JPS62103946A - ドツトマトリクス螢光表示管 - Google Patents
ドツトマトリクス螢光表示管Info
- Publication number
- JPS62103946A JPS62103946A JP24320785A JP24320785A JPS62103946A JP S62103946 A JPS62103946 A JP S62103946A JP 24320785 A JP24320785 A JP 24320785A JP 24320785 A JP24320785 A JP 24320785A JP S62103946 A JPS62103946 A JP S62103946A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grid
- anode
- dot
- filament
- dots
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はドツトマトリクス螢光表示管に関し、特にグリ
ッドの配役構造に関する。。
ッドの配役構造に関する。。
ドツトマトリクス螢光表示管は、螢光体が被着された複
数個のアノードドツトにより文字や図形を表示するもの
であり、特にアノードドツトの発光制御用トランジスタ
をアノードドツトと一体的に形成してなる螢光表示管は
小型となシより細かい表示が可能となってきている。
数個のアノードドツトにより文字や図形を表示するもの
であり、特にアノードドツトの発光制御用トランジスタ
をアノードドツトと一体的に形成してなる螢光表示管は
小型となシより細かい表示が可能となってきている。
第３図は従来のドツトマトリクス螢光表示管の一例の断
面図である。
面図である。
第３図において、カバーガラセ１１、スペーサ１２と共
に真空容器１３を形成するガラス、セラミック等の絶縁
基板ｌ上には、配！、Ｖ２と絶縁層３とが薄膜技術等に
より設けられており、さらに絶縁１−３上にはＮ数１（
！のトランジスタ例えばＭＯＳ−ＦＥＴ４が形成された
シリコン基板５が配設されている。このＭＯＳ−ＦＥＴ
のドレイン電極をアノード１唯（アノードドツト）６と
し、この上に螢光体７が被χｔされている。
に真空容器１３を形成するガラス、セラミック等の絶縁
基板ｌ上には、配！、Ｖ２と絶縁層３とが薄膜技術等に
より設けられており、さらに絶縁１−３上にはＮ数１（
！のトランジスタ例えばＭＯＳ−ＦＥＴ４が形成された
シリコン基板５が配設されている。このＭＯＳ−ＦＥＴ
のドレイン電極をアノード１唯（アノードドツト）６と
し、この上に螢光体７が被χｔされている。
螢−）を体７の上方向にはメツシュ状のグリッド９とフ
ィラメント８がそれぞれ現定間隔をおいて配設されてい
る。そして、フィラメント８、グリッド９及びＭＯＳ−
ＦＥＴ４の配、腺はそれぞれ配線層２を通して真空容器
１３の外部に引き出され、リード４子１０を介して外部
回路に接続される。
ィラメント８がそれぞれ現定間隔をおいて配設されてい
る。そして、フィラメント８、グリッド９及びＭＯＳ−
ＦＥＴ４の配、腺はそれぞれ配線層２を通して真空容器
１３の外部に引き出され、リード４子１０を介して外部
回路に接続される。
このように構成されたドツトマトリクス螢光表示管にお
いて、電圧印加によシフィラメント８から放出された熱
電子ンよ、ＭＯＳ−ＦＥＴのスイッチング機能によシ正
１位となったアノード′！＆を極６のみに選択的に入射
し螢光体７を発光させる。この場合、フィラメント８と
アノード電極６との距離により電子の速度及び密度に不
均一を生じ、各螢光体７の発光輝度にむらを生ずる。グ
リッド９はこの輝度むら対策として設けられておりフィ
ラメント８からの電子をアノード６に均一に分散させる
役目をはたしている。
いて、電圧印加によシフィラメント８から放出された熱
電子ンよ、ＭＯＳ−ＦＥＴのスイッチング機能によシ正
１位となったアノード′！＆を極６のみに選択的に入射
し螢光体７を発光させる。この場合、フィラメント８と
アノード電極６との距離により電子の速度及び密度に不
均一を生じ、各螢光体７の発光輝度にむらを生ずる。グ
リッド９はこの輝度むら対策として設けられておりフィ
ラメント８からの電子をアノード６に均一に分散させる
役目をはたしている。
しかしながら、グリッド９は、フィラメント８とアノー
ドドツト６の間に立体的に配設するため組立時のバラツ
キや熱電子の衝突により熱膨張が生じ各電極間隔が微妙
に変化し、輝度変化も依然として解消されないという欠
点がある。またグリッド９の存在は組立、配線の複雑化
と真空容器の大型化を免れることができない不都合もあ
る。
ドドツト６の間に立体的に配設するため組立時のバラツ
キや熱電子の衝突により熱膨張が生じ各電極間隔が微妙
に変化し、輝度変化も依然として解消されないという欠
点がある。またグリッド９の存在は組立、配線の複雑化
と真空容器の大型化を免れることができない不都合もあ
る。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、輝度変化のないド
ツトマトリクス螢光表示管を提供することＫある。
ツトマトリクス螢光表示管を提供することＫある。
本発明のドツトマトリクス螢光表示管は、少くとも一方
が透明な真空容器にフィラメント、アノードドツト、グ
リッド、アノードドツト選択用トランジスタとを封入し
てなるドツトマトリクス螢光表示管であって、グリッド
が少なくとも１アノードドツトを囲みしかもグリッドと
アノードドツトを同一平面上に配設したものである。
が透明な真空容器にフィラメント、アノードドツト、グ
リッド、アノードドツト選択用トランジスタとを封入し
てなるドツトマトリクス螢光表示管であって、グリッド
が少なくとも１アノードドツトを囲みしかもグリッドと
アノードドツトを同一平面上に配設したものである。
本発明によればグリッドがアノードドツトと同一平面上
に配設されるためグリッドの立体的位置の変化がなくな
シ各ドツトにおける輝度変化の発生はなくなる。
に配設されるためグリッドの立体的位置の変化がなくな
シ各ドツトにおける輝度変化の発生はなくなる。
次に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の要部断面図であシ、第２図
がその一部上面図である。
がその一部上面図である。
第１図において、ガラスまたはセラミック等の絶縁基板
１上には、配線層２、絶縁層３が形成されてお先この絶
縁層３上にはＭＯＳ−ＦＥＴ４．螢光体７を被着した一
辺が約Ｑ、 ４ ｍｍのアート電極（アノードドツト）
６とこのアノードドツトを少なくとも１個を囲むように
配設したグリッド９が形成されたシリコン基板５が配設
されている。そして紙面垂直方向に形成さｎるアノード
ドツト上にはフィラメント８が配設されている。
１上には、配線層２、絶縁層３が形成されてお先この絶
縁層３上にはＭＯＳ−ＦＥＴ４．螢光体７を被着した一
辺が約Ｑ、 ４ ｍｍのアート電極（アノードドツト）
６とこのアノードドツトを少なくとも１個を囲むように
配設したグリッド９が形成されたシリコン基板５が配設
されている。そして紙面垂直方向に形成さｎるアノード
ドツト上にはフィラメント８が配設されている。
このようにグリッド９をアノードドツト６と同一平面上
に配設した本発明の実施例においては、フィラメント８
から放射される電子はグリッド９とアノードドツト６の
電位により加速され、グリッド９により均一に分散され
る。そしてアノードドツト６とフィラメント８の間から
グリッドを除去することにより動作時、熱電子衝突によ
るグリッドの変形とそれに起因する発光の表示むら７生
じることはない。
に配設した本発明の実施例においては、フィラメント８
から放射される電子はグリッド９とアノードドツト６の
電位により加速され、グリッド９により均一に分散され
る。そしてアノードドツト６とフィラメント８の間から
グリッドを除去することにより動作時、熱電子衝突によ
るグリッドの変形とそれに起因する発光の表示むら７生
じることはない。
またこのようにグリッドとアノードドツトを同一平面上
に構成できることはグリッドアノードドツトを同時に薄
膜技術等によシ形成することが可能となる。このため部
品点数が減り、組立工数も削減されると共に真空容器を
薄くしたドツトマトリクス螢光表示管を製造することが
できる。
に構成できることはグリッドアノードドツトを同時に薄
膜技術等によシ形成することが可能となる。このため部
品点数が減り、組立工数も削減されると共に真空容器を
薄くしたドツトマトリクス螢光表示管を製造することが
できる。
なお、上記実施例においては、シリコン基板上ＭＯ８−
ＦＥＴやアノードドツト、グリッド等を設けた場合につ
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
くガラスや石英基板等に他のトランジスタやアノードド
ツト、グリッド等を設けたものを用いて良いことは勿論
である。
ＦＥＴやアノードドツト、グリッド等を設けた場合につ
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
くガラスや石英基板等に他のトランジスタやアノードド
ツト、グリッド等を設けたものを用いて良いことは勿論
である。
以上詳細に説明したように、本発明によればグリッドを
アノードドツトと同一平面上に配設することによりグリ
ッドの変形をなくし輝度変化のないドツトマトリクス螢
光表示管が得られるのでその効果は大きい、。
アノードドツトと同一平面上に配設することによりグリ
ッドの変形をなくし輝度変化のないドツトマトリクス螢
光表示管が得られるのでその効果は大きい、。
第１図は本発明の一実施例の要部断面図、第２図は第１
図の一部上面図、第３図は従来のドットマトリクス螢光
表示管の断面図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・−・・・・配線層、３・
・・・・・絶縁層、４・・・・・・ＭＯＳ−ＦＥＴ、ｓ
・・・・・・シリコン基板、６・・・・・・アノード電
極、７・・・・・・螢光体、８・・・・・・フィラメン
ト、９・・・・・・グリッド、１０・・・・・・リード
端子、１１・・・・・・カバーガラス、１２・・・・・
・スペーサ、１３・・・・・・真空容器。
図の一部上面図、第３図は従来のドットマトリクス螢光
表示管の断面図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・−・・・・配線層、３・
・・・・・絶縁層、４・・・・・・ＭＯＳ−ＦＥＴ、ｓ
・・・・・・シリコン基板、６・・・・・・アノード電
極、７・・・・・・螢光体、８・・・・・・フィラメン
ト、９・・・・・・グリッド、１０・・・・・・リード
端子、１１・・・・・・カバーガラス、１２・・・・・
・スペーサ、１３・・・・・・真空容器。
Claims (1)
- 少くとも一方が透明な真空容器にフィラメント、アノー
ドドット、グリッド、アノードドット選択用トランジス
タとを封入してなるドットマトリクス螢光表示管におい
て、少なくとも１ドットアノードを囲むグリッドをアノ
ードと同一平面上に配設したことを特徴とするドットマ
トリクス螢光表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24320785A JPS62103946A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | ドツトマトリクス螢光表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24320785A JPS62103946A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | ドツトマトリクス螢光表示管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62103946A true JPS62103946A (ja) | 1987-05-14 |
Family
ID=17100423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24320785A Pending JPS62103946A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | ドツトマトリクス螢光表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62103946A (ja) |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP24320785A patent/JPS62103946A/ja active Pending
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