JPS621149A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS621149A JPS621149A JP60138939A JP13893985A JPS621149A JP S621149 A JPS621149 A JP S621149A JP 60138939 A JP60138939 A JP 60138939A JP 13893985 A JP13893985 A JP 13893985A JP S621149 A JPS621149 A JP S621149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hexagonal
- recording medium
- layer
- powder
- magneto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compounds Of Iron (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、超微粒の六方晶単結晶粒子を用い九光磁気記
録媒体に関する。
録媒体に関する。
従来、レーザ光などの光熱によって情報を書き込み記録
できる光磁気記録媒体としては、Ｔｂ 。
できる光磁気記録媒体としては、Ｔｂ 。
Ｇｄ 、 Ｃｏ 、 Ｆｅなどを構成成分とする非晶質
金属磁性層が用いられてｂる。しかしながら、これら非
晶質金属磁性層は酸化しやすく、光磁気配録再性時のＣ
Ｎ比の経時低下が大きい問題点を有している。
金属磁性層が用いられてｂる。しかしながら、これら非
晶質金属磁性層は酸化しやすく、光磁気配録再性時のＣ
Ｎ比の経時低下が大きい問題点を有している。
この解決手段の一つとして、磁性層を形成し九 ・直後
に、この上に保護層を被覆することが行われている。し
かし通常保護層に存在するピンホール等のため、磁性層
の酸化劣化を完全に防止することは困難である。また製
造時に磁性層中にとシ込まれた酸素による酸化劣化のた
め、ＣＮ特性が低下することも知られている。
に、この上に保護層を被覆することが行われている。し
かし通常保護層に存在するピンホール等のため、磁性層
の酸化劣化を完全に防止することは困難である。また製
造時に磁性層中にとシ込まれた酸素による酸化劣化のた
め、ＣＮ特性が低下することも知られている。
最近、酸化劣化のない磁性材料として、六方晶フェライ
トが検討されているが、これらはキュリ一温度が４００
℃以上と高いので、レーザ光によって記録できる光磁気
記録媒体として適当でない。
トが検討されているが、これらはキュリ一温度が４００
℃以上と高いので、レーザ光によって記録できる光磁気
記録媒体として適当でない。
また、これを改良するものとして、六方晶フェライトを
構成する金属を各種の遷移金属で置換することが検討さ
れているが、このような多成分金属からなる六方晶フェ
ライト結晶をスパッタ法などで基質上に作製することは
非常にむづかしく、再現性良く所定の特性が得られ難い
。
構成する金属を各種の遷移金属で置換することが検討さ
れているが、このような多成分金属からなる六方晶フェ
ライト結晶をスパッタ法などで基質上に作製することは
非常にむづかしく、再現性良く所定の特性が得られ難い
。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、光によって記碌
再性が可能であり、酸化などによる磁気特性変化が少な
く、また、常に一定し光磁気特性が再現性良く得られる
光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
再性が可能であり、酸化などによる磁気特性変化が少な
く、また、常に一定し光磁気特性が再現性良く得られる
光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
本発明は、一般式ＭｘＯ−ｎ （（Ｆｅ１−、 Ｍｙり
２０３ ）（但しＭｘはＢａ 、 Ｓｒ 、 Ｐｂ 、
Ｃａのいずれか一種、ｎは５〜６１ＭＹはＴｉ、Ｃｏ
、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇｅ 。
２０３ ）（但しＭｘはＢａ 、 Ｓｒ 、 Ｐｂ 、
Ｃａのいずれか一種、ｎは５〜６１ＭＹはＴｉ、Ｃｏ
、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇｅ 。
Ｎｂ、ＺｒＬニア）５ちから選ばれる少なくとも一種の
金属２ｍ＝０〜０．２）で表わされる粒径０．０１〜０
．１μｍの六方晶フェライト粉を樹脂バインダとともに
透明基体上に塗布してなる光磁気記録媒体である。
金属２ｍ＝０〜０．２）で表わされる粒径０．０１〜０
．１μｍの六方晶フェライト粉を樹脂バインダとともに
透明基体上に塗布してなる光磁気記録媒体である。
本発明で用いる六方晶系フェライト粉の製造方法はとく
に限定されないが、例えば次の方法で製造できる。すｉ
わち、塩化鉄、塩化バリウムまたは、塩化ストロンチウ
ム、塩化鉛及び必要に応じて置換元素の塩化物などの金
属イオン水溶液とＮａＯＨなどのアルカリ溶液を接触さ
せ金属イオンの沈澱を生成させ、水洗乾燥後との金属イ
オンを高温にて結晶化させる共沈法、上記金属イオンを
含む水溶液を高温高圧容器中にて金属イオンを結晶化さ
せ、必要に応じて高温にて加熱する水熱合成法（特開昭
５６−１６０３２８号公報）、Ｎａ（Ｊ、Ｂａ（Ｊ２な
どの融剤とに鉄やバリウムまたはストロンチウム、鉛を
含む化合物を高温にて結晶化後融剤を除去して磁性粒子
を得する融剤法、ＢａＯやＢ２Ｏ３１８ｔ０２などのガ
ラス形成物質と鉄やバリウムまたはストロンチウム、鉛
と必要に応じて置換元素を含む化合物と力島らガラスを
作成し高温たて結晶化後ガラス形成物質を除去して磁性
粒子を得るガラス結晶化法（特開昭５６−６７９０４号
公報）などがある。
に限定されないが、例えば次の方法で製造できる。すｉ
わち、塩化鉄、塩化バリウムまたは、塩化ストロンチウ
ム、塩化鉛及び必要に応じて置換元素の塩化物などの金
属イオン水溶液とＮａＯＨなどのアルカリ溶液を接触さ
せ金属イオンの沈澱を生成させ、水洗乾燥後との金属イ
オンを高温にて結晶化させる共沈法、上記金属イオンを
含む水溶液を高温高圧容器中にて金属イオンを結晶化さ
せ、必要に応じて高温にて加熱する水熱合成法（特開昭
５６−１６０３２８号公報）、Ｎａ（Ｊ、Ｂａ（Ｊ２な
どの融剤とに鉄やバリウムまたはストロンチウム、鉛を
含む化合物を高温にて結晶化後融剤を除去して磁性粒子
を得する融剤法、ＢａＯやＢ２Ｏ３１８ｔ０２などのガ
ラス形成物質と鉄やバリウムまたはストロンチウム、鉛
と必要に応じて置換元素を含む化合物と力島らガラスを
作成し高温たて結晶化後ガラス形成物質を除去して磁性
粒子を得るガラス結晶化法（特開昭５６−６７９０４号
公報）などがある。
このようにして得られる六方晶磁性粉は六角板状であシ
、板面の対角線の長さをもってその粒径をあられした場
合、０．０１〜０．１μｍのものが本発明の光磁気記録
媒体に適している。粒径に対する六角板の厚み（板状比
）は１／２〜１／１０の範囲のものが望ましい。
、板面の対角線の長さをもってその粒径をあられした場
合、０．０１〜０．１μｍのものが本発明の光磁気記録
媒体に適している。粒径に対する六角板の厚み（板状比
）は１／２〜１／１０の範囲のものが望ましい。
本発明の光磁気記録媒体の基本的層構成を第１図に示す
。透明基板１上に六方晶磁性粉層２を設け、さらにこの
上に反射層３を設けたものである。
。透明基板１上に六方晶磁性粉層２を設け、さらにこの
上に反射層３を設けたものである。
透明基板としてはポリアクリル基エステルあるいはポリ
カーボネートのような有機の透明樹脂、石英ガラス、パ
イレックスガラスのような無機透明基板を用いることが
できる。
カーボネートのような有機の透明樹脂、石英ガラス、パ
イレックスガラスのような無機透明基板を用いることが
できる。
六方晶磁性粉層には、上記超微粒の六方品粉を有機また
は無機バインダ中に分散せしめ塗布乾燥したもの、ある
いは透明基板上に先ず六方晶磁性粉層を塗布し、その上
に有機または無機バインダ層を形成せしめたものを用い
ることができる。反射層としてはＣｕ 、 Ａｌ、人ｕ
、ＰＬなどの金属膜、または、ＴｉＮ 、 ＴａＮなど
の窒化物膜が用いられる。
は無機バインダ中に分散せしめ塗布乾燥したもの、ある
いは透明基板上に先ず六方晶磁性粉層を塗布し、その上
に有機または無機バインダ層を形成せしめたものを用い
ることができる。反射層としてはＣｕ 、 Ａｌ、人ｕ
、ＰＬなどの金属膜、または、ＴｉＮ 、 ＴａＮなど
の窒化物膜が用いられる。
六方晶磁性粉層と反射層との間に、有機または無機の透
明誘電層を設けること、およびこの誘電層に凹凸の案内
溝を施したのち反射層を設け、レーザ光のガイドとする
こともできる。
明誘電層を設けること、およびこの誘電層に凹凸の案内
溝を施したのち反射層を設け、レーザ光のガイドとする
こともできる。
〈実施例１〉
平均粒径０．０６／Ａｍ、板状比１１５のＢａＦｅｇ、
４ Ｃｏ０１８Ｔｉｏ、ｓ Ｉｎｘ、ｏＯｔｓの組成を
有する六方晶フェライト粉（キューリ温度２００℃、
ａｓ ５０ ｅｍｖ／ｆ 、保磁力８０００ｅ ） １
００重量部に対しＮ、Ｎジメチルホルムアミド１００重
量部、を加え１時間サンドグラインダで分散した。得ら
れたスラリに対しポリイミドフェス（固形分３０重量％
） ５０重量部を加えて更に３０分分散処理した。得
られた塗料をガラス基板上にスピンコー） Ｌ、、５Ｋ
Ｏｅの垂直磁場下、８０〜１００℃で１５時間乾燥させ
て溶媒を除き、厚さ１．３μｍの乾燥塗膜を得た。この
塗膜はカレンダ処理により表面を平滑化したのち更に２
５０Ｃのオープン中に１０時間置き、硬化処理を行った
。
４ Ｃｏ０１８Ｔｉｏ、ｓ Ｉｎｘ、ｏＯｔｓの組成を
有する六方晶フェライト粉（キューリ温度２００℃、
ａｓ ５０ ｅｍｖ／ｆ 、保磁力８０００ｅ ） １
００重量部に対しＮ、Ｎジメチルホルムアミド１００重
量部、を加え１時間サンドグラインダで分散した。得ら
れたスラリに対しポリイミドフェス（固形分３０重量％
） ５０重量部を加えて更に３０分分散処理した。得
られた塗料をガラス基板上にスピンコー） Ｌ、、５Ｋ
Ｏｅの垂直磁場下、８０〜１００℃で１５時間乾燥させ
て溶媒を除き、厚さ１．３μｍの乾燥塗膜を得た。この
塗膜はカレンダ処理により表面を平滑化したのち更に２
５０Ｃのオープン中に１０時間置き、硬化処理を行った
。
得られ念塗膜上にアクリル系ＵＶポリマーを塗布してガ
イド溝を刻印できる金型を押圧してＵＶ硬化を施し、ガ
イド溝つきプラスチック層を形成した。次いでこのプラ
スチック層上に、真空蒸着によりλｇ反射層を施こし、
光磁気記録媒体を得た。
イド溝を刻印できる金型を押圧してＵＶ硬化を施し、ガ
イド溝つきプラスチック層を形成した。次いでこのプラ
スチック層上に、真空蒸着によりλｇ反射層を施こし、
光磁気記録媒体を得た。
得られた媒体は基体面に垂直な方向の残留磁化の飽和磁
化に対する比（垂直配向率）が０．８１であ口、記録媒
体を一方向に磁化させたのち、この磁界と逆の磁界を０
．６ ＫＯｅ印加しながら、半導体レーザ出力１０ｍＷ
で周波数Ｉ ＭＨｚのパルスで光磁気録し念ところビッ
ト径約１．５μｍの記録ビットが得られ〈実施例２〉 ガラス結晶化法にて水中に洗い出した実施例１の六方晶
系粉（固形分１０％、ＰＨ５，０）をガラス基板上に塗
布し、乾燥せしめ０．８μｍの塗膜を得た。
化に対する比（垂直配向率）が０．８１であ口、記録媒
体を一方向に磁化させたのち、この磁界と逆の磁界を０
．６ ＫＯｅ印加しながら、半導体レーザ出力１０ｍＷ
で周波数Ｉ ＭＨｚのパルスで光磁気録し念ところビッ
ト径約１．５μｍの記録ビットが得られ〈実施例２〉 ガラス結晶化法にて水中に洗い出した実施例１の六方晶
系粉（固形分１０％、ＰＨ５，０）をガラス基板上に塗
布し、乾燥せしめ０．８μｍの塗膜を得た。
この塗膜上にテトラエチルアルコキシシラン３％を含む
インプロピルアルコールを滴下シつつスピンコードした
のち、イソプロピルアルコールｔ−乾燥せしめた。得ら
れた塗膜上に真空蒸着によ、９ＡＪ反射膜層を施こし、
光磁気記録媒体を得た。得られた記録媒体を用い実施例
１と同様に光磁気記録したところ、同等の記録密度を有
するものでらることが確かめられた。
インプロピルアルコールを滴下シつつスピンコードした
のち、イソプロピルアルコールｔ−乾燥せしめた。得ら
れた塗膜上に真空蒸着によ、９ＡＪ反射膜層を施こし、
光磁気記録媒体を得た。得られた記録媒体を用い実施例
１と同様に光磁気記録したところ、同等の記録密度を有
するものでらることが確かめられた。
〈実施例３〜７〉
ガラス結晶化法により、以下の５種類の超微粒六方晶フ
ェライト粉を作製したところ、粒径、キューリ一温度、
飽和磁化および保磁力は表のごとくであった。
ェライト粉を作製したところ、粒径、キューリ一温度、
飽和磁化および保磁力は表のごとくであった。
以下余白
それぞれの六方晶フェライト粉を用い実施例１と全く同
様にして光磁気記録媒体を作製した。この記録媒体は５
，００００ｅの磁場下で一方向に磁下したのち、この磁
界と逆の磁界をＩＫＯｅ印加しながら、半導体レーザ出
力１０ｍＷで周波数ＩＭＨｚのパルスで光磁気記録した
ところトラックピッチ１．５μｍ、ピット長１．０μｍ
の記録ができた。
様にして光磁気記録媒体を作製した。この記録媒体は５
，００００ｅの磁場下で一方向に磁下したのち、この磁
界と逆の磁界をＩＫＯｅ印加しながら、半導体レーザ出
力１０ｍＷで周波数ＩＭＨｚのパルスで光磁気記録した
ところトラックピッチ１．５μｍ、ピット長１．０μｍ
の記録ができた。
第１図は、本発明の光磁気記録媒体の概略断面図である
。 １・・・透明基板、 ２・・・六方晶磁性粉層、３・・
・反射層。
。 １・・・透明基板、 ２・・・六方晶磁性粉層、３・・
・反射層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一般式Ｍ＿ｘＯ・ｎ（｛Ｆｅ＿１＿−＿ｘＭ＿Ｙ＿
ｘ）＿２Ｏ＿３｝（但しＭ＿ｘはＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、Ｃ
ａのいずれか一種、ｎは５〜６、Ｍ＿ＹはＴｉ、Ｃｏ、
Ｚｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｚｒのうちから
選ばれる少なくとも一種の金属、ｍ＝０〜０．２）で表
わされる、粒径０．０１〜０．１μｍの六方晶フェライ
ト粉を樹脂バインダとともに透明基体上に塗布してなる
光磁気記録媒体。 ２）基体面に対し垂直方向の磁化曲線における残留磁化
が同方向の飽和磁化に対して０．５以上であることを特
長とする特許請求の範囲第１項の光磁気記録媒体。 ３）六方晶系粉のバインダが金属アルコキシ化合物もし
くはその縮合物であることを特長とする特許請求の範囲
第１項の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60138939A JPS621149A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60138939A JPS621149A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS621149A true JPS621149A (ja) | 1987-01-07 |
Family
ID=15233676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60138939A Pending JPS621149A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS621149A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62119758A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 塗布型光磁気メモリ |
| JPS6371961A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Toshiba Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01102758A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-20 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH04132029A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Ube Ind Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH04306806A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-29 | Kyoshiro Seki | 感光磁性体およびその製造方法 |
| WO2018182021A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | パウダーテック株式会社 | フェライト粉末、樹脂組成物および成形体 |
| WO2021226297A1 (en) * | 2020-05-07 | 2021-11-11 | Rogers Corporation | M-type hexaferrite having a planar anisotropy |
-
1985
- 1985-06-27 JP JP60138939A patent/JPS621149A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62119758A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 塗布型光磁気メモリ |
| JPS6371961A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Toshiba Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01102758A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-20 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH04132029A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-06 | Ube Ind Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH04306806A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-29 | Kyoshiro Seki | 感光磁性体およびその製造方法 |
| WO2018182021A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | パウダーテック株式会社 | フェライト粉末、樹脂組成物および成形体 |
| JPWO2018182021A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-02-06 | パウダーテック株式会社 | フェライト粉末、樹脂組成物および成形体 |
| US11521768B2 (en) | 2017-03-31 | 2022-12-06 | Powdertech Co., Ltd. | Ferrite powder, resin composition, and molded body |
| WO2021226297A1 (en) * | 2020-05-07 | 2021-11-11 | Rogers Corporation | M-type hexaferrite having a planar anisotropy |
| GB2609128A (en) * | 2020-05-07 | 2023-01-25 | Rogers Corp | M-type hexaferrite having a planar anisotropy |
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