JPS6211138A - 異物検査装置 - Google Patents
異物検査装置Info
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- JPS6211138A JPS6211138A JP14014785A JP14014785A JPS6211138A JP S6211138 A JPS6211138 A JP S6211138A JP 14014785 A JP14014785 A JP 14014785A JP 14014785 A JP14014785 A JP 14014785A JP S6211138 A JPS6211138 A JP S6211138A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、パターン付きウェハ、ホトマスクなど、パ
ターンが形成された面の異物検査に好適な異物検査装置
に関する。
ターンが形成された面の異物検査に好適な異物検査装置
に関する。
［従来の技術］
半導体デバイスの製造に用いられるウエノ１などは、異
物の付着を極度に嫌うため、異物検査装置を用いて表面
の異物検査を行っている。
物の付着を極度に嫌うため、異物検査装置を用いて表面
の異物検査を行っている。
そのようなウェハの異物検査装置として、ウェハを回転
および移動させつつ、ウニ／”ｉ而にＳ偏光ビームを照
射することにより、ウエノ）而をＳ偏光ビームにより螺
旋走査し、ウエノ＼面からの反射光をレンズ系により集
光し、その反射光から偏光板によりＰ偏光成分を抽出し
て光電変換素子へ入射させ、その光電変換信号のレベル
に基づきウニ／％而における異物を検出する方式のもの
が知られている。
および移動させつつ、ウニ／”ｉ而にＳ偏光ビームを照
射することにより、ウエノ）而をＳ偏光ビームにより螺
旋走査し、ウエノ＼面からの反射光をレンズ系により集
光し、その反射光から偏光板によりＰ偏光成分を抽出し
て光電変換素子へ入射させ、その光電変換信号のレベル
に基づきウニ／％而における異物を検出する方式のもの
が知られている。
Ｓ偏光ビームの照射スポット内にパターンが存在しても
、そのパターンの面は微視的に下情であるため、反射光
は殆どＳ偏光成分だけである。これに対し、異物の表面
には一般に微小な凹凸があるため、照射スポット内に異
物が存在すると、照射されたＳ偏光ビームは散乱して偏
光面が乱れ、反射光には、Ｐ偏光成分がかなり含まれる
ことになる。したがって、Ｐ偏光成分の光電変換信号を
ある閾値とレベル比較し、その閾値を充電変換信号が１
−回ったときに、異物と判定するようにすれば、異物を
パターンから弁別して検出できる。
、そのパターンの面は微視的に下情であるため、反射光
は殆どＳ偏光成分だけである。これに対し、異物の表面
には一般に微小な凹凸があるため、照射スポット内に異
物が存在すると、照射されたＳ偏光ビームは散乱して偏
光面が乱れ、反射光には、Ｐ偏光成分がかなり含まれる
ことになる。したがって、Ｐ偏光成分の光電変換信号を
ある閾値とレベル比較し、その閾値を充電変換信号が１
−回ったときに、異物と判定するようにすれば、異物を
パターンから弁別して検出できる。
［解決しようとする問題点］
しかし、このような従来の異物検査装置は、微小異物を
検出しようとすると、パターンを周期的に誤検出する場
合があった。
検出しようとすると、パターンを周期的に誤検出する場
合があった。
［発明のＩＪ的］
この発明の目的は、そのようなパターンの誤検出の防１
ヒを図った異物検査装置を提供することにある。
ヒを図った異物検査装置を提供することにある。
［問題点を解決するためのｆ段コ
発明者の研究によれば、従来の異物検査装置においてパ
ターンが１誤検出されるのは、Ｓ偏光ビームの照射方向
がパターンの法線方向に対しある一定の角度になった場
合に多い。従来のような比検谷面を回転させる走査方式
の場合、そのような条件になるパターンがある角度置き
に周期的に現れる。
ターンが１誤検出されるのは、Ｓ偏光ビームの照射方向
がパターンの法線方向に対しある一定の角度になった場
合に多い。従来のような比検谷面を回転させる走査方式
の場合、そのような条件になるパターンがある角度置き
に周期的に現れる。
そして、あるパターンがそのような角度条件になった場
合、そのパターンからの反射光中のＰ偏光成分比のレベ
ルが、比較的微小な大きさの異物からの反射光に含まれ
るＰ偏光成分と同程度のレベルとなる。このため、Ｐ偏
光成分の光電変換信号と比較する閾値を、比較的微小な
径の異物を検出するように選定した場合、パターンと異
物とを弁別できず、パターンの誤検出が起こる。
合、そのパターンからの反射光中のＰ偏光成分比のレベ
ルが、比較的微小な大きさの異物からの反射光に含まれ
るＰ偏光成分と同程度のレベルとなる。このため、Ｐ偏
光成分の光電変換信号と比較する閾値を、比較的微小な
径の異物を検出するように選定した場合、パターンと異
物とを弁別できず、パターンの誤検出が起こる。
このような点に着目し、この発明による異物検査装置は
、Ｓ偏光ビームにより被検査面をＸＹ定走査る手段と、
前記被検査面からの前記Ｓ偏光ビームの反射光のＰ偏光
成分を光電変模索ｒ・に入射させるＰ段と、前記光電変
換素子の出力信号・に基づき前記被検査面１−の異物の
有無を判定する手段とを備える構成とされる。
、Ｓ偏光ビームにより被検査面をＸＹ定走査る手段と、
前記被検査面からの前記Ｓ偏光ビームの反射光のＰ偏光
成分を光電変模索ｒ・に入射させるＰ段と、前記光電変
換素子の出力信号・に基づき前記被検査面１−の異物の
有無を判定する手段とを備える構成とされる。
［作用コ
ウェハのパターンは、オリフラを基準とした直交軸方向
のものが圧倒的に多い。当然、ホトマスクやレチクルも
同様である。
のものが圧倒的に多い。当然、ホトマスクやレチクルも
同様である。
したがって、そのような］：、要なパターンと照射ビー
ムとが前述のような好ましくない角度関係とならないよ
うに、ＸＹ定走査主、副走査方向を選べば、従来のよう
なパターンの誤検出は殆ど起こらなくなり、異物をパタ
ーンから確実に弁別して検出できる。
ムとが前述のような好ましくない角度関係とならないよ
うに、ＸＹ定走査主、副走査方向を選べば、従来のよう
なパターンの誤検出は殆ど起こらなくなり、異物をパタ
ーンから確実に弁別して検出できる。
［実施例］
以下、図面を参照し、この発明の一実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は、この発明が適用された異物検査装置の構成を
簡略化して示す斜視図であり、第２図はその一部を拡大
して示す概略断面図である。
簡略化して示す斜視図であり、第２図はその一部を拡大
して示す概略断面図である。
第１図において、ＩＯは少なくともＹ方向に移動ＨＪ能
な移動テーブル機構であり、その駆動手段や位置検出用
のエンコーダなどは図中省略されている。この移動テー
ブル機構１０には、ウェハ１２などを例えばｒ〔空吸着
などの方法により保持するチャック１４が取り付けられ
ている。
な移動テーブル機構であり、その駆動手段や位置検出用
のエンコーダなどは図中省略されている。この移動テー
ブル機構１０には、ウェハ１２などを例えばｒ〔空吸着
などの方法により保持するチャック１４が取り付けられ
ている。
この異物検査装置では、Ｓ偏光ビームとして、Ｓ偏光レ
ーザ光ビームが使用されている。それを発生するために
、Ｓ偏光レーザ発振器１６．１８が設けられている。、
Ｓ偏光レーザ発振″！Ｓ１６は、ある波長λｌのＳ偏光
レーザ光ビームを発生するもので、例えば波長が約８３
００オングストロームの半導体レーザ発振器である。Ｓ
偏光レーザ発振器１８は、他の波長λ２のＳ偏光レーザ
光ビームを発生するものであり、例えば波長が６３２８
オングストロームのＨｅ−Ｎｅレーザ発振器である。こ
のように異波長のＳ偏光レーザ光ビームを発生するのは
、被検査面におけるＳ偏光レーザ光の照射密度を上げる
ため、および、被検査面上のパターン列が回折格子とし
て作用した場合の影響を回避して異物検出を可能にする
ためである。
ーザ光ビームが使用されている。それを発生するために
、Ｓ偏光レーザ発振器１６．１８が設けられている。、
Ｓ偏光レーザ発振″！Ｓ１６は、ある波長λｌのＳ偏光
レーザ光ビームを発生するもので、例えば波長が約８３
００オングストロームの半導体レーザ発振器である。Ｓ
偏光レーザ発振器１８は、他の波長λ２のＳ偏光レーザ
光ビームを発生するものであり、例えば波長が６３２８
オングストロームのＨｅ−Ｎｅレーザ発振器である。こ
のように異波長のＳ偏光レーザ光ビームを発生するのは
、被検査面におけるＳ偏光レーザ光の照射密度を上げる
ため、および、被検査面上のパターン列が回折格子とし
て作用した場合の影響を回避して異物検出を可能にする
ためである。
ｔＪＪＩＰｅλｌのＳ偏光レーザ光ビームは、ビームエ
キスパンダ２０を通過した後、ハーフミラ−２２により
反射されて主走査用のガルバノミラ−２４に入射する。
キスパンダ２０を通過した後、ハーフミラ−２２により
反射されて主走査用のガルバノミラ−２４に入射する。
波長λ２のＳ偏光レーザ光ビームは、ビームエキスパン
ダ２６とハーフミラ−２２を通過してガルバノミラ−２
４に入射する。
ダ２６とハーフミラ−２２を通過してガルバノミラ−２
４に入射する。
各ビームはガルバノミラ−２４により反射され、ｆ−Ｏ
レンズ３０を通過して、ウェハ１２の表面（被検査面）
に約２°の照射角φ（第２図番に４）で照射される。こ
こで、ガルバノミラ−３０は、図示しない駆動手段によ
り矢線２８に示すように高速で往復回転せしられるため
、各波長のＳ偏光レーザ光ビームはＸ方向（主走査方向
）へある角度振られてｆ−０レンズ３０に入射せしめら
れる。
レンズ３０を通過して、ウェハ１２の表面（被検査面）
に約２°の照射角φ（第２図番に４）で照射される。こ
こで、ガルバノミラ−３０は、図示しない駆動手段によ
り矢線２８に示すように高速で往復回転せしられるため
、各波長のＳ偏光レーザ光ビームはＸ方向（主走査方向
）へある角度振られてｆ−０レンズ３０に入射せしめら
れる。
しかして、ウェハ而（被検査面）」二のＳ偏光レーザ光
ビームのスポットは、ガルバノミラ−２４の回動に従い
Ｘ方向に直線的に高速移動する。つまり、主走査がなさ
れる。
ビームのスポットは、ガルバノミラ−２４の回動に従い
Ｘ方向に直線的に高速移動する。つまり、主走査がなさ
れる。
この主走査と同期して、移動テーブル機構１０によりチ
ャック１４がＹ方向にピッチ送りにて移動せしめられる
。このＹ方向移動によって、Ｓ偏光レーザ光ビームによ
る副走査がなされる。かくして、ウェハ而（被検査面）
はＸＹ定走査れる。
ャック１４がＹ方向にピッチ送りにて移動せしめられる
。このＹ方向移動によって、Ｓ偏光レーザ光ビームによ
る副走査がなされる。かくして、ウェハ而（被検査面）
はＸＹ定走査れる。
ウェハ而（被検査面）からのほぼＺ方向への反射光を集
光するために、楕円ミラー（かまぼこ状レンズ）３４が
設けられている。この楕円ミラー３４の）°而には、ウ
ェハ而（被検査面） −にのＳ偏光レーザ光ビームによ
る主走査線に対応する位置に臨ませて、透光窓上しての
Ｘ方向に延在する細長い開口３６が形成されている。こ
の開口には、Ｓ偏光カットフィルタ手段としての偏光板
３８が配設されている。しかして、ウェハ而からのほぼ
Ｚ方向への反射光のＰ偏光成分だけが、偏光板３８を通
過して楕円ミラー３４に入射する。
光するために、楕円ミラー（かまぼこ状レンズ）３４が
設けられている。この楕円ミラー３４の）°而には、ウ
ェハ而（被検査面） −にのＳ偏光レーザ光ビームによ
る主走査線に対応する位置に臨ませて、透光窓上しての
Ｘ方向に延在する細長い開口３６が形成されている。こ
の開口には、Ｓ偏光カットフィルタ手段としての偏光板
３８が配設されている。しかして、ウェハ而からのほぼ
Ｚ方向への反射光のＰ偏光成分だけが、偏光板３８を通
過して楕円ミラー３４に入射する。
楕円ミラー３４の片側に、積分球４０が設けられている
。この積分球４０と楕円ミラー３４の結合部にＸ方向に
延在する細長い開口４２が形成されており、この開口４
２を介して両者は光学的に結合されている。しかして、
楕円ミラー３４に集光されたＰ偏光レーザ光は、開１１
４２より積分球４０に入射し、その内部で散乱せしめら
れる。
。この積分球４０と楕円ミラー３４の結合部にＸ方向に
延在する細長い開口４２が形成されており、この開口４
２を介して両者は光学的に結合されている。しかして、
楕円ミラー３４に集光されたＰ偏光レーザ光は、開１１
４２より積分球４０に入射し、その内部で散乱せしめら
れる。
積分球４０の１ユ部に、光電素子としてのホトマルチプ
ライヤ４４．４８が設けられている。゛第２図に示すよ
うに、各ホトマルチプライヤ４４，４６の受光端は積分
球４０の内部に臨んでおり、その受光端の前にはダイク
ロイックフィルタ４８゜５０が取り付けられている。
ライヤ４４．４８が設けられている。゛第２図に示すよ
うに、各ホトマルチプライヤ４４，４６の受光端は積分
球４０の内部に臨んでおり、その受光端の前にはダイク
ロイックフィルタ４８゜５０が取り付けられている。
積分球４０への入射光の内、波７長λｌのＰ偏光レーザ
光だけがダイクロイックフィルタ４８を通過してホトマ
ルチプライヤ４４に入射し、波長λ２のＰ偏光レーザ光
だけがダイクロイックフィルタ４６を通過してホトマル
チプライヤ４６に入射する。
光だけがダイクロイックフィルタ４８を通過してホトマ
ルチプライヤ４４に入射し、波長λ２のＰ偏光レーザ光
だけがダイクロイックフィルタ４６を通過してホトマル
チプライヤ４６に入射する。
このように、楕円ミラー３４と積分球４０を用いて反射
光のＰ偏光成分をホトマルチプライヤ４４．４６へ導く
ため、比較的広い範囲にわたって主走査することができ
る。レンズ系では焦点ボケなどの問題があり、主走査の
範囲を相当に狭く制限せざるを得ず、実用的でないし、
また高価になりやすい。
光のＰ偏光成分をホトマルチプライヤ４４．４６へ導く
ため、比較的広い範囲にわたって主走査することができ
る。レンズ系では焦点ボケなどの問題があり、主走査の
範囲を相当に狭く制限せざるを得ず、実用的でないし、
また高価になりやすい。
ここで、Ｓ偏光レーザ光ビームの照射スポット内にパタ
ーンが存在しても、そのパターンの面は微視的に平滑で
あるため、反射光は殆どＳ偏光成分だけである。これに
対し、異物の表面には一般に微小な凹凸があるため、＋
ｉ（１射スポツト内に異物が存在すると、照射されたＳ
偏光ビームは散乱して偏光面が乱れ、反射光には、Ｐ偏
光成分がかなり含まれることになる。そのＰ偏光成分の
レベルは、異物の大きさとほぼ比例する。ホトマルチプ
ライヤ４４．４８の出力信号のレベルは、それぞれの入
射光量に比例する。したがって、ホトマルチプライヤ４
４．４８の出力信号レベルに、走査点における異物の有
無と異物の大きさが反映される。
ーンが存在しても、そのパターンの面は微視的に平滑で
あるため、反射光は殆どＳ偏光成分だけである。これに
対し、異物の表面には一般に微小な凹凸があるため、＋
ｉ（１射スポツト内に異物が存在すると、照射されたＳ
偏光ビームは散乱して偏光面が乱れ、反射光には、Ｐ偏
光成分がかなり含まれることになる。そのＰ偏光成分の
レベルは、異物の大きさとほぼ比例する。ホトマルチプ
ライヤ４４．４８の出力信号のレベルは、それぞれの入
射光量に比例する。したがって、ホトマルチプライヤ４
４．４８の出力信号レベルに、走査点における異物の有
無と異物の大きさが反映される。
第３図は、この異物検査装置の信号処理部のブロック図
である。この図において、前記ホトマルチプライヤ４４
．４８の出力信号は加算増幅器５４により加算増幅され
て比較回路５６に入力される。この比較回路５６は、そ
の入力信号のレベルを、データ処理システム（図示せず
）より設定される閾値と比較し、その閾値以−にのレベ
ルの信号が人力した時に論理“１゛レベルの信号を出力
する。この出力信号は、データ処理システムに人力され
る。なお、移動テーブル機構１４の位置エンコーダの出
力信号もデータ処理システムに人力される。そして、移
動テーブル機構１４、ガルバノミラ−２４およびＳ偏光
レーザ発振器１６．１８の駆動は、データ処理システム
によって制御される。
である。この図において、前記ホトマルチプライヤ４４
．４８の出力信号は加算増幅器５４により加算増幅され
て比較回路５６に入力される。この比較回路５６は、そ
の入力信号のレベルを、データ処理システム（図示せず
）より設定される閾値と比較し、その閾値以−にのレベ
ルの信号が人力した時に論理“１゛レベルの信号を出力
する。この出力信号は、データ処理システムに人力され
る。なお、移動テーブル機構１４の位置エンコーダの出
力信号もデータ処理システムに人力される。そして、移
動テーブル機構１４、ガルバノミラ−２４およびＳ偏光
レーザ発振器１６．１８の駆動は、データ処理システム
によって制御される。
以上の構成の異物検査装置の異物検査動作を説明する。
まず、データ処理システムの制御下において、前記ウェ
ハ面（被検査面）のＸＹ定走査始まる。通常、Ｓ偏光レ
ーザ発振Ｗ１６．１８は両方とも動作させられ、その条
件に応じた閾値が比較回路５６に設定される。
ハ面（被検査面）のＸＹ定走査始まる。通常、Ｓ偏光レ
ーザ発振Ｗ１６．１８は両方とも動作させられ、その条
件に応じた閾値が比較回路５６に設定される。
各時点の走査点からの反射レーザ光のＰ偏光成分が、偏
光板３８を介して楕円ミラー３４に入射し、さらに積分
球４０に入射する。そして、そのＰ偏光レーザ光の波長
λノ成分に比例した信号がホトマルチプライヤ４４より
出力され、波長λ２構成に比例した信号がホトマルチプ
ライヤ４６より出力される。名器＞７の加算増幅器＞７
は比較回路５６に人力し、閾値と比較される。
光板３８を介して楕円ミラー３４に入射し、さらに積分
球４０に入射する。そして、そのＰ偏光レーザ光の波長
λノ成分に比例した信号がホトマルチプライヤ４４より
出力され、波長λ２構成に比例した信号がホトマルチプ
ライヤ４６より出力される。名器＞７の加算増幅器＞７
は比較回路５６に人力し、閾値と比較される。
走査点にある大きさ以ｌ−の異物があると、その加算増
幅信号のレベルが閾値以１−となり、論理“。
幅信号のレベルが閾値以１−となり、論理“。
１′′信号が比較回路５６より出力される。データ処理
システム側では、その“１”信号を受けると、その走査
点に異物が検出されたと判断し、その時の走査位置情報
（移動テーブル機構のエンコーダ出力と、ガルバノミラ
−２４の角度から分かる）、内部メモリ上の異物テーブ
ルに格納する。
システム側では、その“１”信号を受けると、その走査
点に異物が検出されたと判断し、その時の走査位置情報
（移動テーブル機構のエンコーダ出力と、ガルバノミラ
−２４の角度から分かる）、内部メモリ上の異物テーブ
ルに格納する。
ここで、ウェハ面の主要なパターンの方向とＸ。
Ｙ方向とが一致するような向きでウェハ３０をセットす
れば、Ｓ偏光レーザ光ビームの照射方向と前述のような
角度関係になるパターンは極めてわずかであるため、従
来のようなパターンの誤検出は殆ど起こらない。
れば、Ｓ偏光レーザ光ビームの照射方向と前述のような
角度関係になるパターンは極めてわずかであるため、従
来のようなパターンの誤検出は殆ど起こらない。
さて、通常は、以上のように両方のＳ偏光レーザ光ビー
ムを照射し、照射密度を」−げるが、ウェハ面やホトマ
スクなどでは、微小パターンが微小間隔で配列されるた
め、いずれか＝一方の波長でパターン列が回折格子とし
て作用し、正常な人物検査ができな（なることがある。
ムを照射し、照射密度を」−げるが、ウェハ面やホトマ
スクなどでは、微小パターンが微小間隔で配列されるた
め、いずれか＝一方の波長でパターン列が回折格子とし
て作用し、正常な人物検査ができな（なることがある。
例えば、主として波長λＩにより検査を行い、波長λ２
を回折パターンの判定に使用する。すなわち、回折をお
こしていない場合にはλｌとλ２の検出出力比は一定の
関係を保ち、回折をおこしている場合は両省の比が大き
く変わる。
を回折パターンの判定に使用する。すなわち、回折をお
こしていない場合にはλｌとλ２の検出出力比は一定の
関係を保ち、回折をおこしている場合は両省の比が大き
く変わる。
なお、Ｓ偏光レーザ発振器を選択的に作動させる代わり
に、ホトマルチプライヤ４４．４８と加算増幅器５４の
間にスイッチ回路を挿入し、利用すべき波長に対応する
一方のホトマルチプライヤだけを加算増幅器５６に接続
することにより、一方の波長だけを利用して異物検査を
１１：うようにしてもよい。
に、ホトマルチプライヤ４４．４８と加算増幅器５４の
間にスイッチ回路を挿入し、利用すべき波長に対応する
一方のホトマルチプライヤだけを加算増幅器５６に接続
することにより、一方の波長だけを利用して異物検査を
１１：うようにしてもよい。
以−１１、この発明の一実施例について詳細に説明した
が、この発明は種々変形して実施し得るものである。
が、この発明は種々変形して実施し得るものである。
例えば、ホトマルチプライヤの出力信号をデジタル化し
てデータ処理システムへ人力し、ソフトウェア処理によ
ってレベル比較などを行ってもよい。
てデータ処理システムへ人力し、ソフトウェア処理によ
ってレベル比較などを行ってもよい。
ホトマルチプライヤは、他の光電変換素子により置き換
えることもできる。
えることもできる。
また、レーザ光以外の光ビームを利用する同様な異物検
査装置にも、この発明は適用可能である。
査装置にも、この発明は適用可能である。
さらに、この発明は、ウェハ以外の被検査物、例えばマ
スク、レチクル、ペリクル膜などの表面における異物を
検査する装置にも適用できるものである。
スク、レチクル、ペリクル膜などの表面における異物を
検査する装置にも適用できるものである。
「発明の効果コ
以」二詳述したように、この発明によれば、異物検査装
置は、Ｓ偏光ビームにより被検査面をＸＹ定走査る手段
と、前記被検査面からの前記Ｓ偏光ビームの反射光のＰ
偏光成分を光電変換素子に入射させる手段と、前記充電
変換素子の出力信号に基づき前記被検査面」−の異物の
有無を判定する手段とを備える構成とされるから、Ｓ偏
光ビームの照射方向とパターンとの角度関係による１誤
検出を防＋［、、確実なＷ物検査がｉ１ｆ能となる。
置は、Ｓ偏光ビームにより被検査面をＸＹ定走査る手段
と、前記被検査面からの前記Ｓ偏光ビームの反射光のＰ
偏光成分を光電変換素子に入射させる手段と、前記充電
変換素子の出力信号に基づき前記被検査面」−の異物の
有無を判定する手段とを備える構成とされるから、Ｓ偏
光ビームの照射方向とパターンとの角度関係による１誤
検出を防＋［、、確実なＷ物検査がｉ１ｆ能となる。
第１図はこの発明による異物検査装置の−ｆｆｉ＜を破
断して示す概略斜視図、第２図は同異物検査装置の一部
を拡大して示す概略断面図、第３図は信号処理部のプロ
・ｌり図である。 １０・・・移動テーブル、１４・・・チャンク、１２・
・・ウェハ、１６．１８・・・・・・Ｓ偏光レーザ発振
器、２２・・・ハーフミラ−１２４・・・ガルバノミラ
−１３０・・・ｆ−０レンズ、３４・・・楕円ミラー、
３６・・・開口（透光窓）、３８・・・偏光板（Ｓ偏光
カットフィルタ手段）、４０・・・積分球、４２・・・
開口、４４，４６・・・ホトマルチプライヤ、４８．５
０・・・ダイクロイックフィルタ、５４・・・加算増幅
器、５６・・・比較回路。
断して示す概略斜視図、第２図は同異物検査装置の一部
を拡大して示す概略断面図、第３図は信号処理部のプロ
・ｌり図である。 １０・・・移動テーブル、１４・・・チャンク、１２・
・・ウェハ、１６．１８・・・・・・Ｓ偏光レーザ発振
器、２２・・・ハーフミラ−１２４・・・ガルバノミラ
−１３０・・・ｆ−０レンズ、３４・・・楕円ミラー、
３６・・・開口（透光窓）、３８・・・偏光板（Ｓ偏光
カットフィルタ手段）、４０・・・積分球、４２・・・
開口、４４，４６・・・ホトマルチプライヤ、４８．５
０・・・ダイクロイックフィルタ、５４・・・加算増幅
器、５６・・・比較回路。
Claims (3)
- （１）Ｓ偏光ビームにより被検査面をＸＹ走査する手段
と、前記被検査面からの前記Ｓ偏光ビームの反射光のＰ
偏光成分を光電変換素子に入射させる手段と、前記光電
変換素子の出力信号に基づき前記被検査面上の異物の有
無を判定する手段とを備えることを特徴とする異物検査
装置。 - （２）前記反射光のＰ偏光成分を前記光電変換素子へ入
射させる手段は、前記被検査面に臨む透光窓を有する楕
円ミラーと、前記透光窓に、またはそれに臨ませて設け
られたＳ偏光カットフィルタ手段と、前記楕円ミラーか
ら受光する積分球とからなり、前記光電変換素子は前記
積分球の内部と光学的に結合されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の異物検査装置。 - （３）前記ＸＹ走査を行う手段は、前記被検査面を副走
査方向に直線的に移動させる手段と、Ｓ偏光ビームを主
走査方向に直線的に振る手段とからなり、前記楕円ミラ
ーの透光窓は前記主走査方向に延在することを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14014785A JPS6211138A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14014785A JPS6211138A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 異物検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211138A true JPS6211138A (ja) | 1987-01-20 |
| JPH0514857B2 JPH0514857B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=15261963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14014785A Granted JPS6211138A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211138A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011137789A (ja) * | 2010-01-04 | 2011-07-14 | Hioki Ee Corp | 測光装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5594145A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-17 | Hitachi Ltd | Method of and device for inspecting surface of article |
| JPS5599049A (en) * | 1979-01-24 | 1980-07-28 | Toshiba Corp | Defect detector |
| JPS57163852A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Detector for sample surface defect |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP14014785A patent/JPS6211138A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5594145A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-17 | Hitachi Ltd | Method of and device for inspecting surface of article |
| JPS5599049A (en) * | 1979-01-24 | 1980-07-28 | Toshiba Corp | Defect detector |
| JPS57163852A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-08 | Matsushita Electric Works Ltd | Detector for sample surface defect |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011137789A (ja) * | 2010-01-04 | 2011-07-14 | Hioki Ee Corp | 測光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0514857B2 (ja) | 1993-02-26 |
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