JPS6210613A - 光デイスク用レンズ - Google Patents
光デイスク用レンズInfo
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- JPS6210613A JPS6210613A JP15061085A JP15061085A JPS6210613A JP S6210613 A JPS6210613 A JP S6210613A JP 15061085 A JP15061085 A JP 15061085A JP 15061085 A JP15061085 A JP 15061085A JP S6210613 A JPS6210613 A JP S6210613A
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- Japan
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- lens
- semiconductor laser
- power
- optical disc
- aspherical
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 15
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
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Landscapes
- Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光ディスク用レンズ、詳しくは半導体レー
ザーを光源とし、この光源とディスク用対物レンズとの
間にビームスプリッタ−１あるいはスクープ方式の情報
再生装置においては透明平板を配置した光ディスク用レ
ンズに関する。
ザーを光源とし、この光源とディスク用対物レンズとの
間にビームスプリッタ−１あるいはスクープ方式の情報
再生装置においては透明平板を配置した光ディスク用レ
ンズに関する。
（従来の技術）
光ディスク用レンズシステムとしては、レンズ系を通過
した半導体レーザーからのレーザー光が情報記録媒体た
るディスク上のピット面に収束し。
した半導体レーザーからのレーザー光が情報記録媒体た
るディスク上のピット面に収束し。
その反射光が再びレンズ系を通ってその戻り光の一部が
ビームスプリッタ−で偏向されたのち、ディテクターに
入り１合魚信号やトラッキング信号が得られるように構
成されているもの、あるいはディスクからの反射光を、
レンズ及び平板を介して光源たる半導体レーザーに帰還
させ、半導体レーザーの出力光の変化をディテクターで
検出するように構成されたスクープ方式のものが知られ
ている。
ビームスプリッタ−で偏向されたのち、ディテクターに
入り１合魚信号やトラッキング信号が得られるように構
成されているもの、あるいはディスクからの反射光を、
レンズ及び平板を介して光源たる半導体レーザーに帰還
させ、半導体レーザーの出力光の変化をディテクターで
検出するように構成されたスクープ方式のものが知られ
ている。
（発明が解決しようとする問題点）
光ディスク用レンズシステムは、その合焦やトラッキン
グ動作の際、半導体レーザー及び対物レンズが一体とな
って作動するので、制御信号に対する応動性をよくする
ために、光ディスク用レンズシステムの構成要素は、こ
れをできるだけ小型軽量化することが望ましい。
グ動作の際、半導体レーザー及び対物レンズが一体とな
って作動するので、制御信号に対する応動性をよくする
ために、光ディスク用レンズシステムの構成要素は、こ
れをできるだけ小型軽量化することが望ましい。
一般にこのシステムのレンズ系は光源からのレーザー光
をコリメートレンズで−たん平行光束にしたのち、この
平行光束を対物レンズでほぼ回折限界内に納まるように
収差補正が行われるので、このようなレンズ系では、一
般にコリメートレンズと対物レンズ、その他複数の調整
部品が必要であＤ、そのためシステムの性能劣下を起し
易く、またコスト高の要因となる。さらに、光ディスク
用レンズは、高密度に記録されたディスク上の信号を読
み取るのに少くとも１μ程度の分解能を必要とし、その
上、調整によるばらつきを考慮した必要な範囲の光学特
性を補正するために正弦条件及びコマ収差の補正が重要
となＤ、また、レンズ系全域においては波面収差が良好
に補正されている必要がある。そのため少なくとも３〜
５枚の球面レンズの組合わせが必要であＤ、従って光デ
ィスク用レンズシステムの小型、軽量化が回置であった
・ （問題点を解決するための手段） この発明は、コリメートレンズと対物レンズの作用を有
し、前記の諸間頭を解決した、両面が共に正の屈折力を
もつ非球面し゛ンズを提供するものである。
をコリメートレンズで−たん平行光束にしたのち、この
平行光束を対物レンズでほぼ回折限界内に納まるように
収差補正が行われるので、このようなレンズ系では、一
般にコリメートレンズと対物レンズ、その他複数の調整
部品が必要であＤ、そのためシステムの性能劣下を起し
易く、またコスト高の要因となる。さらに、光ディスク
用レンズは、高密度に記録されたディスク上の信号を読
み取るのに少くとも１μ程度の分解能を必要とし、その
上、調整によるばらつきを考慮した必要な範囲の光学特
性を補正するために正弦条件及びコマ収差の補正が重要
となＤ、また、レンズ系全域においては波面収差が良好
に補正されている必要がある。そのため少なくとも３〜
５枚の球面レンズの組合わせが必要であＤ、従って光デ
ィスク用レンズシステムの小型、軽量化が回置であった
・ （問題点を解決するための手段） この発明は、コリメートレンズと対物レンズの作用を有
し、前記の諸間頭を解決した、両面が共に正の屈折力を
もつ非球面し゛ンズを提供するものである。
この発明の光ディスク用レンズは、
ｕ２
なる式で表わされる第、１図の第３面及び第４面が（レ
ンズの第１面及び第２面）が共に正の屈折力を有する非
球面レンズであって、少なくとも入射高の１０乗に比例
する項を含んでおＤ、半導体レーザー側のＮＡを０．１
以上とし、光ディスク側のＮＡが０．４以上になるよう
ｔ；構成され、次の条件” を満すものである。
ンズの第１面及び第２面）が共に正の屈折力を有する非
球面レンズであって、少なくとも入射高の１０乗に比例
する項を含んでおＤ、半導体レーザー側のＮＡを０．１
以上とし、光ディスク側のＮＡが０．４以上になるよう
ｔ；構成され、次の条件” を満すものである。
（２） −１，０＜ Ｋ ３ ＜ Ｏ
（３） ０．６＜ ｌ−Ｉ ＜０．９ただし
Ｘ ：光軸からＨの高さの点に於ける非球面頂点の接平
面からの距離 Ｈ：光軸からの高さ Ｃ：非球面の頂点の曲率（Ｌ／Ｒ） Ｋ ：円錐係数 ｆ ：ディスク用レンズの焦点距離 Ｉ／Ｏ：半導体レーザー発振面からのディスクのピット
面までの距離 ｒ３：単レンズの光源側頂点近傍の曲率半径ｒ４：単レ
ンズのディスク側頂点近傍の曲率半径 Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ ：各々の入射高に対する４乗、６乗、
８乗、１０乗に比例する頂の係数 第１図は１本発明の光ディスク用レンズを用いた光ディ
スク用レンズシステムの一例を示しておＤ、このシステ
ムは半導体レーザー１．ビームスプリッタ−２，光ディ
スク用レンズ３及びディテクター５で構成されている。
面からの距離 Ｈ：光軸からの高さ Ｃ：非球面の頂点の曲率（Ｌ／Ｒ） Ｋ ：円錐係数 ｆ ：ディスク用レンズの焦点距離 Ｉ／Ｏ：半導体レーザー発振面からのディスクのピット
面までの距離 ｒ３：単レンズの光源側頂点近傍の曲率半径ｒ４：単レ
ンズのディスク側頂点近傍の曲率半径 Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ ：各々の入射高に対する４乗、６乗、
８乗、１０乗に比例する頂の係数 第１図は１本発明の光ディスク用レンズを用いた光ディ
スク用レンズシステムの一例を示しておＤ、このシステ
ムは半導体レーザー１．ビームスプリッタ−２，光ディ
スク用レンズ３及びディテクター５で構成されている。
なお、符号４はディスクのカバーガラスを示す。光源１
からの光はビームスプリッタ−２、レンズ３及びカバー
ガラス４を通過してディスク上のピット面に収束し、そ
の反射光の一部がビームスプリッタ−２で偏向されてデ
ィテクター５に入射する。
からの光はビームスプリッタ−２、レンズ３及びカバー
ガラス４を通過してディスク上のピット面に収束し、そ
の反射光の一部がビームスプリッタ−２で偏向されてデ
ィテクター５に入射する。
前述のごとく、一般的には、この種の光学系はコリメー
トレンズ系及び対物レンズ系において各々独立して必要
な収差補正が行われるため、それぞれ光学系に入射する
光束の条件は通常光源位置が無限遠となＤ、従ってこれ
等の光束は無収差光として抜力れている。しかしながら
本発明の対物レンズでは光源とディスクピット面即ち物
像間距離Ｉ１０がｏ、ｔ＜ ｆ ／（Ｉｌｏ）＜０．２
５程度の有限であＤ、又、光源と対物レンズの間にビー
ムスプリッタ−が内在するために入射光束にあらかじめ
収差が存在し、従って本対物レンズはこの収差を含めた
収差補正を行う必要がある。
トレンズ系及び対物レンズ系において各々独立して必要
な収差補正が行われるため、それぞれ光学系に入射する
光束の条件は通常光源位置が無限遠となＤ、従ってこれ
等の光束は無収差光として抜力れている。しかしながら
本発明の対物レンズでは光源とディスクピット面即ち物
像間距離Ｉ１０がｏ、ｔ＜ ｆ ／（Ｉｌｏ）＜０．２
５程度の有限であＤ、又、光源と対物レンズの間にビー
ムスプリッタ−が内在するために入射光束にあらかじめ
収差が存在し、従って本対物レンズはこの収差を含めた
収差補正を行う必要がある。
半導体レーザーの発光放射パターンとエネルギーの強度
分布を２次元的に表示した第２図及び半導体レーザーの
放射パターンのうち、発光軸上のＮＡを０．１５に対応
するエネルギー強度分布の３次元図である第３図から推
察できるように、半導体レーザーの出力を有効に利用し
、エネルギー分布の歪を最大限に除去するためには、半
導体レーザー側のＮＡを０．１〜０．２に設定すること
が好ましく、また光ディスク用レンズシステムを最少に
するために、第４図に示すように、厚さｄ５＝１．２ｍ
ｍ程度のディスクのカバーガラスを含めて実効作動距離
ＶＤを少なくとも２ 、０ｍｍ以上とし、またディスク
側のＮＡ（＝ｓｉｎ−）を０．４５．上述の如く、半導
体レーザ一側のＮＡを０．１７程度に設定すればレンズ
システムを構成する光学系の焦点距離は加工性を考慮し
た厚肉単レンズとするとき、その焦点距離は少なくとも
、カバーガラスの肉厚ｄ５／Ｎ （ガラスの屈折率）十
実効作動距離ＷＤ以上が必要となる。発明では約３．２
ｎ＋＋＋＋である。物像間距離Ｉ１０は、半導体レーザ
ー側のＮＡの設定により異なる値であるが、半導体レー
ザーの発光特性により約０．１７に設定して逆算すれば
本発明での物像間距離Ｉ１０は空気長（ビームスプリッ
タ−及びカバーガラスの肉厚を空気長換算した値）は約
１６．６ｍｍとなＤ、一般にこの種のレンズ系が２５〜
４０ｍｍ前後に構成されていることを考慮すると、きわ
めて小型、軽量であるといえる。
分布を２次元的に表示した第２図及び半導体レーザーの
放射パターンのうち、発光軸上のＮＡを０．１５に対応
するエネルギー強度分布の３次元図である第３図から推
察できるように、半導体レーザーの出力を有効に利用し
、エネルギー分布の歪を最大限に除去するためには、半
導体レーザー側のＮＡを０．１〜０．２に設定すること
が好ましく、また光ディスク用レンズシステムを最少に
するために、第４図に示すように、厚さｄ５＝１．２ｍ
ｍ程度のディスクのカバーガラスを含めて実効作動距離
ＶＤを少なくとも２ 、０ｍｍ以上とし、またディスク
側のＮＡ（＝ｓｉｎ−）を０．４５．上述の如く、半導
体レーザ一側のＮＡを０．１７程度に設定すればレンズ
システムを構成する光学系の焦点距離は加工性を考慮し
た厚肉単レンズとするとき、その焦点距離は少なくとも
、カバーガラスの肉厚ｄ５／Ｎ （ガラスの屈折率）十
実効作動距離ＷＤ以上が必要となる。発明では約３．２
ｎ＋＋＋＋である。物像間距離Ｉ１０は、半導体レーザ
ー側のＮＡの設定により異なる値であるが、半導体レー
ザーの発光特性により約０．１７に設定して逆算すれば
本発明での物像間距離Ｉ１０は空気長（ビームスプリッ
タ−及びカバーガラスの肉厚を空気長換算した値）は約
１６．６ｍｍとなＤ、一般にこの種のレンズ系が２５〜
４０ｍｍ前後に構成されていることを考慮すると、きわ
めて小型、軽量であるといえる。
以下、前記の各条件（１）〜（３）について説明する（
１） ０．１＜ ｆ ／（Ｉｌｏ）＜０．２５この条件
は装置の大きさと、正弦条件に関するものであＤ、ｆ／
（Ｉｌｏ）が下限０．１をこえると装置が大型化してし
まい、所期の目的を達成できなくなる。また、上限０．
２５をこえると必要な良像範囲で正弦条件の補正が困難
になＤ、軸外の光学特性が乱れると共に作動距離ｗＤの
確保が困難となる。
１） ０．１＜ ｆ ／（Ｉｌｏ）＜０．２５この条件
は装置の大きさと、正弦条件に関するものであＤ、ｆ／
（Ｉｌｏ）が下限０．１をこえると装置が大型化してし
まい、所期の目的を達成できなくなる。また、上限０．
２５をこえると必要な良像範囲で正弦条件の補正が困難
になＤ、軸外の光学特性が乱れると共に作動距離ｗＤの
確保が困難となる。
（２） −１，０＜ Ｋ ３ ＜ ０
この条件は半導体レーザー側の曲面（第３面）の形状を
規定するものでに３が上限Ｏをこえると軸外コマ収差が
増大し、良好に補正された良像範囲が縮小して組込み調
整が困難となＤ、下限−１，０をこえると球面収差が増
大して中心部の補正が困難となＤ、レンズ本来の目的が
達成できなくなる。
規定するものでに３が上限Ｏをこえると軸外コマ収差が
増大し、良好に補正された良像範囲が縮小して組込み調
整が困難となＤ、下限−１，０をこえると球面収差が増
大して中心部の補正が困難となＤ、レンズ本来の目的が
達成できなくなる。
（３） ０．６＜ １−１ ＜０．９
この条件は非球面レンズ全体の形状を規定するものであ
Ｄ、上限０．９をこえると球面収差と正弦条件のバラン
スがとれなくなＤ、特に球面収差は補正不足となる。
Ｄ、上限０．９をこえると球面収差と正弦条件のバラン
スがとれなくなＤ、特に球面収差は補正不足となる。
又下限０．６をこえると軸外収差の補正が困難となＤ、
又作動距離（ＷＯ）が小さくなる。
又作動距離（ＷＯ）が小さくなる。
（実 施 例）
焦点距離ｆ”３．２ｎ＋ｍ、ｌ１０＝１６．６１１１Ｄ
Ｉ （空気長換算値）、作動距離”２．２２３＋ｉｎ＋
、使用波長＝ ７８０ｎｍ、ディスク側のＮＡ＝０．４
５． レーザー側のＮＡ＝０．１６７に３＝−７，１
７９７８Ｘ １０−１ に４＝−ｓ、 １２４５ｏ
３＝−４，０４５ｏ８ｘｌＯ−’ ｏ４＝−５，７
９２２５ｘｔｏ−Ｅ３＝−１，９１３７６Ｘ１０−’
Ｅ４＝ ５．５４６０ＬＸ１０−’Ｆ３＝ ４．２
４０７８Ｘ１０−１０Ｆ４＝−２，０５７７９Ｘ１０−
”Ｇ３＝−５，２５１１８ｘｌＯ−’ Ｇ４＝ ８
．１５０７８ｘｔＯ−’（発明の効果） この発明によれば、光ディスク用レンズシステムを、そ
の性能劣下を招くことなく小型軽量化することができ、
従来の諸問題点を解消することができる。
Ｉ （空気長換算値）、作動距離”２．２２３＋ｉｎ＋
、使用波長＝ ７８０ｎｍ、ディスク側のＮＡ＝０．４
５． レーザー側のＮＡ＝０．１６７に３＝−７，１
７９７８Ｘ １０−１ に４＝−ｓ、 １２４５ｏ
３＝−４，０４５ｏ８ｘｌＯ−’ ｏ４＝−５，７
９２２５ｘｔｏ−Ｅ３＝−１，９１３７６Ｘ１０−’
Ｅ４＝ ５．５４６０ＬＸ１０−’Ｆ３＝ ４．２
４０７８Ｘ１０−１０Ｆ４＝−２，０５７７９Ｘ１０−
”Ｇ３＝−５，２５１１８ｘｌＯ−’ Ｇ４＝ ８
．１５０７８ｘｔＯ−’（発明の効果） この発明によれば、光ディスク用レンズシステムを、そ
の性能劣下を招くことなく小型軽量化することができ、
従来の諸問題点を解消することができる。
第１図は本発明のレンズを用いた光ディスク用レンズシ
ステムの一例を示す断面図、第２図は、半導体レーザー
の発光放射パターンとエネルギーの強度分布を２次元的
に表示した強度分布図、第３図は、半導体レーザーの放
射パターンのうち、発光軸上のＮＡ＝０．１５の対応す
るエネルギー強度分布の３次元図、第４図は１本発明の
光ディスク用レンズの作用を説明するための線図、第５
図は実施例の収差曲線図である。 ｌ・・・・半導体レーザー、２・・・・ビームスプリッ
タ−２３・・・・非球面レンズ、ｒ３・・・・第３面、
ｒ４・・・・第４面。 第２図 兜５図 Ｙ＝０．Ｉ Ｙ＝０ −一−−正ガ辷會イ士 Ｙ＝ｏ、ｏ５’１’＝ｏ、！ 手続補正書 昭和６１年７月３日 １、事件の表示 昭和６０年特許願第１５０６１０号 ２、発明の名称 光ディスク用レンズ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （２２３）・株式会社三協精機製作所４
、代 理 人 住 所 東京都世田谷区経堂４丁目５番４号（１）特許
請求の範囲を別紙のとおり補正する。 （２）明細書第５頁第５行のｒ＋ＥＨ’ ＋ＦＨ’ ＋
ＧＨ”Ｊを削除する。 （３）同第５頁第９行の「１０」を「４」に補正する。 第６頁第９行初頭から同頁第１０行末尾までを「Ｄ二人
耐高に対する４乗に比例する項の係数」に補正する。 別 紙 特許請求の範囲 半導体レーザーと、第３面及び第４面が共に正の屈折力
を有する非球面レンズとの間に、第１面及び第２面が互
に平行平面であるビームスプリッタ−（スクープ方式で
は透明平板）を配置して構成される光ディスク用レンズ
であＤ、下式で示す項を含む非球面であって、上記半導
体レーザー側のＮＡを０．１以上とし、ディスク側のＮ
Ａが０．４以上になるように構成され、下記の条件（１
）〜（３）を満す光ディスク用レンズ。 （２） −１，０＜Ｋ３＜Ｏ （３） ０．６＜ ＋−１＜０．９ ただし、 Ｘ：光軸からＨの高さの点に於ける非球面頂点の接平面
からの距離 Ｈ：光軸からの高さ Ｃ：非球面の頂点の曲率（１／Ｒ） Ｋ：円錐係数 ｆ：ディスク用レンズの焦点距離 ｌ１０−半導体レーザー発振面から光ディスクのピット
面までの距離
ステムの一例を示す断面図、第２図は、半導体レーザー
の発光放射パターンとエネルギーの強度分布を２次元的
に表示した強度分布図、第３図は、半導体レーザーの放
射パターンのうち、発光軸上のＮＡ＝０．１５の対応す
るエネルギー強度分布の３次元図、第４図は１本発明の
光ディスク用レンズの作用を説明するための線図、第５
図は実施例の収差曲線図である。 ｌ・・・・半導体レーザー、２・・・・ビームスプリッ
タ−２３・・・・非球面レンズ、ｒ３・・・・第３面、
ｒ４・・・・第４面。 第２図 兜５図 Ｙ＝０．Ｉ Ｙ＝０ −一−−正ガ辷會イ士 Ｙ＝ｏ、ｏ５’１’＝ｏ、！ 手続補正書 昭和６１年７月３日 １、事件の表示 昭和６０年特許願第１５０６１０号 ２、発明の名称 光ディスク用レンズ ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （２２３）・株式会社三協精機製作所４
、代 理 人 住 所 東京都世田谷区経堂４丁目５番４号（１）特許
請求の範囲を別紙のとおり補正する。 （２）明細書第５頁第５行のｒ＋ＥＨ’ ＋ＦＨ’ ＋
ＧＨ”Ｊを削除する。 （３）同第５頁第９行の「１０」を「４」に補正する。 第６頁第９行初頭から同頁第１０行末尾までを「Ｄ二人
耐高に対する４乗に比例する項の係数」に補正する。 別 紙 特許請求の範囲 半導体レーザーと、第３面及び第４面が共に正の屈折力
を有する非球面レンズとの間に、第１面及び第２面が互
に平行平面であるビームスプリッタ−（スクープ方式で
は透明平板）を配置して構成される光ディスク用レンズ
であＤ、下式で示す項を含む非球面であって、上記半導
体レーザー側のＮＡを０．１以上とし、ディスク側のＮ
Ａが０．４以上になるように構成され、下記の条件（１
）〜（３）を満す光ディスク用レンズ。 （２） −１，０＜Ｋ３＜Ｏ （３） ０．６＜ ＋−１＜０．９ ただし、 Ｘ：光軸からＨの高さの点に於ける非球面頂点の接平面
からの距離 Ｈ：光軸からの高さ Ｃ：非球面の頂点の曲率（１／Ｒ） Ｋ：円錐係数 ｆ：ディスク用レンズの焦点距離 ｌ１０−半導体レーザー発振面から光ディスクのピット
面までの距離
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体レーザーと、第３面及び第４面が共に正の屈折力
を有する非球面レンズとの間に、第１面及び第２面が互
に平行平面であるビームスプリッター（スクープ方式で
は透明平板）を配置して構成される光ディスク用レンズ
であり、下式で示す少なくとも入射高の１０乗に比例す
る項を含む非球面であって、上記半導体レーザー側のＮ
Ａを０．１以上とし、ディスク側のＮＡが０．４以上に
なるように構成され、下記の条件（１）〜（３）を満す
光ディスク用レンズ。 Ｘ＝ＣＨ＾２／｛１＋√［１−（Ｋ＋１）Ｃ＾２Ｈ＾２
］｝＋ＤＨ＾４＋ＥＨ＾６＋ＦＨ＾８＋ＧＨ＾１＾０＋
・・ （１）０．１＜ｆ／（Ｉ／Ｏ）＜０．２５ （２）−１．０＜Ｋ３＜０ （３）０．６＜｜ｒ３／ｒ４｜＜０．９ ただし Ｘ：光軸からＨの高さの点に於ける非球面頂点の接平面
からの距離 Ｈ：光軸からの高さ Ｃ：非球面の頂点の曲率（１／Ｒ） Ｋ：円錐係数 ｆ：ディスク用レンズの焦点距離 Ｉ／Ｏ：半導体レーザー発振面からのディスクのピット
面までの距離 ｒ３：単レンズの光源側頂点近傍の曲率半径ｒ４：単レ
ンズのディスク側頂点近傍の曲率半径 Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ：各々の入射高に対する４乗、６乗、８
乗、１０乗に比例する頂の係数
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15061085A JPS6210613A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 光デイスク用レンズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15061085A JPS6210613A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 光デイスク用レンズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6210613A true JPS6210613A (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=15500642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15061085A Pending JPS6210613A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 光デイスク用レンズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6210613A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63279112A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Hoden Seimitsu Kako Kenkyusho Ltd | リ−ル巻回物の巻回半径測定装置 |
| JPS6425113A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-27 | Mark Kk | Finite system large aperture single lens |
| USRE45949E1 (en) | 1996-09-20 | 2016-03-29 | Yuyama Mfg. Co., Ltd. | Method of adjusting tension applied to sheet, and device for the same |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP15061085A patent/JPS6210613A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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