JPS6211242A - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents

ワイヤボンデイング装置

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JPS6211242A
JPS6211242A JP61149512A JP14951286A JPS6211242A JP S6211242 A JPS6211242 A JP S6211242A JP 61149512 A JP61149512 A JP 61149512A JP 14951286 A JP14951286 A JP 14951286A JP S6211242 A JPS6211242 A JP S6211242A
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clamper
capillary
bonding
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はワイヤボンディング装置、特にネイルへ〜、ラ
ドワイヤポンディング装置に関する。
半導体装置等の組立に、回路素子の電極と外部リードと
をワイヤで接続するワイヤボンディング作業がある。こ
のワイヤボンディング作業を行なう一つの技術として、
金線を用いて熱圧着でワイヤボンディングを行なうネイ
ルヘッドワイヤボンディング装置が一般に知られている
。ここで、第１図（ａ）〜（ｇ）を用いてこの装置によ
るボンディング動作について簡単に説明する。同図（ａ
）に示すように、ワイヤ（金線）１を保持した筒状のキ
ャピラリ２を回路素子（ペレット）３の第１ボ／デイン
グ箇所である電極上に臨ませる。キャピラリ２の下端か
ら下方に突出するワイヤ１の先端（一端）は加熱溶融さ
れて金ボール４となっているため、キャピラリ２の上方
に位置するクランパ５が開いてワイヤ１をクランプして
いなくとも抜は出ることはない。なお、図示はしない一
般公知の機構によって、このワイヤ１は上方に軽い力で
常に引っ張られワイヤ１には張力（テンション）が付与
されるようになっている。また、ペレット３はタブ６に
固定されている。
つぎに、同図（ｂ）で示すように、キャピラリ２が下降
して第１ポンデイング箇所に金ポール４を押し潰してワ
イヤ１の一端を固定（熱圧着）し第１ボ／デイングを行
なう。その後、キャピラリ２は上昇および水平移動して
同図（Ｃ）で示すように第２ボンデイング箇所であるリ
ード（外部リード）７の内端上に臨む。この際、キャピ
ラリ２からはワイヤ１が解き出される。
つぎに、再びキャピラリ２は下降し、ワイヤ１の途中部
分を熱圧着してリード７の内端上に固定する（同図（ｄ
）参照）。この第２ボンデイングと同時あるいはその後
すぐにクランパ５は閉じてワイヤ１をクランプする。
つぎに、同図（ｅ）　、　（ｆ）で示すように、先ずキ
ャピラリ２がわずかに上昇した後、キャピラリ２とクラ
ンパ５は共に上昇する。ワイヤ１はクランパ５によって
引っ張られるが、第２ボンデイング箇所のワイヤは押し
潰されて薄くなっているため強度が弱く、この接合部近
傍で分断する。また、この状態ではワイヤ１の一端はキ
ャピラリ２の下端から長く下方に突出しているため、水
素炎トーチ８の炎９でワイヤ１の先端を加熱溶融して同
図（ｇ）で示すように金ボール４を形成する。金ポール
４を形成した後はクランパ５を開いてワイヤ１を解放す
るとともにクランパ５に対してキャピラリ２を下方に遠
去は同図（ａ）で示す元の位置に戻して次のワイヤボン
ディングに備える。なお、前記金ボールの形成は、放電
電極をワイヤの一端に近接させ、両者間に放電を行なう
ことによっても形成することができる。
ところで、このようなワイヤボンディング装置では、金
ポール形成時に金ボールが形成されず、ワイヤにパック
テンションが加わっているためにクランパを開放した際
、キャピラリからワイヤが抜けてしまいワイヤボンディ
ング作業が続行できない欠点がある。
金ボールが形成されない理由としてはつぎのような２つ
の例がある。すなわち、第２ポンデイ／グ後のワイヤの
破断の際に、ワイヤが第２ボンディング部の近傍で破断
せず、途中で破断垣てしまい、キャピラリの下端に所望
長さのワイヤ部分が存在しなくなることから、水素炎ト
ーチで加熱できなくなったり、あるいは放電電極との間
で放電がなされなくなることによって金ボールは形成さ
れない。また、第２図に示すように、第１ポンデイ／グ
不良であって、金ポール部分が第２ボ／デイング箇所（
リード７）に接合されてしまった場合には、ワイヤ１の
分断（破断）高さが高くなる結果、キャピラリ２の下端
から突出するワイヤの長さが不足し、前記と同様の理由
で金ボールが形成されない。
したがって、本発明の目的は確実に金ボールが形成でき
るネイルヘッドワイヤポンディフグ装置を提供すること
にある。
以下実施例により本発明を説明する。
第３図（ａ）〜（ｈ）乃至第５図は本発明の一実施例を
示す。この実施例のワイヤボンディング装置では、従来
のワイヤボンディング装置におけるクランパ（このクラ
ンパはワイヤ破断用のクランパであることから説明の便
宜上分断用クランパ１０と呼ぶ。）の上方にもう一つの
クランパ（このクランパは後述するが金ボールが形成さ
れなかった時に作動して再度金ボールを形成する際用い
られることから修正用クランパ１１と呼ぶ。）を設ける
ものである。すなわち、この修正用クランパ１１は第４
図の正面図、第５図の平面図で示すよ５に、水平方向に
延びる主アーム１２の先端に固定された円板からなる固
定爪１３と、この固定爪１３に対面する円板の可動爪１
４とからなる。可動爪１４は可動アーム１５の先端で支
持される。また、可動アーム１５はその中間部分でブロ
ック１６に固定され、このブロック１６は支軸１７を介
して主アーム１２に回動自在に取り付けられている。ま
た、主アーム１２にはソレノイド１８が固定されている
。このソレノイド１８はオン動作するとその可動子１９
が突出して前記可動アーム１５の他端を押し、可動アー
ム１５を支軸１７を中心に回動させて可動爪１４を固定
爪１３に接近させ、両者間にワイヤ１をクランプするよ
うになっている。また、可動アームエ５と可動子１９が
常に接触するように、すなわちソレノイド１８がオフの
際には固定爪１３から可動爪１４が離れるようにばね２
０が配設されている。また、主アーム１２の他端には回
動軸２１が固定され、この回動軸２１の正逆回動によっ
て固定爪１３および可動爪１４は上下動する。
つぎに、第３図（ａ）〜（ｈ）を参照しながらワイヤポ
ンディング、特に金ボール形成について説明する。
同図（ａ）に示すように、ワイヤ（金線）１を保持した
キャピラリ２をタブ６上に固定されたペレット３の電極
（第１ボンデイング箇所）上に臨ませる。
この際、ワイヤ１の下端は金ポール４が形成され、分断
用・修正用クランパ１０，１１が共に開いていてワイヤ
１を保持していなくともワイヤ１はそのバククテンショ
ンによっても抜けないようになっている。
つぎに、キャピラリ２を下降させて金ボール４を電極に
熱圧着によって固定した後、同図（ｂ）で示すようにキ
ャピラリ２を第２ボ／デイング箇所であるリード７の内
端上に移動させ、同図（Ｃ）で示すようにキャピラリ２
を再び降下させてワイヤ１の他部分（途中部分）をキャ
ピラリ２で押し潰してリード７の内端に固定する。この
固定後に分断用クランパ１０および修正用クランパ１１
を閉じてワイヤ１をクランパする。
つぎＫ、同図（ｄ）で示すように、キャピラリ２および
分断用クランパ１０を共に上方にわずかに上昇させワイ
ヤ１を第２ボンディング部で分断させる。この際、修正
用クランパ１１はその高さを変えない。この結果、修正
用クランパ１１と分断用クランパ１０との間のワイヤ１
は同図のように弛む。
つぎに、同図（ｅ）で示すように、分断用クランパ１０
を開く。すると、ワイヤ１の上部は修正用クランパ１１
によって保持されているため、ワイヤの弾性によってキ
ャピラリ２内を下方に延び、前記弛み量（長さ）だけキ
ャピラリ２の下端に突出する。
そこで、同図（ｆ）で示すように、分断用クランパ１０
を閉じるとともに、キャビ２９２９分断用クランパ１０
．修正用クランパ１１を所定高さに移動させ、キャピラ
リ２の下端側に放電用の放電電極２２を突出させ、放電
電極２２とキャピラリ２の下方に突出するワイヤ１の先
端との間に放電を行ない金ボール４を形成する。ここで
金ボールが確実に形成されれば、放電電極２２をキャピ
ラリ２の下方から引き離し１分断用・修正用クランパ１
０．１１を開放させるとともに各部を元の位置に復帰さ
せて同図（ａ）に示すように次のワイヤボンディング作
業に移る。
また、この工程で金ボールが形成されなければ同図（ｇ
）で示す動作に移す。すなわち、ワイヤの先端に金ボー
ルが形成されたか否かは、放電がなされたか否かによっ
て確認（検出）できる。放電が生じない場合は前記のよ
うに、キャピラリの下端に充分な長さでワイヤが突出し
ている場合である。
そこで、放電が生じなかった場合には、直にキャピラリ
の上下動を行なうモータを停止させる。そして、同図（
ｇ）で示すように、分断用クランパ１０を開いた後、修
正用クランパ１１を一定長さを降下させる。この結果、
キャピラリ２０下端には所望長さのワイヤ１が突出する
。つぎに、同図（ｈ）で示すように、分断用クランパ１
０を閉じてワイヤ１をクランプした後、再び放電を行な
う。この結果、所望長さのワイヤがなくて発生しなかっ
た放電は修正によって長くなったため放電し、ワイヤ１
の下端には金ボール４が形成される。そこで、放電電極
２２を移動させ、分断用・修正用クランパ１０．１１を
開き、各部を元の位置に戻すことによって次のワイヤポ
ンディングに備える。
このような実施例によれば、分断用クランパ１０と修正
用クランパ１１とを用いこれらの間に弛みを作りこの弛
み部をボンディングツールから突出させるため、第２ボ
ンデイング後のワイヤ分断によるあるいは第１ボンデイ
ングがなされないことによる金ボール形成時のキャピラ
リからのワイヤ突出長さ不足による金ボール形成不良は
防止でき、確実に金ボールが形成できる。このため、ワ
イヤボンディング不良が発生せず、歩留が向上するとと
もに、キャピラリからワイヤが抜は出ることもないので
ワイヤボンディング装置の稼動率もよくなり、製品コス
トの軽減化を図ることができる。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。すなわち、
金ボール形成時に水素炎トーチで行なってもよい。
以上のように、本発明のワイヤボンディング装置によれ
ば、確実に金ボールを形成することができかつキャピラ
リからのワイヤの抜けも生じない。
このため、作業性の向上１歩留の向上を図ることができ
る。したがって、製品コストの軽減化も図れる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜（ｍｌはワイヤボンディング装置による
ボンディング動作を示す概略図、第２図は同じく金ボー
ルが形成できない状態を示す概略図、第３図（ａｌ〜（
ｈ）は本発明の一実施例によるワイヤボンディング装置
のボンディング動作を示す概略図、第４図は同じくクラ
ンパの正面図、第５図は同じくクランパの平面図である
。 １・・・ワイヤ、２・・・キャピラリ、３・・・ペレッ
ト、４・・・金ボール、５・・・クランパ、６・・・タ
ブ、７・・・リード、８・・・水素炎トーチ、９・・・
炎、１０・・・分断用クランパ、１１・・・修正用クラ
ンパ、１２・・・主アーム、１３・・・固定爪、１４・
・・可動爪、１５・・・可動アーム、１６・・・ブロッ
ク、１７・・・支軸、１８・・・ソレノイド、１９・・
・可動子、２０・・・ばね、２１・・・回動軸、２２・
・・放電電極。 代理人　弁理士　　小　川　勝　男 第　　１　　図 （（２−’）　　　　　Ｃ列　　　　（Ｃ）　　　　　
　（、ｌ）竿３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、第１ボンディング点にワイヤの一端を接続しかつ第
    ２ボンディング点に前記ワイヤの他部を接続するために
    用いられるボンディングツールと、前記第２ボンディン
    グ点へのワイヤ接続後前記ワイヤを分断するために用い
    られる前記ボンディングツールのワイヤ突出部よりも上
    方に配設されるクランパと、前記ワイヤ分断後前記ツー
    ルから突出するワイヤの一端との間で放電を生じさせ前
    記ワイヤの一端にワイヤ材のボールを形成するために用
    いられる放電用電極とを有するワイヤボンディング装置
    であって、前記クランパとして前記ボンディングツール
    に近い第１のクランパ及びこの第１のクランパよりも前
    記ボンディングツールに遠い第２のクランパを有し、前
    記第２ボンディング点へのワイヤ接続時前記第１及び第
    ２のクランパにより前記ワイヤをクランプし、次に前記
    第２のクランパの高さを変えないで前記第１のクランパ
    及びボンディングツールを上昇させその後前記第１のク
    ランパを開ける機構を有することを特徴とするワイヤボ
    ンディング装置。
JP61149512A 1986-06-27 1986-06-27 ワイヤボンデイング装置 Granted JPS6211242A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4467631B1 (ja) * 2009-01-07 2010-05-26 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
JP2010161377A (ja) * 2010-01-26 2010-07-22 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5366168A (en) * 1976-11-26 1978-06-13 Hitachi Ltd Detection method for wire disconnection
JPS5466770A (en) * 1977-11-08 1979-05-29 Shinkawa Seisakusho Kk Device for bonding wires

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5366168A (en) * 1976-11-26 1978-06-13 Hitachi Ltd Detection method for wire disconnection
JPS5466770A (en) * 1977-11-08 1979-05-29 Shinkawa Seisakusho Kk Device for bonding wires

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4467631B1 (ja) * 2009-01-07 2010-05-26 株式会社新川 ワイヤボンディング方法
WO2010079633A1 (ja) * 2009-01-07 2010-07-15 株式会社新川 ワイヤボンディング装置及びボンディング方法
JP2010161176A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング方法
KR101087999B1 (ko) 2009-01-07 2011-12-01 가부시키가이샤 신가와 와이어 본딩 장치 및 본딩 방법
US8191759B2 (en) 2009-01-07 2012-06-05 Shinkawa Ltd. Wire bonding apparatus and wire bonding method
JP2010161377A (ja) * 2010-01-26 2010-07-22 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング装置
JP4658224B2 (ja) * 2010-01-26 2011-03-23 株式会社新川 ワイヤボンディング装置

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