JPS62111755A - 流路を持つ高分子基板の製造方法 - Google Patents
流路を持つ高分子基板の製造方法Info
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- JPS62111755A JPS62111755A JP25230285A JP25230285A JPS62111755A JP S62111755 A JPS62111755 A JP S62111755A JP 25230285 A JP25230285 A JP 25230285A JP 25230285 A JP25230285 A JP 25230285A JP S62111755 A JPS62111755 A JP S62111755A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract description 10
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- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高分子材料を成形することにより得られる流路
を持つ高分子基板の製造方法に関する。
を持つ高分子基板の製造方法に関する。
本発明はインクジェットプリンターのインクジェットヘ
ッド基板等の流体が流れる流路を持つ高分子基板の製造
方法において、流路パターンを７オトマスクにし、この
フォトマスクを重ねたフォトレジスト層を露光した後容
剤除去すると、流路パターンに対応したフォトレジスト
の凹凸かで−。・、この凹凸をマスターにして！鋳金型
を作り、。
ッド基板等の流体が流れる流路を持つ高分子基板の製造
方法において、流路パターンを７オトマスクにし、この
フォトマスクを重ねたフォトレジスト層を露光した後容
剤除去すると、流路パターンに対応したフォトレジスト
の凹凸かで−。・、この凹凸をマスターにして！鋳金型
を作り、。
の電鋳金型を使って高分子を成形することにより、複雑
且つ微細な流路パターンを持つ高分子基板の製造を可能
にした。
且つ微細な流路パターンを持つ高分子基板の製造を可能
にした。
従来の流路を持つ高分子基板の製造においては、金型の
流路を形成する凹凸部を７ライス等の機械加工し、その
金型を用いて高分子を成形し、う型の凹凸を高分子に反
転々写して得られる凹凸に。
流路を形成する凹凸部を７ライス等の機械加工し、その
金型を用いて高分子を成形し、う型の凹凸を高分子に反
転々写して得られる凹凸に。
流路を持つ高分子基板を得ていた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、前
述の従来技術では、金型の前記凹凸部の底部及び側部の
而粗さが、機械加工では粗く、且つ凹凸の高さ精度が不
十分である。また、流路パターンが複雑な場合、金型に
そのパターンを高精度に機械加工で得ることは困難であ
り、且つ再現性に欠ける。ざらに流路パターンが微細な
場合、流路に対応する凹凸の間隔が小さくなり、自ずと
金型の機械加工においては、加工工具の大きさに制約が
あり、前記凹凸の間隔に制約を生じる。よって、かかる
問題点により、高精度で微細な流路を持つ高分子基板を
成形により得ることは困難であった。
述の従来技術では、金型の前記凹凸部の底部及び側部の
而粗さが、機械加工では粗く、且つ凹凸の高さ精度が不
十分である。また、流路パターンが複雑な場合、金型に
そのパターンを高精度に機械加工で得ることは困難であ
り、且つ再現性に欠ける。ざらに流路パターンが微細な
場合、流路に対応する凹凸の間隔が小さくなり、自ずと
金型の機械加工においては、加工工具の大きさに制約が
あり、前記凹凸の間隔に制約を生じる。よって、かかる
問題点により、高精度で微細な流路を持つ高分子基板を
成形により得ることは困難であった。
そこで、本発明は従来のこのような問題点を解決するも
ので、その目的とするところは成形により高精度で且つ
複雑微細な流路を持つ高分子基板を量産することである
。
ので、その目的とするところは成形により高精度で且つ
複雑微細な流路を持つ高分子基板を量産することである
。
本発明の流路を持つ高分子基板の製造方法は、フォトレ
ジスト膜にフォトマスクを重ねて露光及び溶剤除去し、
該フォトマスクに描かれたパターンに対応した凹凸を形
成し、該凹凸をマスターにして電鋳処理した金属板を成
形型に加工する製造方法において、前記フォトマスクの
パターンを流路パターンとした成形型を製造し、該成形
型を用いて成形することを特徴とする流路を持つ高分子
基板の製造方法を特徴とする。
ジスト膜にフォトマスクを重ねて露光及び溶剤除去し、
該フォトマスクに描かれたパターンに対応した凹凸を形
成し、該凹凸をマスターにして電鋳処理した金属板を成
形型に加工する製造方法において、前記フォトマスクの
パターンを流路パターンとした成形型を製造し、該成形
型を用いて成形することを特徴とする流路を持つ高分子
基板の製造方法を特徴とする。
本発明の上記の製造方法によれば、複雑微細な流路パタ
ーンを拡大描写し、それを写真縮小により得られる高精
度なフォトマスクを使用し、このフォトマスクを高精度
な面粗度と平担度を持つ土台（ガラス板等）に高精度に
均一な厚みに塗布されたフォトレジスト層の上に重ね、
露光及び溶剤除去することにより、前記フォトマスクに
描かれた流路パターンに対応する凹凸が前記基板上に形
成される。この際前記凸部の上面は前記土台からの高さ
が均一であり、且つ前記凹部の底面は前記土台の面であ
る為に高精度の面粗度を持つ。さらに、前記凹凸部の側
面もフォトレジストにより形成される為に、機械加工に
おける切削等で得られる面よりもはるかに面粗度が高い
。そこで、前記土台上に得られた前記凹凸のパターンを
マスターにして電鋳処理することにより、前記凹凸のパ
ターンを高精度に反転々写した金属板が得られ、この金
属板を金型として成形することにより、複雑微細で且つ
高い面粗度と深さ精度の流路を持つ高分子基板を得るこ
とが出来る。
ーンを拡大描写し、それを写真縮小により得られる高精
度なフォトマスクを使用し、このフォトマスクを高精度
な面粗度と平担度を持つ土台（ガラス板等）に高精度に
均一な厚みに塗布されたフォトレジスト層の上に重ね、
露光及び溶剤除去することにより、前記フォトマスクに
描かれた流路パターンに対応する凹凸が前記基板上に形
成される。この際前記凸部の上面は前記土台からの高さ
が均一であり、且つ前記凹部の底面は前記土台の面であ
る為に高精度の面粗度を持つ。さらに、前記凹凸部の側
面もフォトレジストにより形成される為に、機械加工に
おける切削等で得られる面よりもはるかに面粗度が高い
。そこで、前記土台上に得られた前記凹凸のパターンを
マスターにして電鋳処理することにより、前記凹凸のパ
ターンを高精度に反転々写した金属板が得られ、この金
属板を金型として成形することにより、複雑微細で且つ
高い面粗度と深さ精度の流路を持つ高分子基板を得るこ
とが出来る。
＠１図は本発明の実施例における流路を持つ高分子基板
の斜視図である。第１図において、１は基板であり、こ
の基板に接する液体に犯されない高分子材料で成形する
。ここで、２は１の基板に形成された流路溝であり、こ
の流路溝の中を流体が流れる。５は流体が流れ込む入口
となる流体供給側流路溝、４は流体が吐出される流体吐
出側流路溝である。第２図は流路パターンの描かれたフ
ォトマスクの平ＷＪ図である。第５図はフォトレジスト
により流路パターンを形成し、電鋳金型のマスターに供
する為のマスター加工の構成図である。第５図に示す様
に平滑なガラス板等の土台７の上にレジスト層を流路溝
２の深さに対応した寸法の厚みに塗布又は貼付け、さら
にフォトマスク５を重ねて、紫外線を照射する。次にフ
ォトマスク５を剥離した後、溶剤でフォトレジスト層乙
の未反応部分を除去すると、第４図で示すマスターがで
きる。第４図は土台７上に形成された流路′ｏＩｔ２の
パターンに対応するフォトレジストによる凹部９を持つ
マスターの斜視図である。なお、上記工程においてはフ
ォトマスク５の流路部に相当するパターンを遮光部とし
、ネガタイプのレジストを用いているが、一方、ポジタ
イプのレジストを用いた場合は、前記パターンを光の透
過部、その他の部分を遮光部とすればよい。次に前記マ
スターにニッケル等の０．１μ程度の導伝化処理をした
後、このマスター上に電鋳処理により厚さ約１間のニッ
ケル等の金属膜（金属板）を付けた後、この金属板から
前期マスターを剥離する。第５図は前記電鋳処理により
得られた前記金属板１１およびその上に四部９を反転々
写して得られた凸部１０より成る金型の斜視図である。
の斜視図である。第１図において、１は基板であり、こ
の基板に接する液体に犯されない高分子材料で成形する
。ここで、２は１の基板に形成された流路溝であり、こ
の流路溝の中を流体が流れる。５は流体が流れ込む入口
となる流体供給側流路溝、４は流体が吐出される流体吐
出側流路溝である。第２図は流路パターンの描かれたフ
ォトマスクの平ＷＪ図である。第５図はフォトレジスト
により流路パターンを形成し、電鋳金型のマスターに供
する為のマスター加工の構成図である。第５図に示す様
に平滑なガラス板等の土台７の上にレジスト層を流路溝
２の深さに対応した寸法の厚みに塗布又は貼付け、さら
にフォトマスク５を重ねて、紫外線を照射する。次にフ
ォトマスク５を剥離した後、溶剤でフォトレジスト層乙
の未反応部分を除去すると、第４図で示すマスターがで
きる。第４図は土台７上に形成された流路′ｏＩｔ２の
パターンに対応するフォトレジストによる凹部９を持つ
マスターの斜視図である。なお、上記工程においてはフ
ォトマスク５の流路部に相当するパターンを遮光部とし
、ネガタイプのレジストを用いているが、一方、ポジタ
イプのレジストを用いた場合は、前記パターンを光の透
過部、その他の部分を遮光部とすればよい。次に前記マ
スターにニッケル等の０．１μ程度の導伝化処理をした
後、このマスター上に電鋳処理により厚さ約１間のニッ
ケル等の金属膜（金属板）を付けた後、この金属板から
前期マスターを剥離する。第５図は前記電鋳処理により
得られた前記金属板１１およびその上に四部９を反転々
写して得られた凸部１０より成る金型の斜視図である。
この金型に一部機械加工をして成型金をのキャビティー
グレートとする。このキャビティープレートを成形金型
の型板にボルト等の締結をして成る成形金型を用いて射
出成形することにより第１図で示した流路を持つ高分子
基板が得られる。
グレートとする。このキャビティープレートを成形金型
の型板にボルト等の締結をして成る成形金型を用いて射
出成形することにより第１図で示した流路を持つ高分子
基板が得られる。
以上述べたように本発明によれば複雑微細で高精度かつ
滑らかな流路を持つ高分子基板が容易に得られるという
効果を有する。
滑らかな流路を持つ高分子基板が容易に得られるという
効果を有する。
第１図は高分子成形基板の斜視図。
第２図はフォトマスクの平面図。
第５図はマスター加工の構成図。
范４図はマスターの斜視図。
第５図は金型の斜視図。
以 上
オ’ｉ＋：１
ン、！罰ズクの；Ｔ、ｔｊ、 ｉ、ヱ）す２后１
Claims (1)
- フォトレジスト層にフォトマスクを重ねて露光及び溶剤
除去し、該フォトマスクに描かれたパターンに対応した
凹凸を形成し、該凹凸をマスターにして電鋳処理した金
属板を成形型に加工する製造方法において、前記フォト
マスクのパターンを流路パターンとした成形型を製造し
、該成形型を用いて成形することを特徴とする流路を持
つ高分子基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25230285A JPS62111755A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 流路を持つ高分子基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25230285A JPS62111755A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 流路を持つ高分子基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62111755A true JPS62111755A (ja) | 1987-05-22 |
Family
ID=17235356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25230285A Pending JPS62111755A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 流路を持つ高分子基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62111755A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01190459A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Ricoh Co Ltd | 液体噴射記録ヘッド |
| JPH01259959A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-17 | Ricoh Co Ltd | 液体噴射記録ヘッド |
| CN103434060A (zh) * | 2013-08-07 | 2013-12-11 | 苏州扬清芯片科技有限公司 | 一种微流控芯片模具 |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP25230285A patent/JPS62111755A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01190459A (ja) * | 1988-01-26 | 1989-07-31 | Ricoh Co Ltd | 液体噴射記録ヘッド |
| JPH01259959A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-17 | Ricoh Co Ltd | 液体噴射記録ヘッド |
| CN103434060A (zh) * | 2013-08-07 | 2013-12-11 | 苏州扬清芯片科技有限公司 | 一种微流控芯片模具 |
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