JPS62112355A - チツプキヤリア− - Google Patents
チツプキヤリア−Info
- Publication number
- JPS62112355A JPS62112355A JP60252032A JP25203285A JPS62112355A JP S62112355 A JPS62112355 A JP S62112355A JP 60252032 A JP60252032 A JP 60252032A JP 25203285 A JP25203285 A JP 25203285A JP S62112355 A JPS62112355 A JP S62112355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- bumps
- solder material
- chip carrier
- sphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/17—Metallic particles coated with metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は特に、基板に接続するチップキャリアーのバ
ンプの改良に関する。
ンプの改良に関する。
（従来の技術）
従来、高密度多層のチップキャリアーにおけるバングは
、ハンダ等の低融点ロー材やｃｕペースト等の厚塗９に
よって形成されているが、これらは、バンプの高さを３
００μｍ以上にすることが困難であるとともに、それ以
″′７：ｓあってもバンプの高さにばらつきが生じ易く
、又下層の基板の間で短絡の虞れもあった。また、上記
従来のものの欠点全改良するため基板のパッケージ端子
金属化部を凸状とするもの（特開昭５８−９３３５５号
）、あるいは、ピン状や錐状のものをロー付するものが
提案されている。
、ハンダ等の低融点ロー材やｃｕペースト等の厚塗９に
よって形成されているが、これらは、バンプの高さを３
００μｍ以上にすることが困難であるとともに、それ以
″′７：ｓあってもバンプの高さにばらつきが生じ易く
、又下層の基板の間で短絡の虞れもあった。また、上記
従来のものの欠点全改良するため基板のパッケージ端子
金属化部を凸状とするもの（特開昭５８−９３３５５号
）、あるいは、ピン状や錐状のものをロー付するものが
提案されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記従来方法はいずれも製作技術上の困
難を伴うものである。そこで、この発明は上記従来のも
の、または提案のものの欠点を更に改良するものであり
、十分なバンプ強度と均一のバンプ高をもち、下層の基
板との短絡全階いで、その組立てを容易にしようとする
ものである。
難を伴うものである。そこで、この発明は上記従来のも
の、または提案のものの欠点を更に改良するものであり
、十分なバンプ強度と均一のバンプ高をもち、下層の基
板との短絡全階いで、その組立てを容易にしようとする
ものである。
（問題点を解決するための手段）
コパール、銅、４２７０イ等の金属球を芯材として、そ
の上にろう材で表面被覆を怖１．７た金属球により、接
続端子用バンプを形成したものである。
の上にろう材で表面被覆を怖１．７た金属球により、接
続端子用バンプを形成したものである。
なお、バンプの高さは１００μｍ〜、１０００μｍ と
するのが望オしい。高さを１００μｍ以上必要とするの
は、後に、下層の基板との接合にハンダ等の低融点ろう
材を使用するに際し、フラックスの洗浄のためのぬけ道
を必要とするからであり、又、１０００μｍ以下とする
のけ、それ以上の高さのものであれば金属球を使用しな
くともバンプの形成が容易であるからである。
するのが望オしい。高さを１００μｍ以上必要とするの
は、後に、下層の基板との接合にハンダ等の低融点ろう
材を使用するに際し、フラックスの洗浄のためのぬけ道
を必要とするからであり、又、１０００μｍ以下とする
のけ、それ以上の高さのものであれば金属球を使用しな
くともバンプの形成が容易であるからである。
（作用）
上記の構成をもつので、治具上の所定位置にあらかじめ
この発明のチップキャリアを載置し、更に、基板を載置
して、加熱焼結し、基板のスルーホールに上記チップキ
ャリアを固定するものであシ、チップキャリアが球体で
あるので治具の所定位置を凹所にすることにより正確に
基板上に固定することができるほか、球体にろう材を被
覆しであるので、ろう材が流出することがなく接着強度
を向上して短絡が防止でき、均−高さにバンプを形成で
きるものである。
この発明のチップキャリアを載置し、更に、基板を載置
して、加熱焼結し、基板のスルーホールに上記チップキ
ャリアを固定するものであシ、チップキャリアが球体で
あるので治具の所定位置を凹所にすることにより正確に
基板上に固定することができるほか、球体にろう材を被
覆しであるので、ろう材が流出することがなく接着強度
を向上して短絡が防止でき、均−高さにバンプを形成で
きるものである。
（実施例）
図に示す実施例によりこの発明を更に説明する。
（１）は基板であり、その裏側にＭＯ／／Ｍｎ系のメタ
ライズで径１００μｍ乃至２０００μｍのパッド（２）
が印刷焼成により形成されており、（３）はスルーホー
ルであって基板（１）を貫き、接続端子と力、るバンプ
（５）と連結し、（４）はバンプ（５）の支持層であっ
て、基＆ （１） −＋にＮｉメッキにより構成さノ１
５、バンプ（５）は径９０／７ｙａ乃至５００μｍのコ
パール、銅、４２７０イ等の金属球を芯材（６）として
、その上に共晶銀ローで１０μｍ〜５００μｍの表面被
覆（７）ヲした、径１００μｍ−１０００μｍの金属球
で構成される。（８）はカーボン及びセラミックよりな
る治具であって、この上に１００μｍ〜２００μｍの間
隔で、バンプを形成する径２５０μｍの金属球（５）を
セットし、さらにその上に、支持層（４）を形成した基
板＜１１金置き、２００℃〜１０００℃の中性及び還元
雰囲気の炉で両者をろう付する。第４図は強度測定のた
めの試験片を示し、ここで、この発明の金属球（５）を
Ｎｉｊ：、９なる支持層（３）を介して８５０℃のＨ１
雰囲気の炉内で基板となる試験片αυ上にろう付けし、
・・ンダ（９）によりワイヤーＣ１ｌをこの発明と同質
の金属球（４）に接続したものでｂ）る。
ライズで径１００μｍ乃至２０００μｍのパッド（２）
が印刷焼成により形成されており、（３）はスルーホー
ルであって基板（１）を貫き、接続端子と力、るバンプ
（５）と連結し、（４）はバンプ（５）の支持層であっ
て、基＆ （１） −＋にＮｉメッキにより構成さノ１
５、バンプ（５）は径９０／７ｙａ乃至５００μｍのコ
パール、銅、４２７０イ等の金属球を芯材（６）として
、その上に共晶銀ローで１０μｍ〜５００μｍの表面被
覆（７）ヲした、径１００μｍ−１０００μｍの金属球
で構成される。（８）はカーボン及びセラミックよりな
る治具であって、この上に１００μｍ〜２００μｍの間
隔で、バンプを形成する径２５０μｍの金属球（５）を
セットし、さらにその上に、支持層（４）を形成した基
板＜１１金置き、２００℃〜１０００℃の中性及び還元
雰囲気の炉で両者をろう付する。第４図は強度測定のた
めの試験片を示し、ここで、この発明の金属球（５）を
Ｎｉｊ：、９なる支持層（３）を介して８５０℃のＨ１
雰囲気の炉内で基板となる試験片αυ上にろう付けし、
・・ンダ（９）によりワイヤーＣ１ｌをこの発明と同質
の金属球（４）に接続したものでｂ）る。
このように試験片を構成し、一方、径２５０μｍのＡｇ
ローのみでバンプを構成したチップキャリアーを、第
４図に示すように各バンプ中心部にハンダ（９）によシ
ワイヤーＱ（ｌを接合し、そのワイヤー（１υの引張に
より各バンプの強度を測定し、以下の結果が得られた。
ローのみでバンプを構成したチップキャリアーを、第
４図に示すように各バンプ中心部にハンダ（９）によシ
ワイヤーＱ（ｌを接合し、そのワイヤー（１υの引張に
より各バンプの強度を測定し、以下の結果が得られた。
なお、この試験は基板（１）に形成された多数のバンプ
（５）の内、任意の３ケ所の高さ及び４ケ所のバンプ強
度を、それぞれ測定したもので・ある。
（５）の内、任意の３ケ所の高さ及び４ケ所のバンプ強
度を、それぞれ測定したもので・ある。
くバンプの高さ〉
コパールとＡｇローにより形成されたバンプの場合
Ａｇローのみにより形成されたバンプの場合くバンプ強
度〉バング中心部（４）の分離時の引張力とこて、バン
プ（５）を構成する金属球は特に、径１００μ７７！〜
３００μｍのコパール球が、又その表面のろう材による
被覆も、５０μｍ〜２００μｍが望ましく、かつ金属球
のチップキャリアー基板（１１へのろう付のだめの炉の
温度は７００℃乃至９００℃が望ましい。
度〉バング中心部（４）の分離時の引張力とこて、バン
プ（５）を構成する金属球は特に、径１００μ７７！〜
３００μｍのコパール球が、又その表面のろう材による
被覆も、５０μｍ〜２００μｍが望ましく、かつ金属球
のチップキャリアー基板（１１へのろう付のだめの炉の
温度は７００℃乃至９００℃が望ましい。
（発明の効果）
以上のとおシであるから、この発明は、ろう材のみによ
り形成されたバンプの倍以上の強度金もち、かつ均一の
高さのバンプを持つ基板が容易に形成でき、さらにろう
流れによる短絡を防止できる等の優れた効果があるもの
である。
り形成されたバンプの倍以上の強度金もち、かつ均一の
高さのバンプを持つ基板が容易に形成でき、さらにろう
流れによる短絡を防止できる等の優れた効果があるもの
である。
第１図はこの発明のチップキャリアーの構成方法を示す
縦断面図であり、第２図は要部の拡大図、第３図は要部
の拡大図、第４図はノくンプ強度試験を示す縦断面図で
ある。 １・・・基板、３・・・スルーホール、４°・・ノ（ン
フ支持層、５・・・バンプ、７・・・共晶銀ろう、８・
・・治具特許出願人 代理人゛弁理士 原木 三幸第
１図 第４図
縦断面図であり、第２図は要部の拡大図、第３図は要部
の拡大図、第４図はノくンプ強度試験を示す縦断面図で
ある。 １・・・基板、３・・・スルーホール、４°・・ノ（ン
フ支持層、５・・・バンプ、７・・・共晶銀ろう、８・
・・治具特許出願人 代理人゛弁理士 原木 三幸第
１図 第４図
Claims (1)
- コパール、銅、４２アロイ等の金属球を芯材として、そ
の上にろう材で表面被覆を施した金属球により、接続端
子用バンプを形成するチップキャリアー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252032A JPS62112355A (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | チツプキヤリア− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252032A JPS62112355A (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | チツプキヤリア− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62112355A true JPS62112355A (ja) | 1987-05-23 |
Family
ID=17231633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60252032A Pending JPS62112355A (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | チツプキヤリア− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62112355A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02144945A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体搭載用基板およびその製造方法 |
| WO1997001866A1 (en) * | 1995-06-29 | 1997-01-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ball grid array package utilizing solder coated spheres |
| WO1997023121A1 (en) * | 1995-12-19 | 1997-06-26 | Thermicedge Corporation | Spheres useful in a detachable connective medium for ball grid array assemblies |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6049655A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-18 | Fujitsu Ltd | リ−ドレスチップキャリアのバンプ形成方法 |
-
1985
- 1985-11-12 JP JP60252032A patent/JPS62112355A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6049655A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-18 | Fujitsu Ltd | リ−ドレスチップキャリアのバンプ形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02144945A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体搭載用基板およびその製造方法 |
| WO1997001866A1 (en) * | 1995-06-29 | 1997-01-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ball grid array package utilizing solder coated spheres |
| WO1997023121A1 (en) * | 1995-12-19 | 1997-06-26 | Thermicedge Corporation | Spheres useful in a detachable connective medium for ball grid array assemblies |
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