JPS62102508A - 磁気光学ガ−ネツトエピタキシヤル膜 - Google Patents
磁気光学ガ−ネツトエピタキシヤル膜Info
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- JPS62102508A JPS62102508A JP24321685A JP24321685A JPS62102508A JP S62102508 A JPS62102508 A JP S62102508A JP 24321685 A JP24321685 A JP 24321685A JP 24321685 A JP24321685 A JP 24321685A JP S62102508 A JPS62102508 A JP S62102508A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光アイソレータや光スィッチなどのファラデ
ー回転子ｌこ用いられる磁気光学ガーネット材料に関す
る。特に、液相エピタキシャル法ｌこより育成されＳｃ
を含着するガーネットに関する。
ー回転子ｌこ用いられる磁気光学ガーネット材料に関す
る。特に、液相エピタキシャル法ｌこより育成されＳｃ
を含着するガーネットに関する。
（従来の技術）
半導体レーザは近年数多くの機器に利用されている。例
えば、光情報伝送用端局装置イや光ディスクなどがある
。光デイスク装置における記憶信号の読み出しでは、半
導体レーザ光を複数のレンズによって微小に絞り込み、
光デイスク面上の信号トラックに追随させて照射する。
えば、光情報伝送用端局装置イや光ディスクなどがある
。光デイスク装置における記憶信号の読み出しでは、半
導体レーザ光を複数のレンズによって微小に絞り込み、
光デイスク面上の信号トラックに追随させて照射する。
光デイスク面上の記憶単位（ピットあるいは磁区）から
の反射光を、光検出器に入射させ信号の検出を行う。
の反射光を、光検出器に入射させ信号の検出を行う。
これらのレーザ応用機器では、ディスク表面からの反射
を含め光の通過経路の谷部分からの反射光が光源である
半導体レーザに再入射すると、雑音を生ずると言う問題
点がある。この解決のためには、アイトリプルイー・ト
ランザクシランΦオン・マグネティクス（ＩＥＥＥ Ｔ
ｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎｈｉａｇｎｅ ｔ ｉ ｃ
ｓ ）第ＭＡＧ −２０巻第５号（１９８４年）１０
１３ページに開示される様に、光デイスクヘッドの場合
には、ヘッドにファラデー回転子を内蔵させることが提
案されている。
を含め光の通過経路の谷部分からの反射光が光源である
半導体レーザに再入射すると、雑音を生ずると言う問題
点がある。この解決のためには、アイトリプルイー・ト
ランザクシランΦオン・マグネティクス（ＩＥＥＥ Ｔ
ｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎｈｉａｇｎｅ ｔ ｉ ｃ
ｓ ）第ＭＡＧ −２０巻第５号（１９８４年）１０
１３ページに開示される様に、光デイスクヘッドの場合
には、ヘッドにファラデー回転子を内蔵させることが提
案されている。
半導体レーザの波長（近赤外領域）では、ファラデー回
転子として磁性ガーネットを用いることが、アイトリプ
ルイー・ジャーナル・オブ・クオンタムエレクトロニク
ス（ＩＥ）ΣＪｏｕｒｎａｌ ｏｆＱｕａｎｔｕｍ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）第ＱＥ−１６巻第１号（１９８
０年）提案されている。光アイソレータなどのファラデ
ー回転子を安価に供給するために。
転子として磁性ガーネットを用いることが、アイトリプ
ルイー・ジャーナル・オブ・クオンタムエレクトロニク
ス（ＩＥ）ΣＪｏｕｒｎａｌ ｏｆＱｕａｎｔｕｍ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）第ＱＥ−１６巻第１号（１９８
０年）提案されている。光アイソレータなどのファラデ
ー回転子を安価に供給するために。
液相エピタキシャル法で育成された磁気光学ガーネット
・・・・・・ｖｆ番こＢｉをその成分とするガーネット
液相エピタキシャル厚膜・・・・・・を用いることが、
第８回日本応用磁気学会学術講演概要率（１９８４年１
１月）第３１ページに開示されている。光フアイバ通信
用の波長１．３〜１．５μｍの領域では、磁性ガーネッ
トは充分に透明である。
・・・・・・ｖｆ番こＢｉをその成分とするガーネット
液相エピタキシャル厚膜・・・・・・を用いることが、
第８回日本応用磁気学会学術講演概要率（１９８４年１
１月）第３１ページに開示されている。光フアイバ通信
用の波長１．３〜１．５μｍの領域では、磁性ガーネッ
トは充分に透明である。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、光デイスク用の０．８μｍ帯では、上記
ａ要集に示される如く、必ずしも充分に透明とは言えな
い。
ａ要集に示される如く、必ずしも充分に透明とは言えな
い。
本発明の目的は、波長０．８μｍ帯の半導体レーザおよ
びこれを用いる光デイスクヘッドや光フアイバ通信端局
などのレーザ応用装置に使用可能で、磁気光学性能指数
（ファラデー回転係数とデシベルで定義された光吸収係
数との比）において、上記講演概要率に開示されている
（ＧｄＢ ｉ ）ｓ （ＦｅＡＩＧａ ）。
びこれを用いる光デイスクヘッドや光フアイバ通信端局
などのレーザ応用装置に使用可能で、磁気光学性能指数
（ファラデー回転係数とデシベルで定義された光吸収係
数との比）において、上記講演概要率に開示されている
（ＧｄＢ ｉ ）ｓ （ＦｅＡＩＧａ ）。
０８．エピタキシャル膜よりも優れた磁気光学ガーネッ
トを提供することにある。
トを提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
ＢｉとＳｃとを同時にガーネットに置換させるこｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）第１３巻第１２−＆
１９７４年）２０５９ページ、および第１４巻第１２号
（１９ｕ年）１９０３ページに知られてはいるものの、
ＢｉトＳｃの同時ｔｔ換が０．８μｍ帯の吸収を低減す
る効果についてはこれまで知られていなかった。本発明
者は、 ＳｃとＢｉを同時に含有する磁気光学ガーネッ
ト液相エピタキシャル膜において、波長０．８μｍ帯の
光吸収が極めて小さいことを実験的に初めて見いだし、
本発明をなすにいたった。すなわち、ガーネット中の２
４ｃ位置の希土類および／もしくはイットリウム・イオ
ンの一部をＢｉイオンで置換したガーネット液相エピタ
キシャル膜において。
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）第１３巻第１２−＆
１９７４年）２０５９ページ、および第１４巻第１２号
（１９ｕ年）１９０３ページに知られてはいるものの、
ＢｉトＳｃの同時ｔｔ換が０．８μｍ帯の吸収を低減す
る効果についてはこれまで知られていなかった。本発明
者は、 ＳｃとＢｉを同時に含有する磁気光学ガーネッ
ト液相エピタキシャル膜において、波長０．８μｍ帯の
光吸収が極めて小さいことを実験的に初めて見いだし、
本発明をなすにいたった。すなわち、ガーネット中の２
４ｃ位置の希土類および／もしくはイットリウム・イオ
ンの一部をＢｉイオンで置換したガーネット液相エピタ
キシャル膜において。
１６ａ位置のＦｅイオンをガーネットの化学式当り０．
１〜１．３モルのＳｃイオンで置換したことを特徴とす
る０、８μｍ帯磁気光学素子用ガーネットである。
１〜１．３モルのＳｃイオンで置換したことを特徴とす
る０、８μｍ帯磁気光学素子用ガーネットである。
（実施例）
以下ｌこ１本発明を実施例を用いてさらに詳細に説明す
る。
る。
（実施例１）
自模るつぼｌこ保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化
はう素糸融剤より７７０ ℃において、格子定数がｘｚ
、５ｏｃ＋Ａの非磁性ネオジム・ガリウム・ガーネット
（１１１）基板上に、格子定数が１２．５０９λでＹｚ
−ＨＢ１６−〒謬Ｆｅ４．ｏ Ｓ Ｃ１−（１０１ｚな
る化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜を３３０μｍ
の厚さに欣相エピタキンヤル法で形成した。このガーネ
ット膜の光吸収スペクトルを測定し波長０．８μｍでの
光吸収係数を求めたところ１２ｃＩＩＬ′″にであった
。この波長でのファラデー回転係数が−４，７５ｏｄｅ
ｇ／儂であることから、ファラデー回転係数とデシベル
（ｄＢ）で定義した光吸収との比である磁気光学性能指
数は９１ ｄｅｇ／ｄＢであった。この値はＳｃをドー
プしていないこれまでの材料である（ＧｄＢｉ）ｓ（Ｆ
ｅＡＪＧａ ）ｓ Ｏｔｚエピタキシャル膜における０
、８μｍでの磁気光学性能指数２３ ｄｅＢ’ｍと比べ
著しく改善されていた。
はう素糸融剤より７７０ ℃において、格子定数がｘｚ
、５ｏｃ＋Ａの非磁性ネオジム・ガリウム・ガーネット
（１１１）基板上に、格子定数が１２．５０９λでＹｚ
−ＨＢ１６−〒謬Ｆｅ４．ｏ Ｓ Ｃ１−（１０１ｚな
る化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜を３３０μｍ
の厚さに欣相エピタキンヤル法で形成した。このガーネ
ット膜の光吸収スペクトルを測定し波長０．８μｍでの
光吸収係数を求めたところ１２ｃＩＩＬ′″にであった
。この波長でのファラデー回転係数が−４，７５ｏｄｅ
ｇ／儂であることから、ファラデー回転係数とデシベル
（ｄＢ）で定義した光吸収との比である磁気光学性能指
数は９１ ｄｅｇ／ｄＢであった。この値はＳｃをドー
プしていないこれまでの材料である（ＧｄＢｉ）ｓ（Ｆ
ｅＡＪＧａ ）ｓ Ｏｔｚエピタキシャル膜における０
、８μｍでの磁気光学性能指数２３ ｄｅＢ’ｍと比べ
著しく改善されていた。
（実施例２）
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマスー酸化は
う素糸融剤より７６４℃において、格子定数がｘｚ、４
３ｓＡの非磁性サマリウム・ガリウム１ガーネツト（１
１１）基板上に、格子定数が１２．４３７ＡでＬｕｔ−
ＯＢｉｌ、６ Ｆｅ４．６ Ｓｔ’ｓ、ｏ （Ｊ１２な
る化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜を２７０μｍ
（７）厚さに液相エピタキシャル法で形成した。このガ
ーネット膜の光吸収スペクトルを測定し波長０．８μｍ
での光吸収係数を求めたところ３ ＣＩｒＬ−”であっ
た。この波長でのファラデー回転係数が−４，６００ｄ
ｅｇ／′ｃｍであることから、磁気光学性能指数は１３
２ ｄｅｇ／ｄＢであった。この１直はＳｃをドープし
ていないこ撫での材料である（ＧｄＢｉ ）ｓ （Ｆｅ
ＡＩＧａ）５０１！ エピタキシャル膜における０、８
μｍでの磁気光学性能指数２３ｄ ６ ｇ／ｃｍと比べ
著しく改善されていた。
う素糸融剤より７６４℃において、格子定数がｘｚ、４
３ｓＡの非磁性サマリウム・ガリウム１ガーネツト（１
１１）基板上に、格子定数が１２．４３７ＡでＬｕｔ−
ＯＢｉｌ、６ Ｆｅ４．６ Ｓｔ’ｓ、ｏ （Ｊ１２な
る化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜を２７０μｍ
（７）厚さに液相エピタキシャル法で形成した。このガ
ーネット膜の光吸収スペクトルを測定し波長０．８μｍ
での光吸収係数を求めたところ３ ＣＩｒＬ−”であっ
た。この波長でのファラデー回転係数が−４，６００ｄ
ｅｇ／′ｃｍであることから、磁気光学性能指数は１３
２ ｄｅｇ／ｄＢであった。この１直はＳｃをドープし
ていないこ撫での材料である（ＧｄＢｉ ）ｓ （Ｆｅ
ＡＩＧａ）５０１！ エピタキシャル膜における０、８
μｍでの磁気光学性能指数２３ｄ ６ ｇ／ｃｍと比べ
著しく改善されていた。
（実施例３）
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化は
う素糸融剤より７５２℃において、格子定数がｘｚ、４
ｃ＋ｏＡのカルシウム・マグネシウム・ジルコニウムド
ープ非磁性ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（１１
１）基板上に、格子定数が１２４９０人でＬｕ１．１
ｎｉ、、、 Ｆ’ｅ４−４ｇ ５Ｃｅ−＊＊ Ｏｔｔな
る化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜を４７３μｍ
の厚さに液相エピタキシャル法で形成した。このガーネ
ット膜の光吸収スペクトルを測定し波長０．８μｍでの
光吸収係数を求めたところ４３ ｍ−”であった。この
波長での７アラデ一回転係数が−１２，０００ｄｅｇ／
／儒であることから、磁気光学性能指数は６４ ｄｅｇ
／ｄＢであった。この値はＳｃをドープしていないこれ
までの材料である（ＧａＢｉ ）１ （ＦｅＡＩＧａ）
５ Ｏｔｔ エピタキシャル膜における０、８μｍで
の磁気光学性能指数２３ ｄ ６ ｕ’Ｒと比べ著しく
改番されていたＯ（実施例４） 白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化は
う素糸融剤より８１２℃において、格子定数が１２．４
６０入の非磁性ネオジム・ガリウム・ガーネット（１１
１）基板上に、格子定数が１２．４６３人でＬｕ１．２
゜Ｂ ｉ ６．、。Ｆｅｄ、。Ｓｃ１．１０１ｇなる化
学式を有する磁性ガーネット単結晶膜を６０μｍの厚さ
に液相エピタキシャル法で形成した。このガーネット膜
の光吸収スペクトルを測定した波長０．８μｍでの光吸
収係数を求めたところ１．２ ｃｍ＝であった。
う素糸融剤より７５２℃において、格子定数がｘｚ、４
ｃ＋ｏＡのカルシウム・マグネシウム・ジルコニウムド
ープ非磁性ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（１１
１）基板上に、格子定数が１２４９０人でＬｕ１．１
ｎｉ、、、 Ｆ’ｅ４−４ｇ ５Ｃｅ−＊＊ Ｏｔｔな
る化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜を４７３μｍ
の厚さに液相エピタキシャル法で形成した。このガーネ
ット膜の光吸収スペクトルを測定し波長０．８μｍでの
光吸収係数を求めたところ４３ ｍ−”であった。この
波長での７アラデ一回転係数が−１２，０００ｄｅｇ／
／儒であることから、磁気光学性能指数は６４ ｄｅｇ
／ｄＢであった。この値はＳｃをドープしていないこれ
までの材料である（ＧａＢｉ ）１ （ＦｅＡＩＧａ）
５ Ｏｔｔ エピタキシャル膜における０、８μｍで
の磁気光学性能指数２３ ｄ ６ ｕ’Ｒと比べ著しく
改番されていたＯ（実施例４） 白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化は
う素糸融剤より８１２℃において、格子定数が１２．４
６０入の非磁性ネオジム・ガリウム・ガーネット（１１
１）基板上に、格子定数が１２．４６３人でＬｕ１．２
゜Ｂ ｉ ６．、。Ｆｅｄ、。Ｓｃ１．１０１ｇなる化
学式を有する磁性ガーネット単結晶膜を６０μｍの厚さ
に液相エピタキシャル法で形成した。このガーネット膜
の光吸収スペクトルを測定した波長０．８μｍでの光吸
収係数を求めたところ１．２ ｃｍ＝であった。
この波長でのファラデー回転係数が−２，５００ｄｅｇ
／αであることから、磁気光学性能指数は４８０ｄｅｇ
／ｄＢであった。この値はＳｃをドープしていないこれ
までの材料である（ＧｄＢｌ）ｓ （ＦｅＡＩＧａ）５
０ｔｔ エピタキシャル膜における０、８μｍでの磁気
光学性能指数２３ｄｅ□（！：比べ著しく改善されてい
た。
／αであることから、磁気光学性能指数は４８０ｄｅｇ
／ｄＢであった。この値はＳｃをドープしていないこれ
までの材料である（ＧｄＢｌ）ｓ （ＦｅＡＩＧａ）５
０ｔｔ エピタキシャル膜における０、８μｍでの磁気
光学性能指数２３ｄｅ□（！：比べ著しく改善されてい
た。
なお、Ｓｃの置換量がガーネットの化学式当り１．２５
モル以上の場合には、磁性体としての特性が失われる温
度であるキュリー＠度が室温付近まで降下してしまい、
実用的でなかった。
モル以上の場合には、磁性体としての特性が失われる温
度であるキュリー＠度が室温付近まで降下してしまい、
実用的でなかった。
（実施例５）
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマス−酸化は
う素融剤より７３４℃において、格子定数が１２．４７
０人の非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウム
置換ガドリニウム・カリウム・ガーネット（１１１）基
板上に、格子定数が１２．４６９入でＹｔ、。Ｂｉｂ、
。Ｆｅ４−＊ Ｓｃ６．１０ｔｔなる化学式を有する磁
性ガーネット単結晶膜を１８５μｍの厚さに液相エピタ
キシャル法で形成した。このカーネット膜の光吸収スペ
クトルを測定し波長０．８μｍでの光吸収係数を求めた
ところ６０ｃｍ ’であった。この波長でのファラデー
回転係数が一９ｅ０００ｄｅｇ／口であることから、８
気光学性１４Ｆ＝指数は３５ ｄｅｇ／ｄＢであった。
う素融剤より７３４℃において、格子定数が１２．４７
０人の非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウム
置換ガドリニウム・カリウム・ガーネット（１１１）基
板上に、格子定数が１２．４６９入でＹｔ、。Ｂｉｂ、
。Ｆｅ４−＊ Ｓｃ６．１０ｔｔなる化学式を有する磁
性ガーネット単結晶膜を１８５μｍの厚さに液相エピタ
キシャル法で形成した。このカーネット膜の光吸収スペ
クトルを測定し波長０．８μｍでの光吸収係数を求めた
ところ６０ｃｍ ’であった。この波長でのファラデー
回転係数が一９ｅ０００ｄｅｇ／口であることから、８
気光学性１４Ｆ＝指数は３５ ｄｅｇ／ｄＢであった。
この値はＳｃをドープしていないこれまでの材料である
（ＧｄＢ ｉ）ｓ （ＦｅＡＡＧａ ）＠ ０１ ｚエ
ピタキシャル膜における０、８μｍでの磁気光学性能指
数２３ ｄｅｇ／′αと比べ改善されていた。
（ＧｄＢ ｉ）ｓ （ＦｅＡＡＧａ ）＠ ０１ ｚエ
ピタキシャル膜における０、８μｍでの磁気光学性能指
数２３ ｄｅｇ／′αと比べ改善されていた。
なお、Ｓｃの置換量ガーネットの化学式当り０．１モル
よりも少ない場合には、０．８μｍ蛍での光吸収を低減
する効果はなかった。
よりも少ない場合には、０．８μｍ蛍での光吸収を低減
する効果はなかった。
（実施例６）
白金るつぼに保持された醒化鉛−酸化ビスマス系融剤よ
り７７７℃において、格子定数が１２．４８０人の非磁
性カルシウム・マグ不ソウム・ジルコニウム置換ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット（１１１）基板上に、格
子定数が１２．４７８人でＹｌ、。
り７７７℃において、格子定数が１２．４８０人の非磁
性カルシウム・マグ不ソウム・ジルコニウム置換ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット（１１１）基板上に、格
子定数が１２．４７８人でＹｌ、。
Ｌｕｅ−ｙｓ Ｂｉｔ−ｔｇ Ｆｅ４−ｙ Ｓ（！ｏ−
ｓ Ｏｓｔなる化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜
を２５μｍの厚さに液相エピタキシャル法で形成した。
ｓ Ｏｓｔなる化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜
を２５μｍの厚さに液相エピタキシャル法で形成した。
このカーネット膜の光吸収スペクトルを測定し波長０．
８μｍでの光吸収係数を求めたところ５５ ｃｌｒＬ−
’であった。この波長でのファラデー回転係数が−８，
５００ｄｅｇ／ｃｍであることから、磁気光学性能指数
は３６ ｄｅｇ／ｄＢであった。この値はＳｃをドープ
していないこれまでの材料である（ＧｄＢｉ ）３ （
Ｆ’ｅＡＩＧａ）、０１．エピタキシャル膜における０
、８μｍでの磁気光学性能指数２３ ｄｅｇ／Ｃ７ｎと
比べ改善されていた。
８μｍでの光吸収係数を求めたところ５５ ｃｌｒＬ−
’であった。この波長でのファラデー回転係数が−８，
５００ｄｅｇ／ｃｍであることから、磁気光学性能指数
は３６ ｄｅｇ／ｄＢであった。この値はＳｃをドープ
していないこれまでの材料である（ＧｄＢｉ ）３ （
Ｆ’ｅＡＩＧａ）、０１．エピタキシャル膜における０
、８μｍでの磁気光学性能指数２３ ｄｅｇ／Ｃ７ｎと
比べ改善されていた。
（実施例７）
白金るつぼｌこ保持された酸化鉛−酸化ビスマスー酸化
はう素糸融剤より７３４℃において、格子定数が１ｚ、
５３ｏＡの非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニ
ウム置換ガドリニウム−ガリウム・ガーネット（１１１
）基板上に、格子定数が１２５３１人でＬｕ１．。Ｂｉ
、、。Ｆｅ４．ｏ Ｓ （３１１，ｙ ０１１ なる化
学式を有する磁性ガーネット単結膜を３５μｍの厚さに
液相エピタキシャル法で形成した。このガーネット膜の
光吸収スペクトルを測定し波長０．８μｍでの光吸収係
数を求めたところ１５ ｃｍ”’であった。この波長で
のファラデー回転係数が−ｘ４．ｏｏｏａｅｇ／αであ
ることから、磁気光学性能指数は２１５ ｄｅｇ／ｄＢ
でありた。この値はＳｃをドープしていないこれまでの
材料である（ＧｄＢｉ ）ｍ （ＦｅＡＡ！Ｇａ）ｓ
ｏｌ！エピタキシャル膜ｌこおける０、８μｍでの磁気
光学性能指数２３ｄｅｇ／！と比べ著しく改善されてい
た。
はう素糸融剤より７３４℃において、格子定数が１ｚ、
５３ｏＡの非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニ
ウム置換ガドリニウム−ガリウム・ガーネット（１１１
）基板上に、格子定数が１２５３１人でＬｕ１．。Ｂｉ
、、。Ｆｅ４．ｏ Ｓ （３１１，ｙ ０１１ なる化
学式を有する磁性ガーネット単結膜を３５μｍの厚さに
液相エピタキシャル法で形成した。このガーネット膜の
光吸収スペクトルを測定し波長０．８μｍでの光吸収係
数を求めたところ１５ ｃｍ”’であった。この波長で
のファラデー回転係数が−ｘ４．ｏｏｏａｅｇ／αであ
ることから、磁気光学性能指数は２１５ ｄｅｇ／ｄＢ
でありた。この値はＳｃをドープしていないこれまでの
材料である（ＧｄＢｉ ）ｍ （ＦｅＡＡ！Ｇａ）ｓ
ｏｌ！エピタキシャル膜ｌこおける０、８μｍでの磁気
光学性能指数２３ｄｅｇ／！と比べ著しく改善されてい
た。
（実施例８）
白金るつぼｌこ保持された酸化鉛−酸化ビスマス系融剤
より８３１℃において、格子定数が１２．４１０人の非
磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウム置換ガド
リニウム・ガリウムＯガーネット（１１１）基板上に、
格子定数が１２．４０８入でＹ、、。
より８３１℃において、格子定数が１２．４１０人の非
磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウム置換ガド
リニウム・ガリウムＯガーネット（１１１）基板上に、
格子定数が１２．４０８入でＹ、、。
Ｂ１１．Ｉ Ｆｅ４．ｓ ５ｅ）ｎ４０Ｈなる化学式を
有する磁性ガーネット単結晶膜を５２５μｍの厚さに液
相エピタキシャル法で形成した。このガーネット膜の光
吸収スペクトルを測定し波長０．８μｍでの光吸収係数
を求めたところ４１−１であった。この波長でのファラ
デー回転係数が−８００ｄｅｇ／ ｃｍであることから
、磁気光学性能指数は４６ ｄｅｇ／ｄＢでありた。
有する磁性ガーネット単結晶膜を５２５μｍの厚さに液
相エピタキシャル法で形成した。このガーネット膜の光
吸収スペクトルを測定し波長０．８μｍでの光吸収係数
を求めたところ４１−１であった。この波長でのファラ
デー回転係数が−８００ｄｅｇ／ ｃｍであることから
、磁気光学性能指数は４６ ｄｅｇ／ｄＢでありた。
この値はＳｃをドープしていないこれまでの材料である
（ＧｄＢ ｉ ）ｓ （ＦｅＡＩＧａ ） ｓ Ｏｓ
ｔエピタキシャル膜における０、８μｍでの磁気光学性
能指数２３ｄｅｇ／儂と比べ改善されていた。
（ＧｄＢ ｉ ）ｓ （ＦｅＡＩＧａ ） ｓ Ｏｓ
ｔエピタキシャル膜における０、８μｍでの磁気光学性
能指数２３ｄｅｇ／儂と比べ改善されていた。
上記の実施例では、ガーネットのホストイオンとしてＹ
イオンおよび／もしくはＬｕを用いる場合を例示したが
、その他の希土類イオンを用いても同様の効果が得られ
た。
イオンおよび／もしくはＬｕを用いる場合を例示したが
、その他の希土類イオンを用いても同様の効果が得られ
た。
（発明の効果）
以上説明した如く、カーネット中の２４ｃ位傭の希土類
イオンおよび／もしくはイットリウム・イオンの一部が
Ｂｉイオンでｔ換されたガーネット液相エピタキシャル
膜において、１６ａ位置のＦｅイオンをガーネットの化
学式当り０．１〜１．２モルのＳｃイオンで置換するこ
とにより、波長０．８μｍでの光吸収を低減でき、磁気
光学性能指数を改善できる。
イオンおよび／もしくはイットリウム・イオンの一部が
Ｂｉイオンでｔ換されたガーネット液相エピタキシャル
膜において、１６ａ位置のＦｅイオンをガーネットの化
学式当り０．１〜１．２モルのＳｃイオンで置換するこ
とにより、波長０．８μｍでの光吸収を低減でき、磁気
光学性能指数を改善できる。
Claims (1)
- 非磁性ガーネット基板上に形成され、ガーネット中の
２４ｃ位置の希土類イオンおよび／もしくはイットリウ
ム・イオンの一部をＢｉイオンで置換したガーネットエ
ピタキシャル膜において、１６ａ位置のＦｅイオンをガ
ーネットの化学式当り０．１〜１．２モルのＳｃイオン
で置換したことを特徴とする０．８μｍ帯磁気光学素子
用ガーネットエピタキシャル膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24321685A JPS62102508A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 磁気光学ガ−ネツトエピタキシヤル膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24321685A JPS62102508A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 磁気光学ガ−ネツトエピタキシヤル膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102508A true JPS62102508A (ja) | 1987-05-13 |
Family
ID=17100552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24321685A Pending JPS62102508A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 磁気光学ガ−ネツトエピタキシヤル膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102508A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05112183A (ja) * | 1991-03-22 | 1993-05-07 | Mercedes Benz Ag | 走行車内のパソコン操作場所 |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP24321685A patent/JPS62102508A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05112183A (ja) * | 1991-03-22 | 1993-05-07 | Mercedes Benz Ag | 走行車内のパソコン操作場所 |
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