JPS62106632A - 有機ガラス絶縁層を形成する方法 - Google Patents

有機ガラス絶縁層を形成する方法

Info

Publication number
JPS62106632A
JPS62106632A JP61219902A JP21990286A JPS62106632A JP S62106632 A JPS62106632 A JP S62106632A JP 61219902 A JP61219902 A JP 61219902A JP 21990286 A JP21990286 A JP 21990286A JP S62106632 A JPS62106632 A JP S62106632A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organoalkoxysilane
solution
film
organic glass
molecular weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61219902A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0730185B2 (ja
Inventor
ドナ・ジーン・クロツゴ
ローズマリ・アン・プレビティ−ケリー
エリツク・グレゴリ・ウオールトン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS62106632A publication Critical patent/JPS62106632A/ja
Publication of JPH0730185B2 publication Critical patent/JPH0730185B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
    • H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/02137—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material comprising alkyl silsesquioxane, e.g. MSQ
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02203—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/97—Specified etch stop material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S65/00—Glass manufacturing
    • Y10S65/901—Liquid phase reaction process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 本発明は、有用なエツチング特性を有する有機ガラスを
製造するため、オルガノアルコキシシランから誘導した
変性シルセスキオキサンを酸素プラズマ中で処理する方
法に関するものである。
Ｂ、従来の技術 半導体製造技術において、有機絶縁層を使用することは
周知の方法である。有機絶縁材料は基板にコーティング
することができるため、他の熱成長または悪着による絶
縁皮膜では見られない、ある程度の平坦度が得られる。
さらに、有機絶縁層は、アルミニウム・銅合金等の金属
に匹敵する熱応力を示し、そのため、半導体基板上に形
成したトランジスタ等を不働態化層ぢ表面安定化するの
に用いられる。
これらの有機絶縁層は、いくつかの比較的きびしい基準
に適合しなければならない。第１に、後の高温露出（た
とえば３００℃ないし４００℃）の間、安定な接着特性
を与えるように不働態化する能力を持たなければならな
い。第２に、得られた皮膜は、すへての工程を通して亀
裂が生じないものでなければならない。第３に、これら
の機械的に欠陥のない特性は、後の１０００時間を超え
る信頼性応力コンディショニング（高温、高湿および電
気的バイアス）によって、損なわれないものでなければ
ならない。
最近「オルガノシラン」と称する特殊な有機材料が半導
体分野で使用されるようになりメ一。
一般に、オルガノシランの使用は、ポリイミド層と、ド
の層・二の接着を良好にするのが主目的である。米国特
、１′「第３７０２８７３号明細書参照、。
米国特許第４２２２７９２号明細書には、オルガノシラ
ン（すなわちポリシロキサン）を用いた、充填分離溝を
形成する方法が開示されている。この分離溝には、シリ
コンと酸素の原子が交互に配列されており、有機基がシ
リコン原子に結合した構造の重合体を充填し、次にこれ
に電子線露出を行い、現像する。この重合体は、ネガテ
ィブ電子線レジストとして作用する。露出した重合体は
、次に酸素炉中で６００℃で熱処理してＳｉＯ２に変換
する。
米国特許第４４３０１５３号明細書には、シリコン基板
上に芳香族ポリアミン酸／イミドをコーティングし、そ
の位置でポリアミン酸をアルキル・アミノ・シリコン化
合物と反応させてアルキルポリアミド／イミド共重合体
に変換し、この共重合体の部分を酸素雰囲気中で反応性
イオン・エツチングして還択的に酸化し、ＳｉＯ２エッ
チ・バリアを形成することによる反応性イオン・エツチ
ング（Ｒ丁Ｅ）バリアを形成する方法を開示している。
米国特許第４３４９６０９号明細書には、金属配線パタ
ーン上に塗布して、ハーメチック・シールおよび平坦化
のための不働態化層として用いられるオルガノシロキサ
ン重合体が開示されている。
シルセスキオキサンを、広範囲の分子量（１０００なイ
Ｌ、、　１　、　ＯＯ０、０００、好ましくは約１５０
０ないし約２００，０００）を有するオルガノシラン単
量体を縮合して形成する。得られたガラス状の樹脂（た
とえば、０ｖｅｎｓ−１１１ｉｎｏｉｓ　Ｃｏｒｐ。
のＧＲ＃６５０）は、分子量分布が約７０００ないし２
０，０００の重合体として市販されている。
一般に、これらの樹脂は、酢酸ｎブチル等の非水性有機
溶剤に溶解して、スピン・コーティングされる。
本発明者らは、かかるオルガノシランが比較的安価であ
り、接着促進特性を有することに着目し、有機絶縁層と
して、加水分解したオルガノアルコキシシランを使用す
ることを研究した。本発明はこの研究の結果、行われた
ものである。
Ｃ８発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、新規なエツチング特性を有する有機絶
縁材料を提供することにある。
本発明の他の目的は、新規なエツチング特性を有する有
機ガラスを形成するため、オルガノアルコキシシラン単
量体を処理することにある。
Ｄ０問題へを解決するための手段 本発明の目的は、少くとも１容量％のオルガノアルコキ
シシラン単量体を、水性溶媒と混合して、単量体を加水
分解することにより実現される。得られたシラノールを
エージングして、低分子量のオリゴマを形成する。この
オリゴマを基体に塗布し、高度に会合したオリゴマの独
立した皮膜を形成させる。次にこの独立した皮膜を一連
の焼付けによる熱処理を行い、変性シルセスキオキサン
縮合重合体を形成する。次にこのシルセスキオキサン縮
合重合体を０２ＲＩＥ処理して、本発明の有機ガラスを
形成する。
得られた有機ガラスは、新規なドライ・エツチング特性
を示し、不働態化工程でエツチング停止層を与えるのに
使用される。この有機ガラスは０□およびＢ　ＣＱ、／
ＣＱ、ＲＩ　Ｅにおいて、実質的に耐エツチング性を有
する。さらに、この有機ガラスは、ＣＦ４２５％、０２
７５％の雰囲気中でエツチング開始期間（後記）を示し
、これは酸素濃度の増大とともに増大する。
Ｅ、実施例 下記の説明において、一般に［オルガノアルコキシシラ
ン類」　（以下「○ＡＳＪと略記する）と称する種類の
材料について述べる。これは一般式Ｒｎ−Ｓ　ｉ　−（
ＯＲ’　）　４−ｎを有する材料で、式中ｎ＝１または
２、Ｒ′は一般にＣＨ，、Ｃ２Ｈ５゜Ｃ，Ｈ，、または
Ｃ４Ｈ，であり、Ｒは安定なアリール基または置換アリ
ール基、もしくは（ＣＨｚ）ｎＣ８２Ｘ　（ｎ　＝　Ｏ
〜４、Ｘ＝Ｈまたはアリール基または置換アリール基、
もしくは環式脂肪族の基、もしくは好ましくはＮ　Ｈ２
）等の安定な有機鎖状基である。かかる材料の例には、
γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキ
シシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、β−ア
ミノエチル−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等
がある。これらの材料はすべて市販されており、一般に
、ＰＭＤＡ、−０ＤＡ等のポリイミド層と、酸化シリコ
ン、窒化シリコン、金属酸化物等の表面との接着を良好
にするために使用される。
（Ａ）初期加水分解 本発明では、まずオルガノシラン単量体を、純脱イオン
水、または水を主な不純物として含有するエタノール、
メタノール、イソプロパノール等の溶媒と接触させて加
水分解する。溶液が基板を「ぬらす」能力を改善するた
め、純水を溶媒として使用する場合は、０．１容量％未
滴の有機湿潤剤（たとえば３ＭＣｏｒｐ、がｒＦＣ−９
３Ｊの商品名で発売している界面活性剤等）が必要な場
合もある。これは特に、溶液を下層の有機層、または著
しい疎水性を示す他の表面に塗布する場合必要である。
疎水性官能基を有する非水性の溶媒、たとえば通常のア
ルコール類（Ｃ）１３０Ｈ，Ｃ２Ｈ，ＯＨ等）を溶媒系
の成分として使用する場合は、湿潤剤の使用の必要はな
い。通常、オルガノアルコキシシラン：水の容積比が、
３：２ないし１：５となるように、最低３０秒間、ガラ
ス以外のビーカー中ではげしく攪拌して混合する。混合
のパラメータは、オルガノアルコキシシランが少くとも
一部加水分解して、一般式Ｒ−Ｓ　ｉ　−（ＯＨ）、ま
たはＲ２−Ｓ　ｉ　−（ＯＨ）２を有する対応するシラ
ノールを形成するように制御する。
オルガノアルコキシシラン類の加水分解における化学反
応は６百出ら、［水溶液および一部硬化した固体中のア
ミノシラン結合剤の構造Ｊ　　（ＩＩ。
ｌ５ｈｉｄａ　ｅｔ　ａｌ、　Ｔｈｅ　５Ｔｒｕｃｔｕ
ｒｅ　ｏｆ　ａｎＡｍｉｎｏｓｊｌａｎｅ　Ｃｏｕｐｌ
ｉｎｇ　Ａｇｅｎｔ　ｉｎ　ＡｑｕｅｏｕｓＳｏｌｕｔ
ｉｏｎｓ　ａｎｄ　Ｐａｒｔｉａｌｌｙ　Ｃｕｒｅｄ　
５ｏｌｉｄｓ）、　ｒ重合体科学の定期刊行誌：重合体
物理掌編Ｊ　（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ　Ｐｏｌｙｍｅｒ　
５ｃｉｅｎｃｅ：Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｐｈｙｓｊｃｓ　Ｅ
ｄｉｔｉｏｎ）。
ｖｏｌ、　２０．　Ｎｏ、　４．　１９８２年４月、ｐ
ｐ、７０１−７１８に記載されている。オルガノアルコ
キシシラン単量体は最初加水分解して、対応するモノシ
ラノールを形成する。その後一部および完全に加水分解
したシラノール類の混合物が生じると考えられる。下記
は代表的なトリアルコキシシランの考えられる一連の加
水分解反応を示す。
（１）　Ｒ−５ｉ（ＯＲ’）、＋８２０ｐＲ’ＯＨ＋Ｒ
−５ｉ（ＯＲ’）２（Ｏｉｌ）（２）　Ｒ−３ｉ（ＯＲ
’　）、　（ＯＨ）＋Ｈ，Ｏ伴Ｒ’０１１＋Ｒ−５ｉ（
ＯＲ’）（ＯＨ）２（３）　Ｒ−５，＋、　（ＯＲ’　
）　（Ｏｔｌ）ｚ　”Ｉｔ□０４Ｒ’ＯＩＩ＋Ｒ−５ｉ
（０１１）３または、全体として （４）　Ｒ−５ｉ（ＯＲ’）３”３ＨｚＯｐＲ−３ｉ（
Ｏｆ（）ｘ＋３Ｒ’Ｏｆ（実際には、一部加水分解した
生成物の混合物がつくられる。すなわち、反応（１）、
　（２）および（３）の生成物が平衡状態で存在する。
溶液中でさらに縮合反応が生じるためには、ジシラノー
ルおよびトリシラノールが十分な濃度で生成される必要
がある。加水分解も、次の二量体、二量体またはこれよ
り高次のオリゴマへの縮合反応も、使用する水性溶媒の
種類、溶媒の希釈度、溶媒の酸性度または塩基性度、Ｒ
’ＯＨの濃度、および汚染物質（たとえばＦ−）の影響
を受ける。
オルガノアルコキシシランはＲまたはＲ′による立体障
害によって、シランが加水分解する反応位置から水を除
外するほど大きくない限り、水と反応しなければならな
い。同時にこの立体障害は後のシラノールの縮合を、シ
ラノール溶液が室温で十分な時間安定性を示す程度に減
少させるのに十分なほど大きくなければならない。シリ
コンに結合したＲ基による立体障害はまた、「環式」オ
リゴマの生成を促進するために重要である。この構造は
、無制限の長さを有する「開した」鎖式構造ではなく、
ケージ構造のような「閉じた」中間生成物であることが
望ましい。選択した特定のアルコキシシランのオリゴマ
生成度が高過ぎる場合は１反応を制限することが不可能
となり、比較的高分子量（たとえば５０００ｇ１モルよ
り大きい）のオリゴマを生成する。本発明では、オリゴ
マのエージング（後述）後の分子量は約４０００　ｇ１
モルまでの範囲でなければならない。重縮合が制限され
ずに、高分子量のオリゴマが生成すると。
溶液が不安定となり、本発明で提唱する用途に好ましく
ない性質、たとえば不均一な膜厚、粒状の汚染等が発生
することがある。溶液中でこのように高い分子量のオリ
ゴマが生成することは、反応が進むにつれて、溶液に濁
りを生ずることでわかる。したがって、上記の制限に従
って、適当なオルガノアルコキシシランを選択すること
により、溶液の安定性の好ましい条件下で一部または完
全に加水分解したＯＡＳが形成される。
本発明では、縮合したアルコキシシラノール重合体の独
立した薄い皮膜の形成を必要とするから、後の縮合反応
が起きるように、溶液中のジアルコキシシラノールおよ
びトリアルコキシシラノールのいずれかまたは両方の濃
度を比較的高くする必要がある。トリアルコキシシラノ
ールの加水分解後の溶液の縮合は、前述の分子内環化機
構によって進行し、シラノールの四量体およびへ景体に
基づく環状の「ケージ」構造が生じる。加水分解生成物
の濃度により、分子内会合の程度が決まり、したがって
、溶液中でオリゴマの生成する傾向が決定する。このよ
うに、この方法の重要なパラメータは、水中のオルガノ
アルコキシシランの容量濃度である。溶液中でのオリゴ
マの生成が制限されないと、数個の分子層の厚みを超え
る薄い皮膜の形成は不可能になる。たとえば、ガラス基
板上に各種のオルガノアルコキシシランの加水分解生成
物を吸着させた場合、水に対するシランの濃度が０，２
５％（容量／容量）のときは、８分子層未満の厚さに制
限されることが従来報告されている。この厚みの皮膜は
、各種基板との接着の促進物質として作用するが、シラ
ン層、すなわち［インターフェースＪは、異種基板の間
に位置するため、高い機械的応力を受けることがある。
このような単分子層または「単分子層に近い層」のイン
ターフェースは、広範に架橋されていないため。
良好な接着特性を維持する能力は、熱応力により弱めら
れる。このような挙動は、ある種の高度に希釈されたア
ルコキシシラン（たとえば水に対して０．１容量％）に
ついてよく知られている。一般に、マイクロエレクトロ
ニクス装置の用途で通常必要とされる厚みの皮膜（すな
わち、２５０オングストロームまたはそれ以上）を形成
するためには、最低５０ないし１００分子の「複数層」
すなわち複数単分子層が必要となる。これは、異種の基
板層の間の接着を促進するための層を形成させる場合に
通常得られる単分子層の厚み（１０ないし２５オングス
トローム）をはるかに超える厚みである。本発明の皮膜
は、水溶液中に約１．０％（容量／容りの最低濃度の加
水分解したオルガノジアルコキシシランまたはオルガノ
トリアルコキシシランを必要とすると考えられる。
上記に示すとおり、高度に会合した単量体、二量体、お
よびおそらくより高度に縮合した安定な溶液を基板に塗
布する前に形成させる能力は、本発明において重要なこ
とである。本発明では、高濃度の水の存在下で溶液を形
成する材料および加工方法が指定される。事実、水は多
くの可能性のある用途において、好ましい溶媒である。
一般に、安定な中間生成物であるシラノールを非水性溶
媒に溶解したものは、良好な特性を与えない。これは一
部は非水性溶媒が得られたシラン層の厚みを制限するた
めである。たとえば、アルキルグロロシラン・ハイドロ
シレート中間生成物の非水溶媒溶液に、標準の用途で自
然に生ずるように、さらに水が存在すると、制御できな
い凝縮物の生成が促進され、これにより、本発明の意図
する用途のための可能性のある系が不安定になる。
（Ｂ）エージング 最初溶媒とオルガノアルコキシシランを混合した後、溶
液を数時間ないし数日間放置（すなわちエージング）す
る。これにより、必要な加水分解および加水分解後の反
応が起り、平衡状態に達する。出発原料のオルガノアル
コキシシランの選択により、特定の溶液エージング期間
が決まる。エージング期間の主目的は、オルガノアルコ
キシシランと溶媒との混合物を縮合させて、低分子量（
たとえば４０００ｇ１モル程度まで）のオルガノアルコ
キシシラノール・オリゴマを形成することにある。
エージング期間は、下記の均質な、欠陥のない、シルセ
スキオキサン重合体の薄い皮膜を形成するために必要で
あることが強調される。溶液のエージングを十分に行わ
ないと、粒子がなく、適当なぬれ特性を有するという適
当な特性を欠く皮膜が形成する。さらに、得られた薄い
皮膜の物理的。
電気的特性は、マイクロエレクトロニクス用途の薄い不
働態化皮膜として期待される特性を持たない。エージン
グの前に透明な溶液をｌＩ！察することにより、反応が
十分に進行していることがわかるが１発明者らは、実際
上溶液をニーソングすることによってのみ、一定した結
果が得られることを発見した。
エージング期間の長さは、オルガノアルコキシシランの
濃度、使用する溶媒、溶媒中の水の濃度、温度、エージ
ング溶液の化学組成（たとえば酸性度、塩基仕度、汚染
物質の存在、その他の慎重に導入した物質等）などによ
る。一般に、本発明者らは、数時間ないし数日間、好ま
しくは１２ないし４８時間のエージング期間により、良
好な皮膜特性が得られることを発見した。
（Ｃ）基板上への塗布 上記のオルガノアルコキシシラノールの安定な均質溶液
から生成した、少くとも５０ないし１００分子層からな
る薄い皮膜の特性は、本発明の現場（即ち、コーティン
グしたその位置での）重縮合の関数であることもわかっ
た（基板上に数層のまたは１層のシラノール単分子層の
みを形成すると考えられるような、単純な吸着法とは反
対に）。
重縮合反応は、条件が三次元重合体の形成に適した場合
に生じると考えられる。本発明では、かかる高次の溶液
が基板自体の一ヒで、低分子量のシラノール・オリゴマ
の現場重縮合を行い、その好ましいコーティング方法は
、従来からマイクロエレクトロニクス産業で実用されて
いるスピン・コーティングである。おそらく重縮合を促
進させる効果は、塗布工程それ自体の期間に機械的手段
により過剰の溶媒が除去されることである。かかる反応
は、直鎖（開環）縮合の結果生ずる比較的不安定な高度
に会合したオリゴマとは反対に、環式中間生成物の形成
に伴って比較的安定な、高度に会合した「環式」オリゴ
マの形成を促進させる。このような不安定な高度に会合
したシロキサン重合体は一般に水に不溶性（たとえばシ
リコーン重合体）で、したがって本発明には望ましくな
いものである。
溶液をウェーハ上にスピン・コーティングする場合、ス
ピン速度は一般に２０００ないし５０００ＲＰＭとする
。スピン速度はコーティングの所定の厚みの関数として
制御され、これはすべての場合前述の単分子層の厚みよ
り大きい。一般に。
得られたコーティングの厚みは約５００ないし１５．０
００オングストロームである。また、溶液は、ウェーハ
を溶液のバッチに浸漬することによって塗布することも
できる。
（Ｄ）連続焼付工程 スピン・コーティングの後、溶液に大気圧で、一連の加
熱（「焼付け」）処理を行う。この焼付けは、高度に会
合したオリゴマを、ポリシロキサン縮合重合体に変換す
るのに用いる。特に、焼付けにより、架橋反応が促進さ
れ、ラダー型の重合体皮膜を形成する。
従来は、縮合ポリシロキサンは二または三官能性オルガ
ノシランから「現場外の」方法で合成された。すなわち
、ポリシロキサンは、出発原料と溶媒の混合物を重合さ
せ１次に洗滌、乾燥してから、次工程の基板塗布のため
、非水性溶媒に再溶解する。縮合重合体；才通常酸素と
トリコンを３：２の比率で含量する。これらの生成物は
、シロキサン結合を含むことがわかっている。縮合オル
ガノトリアルコキシシランは、「ラダー構造」を形成す
るためにシルセスキオキサン（Ｓｉｎ、、、）を形成す
ることが期待される。たとえば前記の米国特許第４３４
９６０９号参照。
本発明では、ラダー型のシルセスキオキサンは基板に塗
布する前に完全に反応させるのではなく。
現場で形成される。この方法では、シルセスキオキサン
の分子量は、無制限である。一般に、半無限の重合体が
得られ、または少くとも他の方法で得られるよりは、高
い平均分子量を有する重合体が得られる。前記の予備縮
合した同様な分子量の重合体は、異常に高い溶液粘度を
有するか、適当な特性を有する皮膜の形成が不可能かの
いずれか、または両方である。
現場重合により形成され、水および溶媒を除去するため
に約１０５℃で焼付けたシルセスキオキサン重合体は、
理想的なＯ：　Ｓｉのグラム分子比、たとえば３：２を
示すと考えられる。本発明におけるような、これより高
温でさらに焼付けを行うと、理想的な化学量論に変形を
生ずる。シルセスキオキサンの化学的、物理的特性は、
次の焼付けおよび焼付は環境により著しく変化する。エ
ツチング速度、皮膜の屈折率、および皮膜密度はすべて
１０５℃の事後焼付は処理によって変化する。
たとえば、γ−アミノプロピルトリエトキシシランの２
５％（容量／容量）水溶液を空気中でホットプレート上
にスピン・コーティングし、１６０　’Ｃオヨび２００
’Ｃで焼付ケチ、厚み２０００オングストロームの皮膜
を得た。次にこの皮膜を、Ｎ２を含み、０２の含量率が
０．１％未満のオーブンで３５０℃で焼付けた。この皮
膜の深さの分布をＡｕｇｅｒ分光光度計を用いて求めた
ところ、皮膜は均質であったが、下記のような変性シル
セスキオキサン構造を示した。
元素比　グラム原子比　グラム原子比 （論理値）　　　（加工皮膜） ○／Ｓｉ　　１．５．／１　　１．９／ＩＣ／Ｓｊ　　
３．０／１　　０．８／ＩＮ／Ｓｉ　　１．○／１　　
０．１／１この分析値は（Ｈを無視すれば）本発明の変
性シルセスキオキサンの実験式が［Ｓｉ工。○、、　Ｃ
。
Ｎ］であることを示唆する。これは理想的なシルセスキ
オキサンの理論的実験式［Ｓ　１２０ｚ　Ｃｓ　Ｎ　２
　］と比較される。換言すれば、本発明の連続焼付法を
用いることにより、理想的なシルセスキオキサン構造は
変性されて、Ｓ　ｉ　Ｏ２に近い実験式を有する重合体
となる。
しかし、ラダー重合体構造は本質的に保持されると考え
られる。重合体全体としては、ガラス質シリカまたは結
晶性シリカ（石英）とは構造が著しく異り、その骨格は
ランダムな三次元ネットワーク中に頂点を共有するＳｉ
Ｏ４の四面体が無限に集合したものと見られる。重要な
膜厚範囲について、発明者らは１６０℃、２００℃およ
び３５０℃でそれぞれ約２０〜６０分の一連の焼付けを
行うと、上述の変性ラダー型シルセスキオキサンの生成
を促進することを見出した。
（Ｅ）０２プラズマ処理 得られた変性シルセスキオキサンを、次に０２プラズマ
中で処理する。この処理により、Ｒ基の一部が酸素原子
により放出される（即ち、ラダー重合体が酸化変換を受
ける）。得られた材料が「有機ガラス」で、一部の−Ｃ
Ｈ２および−ＣＨ，。
または他の有機成分が残り、これが得られた皮膜のエツ
チング特性を大幅に変える（詳細な下記に述べる）。酸
素プラズマへの露出は、必要量の酸化変換ができる限り
短時間で行われるように制御する。酸化工程は、プラズ
マと表面の相互作用に著しい異方性を与えるように、反
応性イオン・エツチング（ＲＩＥ）モードで適用する場
合は特に、皮膜の最も外側の部分を高度に酸化された状
態に変換すると考えられる。ＲＩＥ後の皮膜をＡｕｇｅ
ｒ分析すると、厚みが約５００オングストロームの明白
な表面層が形成されるが、皮膜の残りの部分（すなわち
バルク皮膜）はＳｌ、Ｏ，ＣおよびＮ濃度については均
質で、ＲＩＥ前の皮膜と比較して炭素濃度がわずかに減
少することがわかった。
特に、５００オングストロームの表面層は、実験式［Ｓ
　ｉ５０，２］を有する。パルス皮膜は、Ｎ濃度を無視
すると［Ｓｊｌ。○ｚ　Ｃｓ　Ｎ　］の実験式を有し、
これはＲＩ　Ｅ処理前の変性シルセスキオキサンの実験
式と極めて良く一致する。
これらの結果は明らかに、酸素中でのＲＩＥ処理によっ
て、変性シルセスキオキサン重合体のかなりの部分が、
酸素：シリコンの比が少くとも石英またはガラス質シリ
カのものと同等またはそれよりも大きい無機酸化物に変
換されることを示す。
皮膜の残りの部分は、「有機Ｊ　　（Ｃ十Ｎ）含有量が
約１５原子％であることを示す。発明者らは、中程度の
電力条件（５００ワット台）および圧力（１２５ｘｌＯ
−’ｈル台）で５ないし３０分間、ＲＦ（高周波）酸素
プラズマに露出すれば、これらの結果を得るのに十分で
あることを見出した。
かかる反応性イオン・エツチング条件は、最大約３００
０オングストロームのシロキサン重合体を除去すること
のできるベース・スパッタリング速度に伴うものである
。
一般に、得られた有機ガラスは各種の有用なドライ・エ
ツチング特性を示す。これは酸素もしくは三塩化ボロン
／塩素雰囲気中におけるプラズマまたは反応性イオン・
エツチングに対して、実質的に耐エツチング性を有する
。また四フッ化炭素／酸素雰囲気では、この有機ガラス
は「開始期間」（すなわち、エツチング剤に皮膜を露出
した時と、皮膜がエツチングされ始める時との間の遅れ
）を示し、これは０２中のＣＦ４濃度を約１容量％から
約２５容量％に変化させることにより制御される。
このように、有機ガラスは広範囲の半導体加工の分野で
有用である。このような皮膜は、低温技術において不働
態化層として有用となるであろう。
またこの皮膜は、上層のポリイミド層を画定する場合に
エツチングされる下層の不（ｌｌｔｒＩＡ化層（たとえ
ばポリイミド）上に設けるエツチング停止層として用い
ることもできる。簡単に述べれば、この皮膜は、従来の
ポリイミドにおける接着の問題、エッチ液除去の困難さ
、比較的コストが高いという問題等を生ずることなくポ
リイミド等の有機絶縁材料の有益な特性（平坦化等）を
与える。さらに、発明者らは、この有機ガラスを半導体
製造に使用する金ｍ（アルミニウム・銅・シリコン）、
ポリイミド、その他の材料に塗布した場合、皮膜応力が
最小であることを見出した。このことは、どのような厚
みの有機ガラス層についても言える。
比較のため、厚みが１０００オングストロームを超える
化学蒸着（ＣＶＤ）または予備形成（事前に沈澱）シた
シロキサンの非水溶液をスピンコーティングしたものを
使用しても、皮膜応力のため熱処理後に亀裂を生ずるで
あろう。
上記の方法の例を下記に詳細に示す。
例１ ３−アミノプロピルトリエトキシシランの純料な単量体
（υｎ１ｏｎ　Ｃａｒｂｉｄｅ　Ｃｏｒｐ、　１５、商
品名Ａ１Ａｌ１００）２５０を７５０ｍＱの脱イオン水
に添加して、ＩＱ、のバッチを調製した。これをガラス
製ではないビーカ中で３０秒間、大気圧、室温で混合し
た。この溶液を室温で約２４時間静置して、低分子量の
オリゴマを形成させた。
次に得られたオリゴマ溶液８ｍＱを、回転数３００ＯＲ
ＰＭで２５秒間、１００ｍｍ（直径）のつ工−ハにスピ
ン・コーティングにより塗面した。
得られた高度に会合したオリゴマの皮膜の厚みは４００
０オングストロームであった。
スピン・コーティングの後、大気圧下で１００℃で２０
分、１６０’Ｃで２０分、２ｏＯ℃で２５分、３５０℃
で３０分、ホットプレート上で熱処理して、オリゴマを
変成シルセスキオキサン重合体に変換した。３５０℃の
焼付けは、Ｏ３含有量０．１％未満のＮ２雰囲気中で行
った。
次に変性シルセスキオキサンを５．０分間、１２５、　
Ｘ　１０−’　ト／ｌ／、５ｏＯワツトの１００％０□
ＲＩＥプラズマで処理し、本発明の有機ガラスを形成さ
せた。
例２ β−アミノエチル−γ−アミノプロピルートリメトキシ
シランの純粋な単量体（ＤｏシーＣｏｒｎｉｎｇＣｏｒ
ｐ、製、商品名Ｚ　−６０２０）　２５０　ｍ　Ｑを７
５０ｒｎｌｉｌの脱イオン水に添加して、１１２のバッ
チを調製した。これをガラス製ではないビーカ中で３０
秒間、大気圧、室温で混合した。この溶液を室温で約２
４時間静置して、低分子量のオリゴマを形成させた。
次に、得られたオリゴマ溶液１０ｍＱを、回転数５００
ＯＲＰＭで２５秒間、１００ｍｍウェーハにスピン・コ
ーティングにより塗布した。得られた高度に会合したオ
リゴマの皮膜の厚みは４０００オングストロームであっ
た。
スピン・コーティングの後、オリゴマを１００℃で２０
分、１６０℃で２０分、２００℃で２５分、３５０℃で
３０分、ホットプレート上で、大気圧下で熱処理して、
ラダー型の変性シルセスキオキサン重合体に変換した。
３５０℃の焼付けは。
Ｏ２含有量０．１％未満のＮ２雰囲気中で行った。
次に、変性シルセスキオキサンを５分間、１２５Ｘ１０
−’トル５００’７ツトの条件で、１００％０２プラズ
マで処理し１本発明の有機ガラスを形成させた。
例３ β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）−二チルトリ
メトキシシランの純粋な単量体（ＵｎｉｏｎＣａｒｂｉ
ｄｅ　Ｃｏｒｐ、製、商品名Ａ１８６）２５．０１ｌＩ
２を７５．０ｍＱの脱イオン水に添加して１．　Ｃｌｌ
のバッチを調製した。これを、ガラス製ではないビーカ
中で、１．０分間大気圧、室温で混合した。
この溶液を室温で１２時間静置して、低分子量のオリゴ
マを、形成させた。
次に、得られたオリゴマの溶液５ｍＱを１回転数３００
ＯＲＰＭで２５秒間スピン・コーティングしてウェーハ
上に塗布した。得られた高度に会合したオリゴマの皮膜
の厚みは１０ｏＯオングストロームであった。
スピン・コーティングの後、オリゴマを１００℃で２０
分、１６０℃で２０分、２００℃テ２５分、３５０℃で
３０分、ホットプレート上で、大気圧で熱処理して変性
シルセスキオキサン重合体に変換した。３５０℃の焼付
けは、０２含有量０゜１％未満のＮ２雰囲気中で行った
。
次に変性シルセスキオキサンを１０分間、１２５　Ｘ　
１０−”　ト／Ｌ／、５００ワツトの条件で、１００％
０□プラズマで処理し、本発明の有機ガラスを形成させ
た。
この有機ガラスについて調査すると、０２およびＢＣＱ
、／ＣΩ２反応性イオン・エツチング（ＲＩＥ）におい
て、実質的に耐エツチング性を有することが確認された
。この調査の結果、ＣＦ４２５％１０２７５％のＲＩＥ
において、この皮膜はエツチング開始期間が約１分であ
り、ＣＦ、１０％７０２９０％では、エツチング開始期
間が約１０分であることがわかった。一般に開始期間は
ＣＦ４１０２のＲＩＥ雰囲気における酸素１度が約７５
％以上に増大すると長くなり、０２が１００％になるま
で、この材料は実質的に耐エツチング性を示す。シリコ
ーン・ポリイミドおよび標準的なポリイミドは、上記の
組成を有するＣＦ４１０２プラズマ中で最適なエツチン
グ速度を示す。
上記のように加工した皮膜は、ポリイミド／金属層の反
応性イオン・エツチングのエッチ・バリアとして使用さ
れている。不働態化／金属付着工程の一部として、ＰＭ
ＤＡ−ＯＤＡポリイミドを加工した半導体ウェーハに塗
布し、フォトレジスト・マスクを通じて０２ＲＩＥでエ
ツチングして、パターン化する。次にポリイミド層の開
口部を、少くとも部分的に充填するようにアルミニウム
・銅合金層を付着させた後、金属の不要部分をはく離す
るため、フォトレジストをｎ−メチル・ピロリドンを用
いて除去する。次に、配線パターンおよびポリイミド上
に有機ガラスを塗布する。その後、他のポリイミド層を
複合構造上に塗布する。
上層のポリイミド層をＯ，ＲＩＥでエツチングする場合
、有機ガラスが下層のポリイミド層をエツチングから保
護する。前述のように、有機ガラスは下層の皮膜の特性
を劣化させるような有害な皮膜応力を生成することはな
い。
Ｆ０発明の効果 本発明によれば、プラズマ・エツチング・バリアとして
好適な、接着性のある絶縁層を得ることができる。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）オルガノアルコキシシラン単量体を水性容媒と混
    合して、オルガノアルコキシシランの濃度が約１．０容
    量％よりも高いシラノール溶液を形成し、 上記シラノールをエージングして、分子会合を促進させ
    、上記シラノールを溶液中で低分子量のオリゴマに変換
    し、 上記低分子量オリゴマを基板に塗布して、高度に会合し
    た環式オリゴマの皮膜を形成し、 上記基板を熱処理して上記環式オリゴマ皮膜を少なくと
    も部分的に酸化変換して、変形ラダー型のシルセスキオ
    キサン重合体を形成し、 上記変形ラダー型シルセスキオキサン重合体を酸素プラ
    ズマ中で処理して有機ガラスを形成すること、 を特徴とする、有機ガラス絶縁層を形成する方法。
  2. （２）上記オルガノアルコキシシランが、γ−アミノプ
    ロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチル
    ジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキ
    シル）エチルトリメトキシシラン、およびβ−アミノエ
    チル−γ−アミノプロピルトリエトキシシランからなる
    群から選択されることを特徴とする特許請求範囲第（１
    ）項記載の方法。
  3. （３）上記オルガノアルコキシシランがγ−アミノプロ
    ピルトリエトキシシランからなることを特徴とする特許
    請求の範囲第（２）項記載の方法。
  4. （４）上記溶媒が、エタノール、メタノール、イソプロ
    パノール、および脱イオン水からなる群から選択される
    ことを特徴とする特許請求範囲第（１）項記載の方法。
  5. （５）上記オルガノアルコキシシランと脱イオン水とを
    、オルガノアルコキシシラン：水の容量比が１：３にな
    るように混合することを特徴とする特許請求の範囲第（
    ３）項記載の方法。
JP61219902A 1985-10-31 1986-09-19 有機ガラス絶縁層を形成する方法 Expired - Lifetime JPH0730185B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US793390 1985-10-31
US06/793,390 US4723978A (en) 1985-10-31 1985-10-31 Method for a plasma-treated polysiloxane coating

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62106632A true JPS62106632A (ja) 1987-05-18
JPH0730185B2 JPH0730185B2 (ja) 1995-04-05

Family

ID=25159812

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61219902A Expired - Lifetime JPH0730185B2 (ja) 1985-10-31 1986-09-19 有機ガラス絶縁層を形成する方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4723978A (ja)
EP (1) EP0223987B1 (ja)
JP (1) JPH0730185B2 (ja)
DE (1) DE3683461D1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02178330A (ja) * 1988-11-28 1990-07-11 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 平面化ラダー型シルセスキオキサンポリマー絶縁層の形成方法
US5270259A (en) * 1988-06-21 1993-12-14 Hitachi, Ltd. Method for fabricating an insulating film from a silicone resin using O.sub.
JP2004359933A (ja) * 2003-05-14 2004-12-24 Nagase Chemtex Corp 光素子用封止材
JP2006156602A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Asahi Kasei Corp 絶縁膜

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4868096A (en) * 1986-09-09 1989-09-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Surface treatment of silicone-based coating films
US4867838A (en) * 1986-10-27 1989-09-19 International Business Machines Corporation Planarization through silylation
US4816112A (en) * 1986-10-27 1989-03-28 International Business Machines Corporation Planarization process through silylation
NL8702352A (nl) * 1987-10-02 1989-05-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
US4801560A (en) * 1987-10-02 1989-01-31 Motorola Inc. Semiconductor processing utilizing carbon containing thick film spin-on glass
JPH01199678A (ja) * 1988-02-03 1989-08-11 Mitsubishi Electric Corp 高純度ＳｉＯ↓２薄膜の形成方法
DE3837397A1 (de) * 1988-11-03 1990-05-10 Wacker Chemie Gmbh Neue organooligosilsesquioxane
US5270267A (en) * 1989-05-31 1993-12-14 Mitel Corporation Curing and passivation of spin on glasses by a plasma process wherein an external polarization field is applied to the substrate
JPH0386725A (ja) * 1989-08-31 1991-04-11 Fujitsu Ltd 絶縁物の製造方法及び半導体装置の製造方法
US5043789A (en) * 1990-03-15 1991-08-27 International Business Machines Corporation Planarizing silsesquioxane copolymer coating
US5114757A (en) * 1990-10-26 1992-05-19 Linde Harold G Enhancement of polyimide adhesion on reactive metals
US5063267A (en) * 1990-11-28 1991-11-05 Dow Corning Corporation Hydrogen silsesquioxane resin fractions and their use as coating materials
US5114754A (en) * 1991-01-14 1992-05-19 International Business Machines Corporation Passivation of metal in metal/polyimide structures
US5194928A (en) * 1991-01-14 1993-03-16 International Business Machines Corporation Passivation of metal in metal/polyimide structure
JP2934353B2 (ja) * 1992-06-24 1999-08-16 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5397741A (en) * 1993-03-29 1995-03-14 International Business Machines Corporation Process for metallized vias in polyimide
US6864570B2 (en) * 1993-12-17 2005-03-08 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures
KR960702610A (ko) * 1994-03-11 1996-04-27 에모토 간지 절연막 형성용 실록산류의 평가방법, 절연막 형성용 도포액 및 그 제조방법 및 반도체장치용 절연막의 형성방법 및 이것을 적용하는 반도체 장치의 제조방법.(method of evaluating siloxane used for forming insulation coating, coating fluid used for forming-insulation coating, process for producing the fluid, process for forming insulation coating for semiconductor device, and process for producing semiconductor device by applying the above process)
US5565384A (en) * 1994-04-28 1996-10-15 Texas Instruments Inc Self-aligned via using low permittivity dielectric
US6743856B1 (en) 1997-04-21 2004-06-01 Honeywell International Inc. Synthesis of siloxane resins
US6218497B1 (en) 1997-04-21 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with low organic content
US6015457A (en) * 1997-04-21 2000-01-18 Alliedsignal Inc. Stable inorganic polymers
US6143855A (en) * 1997-04-21 2000-11-07 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with high organic content
JP3300643B2 (ja) * 1997-09-09 2002-07-08 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP3729226B2 (ja) * 1997-09-17 2005-12-21 富士通株式会社 半導体集積回路装置及びその製造方法
US6218020B1 (en) 1999-01-07 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content
US6177199B1 (en) 1999-01-07 2001-01-23 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content
US6203715B1 (en) * 1999-01-19 2001-03-20 Daewoo Electronics Co., Ltd. Method for the manufacture of a thin film actuated mirror array
KR100804873B1 (ko) * 1999-06-10 2008-02-20 얼라이드시그날 인코퍼레이티드 포토리소그래피용 ｓｏｇ 반사방지 코팅
US6440550B1 (en) * 1999-10-18 2002-08-27 Honeywell International Inc. Deposition of fluorosilsesquioxane films
US6472076B1 (en) 1999-10-18 2002-10-29 Honeywell International Inc. Deposition of organosilsesquioxane films
US6368400B1 (en) * 2000-07-17 2002-04-09 Honeywell International Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US6969539B2 (en) 2000-09-28 2005-11-29 President And Fellows Of Harvard College Vapor deposition of metal oxides, silicates and phosphates, and silicon dioxide
AU2003228402A1 (en) * 2002-03-28 2003-10-13 President And Fellows Of Harvard College Vapor deposition of silicon dioxide nanolaminates
DE10248980B4 (de) 2002-10-21 2004-11-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten aus Siliziumdioxid auf senkrecht oder geneigt zu einer Substratoberfläche angeordneten Prozessflächen
JP2004296476A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 半導体装置の製造方法
JP2005023199A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Chisso Corp 機能性超薄膜およびその形成方法
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
EP1736500A4 (en) * 2004-04-16 2010-03-24 Jsr Corp COMPOSITION FOR SEALING AN OPTICAL SEMICONDUCTOR, OPTICAL SEMICONDUCTOR SEALING MATERIAL, AND PROCESS FOR PRODUCING A COMPOSITION FOR SEALING AN OPTICAL SEMICONDUCTOR
US20080032064A1 (en) * 2006-07-10 2008-02-07 President And Fellows Of Harvard College Selective sealing of porous dielectric materials
US8642246B2 (en) * 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
DE102007040802A1 (de) 2007-08-28 2009-03-05 Evonik Degussa Gmbh VOC-arme aminoalkyl-funktionelle Siliciumverbindungen enthaltende Zusammensetzung für Streichfarben zur Behandlung von Papier oder Folie
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
CN105814155A (zh) 2013-12-09 2016-07-27 3M创新有限公司 可固化倍半硅氧烷聚合物、组合物、制品和方法
WO2015195355A1 (en) 2014-06-20 2015-12-23 3M Innovative Properties Company Adhesive compositions comprising a silsesquioxane polymer crosslinker, articles and methods
US10370564B2 (en) 2014-06-20 2019-08-06 3M Innovative Properties Company Adhesive compositions comprising a silsesquioxane polymer crosslinker, articles and methods
US9957416B2 (en) 2014-09-22 2018-05-01 3M Innovative Properties Company Curable end-capped silsesquioxane polymer comprising reactive groups
JP2017528577A (ja) 2014-09-22 2017-09-28 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー シルセスキオキサンポリマーコア、シルセスキオキサンポリマー外層、及び反応性基を含む硬化性ポリマー
US10544329B2 (en) 2015-04-13 2020-01-28 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications
DE102015225883A1 (de) 2015-12-18 2017-06-22 Evonik Degussa Gmbh Bis(alkylalkoxysilyl)amin-reiche Zusammensetzungen, ein Verfahren zur deren Herstellung und deren Verwendung
DE102015225879A1 (de) 2015-12-18 2017-06-22 Evonik Degussa Gmbh Tris-(alkylalkoxysilyl)amin-reiche Zusammensetzungen, deren Herstellung und deren Verwendung
DE102016215257A1 (de) 2016-08-16 2018-02-22 Evonik Degussa Gmbh Mono- und Bis(organosilyl)amine enthaltende Zusammensetzungen, deren Herstellung und deren Verwendung
DE102016215255A1 (de) 2016-08-16 2018-02-22 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Bis- und Tris(alkylalkoxysilyl)amine enthaltende Zusammensetzungen und deren Verwendung
DE102016215260A1 (de) 2016-08-16 2018-02-22 Evonik Degussa Gmbh Verwendung einer (Alkylalkoxysily)amin-, Bis-(alkylalkoxysilyl)amin und/oder Tris-(alkylalkoxysilyl)amin-enthaltenden Zusammensetzung
DE102016215256A1 (de) 2016-08-16 2018-02-22 Evonik Degussa Gmbh Bis- und Tris(organosilyl)amine enthaltende Zusammensetzungen, deren Herstellung und deren Verwendung
DE102016215259A1 (de) 2016-08-16 2018-02-22 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Mono- und Oligo-(alkoxysilylalkyl)aminen enthaltenden Zusammensetzungen

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57131250A (en) * 1981-02-09 1982-08-14 Fujitsu Ltd Silicone resin composition
JPS5948929A (ja) * 1982-08-13 1984-03-21 ウエスタ−ン・エレクトリツク・カムパニ−・インコ−ポレ−テツド 半導体装置
JPS61198634A (ja) * 1985-02-27 1986-09-03 Asahi Chem Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3321350A (en) * 1962-02-19 1967-05-23 Union Carbide Corp Organofunctional silane-hydrolyzable titanate primer compositions
US3702783A (en) * 1970-09-04 1972-11-14 Robert C Hartlein Epoxy silane coupling agents
US4048356A (en) * 1975-12-15 1977-09-13 International Business Machines Corporation Hermetic topsealant coating and process for its formation
US4173683A (en) * 1977-06-13 1979-11-06 Rca Corporation Chemically treating the overcoat of a semiconductor device
US4209356A (en) * 1978-10-18 1980-06-24 General Electric Company Selective etching of polymeric materials embodying silicones via reactor plasmas
US4349609A (en) * 1979-06-21 1982-09-14 Fujitsu Limited Electronic device having multilayer wiring structure
US4222792A (en) * 1979-09-10 1980-09-16 International Business Machines Corporation Planar deep oxide isolation process utilizing resin glass and E-beam exposure
DE3278567D1 (en) * 1981-10-03 1988-07-07 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same
US4464460A (en) * 1983-06-28 1984-08-07 International Business Machines Corporation Process for making an imaged oxygen-reactive ion etch barrier
US4430153A (en) * 1983-06-30 1984-02-07 International Business Machines Corporation Method of forming an RIE etch barrier by in situ conversion of a silicon containing alkyl polyamide/polyimide

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57131250A (en) * 1981-02-09 1982-08-14 Fujitsu Ltd Silicone resin composition
JPS5948929A (ja) * 1982-08-13 1984-03-21 ウエスタ−ン・エレクトリツク・カムパニ−・インコ−ポレ−テツド 半導体装置
JPS61198634A (ja) * 1985-02-27 1986-09-03 Asahi Chem Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5270259A (en) * 1988-06-21 1993-12-14 Hitachi, Ltd. Method for fabricating an insulating film from a silicone resin using O.sub.
JPH02178330A (ja) * 1988-11-28 1990-07-11 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 平面化ラダー型シルセスキオキサンポリマー絶縁層の形成方法
JPH0565548B2 (ja) * 1988-11-28 1993-09-17 Ibm
JP2004359933A (ja) * 2003-05-14 2004-12-24 Nagase Chemtex Corp 光素子用封止材
JP2006156602A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Asahi Kasei Corp 絶縁膜

Also Published As

Publication number Publication date
DE3683461D1 (de) 1992-02-27
EP0223987A3 (en) 1989-11-08
EP0223987B1 (en) 1992-01-15
EP0223987A2 (en) 1987-06-03
US4723978A (en) 1988-02-09
JPH0730185B2 (ja) 1995-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62106632A (ja) 有機ガラス絶縁層を形成する方法
US5043789A (en) Planarizing silsesquioxane copolymer coating
JP4947836B2 (ja) 多官能Ｓｉに基くオリゴマー及びポリマー、若しくは、オリゴマー又はポリマーを含む面改質用のナノ多孔質シリカフィルム、およびそれを処理するプロセス、並びにそれを含む集積回路
US5145723A (en) Process for coating a substrate with silica
US4981530A (en) Planarizing ladder-type silsesquioxane polymer insulation layer
WO2001015214A1 (en) Nanoporous silica treated with siloxane polymers for ulsi applications
JPH06103690B2 (ja) 基材上にセラミックコーティングを形成する方法
JPH09175810A (ja) 電子ビームによる水素シルセスキオキサン樹脂の硬化
JP2003501518A (ja) ポリカルボシランから生じた低誘電率ポリオルガノシリコンコーティング
JPH0642475B2 (ja) 多層セラミック被膜の形成方法
JPH09176516A (ja) 電子保護コーティングの形成方法
WO2003035720A1 (en) Etch-stop resins
US5866197A (en) Method for producing thick crack-free coating from hydrogen silsequioxane resin
US6210749B1 (en) Thermally stable dielectric coatings
US5286572A (en) Planarizing ladder-type silsequioxane polymer insulation layer
US4801507A (en) Arylsiloxane/silicate compositions useful as interlayer dielectric films
JP6997092B2 (ja) エージングしたシルセスキオキサンポリマー
JP2915357B2 (ja) 半導体装置、その製造方法及び多孔質膜の形成方法
JP3062040B2 (ja) 熱安定組成物
KR100508901B1 (ko) 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막
US20030152784A1 (en) Process for forming hydrogen silsesquioxane resins
JP2000021872A (ja) 低誘電率樹脂組成物、低誘電率絶縁膜形成方法および半導体装置の製造方法
JPS6155164A (ja) シリカ被膜の形成方法
JPH11106658A (ja) 光学的に透明な水素シルセスキオキサン樹脂組成物、その製造方法及び酸化ケイ素膜
Jitianu et al. How does access to this work benefit you? Let us know!