JPS62111479A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS62111479A JPS62111479A JP60251521A JP25152185A JPS62111479A JP S62111479 A JPS62111479 A JP S62111479A JP 60251521 A JP60251521 A JP 60251521A JP 25152185 A JP25152185 A JP 25152185A JP S62111479 A JPS62111479 A JP S62111479A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 22
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- XKUKSGPZAADMRA-UHFFFAOYSA-N glycyl-glycyl-glycine Natural products NCC(=O)NCC(=O)NCC(O)=O XKUKSGPZAADMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010067216 glycyl-glycyl-glycine Proteins 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- GROMGGTZECPEKN-UHFFFAOYSA-N sodium metatitanate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Ti](=O)O[Ti](=O)O[Ti]([O-])=O GROMGGTZECPEKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/053—Energy storage means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. a capacitor integrated with a PV cell
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は太陽電池等として用いられる光起電力装Rに関
するものである。
するものである。
一般にこの種光起電力装置はガラス等からなる透光性絶
縁基板上に透明電極、p型、i型、n型の各非晶質シリ
コン等からなる非晶質半導体層、裏面電極をこの順序に
積層形成して構成され、透光イノ上絶縁基板、透明電極
を透過させた光を非晶質半導体層内に導入して光起電力
を生起させ、これを透明電極、裏面電極を通しζ外部に
取り出すようになっている。
縁基板上に透明電極、p型、i型、n型の各非晶質シリ
コン等からなる非晶質半導体層、裏面電極をこの順序に
積層形成して構成され、透光イノ上絶縁基板、透明電極
を透過させた光を非晶質半導体層内に導入して光起電力
を生起させ、これを透明電極、裏面電極を通しζ外部に
取り出すようになっている。
ところで、このような従来の光起電力装置は当然のこと
ながら光の入射が′a断されると、略同時的に電力の取
り出しが出来なくなる。このため例えば卓上電子計算機
等の電源とし゛ζ光起電力装置を用いる場合には別にコ
ンデンサを設け、光起電力装置で生起された電力の一部
をコンデンサに蓄積しておき、光起電力装置に対する光
の入射が一時的にig断された場合にはコンデンサから
の放電によって所定時間必要な電力を供給維持し得るよ
う構成され゛(いる。しかしこのような構成を採るとコ
ンデンサの設置スペースが必要となる他、組み付は作業
も必要となり、製造能率の低下が避けられないという問
題がある。
ながら光の入射が′a断されると、略同時的に電力の取
り出しが出来なくなる。このため例えば卓上電子計算機
等の電源とし゛ζ光起電力装置を用いる場合には別にコ
ンデンサを設け、光起電力装置で生起された電力の一部
をコンデンサに蓄積しておき、光起電力装置に対する光
の入射が一時的にig断された場合にはコンデンサから
の放電によって所定時間必要な電力を供給維持し得るよ
う構成され゛(いる。しかしこのような構成を採るとコ
ンデンサの設置スペースが必要となる他、組み付は作業
も必要となり、製造能率の低下が避けられないという問
題がある。
C問題点を解決するための手段〕
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするとごろは、絶縁基板を強誘電体材料にて構成
すると共に、この強誘電体材料製の絶縁基板の主面側に
は光起電力素子を構成する第1電極、非晶質半導体層、
第2電極を設けると共に絶縁基板の裏面側に第3の電極
を形成して絶縁基板を第1.第3の電極で挾んだコンデ
ンサを一体に集積形成し、光起電力素子によって生起さ
れた光起電力を一部コンデンサに蓄積せしめておくごと
により、光の入射が一時的に遮断された場合にもコンデ
ンサの放電を利用して所要時間電力の供給を維持し得、
しかもコンデンサの組付けの手間が不要となり、コンパ
クトに構成でき、生産能率の向上をはかれるようにした
光起電力装置を提供するにある。
目的とするとごろは、絶縁基板を強誘電体材料にて構成
すると共に、この強誘電体材料製の絶縁基板の主面側に
は光起電力素子を構成する第1電極、非晶質半導体層、
第2電極を設けると共に絶縁基板の裏面側に第3の電極
を形成して絶縁基板を第1.第3の電極で挾んだコンデ
ンサを一体に集積形成し、光起電力素子によって生起さ
れた光起電力を一部コンデンサに蓄積せしめておくごと
により、光の入射が一時的に遮断された場合にもコンデ
ンサの放電を利用して所要時間電力の供給を維持し得、
しかもコンデンサの組付けの手間が不要となり、コンパ
クトに構成でき、生産能率の向上をはかれるようにした
光起電力装置を提供するにある。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第1図は本発明に係る光起電力装置(以下本発
明装置という)の模式的平面図、第2図は第1図の■−
■線による模式的断面図であり、図中1は絶縁基板、2
は第1の電極、3は非晶質半導体層、4は第2の電極、
5は第3の電極を示し゛(いる。
明する。第1図は本発明に係る光起電力装置(以下本発
明装置という)の模式的平面図、第2図は第1図の■−
■線による模式的断面図であり、図中1は絶縁基板、2
は第1の電極、3は非晶質半導体層、4は第2の電極、
5は第3の電極を示し゛(いる。
絶縁基板1は強誘電体材料、例えばチタン酸バリウム(
BaT103)、トリグリシン・サルファイド、或いは
デルコニウム酸ナトリウム55%とチタン酸すトリウム
5%の混合体等を用いて構成されており、この強誘電体
製の基板lの主面上に^l製の第1の電極2が、次いで
この上にp型、i型。
BaT103)、トリグリシン・サルファイド、或いは
デルコニウム酸ナトリウム55%とチタン酸すトリウム
5%の混合体等を用いて構成されており、この強誘電体
製の基板lの主面上に^l製の第1の電極2が、次いで
この上にp型、i型。
n型の各非晶質半導体を含む非晶質半導体層3、更には
インジウム、錫等を用いた透明な第2の電極4をこの順
序に積層形成すると共に、強誘電体製の基板1の下面に
もAA’製の第3の電極5を積層形成しである。そして
第2の電極4と第3の電Ifi5とを線6aを用いて接
続Jると共に、第1の電極2、第2の電極4にリード線
6b、6cを接続しである。
インジウム、錫等を用いた透明な第2の電極4をこの順
序に積層形成すると共に、強誘電体製の基板1の下面に
もAA’製の第3の電極5を積層形成しである。そして
第2の電極4と第3の電Ifi5とを線6aを用いて接
続Jると共に、第1の電極2、第2の電極4にリード線
6b、6cを接続しである。
これによって基板1上に積層形成した第1の電極2、非
晶質半導体層3、第2の電極4にて光起電力素子aが構
成されると共に、強誘電体製の基Fj、lを挾んだ第1
の電極2.第3の電極5にてコンデンサbが構成される
こととなる。
晶質半導体層3、第2の電極4にて光起電力素子aが構
成されると共に、強誘電体製の基Fj、lを挾んだ第1
の電極2.第3の電極5にてコンデンサbが構成される
こととなる。
第3図は前記第1.2図に示した本発明装置の電気回路
図であり、aは光起電力素子、bはコンデンサを示して
いる。光起電力素子aのカソードを構成する電極と、コ
ンデンサbの一方の電極とは第1の電極2にて兼用され
、また光起電力素子aのアノードを構成−4る第2の電
極4とコンデンサbの他方の電極である第3の電極5と
は線6aにて直結されて光起電力素子aとコンデンサb
とが並列接続された構成となっている。
図であり、aは光起電力素子、bはコンデンサを示して
いる。光起電力素子aのカソードを構成する電極と、コ
ンデンサbの一方の電極とは第1の電極2にて兼用され
、また光起電力素子aのアノードを構成−4る第2の電
極4とコンデンサbの他方の電極である第3の電極5と
は線6aにて直結されて光起電力素子aとコンデンサb
とが並列接続された構成となっている。
而して光起電力素子aに光が入射されているときは光起
電力素子aにて生起された光起電力は再出力リード線6
b、6cから出力されるが、一部はコンデンサbにN積
され、光起電力素子aに光が入射されなくなったときは
コンデンサbからの放電によって光起電力素子aに代わ
って所要時間電力が供給されることとなる。
電力素子aにて生起された光起電力は再出力リード線6
b、6cから出力されるが、一部はコンデンサbにN積
され、光起電力素子aに光が入射されなくなったときは
コンデンサbからの放電によって光起電力素子aに代わ
って所要時間電力が供給されることとなる。
なお、上述の実施例では第1.第2の電極2゜4に夫々
リード線6b、6cを接続した構成を示したが、第1.
第3電極に夫々リード線を接続した構成としても同様の
効果が得られることはい・)までもない。
リード線6b、6cを接続した構成を示したが、第1.
第3電極に夫々リード線を接続した構成としても同様の
効果が得られることはい・)までもない。
以上の如く本発明装置にあっては、基板を強誘電体にて
構成し、この基板の裏面にも第3の電極を形成し、この
第3の電極と第2の電極とを相互に接続したから第1の
電極と第2、又は第3の電極とにリード線を設けること
により光起電力素子とコンデンサとの両機能を併有する
ことが出来て全体をコンパクトに構成でき、しかもコン
デンサを別設する必要がないから組込み用のスペースの
節減が図れると共に組み込み作業の省力化も図れる等本
発明は優れた効果を奏するものである。
構成し、この基板の裏面にも第3の電極を形成し、この
第3の電極と第2の電極とを相互に接続したから第1の
電極と第2、又は第3の電極とにリード線を設けること
により光起電力素子とコンデンサとの両機能を併有する
ことが出来て全体をコンパクトに構成でき、しかもコン
デンサを別設する必要がないから組込み用のスペースの
節減が図れると共に組み込み作業の省力化も図れる等本
発明は優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の、模式的平面図、第2図は同じく
第1図の■−■線による模式的断面図、第3図は本発明
装置の電気回路図である。 l・・・強誘電体製の基板 2・・・第1の電極 3・
・・非晶質1F導体屓 4・・・第2の電極 5・・・
第3の電極
第1図の■−■線による模式的断面図、第3図は本発明
装置の電気回路図である。 l・・・強誘電体製の基板 2・・・第1の電極 3・
・・非晶質1F導体屓 4・・・第2の電極 5・・・
第3の電極
Claims (1)
- 1、強誘電体製の基板主面に第1の電極、非晶質半導体
層、第2の電極をこの順序で積層形成すると共に、前記
基板の裏面に第3の電極を積層形成し、前記第2の電極
と第3の電極とを接続し、前記第1の電極と第2の電極
と、又は第1の電極と第3の電極とより出力を取り出す
ようにしたことを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60251521A JPS62111479A (ja) | 1985-11-09 | 1985-11-09 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60251521A JPS62111479A (ja) | 1985-11-09 | 1985-11-09 | 光起電力装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62111479A true JPS62111479A (ja) | 1987-05-22 |
Family
ID=17224047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60251521A Pending JPS62111479A (ja) | 1985-11-09 | 1985-11-09 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62111479A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2453606A (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-15 | Western Lights Semiconductor Corp | Solar power source |
JP2010182307A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Northern Lights Semiconductor Corp | エネルギ蓄積装置として用いる磁器コンデンサを有する電源を備える電気デバイス |
-
1985
- 1985-11-09 JP JP60251521A patent/JPS62111479A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2453606A (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-15 | Western Lights Semiconductor Corp | Solar power source |
JP2009094462A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Northern Lights Semiconductor Corp | 太陽光電源装置およびその製造方法 |
GB2453606B (en) * | 2007-10-11 | 2009-09-02 | Western Lights Semiconductor C | Solar power source |
JP2010182307A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Northern Lights Semiconductor Corp | エネルギ蓄積装置として用いる磁器コンデンサを有する電源を備える電気デバイス |
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