JPS62117375A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62117375A JPS62117375A JP25819685A JP25819685A JPS62117375A JP S62117375 A JPS62117375 A JP S62117375A JP 25819685 A JP25819685 A JP 25819685A JP 25819685 A JP25819685 A JP 25819685A JP S62117375 A JPS62117375 A JP S62117375A
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- Japan
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- type
- type semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置、特にダイオードおよびコンデ
ンサーの構造に関するものである。
ンサーの構造に関するものである。
第6Flは従来のダイオードを示す断面図であり、図に
おいて、61ばp型半導体基板、62はn型拡散領域、
63はn側電極、64はp側電極である。
おいて、61ばp型半導体基板、62はn型拡散領域、
63はn側電極、64はp側電極である。
才た同じ構造をコンデンサーとしても使用することが可
能である。
能である。
次に動作について説明する。n側電極63とn側電極6
4の間に電圧をかける。n側電極64がn側電極63よ
りも電圧が高い場合、p(III半導体基板61とn型
拡散領域62の境界、すなわちpn接合にかかる電圧は
順方向となるので、n側電極64からn側電極63に電
流が流れる。これに対し、電圧が逆にかかった場合、p
n接合にかかる電圧は逆方向となるので電流は流れない
。この様に電圧をかける方向によって電流が流れたり流
れなかったりする性質を利用するとダイオードになる。
4の間に電圧をかける。n側電極64がn側電極63よ
りも電圧が高い場合、p(III半導体基板61とn型
拡散領域62の境界、すなわちpn接合にかかる電圧は
順方向となるので、n側電極64からn側電極63に電
流が流れる。これに対し、電圧が逆にかかった場合、p
n接合にかかる電圧は逆方向となるので電流は流れない
。この様に電圧をかける方向によって電流が流れたり流
れなかったりする性質を利用するとダイオードになる。
次にコンデンサーとしての動作について説明する。すで
に説明した様にpn接合に逆電圧がかかる様にした場合
、この素子は電流を流さないが、これはp 11接合が
絶縁層とL7て働いているためであるが、このように薄
い絶縁層をはざんで陽極と陰極が相同しているのはとり
もなおさずコンデンサーの構造である。つまりn側電極
63をp側電極64より電圧を高くすると、電圧がかか
っているにもかかわらず電流が流れないからコンデンサ
ーに電荷が蓄まっているのと同じ状態である。またn側
電極63とn側電極64を短絡すると、電圧もかからず
電流も流れない状態になるからコンデンサーに電荷が蓄
まっていないのと同じ状態である。この様にpn接合に
逆方向電圧をかけたり、電圧を零にしたりすることによ
り、コンデンサーとして利用することができる。
に説明した様にpn接合に逆電圧がかかる様にした場合
、この素子は電流を流さないが、これはp 11接合が
絶縁層とL7て働いているためであるが、このように薄
い絶縁層をはざんで陽極と陰極が相同しているのはとり
もなおさずコンデンサーの構造である。つまりn側電極
63をp側電極64より電圧を高くすると、電圧がかか
っているにもかかわらず電流が流れないからコンデンサ
ーに電荷が蓄まっているのと同じ状態である。またn側
電極63とn側電極64を短絡すると、電圧もかからず
電流も流れない状態になるからコンデンサーに電荷が蓄
まっていないのと同じ状態である。この様にpn接合に
逆方向電圧をかけたり、電圧を零にしたりすることによ
り、コンデンサーとして利用することができる。
〔発明が解決し7ようとする問題点〕
従来のダイオ−[“およびコンデンサーは以上のような
構造を有するものであるが、ダイオードとして大きな電
流を流そうとする時や、コンデンサーとして電荷容量を
大きくしようとする時は、pn接合の面積を広くしなけ
ればならず、このためには素子自体の面積が大きくなる
という問題点があった。
構造を有するものであるが、ダイオードとして大きな電
流を流そうとする時や、コンデンサーとして電荷容量を
大きくしようとする時は、pn接合の面積を広くしなけ
ればならず、このためには素子自体の面積が大きくなる
という問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、限られた面積で、ダイオードとしてより大き
な電流を流すことができ、またコンデンジ−としてより
大きな電荷容94:持た→!ろことのできる半導体装置
をiJること金目的とする。
たもので、限られた面積で、ダイオードとしてより大き
な電流を流すことができ、またコンデンジ−としてより
大きな電荷容94:持た→!ろことのできる半導体装置
をiJること金目的とする。
この発明に係る゛11導体装置は、n型半導体層とn型
半導体層を交Hに積重ねて多層構造にし、n型半導体層
どうし、11型半導体層どうしをそれぞれ接続し、それ
ぞれ独立に電極を取り付けたものである。
半導体層を交Hに積重ねて多層構造にし、n型半導体層
どうし、11型半導体層どうしをそれぞれ接続し、それ
ぞれ独立に電極を取り付けたものである。
この発明においては、n型半導体層とn型半導体層を多
;鎖構造に1.7たことにより、間し素子面積当たりの
pn接合の面積が従来のものより飛躍的に大きくなり、
この結果、ダイオ−]゛とじてより大きな電流を流すこ
とが可能となり、また=1ンデンサーとしてより大きな
電荷容量を持つことが可能である。
;鎖構造に1.7たことにより、間し素子面積当たりの
pn接合の面積が従来のものより飛躍的に大きくなり、
この結果、ダイオ−]゛とじてより大きな電流を流すこ
とが可能となり、また=1ンデンサーとしてより大きな
電荷容量を持つことが可能である。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例による半導体装置の断面図であ
り、第2〜5図はその製造プロセス途中の状態を示す断
面図である。
図はこの発明の一実施例による半導体装置の断面図であ
り、第2〜5図はその製造プロセス途中の状態を示す断
面図である。
第1図において、1ば半導体基板、2はn型半導体部、
3はp型半導体部で、2と3はくしの刃状になっており
、互いにかみ合った形になっている。4はn型半導体部
2に取付られたn側電極、5はn型半導体部3に取付ら
れたp側電極である。
3はp型半導体部で、2と3はくしの刃状になっており
、互いにかみ合った形になっている。4はn型半導体部
2に取付られたn側電極、5はn型半導体部3に取付ら
れたp側電極である。
第2図は製造プロセスの第1段階を示す断面図で、図に
おいて、21はn型半導体層、22はn型半導体層であ
り、これらは交互に積重ねられた多層構造をなしζいる
。
おいて、21はn型半導体層、22はn型半導体層であ
り、これらは交互に積重ねられた多層構造をなしζいる
。
第3図は製造プロセスの第2段階を示し、p型。
n型半導体N21,22の多層構造の部分が台形に加工
されている。
されている。
第4図は製造プロセスの第3段階を示し、41はn型拡
散マスクである。この図では上記n型半導体層21が全
部つながってn型半導体部2となっている。
散マスクである。この図では上記n型半導体層21が全
部つながってn型半導体部2となっている。
第5図は製造プロセスの第4段階を示し、51はp型拡
散マスクである。この図では上記n型半導体層22が全
部つながってn型半導体部3となっている。
散マスクである。この図では上記n型半導体層22が全
部つながってn型半導体部3となっている。
次に動作について説明する。基本的な動作原理は従来の
ものと同じであり、n側電極4とn側電極5への電圧の
かけ方により整流作用や電荷蓄積作用をするのを利用し
てダイオードやコンデンサーとして用いる。本実施例で
はn型半導体部2とn型半導体部3が断面図で見るとく
し7の刃状になって互いに入り組んでいるので、pn接
合の面積が大きくなっており、その分ダイオードとして
大きな電流を流すことができる。またコンデンサーとし
ても、pn結合の面積が大きくなったということはコン
デンサーの電極面積が大きくなったことに等しいから、
電荷容量の大きなものが得られる。
ものと同じであり、n側電極4とn側電極5への電圧の
かけ方により整流作用や電荷蓄積作用をするのを利用し
てダイオードやコンデンサーとして用いる。本実施例で
はn型半導体部2とn型半導体部3が断面図で見るとく
し7の刃状になって互いに入り組んでいるので、pn接
合の面積が大きくなっており、その分ダイオードとして
大きな電流を流すことができる。またコンデンサーとし
ても、pn結合の面積が大きくなったということはコン
デンサーの電極面積が大きくなったことに等しいから、
電荷容量の大きなものが得られる。
次にこの半導体装置の製作方法について説明する。
まず半導体基板Ll二にn型平樽体層21とn型半導体
N422を交互に積層させて多層構造を作る(第2図)
、この多層構造の両側部分をメサエッチングすることに
より台形に加I″するく第3図)。
N422を交互に積層させて多層構造を作る(第2図)
、この多層構造の両側部分をメサエッチングすることに
より台形に加I″するく第3図)。
次に写真製版によって、台形の片方(図示左側)の側面
に窓のあいた保護膜を形成し、これをn型拡散マスク4
Jとし、n型不純物を窓の部分に拡散゛(ることにより
n型半導体部2を形成する(第4図)。次にn型拡散マ
スク41を取り去り、新たに台形の他方(図示右側)の
側面に窓のあいた保護膜を形成し、これをn型拡散マス
ク51とし、p型不純物を窓の部分に拡散することによ
りn型半導体部3を形成する(第5図)。次いでn型拡
散マスク51を取り去り、電極用金属を蒸着し、写真製
版とエツチングにより必要な部分の金属だけを残して、
n側電極4.p(IIJ電極5とすることにより、この
半導体装置が完成する(第1図)。
に窓のあいた保護膜を形成し、これをn型拡散マスク4
Jとし、n型不純物を窓の部分に拡散゛(ることにより
n型半導体部2を形成する(第4図)。次にn型拡散マ
スク41を取り去り、新たに台形の他方(図示右側)の
側面に窓のあいた保護膜を形成し、これをn型拡散マス
ク51とし、p型不純物を窓の部分に拡散することによ
りn型半導体部3を形成する(第5図)。次いでn型拡
散マスク51を取り去り、電極用金属を蒸着し、写真製
版とエツチングにより必要な部分の金属だけを残して、
n側電極4.p(IIJ電極5とすることにより、この
半導体装置が完成する(第1図)。
なお、」1記実施例ではn型半導体l1J21とp型半
導体層22が各々4層のものを示したが、これは何層で
あってもよい。また、半導体基板1については、n型か
p型か半絶縁性のものかは規定しておらず、いずれのも
のでも同様の効果を奏する。
導体層22が各々4層のものを示したが、これは何層で
あってもよい。また、半導体基板1については、n型か
p型か半絶縁性のものかは規定しておらず、いずれのも
のでも同様の効果を奏する。
また、製作方法においては、n型半導体部2とn型半導
体部3を形成するのに不純物拡散を利用したが、イオン
注入およびn型、p型半導体の選択堆積方法を用いても
よく、ト記と同様の効果を奥する。
体部3を形成するのに不純物拡散を利用したが、イオン
注入およびn型、p型半導体の選択堆積方法を用いても
よく、ト記と同様の効果を奥する。
以上のように、この発明によれば、p型ゝV導体とn型
半導体を多層構造にし、p型゛1′−導体の1−どうし
、n型甲導体の屓どうしを接続し2、それぞれ独立に電
極を取付けたため、同−素子面積あたりのpn接合の面
積が大きくなり、大電流を流せるダイオード、あるいは
電荷容量の大きな:1ンデンサーが得られるりJ雫があ
る。
半導体を多層構造にし、p型゛1′−導体の1−どうし
、n型甲導体の屓どうしを接続し2、それぞれ独立に電
極を取付けたため、同−素子面積あたりのpn接合の面
積が大きくなり、大電流を流せるダイオード、あるいは
電荷容量の大きな:1ンデンサーが得られるりJ雫があ
る。
第1図はこの発明の一実施例による半導体を丞す断面図
、第2図ないし第5図G、tその製作ブ「1セスを示す
断面図、第6図は従来の半導体装置を示す断面図である
。 lは半導体基板、2 LJ: ri型甲導体部、3はp
型半導体部、4はn側電極、5は9例電極、21はn型
半導体層、22はp型半導体層、41はn型拡散マスク
、51はn型拡散マスクである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
、第2図ないし第5図G、tその製作ブ「1セスを示す
断面図、第6図は従来の半導体装置を示す断面図である
。 lは半導体基板、2 LJ: ri型甲導体部、3はp
型半導体部、4はn側電極、5は9例電極、21はn型
半導体層、22はp型半導体層、41はn型拡散マスク
、51はn型拡散マスクである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)p型半導体層とn型半導体層を交互に積み重ねた
多層構造を有し、 上記p型半導体層どうし、n型半導体層どうしがそれぞ
れ電気的に接続され、 上記p型半導体層、n型半導体層の各々の部分に電極が
取りつけられていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25819685A JPS62117375A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25819685A JPS62117375A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62117375A true JPS62117375A (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=17316841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25819685A Pending JPS62117375A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62117375A (ja) |
-
1985
- 1985-11-18 JP JP25819685A patent/JPS62117375A/ja active Pending
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