JPS62113762A - 炭化ケイ素質高強度焼結体 - Google Patents

炭化ケイ素質高強度焼結体

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JPS62113762A
JPS62113762A JP60106043A JP10604385A JPS62113762A JP S62113762 A JPS62113762 A JP S62113762A JP 60106043 A JP60106043 A JP 60106043A JP 10604385 A JP10604385 A JP 10604385A JP S62113762 A JPS62113762 A JP S62113762A
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JP
Japan
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silicon carbide
sintered body
sintering
strength
parts
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JP60106043A
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玉水 照康
幸文 酒井
広志 田代
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Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の和 ′! この発明は、耐火材料、高強度材料、耐摩耗性材料等と
して用いることのできる炭化ケイ素質高強度焼結体に関
するものである。
L糺列1九 炭化ケイ索焼拮体は、耐熱性、耐熱衝撃性に1ワれた焼
結体として、従来から広く使用されている。その製造法
としてはI)[1圧焼結あるいは常圧焼結が採用されて
いる。
口が ′しようと る口!、 加圧焼結方法においては、緻密で高純度のものが得られ
る反面、単純形状のものしか製造できず、しかも製造装
置が複雑で高価なものであった。
また常圧焼結方法にあっては、従来はホrり素および炭
素を添加づ゛るため、固相反応ひあり、それゆえ、添加
剤の分散状態によって特性が影響され、とくに従来炭化
ケイ素は比表面fi!i10〜15m2/(lのものを
使用していたため、その信頼性は満足できるものではな
かった。
尺Jし医月」支 この発明は炭化ケイ索本来の保イjづる耐熱性および耐
熱衝撃性の特徴を士かし、常圧で焼結してし信頼性の高
い高密度かつ高強度の炭化ケイ素質焼結体を1是供する
ことを目的としている。
泣」し以ヱ]し この目的を達成するために、この発明は、比表面積が2
0m2/g以上であるs; 050〜97部と、AlN
、Ti Nなどの窒化物1〜10部と、C1〜10部と
、Al2O31〜30部の組成を成形焼成したことを特
徴とする炭化ケイ素質1へ強度焼結体を要旨としている
p 点を )するための 本発明者等は、炭化ケイ素質焼結体のひずみの発生につ
いて原因を究明したところ、原料の炭化ケイ素における
含有酸素量によって焼結体の特性が大きく変化すること
を発見した。
炭化ケイ素はその粒子表面が常温であっても空気によっ
て酸化され、特に1μ以下のような超微粒子の場合は表
面積が大であるため、酸化の度合が大きい。
このような炭化ケイ素中の酸素による影響について説明
すれば、AQ Nは、s;C−AQ N−C系において
液相で反応が進むため、均質性の点でホウ素よりも好ま
しい焼結助剤であるが、炭化ケイ素中の酸素による妨害
を受けやすい。そのため、従来は含有酸素量が比較的多
い炭化ケイ素(例えば約1重量%の酸素を含む炭化ケイ
素)の場合は、換言すれば比表面積が大きい炭化ケイ素
の場合は、炭化ケイ素中の酸素による妨害の度合が大き
く、AQ Nを焼結助剤として使用できなかった。
このような観点から、従来、炭化ケイ素中の含有酸素量
または炭化ケイ素粒子の比表面積は、少なくともAQ 
Nを焼結助剤として使用する場合は、小さいほど好まし
いとされてぎたのである。AQNを添加する場合は、炭
化ケイ素中の酸素量を小さく設定すること、つまり炭化
ケイ素の比表面積を小さく設定することが必要であった
しかしながら、本発明者等は反応系の中にCを含有させ
ることによって前述のごとき炭化ケイ素中の含有酸素に
J:る妨害を制御できることを解明した。
そこで、この発明は、このような複数成分の相互関係を
巧みに生かし、まずCの添加により炭化ケイ素を無酸素
状態にし、しかるの511 Nを焼結助剤として焼結さ
せるものである。それゆえ反応が理想的な状態で行なわ
れる。
また、この発明にあっては、炭化ケイ素中のl!!索の
影響をうけずに、5iC−△QN−Cが、例えば200
0℃以上の焼結温度において液相となるため、A9はS
iと容易に置換される。したがって焼結体は含(i酸素
量に関係なく均質にすることができる。
このように良好な焼結状態が得られるので、それを生か
して、本発明では、炭化ケイ素の比表面積を20m2/
g以上(好しくは約451112/g)にして、焼結体
の特性を一段と優れたものにしたのである。
さらに、本発明の好ましい態様にあっては炭化ケイ素を
AQ203−Al! N−C系の助剤で常圧焼結させ、
高靭性で強度の自焼結炭化ケイ素をつくる。その場合、
5iC−AQNは全律固溶する。したがって5iC−A
Q203−AQN−C系では炭化ケイ素は自焼結する。
この系にあっては液相焼結であり、そのため、同相焼結
のものに比べて均一な焼結組織を作りやすい。
また、A +1203を添加しているので、A22o3
がCにより還元され、活性なA9が炭化ケイ素の粒界に
αA +1203として存在することになり、熱膨服の
差によって焼結体の歪みを除く作用をする。このため焼
結体の強度が900M Paにも達成する。また、ワイ
ブル係数は15であり、きわめて信頼性が高くなる。
このようなことを勘案して、この発明にあっては、組成
を次のとおりに限定した。すなわち、5i050〜97
部と、△Q N、 riNなとの窒化物1〜10部と、
C1〜10部と、Al2O31〜30部にしたのである
組成をそのように限定した理由を以下詳細に説明する。
All! N、Ti Nなどの窒化物は、1部より小だ
と、焼結助剤としての十分な効果が得られず、10部よ
り大だと、強度が著しく低下する。
Cは、1部より小だと、焼結助剤として添加した窒化物
が焼結助剤として作用しなくなって強度の低下を招き、
10部より大だと、焼結体としての耐酸化性が悪化し、
強度も低下する。
Ail 203は、1部より小だと強度の向−ヒが認め
られず、30部より大だと熱間における強度の低下が著
しくなる。
支I九 以下、この発明の実施例について説明する。
平均粒径1μの炭化ケイ素粉末をボットミルに入れて、
水を含まないアセトンを使用して、表1に示す種々の比
表面積の炭化ケイ素粉末を!FJ造した。
このような超微粒の各種の炭化ケイ素粉末を常温で空気
にさらし、炭化ケイ素の粒子表面を一部酸化させた。そ
のJ:うに一部酸化された各炭化ケイ素粉末にAQ20
3、CおよびAll Nを配合し、フェノールレジンを
粘結材として角柱状に成形し、アルゴン雰囲気下で18
00℃の温度で常圧焼結を行なって、理論密度に対し9
8〜80%の緻密体を得た。
これらのものの20℃における曲げ強度は表1に示すと
おりであった。
表1からも明らかなように、炭化ケイ素粉末の比表面積
が20m2/aを超えると、曲げ強度が増加する。
また、表2は、組成と焼結温度の影響を示すためのもの
であり、本発明による5iC−AQzO3−C−Δ9N
系の実施例だけでなく、本発明に属さない比較例も示し
ている。比較例はとくに明記しないかぎり本発明の実施
例と同一の条件で製造した。
表2からも明らかなように、焼結温度が約1700〜2
050 ’Cの範囲でのみ700〜900 !vl P
 aの高強度が1qられる。たとえば、表2において7
9SiC・15Al2O3 ・4C・2AQNの実験例
では1800℃の焼結により900MPaの強度がtr
Pられた。
また、ΔQ203の添加されていない943iC・4C
・2iNの比較例について述べると、2100℃での焼
結晶は550MPaの強度が得られたが、これより低い
焼結温度(1800℃)では200MPaと極端に低い
強度になった。
l孔立立1 本発明は、従来とは全く逆に、炭化ケイ素粒子の比表面
積が大になるほど焼結体の曲げ強度が大きくなるという
実務上されめて顕著な効果を秦する。
また、本発明によれば、従来のものに比較して比較的低
温で焼結できる。とくに従来は実際上全く不可能とされ
ていた1 900℃以下の温度でも所望の焼iマjが実
施できる。
°7、−7 1 ・・1 代理人 弁理士 田辺 撤7.・、 表1 表  2 組  成               強  度  
焼成1女cnsr c・4C・2A9N       
    220 18ασ−手続補正歯 昭和61年°7月31日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 比表面積が20m^2/g以上であるSiC50〜97
    部と、AlN、TiNなどの窒化物1〜10部と、C1
    〜10部と、Al_2O_31〜30部を成形焼成した
    ことを特徴とする炭化ケイ素質高強度焼結体
JP60106043A 1985-05-20 1985-05-20 炭化ケイ素質高強度焼結体 Granted JPS62113762A (ja)

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JP60106043A JPS62113762A (ja) 1985-05-20 1985-05-20 炭化ケイ素質高強度焼結体
GB8609069A GB2177421B (en) 1985-05-20 1986-04-14 Sintered body of silicon carbide and method for manufacturing the same
FR8606611A FR2581986B1 (fr) 1985-05-20 1986-05-07 Corps fritte en carbure de silicium, procede pour le fabriquer et ceramique industrielle qui en est constituee
DE19863615861 DE3615861A1 (de) 1985-05-20 1986-05-10 Sinterkoerper auf basis des siliciumcarbid und verfahren zu seiner herstellung

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JPH0522669B2 JPH0522669B2 (ja) 1993-03-30

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015093814A (ja) * 2013-11-13 2015-05-18 コバレントマテリアル株式会社 金属溶融炉用保護管材料、金属溶融炉用保護管及びその製造方法

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JPS553396A (en) * 1978-06-15 1980-01-11 Carborundum Co Silicon carbideealuminum nitride sintered product and its manugacture
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