンジアミンからなる芳香族ジアミン成分とを爪台
して得られた芳香族ポリアミック酸のＮ−メチル−２−
ピロリドン溶液（ポリマー濃度；２０重型部、２５℃の
回転粘度、３０ボイズ）を、前記のアルミニウム合金薄
板の表面にスビンコ−１・法によって塗布し、その塗布
層について９０℃での乾燥および２２０℃以上の加熱処
理を行ッテ、表面粗さ（Ｒｍａｘ）が０．０５ｇｍであ
るコーティング層（膜厚；３ｇｍ）を形成して、基板を
製造した。

前述のようにして製造した基板を使用して、スパッタ法
による下部電極の形成、グロー放電法による「ｎ型非晶
質シリコン、ｉ型非晶質シリコン層およびｐ型非晶質シ
リコン、さらに透明電極」の形成を行って、実施例１と
同様の構成の太陽電池を製作した。

この太陽電池について諸検査を行ったところ、短絡が生
じておらず、良好な性能をイｌする太陽電池であること
が確認された。

［本発明の効果１ （１）本発明の光起電力装置のノ、（板は、表面粗さく
１’？５ａｘ）が比較的低いアルミニウム材からなる金
属薄板に、＃熱性の名査放ポリマー溶液を塗布し、乾燥
・熱処理するという筒？ｌｉなプロセスにより、生産性
よく工業的にｒＭ造するいことができる。

（２）未発ＩＪＩの製法は、光輝圧延法によって製造さ
れた中間レベルの表面粗さ（Ｒｍａｘ）を有するアルミ
ニウム材からなる金属薄板を使用しているので、高いレ
ベルの表面粗さ（Ｒｍａｘ）を有する基板を、工業的な
製法で安価に提供できると共に、コーティング層（有機
絶縁材層）のＰｉ　Ｉ＋！２化をも可能としたのである
。

（３）本発明のノ、（板は、短絡防１１−効果を有する
と共に、可撓性、軽Ｊｌｌ化、熱放散性、−二次前り性
が確保されているのである。

すなわち、本発明の基板では欠陥の少ない表面性の優れ
た有機絶縁材層が形成されているので、これを用いるこ
とにより、半導体素子層の形成時におけるガスピンホー
ル等による欠陥の発生が防止され、一段と短絡の少ない
信頼性の優れた光起電力装置を製造することができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アルミニウムまたはアルミニウム合金材からなる金
   属薄板がその少なくとも片面の表面粗さ（Ｒｍａｘ）を
   ０．０５〜０．４μｍの範囲内となされており、その金
   属薄板の前記表面に、表面粗さ（Ｒｍａｘ）が０．１μ
   ｍ以下である芳香族ポリイミドからなるコーティング層
   が直接に接合されていることを特徴とする光起電力装置
   用の基板。 ２、少なくとも片面の表面粗さ（Ｒｍａｘ）が、０．０
   ５〜０．４μｍの範囲内となるように光輝圧延法によっ
   て製造されたアルミニウムまたはアルミニウム合金材か
   らなる金属薄板の表面に、芳香族ポリイミドまたは芳香
   族ポリアミック酸の溶液を均一な厚さに塗布し、ついで 前記塗布層を乾燥及び／又は加熱処理して、表面粗さ（
   Ｒｍａｘ）が０．１μｍ以下である芳香族ポリイミドか
   らなるコーティング層を前記金属薄板の表面に直接に形
   成することを特徴とする光起電力装置用の基板の製法。