JPS6246998A - 磁気光学ガ−ネツト - Google Patents
磁気光学ガ−ネツトInfo
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- JPS6246998A JPS6246998A JP18581085A JP18581085A JPS6246998A JP S6246998 A JPS6246998 A JP S6246998A JP 18581085 A JP18581085 A JP 18581085A JP 18581085 A JP18581085 A JP 18581085A JP S6246998 A JPS6246998 A JP S6246998A
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- JP
- Japan
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- garnet
- magneto
- optical
- ions
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光アイソレークや光スィッチなどのファラデ
ー回転子に用いられる磁気光学ガーネット材料に関する
。
ー回転子に用いられる磁気光学ガーネット材料に関する
。
半導体レーザは、近年数多くの機器、例えば、光情報伝
送用端局装置や光ディスクなどに利用されている。光デ
イスク装置における記憶信号の読み出しでは、半導体レ
ーザ米を複数のレンズによって微小に絞り込み、光デイ
スク面上の信号トラックに追随させて照射する。光デイ
スク面上の記憶単位（ピットあるいは磁区）からの反射
光を、光検出器に入射させ信号の検出を行う。
送用端局装置や光ディスクなどに利用されている。光デ
イスク装置における記憶信号の読み出しでは、半導体レ
ーザ米を複数のレンズによって微小に絞り込み、光デイ
スク面上の信号トラックに追随させて照射する。光デイ
スク面上の記憶単位（ピットあるいは磁区）からの反射
光を、光検出器に入射させ信号の検出を行う。
これらのレーザ応用機器では、ディスク表面からの反射
を含と光の通過経路の各部分からの反射光が光源である
単導体レーザに再入射すると、雑音を生ずると言う問題
点がある。この問題点を解決するためには、アイトリプ
ルイー・トランザクション・オン−７ダネテイクス（Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎＭａｇｎｅｔｉ
ｃｓ ）第ＭＡＧ２０巻第５号（１９８４年＞１０１３
ページに開示される様に、光デイスクヘッドの場合には
、ヘッドにファラデー回転子を内蔵させることが提案さ
れている。
を含と光の通過経路の各部分からの反射光が光源である
単導体レーザに再入射すると、雑音を生ずると言う問題
点がある。この問題点を解決するためには、アイトリプ
ルイー・トランザクション・オン−７ダネテイクス（Ｉ
ＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎＭａｇｎｅｔｉ
ｃｓ ）第ＭＡＧ２０巻第５号（１９８４年＞１０１３
ページに開示される様に、光デイスクヘッドの場合には
、ヘッドにファラデー回転子を内蔵させることが提案さ
れている。
半導体レーザの波長く近赤外領域）では、ファラデー回
転子として磁性ガーネットを用いることが、アイトリプ
ルイー・ジャーナル・オブ・クオンタムエレクトロニク
ス（ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ）第ＱＥ−１６巻第１号（１
９８０年）に提案されている。光アイソレークなどのフ
ァラデー回転子を安価に供給するために、液相エピタキ
シャル法で育成された磁気光学ガーネット液相エピタキ
シャル厚膜を用いることが、第８回日本応用磁気学会学
術講演概要集（１９８４年１１月）第３１ページに開示
されている。光フアイバ通信用の波長１．３〜１．５μ
ｍの領域では、磁性ガーネットは充分に透明である。し
かしながら、光デイスク用の０．８μｍ帯では、上記概
要集に示されるごとく必ずしも充分に透明とは言えない
。
転子として磁性ガーネットを用いることが、アイトリプ
ルイー・ジャーナル・オブ・クオンタムエレクトロニク
ス（ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎｔｕｍ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ）第ＱＥ−１６巻第１号（１
９８０年）に提案されている。光アイソレークなどのフ
ァラデー回転子を安価に供給するために、液相エピタキ
シャル法で育成された磁気光学ガーネット液相エピタキ
シャル厚膜を用いることが、第８回日本応用磁気学会学
術講演概要集（１９８４年１１月）第３１ページに開示
されている。光フアイバ通信用の波長１．３〜１．５μ
ｍの領域では、磁性ガーネットは充分に透明である。し
かしながら、光デイスク用の０．８μｍ帯では、上記概
要集に示されるごとく必ずしも充分に透明とは言えない
。
本発明の目的は、波長０．８μｍ帯の半導体レーザおよ
びこれを用いる光デイスクヘッドや光フアイバ通信端局
などのレーザ応用装置に使用可能な、磁気光学性能指数
（ファラデー回転係数とデシベルで定義された光吸収係
数との比）の優れた磁気光学ガーネットを提供すること
にある。
びこれを用いる光デイスクヘッドや光フアイバ通信端局
などのレーザ応用装置に使用可能な、磁気光学性能指数
（ファラデー回転係数とデシベルで定義された光吸収係
数との比）の優れた磁気光学ガーネットを提供すること
にある。
本発明者は、ガーネット結晶中の１６ ａ位置のＦｅを
優先的に置換するＩｎを含有する磁気光学ガーネット液
相エピタキシャル膜において、波長０．８μｍ帯の光吸
収が極めて小さいことを実験。
優先的に置換するＩｎを含有する磁気光学ガーネット液
相エピタキシャル膜において、波長０．８μｍ帯の光吸
収が極めて小さいことを実験。
的に見いだし、本発明をなすにいたった。すなわち、本
発明の磁気光学ガーネットは、ガーネット結晶中の１６
ａ位置のＦｅイオンの一部がガーネットの化学式当たり
０．１〜１．３モルのＩｎイオンで置換されたことを特
徴としている。
発明の磁気光学ガーネットは、ガーネット結晶中の１６
ａ位置のＦｅイオンの一部がガーネットの化学式当たり
０．１〜１．３モルのＩｎイオンで置換されたことを特
徴としている。
以下に、本発明を実施例を用いてさらに詳細に説明する
。
。
（実施例１）
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化はう素糸融剤より
９７０℃において、格子定数が１２．４３８人の非磁性
サマリウム・ガリウム・ガーネット基板（１１１）上に
、格子定数が１２．４４０人でＹ。
９７０℃において、格子定数が１２．４３８人の非磁性
サマリウム・ガリウム・ガーネット基板（１１１）上に
、格子定数が１２．４４０人でＹ。
Ｆｅ３．ＢＩ ｎｏ、ｇｏ＋ｚなる化学式を有する磁性
ガーネット単結晶膜を１６５μｍの厚さに液相エピタキ
シル法で形成した。このガーネット膜の光吸収スペクト
ルを測定し波長０．８μｍでの光吸収係数を求めたとこ
ろ１２ｃ＋ｒ’であった。この波長でのファラデー回転
係数が７８０ｄｅｇ ／ ｃｍであることから、磁気光
学性能指数は１５ｄｅｇ／ｄＢであった。この値はＩｎ
をドープしていないＹｓＦｅｓＯ＋□における２、５ｄ
ｅｇ／ｄＢと比べ著しく改善された。
ガーネット単結晶膜を１６５μｍの厚さに液相エピタキ
シル法で形成した。このガーネット膜の光吸収スペクト
ルを測定し波長０．８μｍでの光吸収係数を求めたとこ
ろ１２ｃ＋ｒ’であった。この波長でのファラデー回転
係数が７８０ｄｅｇ ／ ｃｍであることから、磁気光
学性能指数は１５ｄｅｇ／ｄＢであった。この値はＩｎ
をドープしていないＹｓＦｅｓＯ＋□における２、５ｄ
ｅｇ／ｄＢと比べ著しく改善された。
（実施例２）
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化はう素糸融剤より
９４４℃において、格子定数が１２．５０９人の非磁性
ネオジム・ガリウム・ガーネット基板（ＩＩＮ上に、格
子定数が１２．５１０人でＹ３Ｆ ｅ３．ａ Ｉ ｎｔ
、ｚｏ＋２なる化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜
を２４０μｍの厚さに液相エピタキシャル法で形成した
。このガーネット膜の光吸収スペクトルを測定し波長０
．８μｍでの光吸収係数を求めたところ４ｃｍ−’であ
った。この波長でのファラデー回転係数が７５０ｄｅｇ
／ ｃｍであることから、磁気光学性能指数は４３ｄ
ｅｇ／ｄＢであった。この値はＩｎをドープしていない
Ｙ３Ｆｅ、Ｏｎ□における２、５ｄｅｇ／ｄＢと比べ著
しく改善された。
９４４℃において、格子定数が１２．５０９人の非磁性
ネオジム・ガリウム・ガーネット基板（ＩＩＮ上に、格
子定数が１２．５１０人でＹ３Ｆ ｅ３．ａ Ｉ ｎｔ
、ｚｏ＋２なる化学式を有する磁性ガーネット単結晶膜
を２４０μｍの厚さに液相エピタキシャル法で形成した
。このガーネット膜の光吸収スペクトルを測定し波長０
．８μｍでの光吸収係数を求めたところ４ｃｍ−’であ
った。この波長でのファラデー回転係数が７５０ｄｅｇ
／ ｃｍであることから、磁気光学性能指数は４３ｄ
ｅｇ／ｄＢであった。この値はＩｎをドープしていない
Ｙ３Ｆｅ、Ｏｎ□における２、５ｄｅｇ／ｄＢと比べ著
しく改善された。
（実施例３）
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化はう素糸融剤より
９５２℃において、格子定数が１２．３８３人の非磁性
ガドリニウム・ガリウム・ガーネット基板（１１１）上
に、格子定数が１２．４０２人テＹ３Ｆ ｅ４．ｓ Ｉ
ｎｇ、 ＋０１２なる化学式を有する磁性ガーネット
単結晶膜を３３２μｍの厚さに液相エピタキシャル法で
形成した。このガーネット膜の光吸収スペクトルを測定
し波長０，８μｍでの光吸収係数を求めたところ６０ｃ
ｌ’であった。この波長でのファラデー回転係数が８０
０＋ｊｅｇ ／ ｃｍであることから、磁気光学性能指
数は３． Ｏｄｅｇ ／ ｄＢであった。この値はＩｎ
をドープしていないＹ３ＦｅｓＯ＋２における２、 ５
ｄｅｇ ／ ｄＢと比べ改善効果があった。
９５２℃において、格子定数が１２．３８３人の非磁性
ガドリニウム・ガリウム・ガーネット基板（１１１）上
に、格子定数が１２．４０２人テＹ３Ｆ ｅ４．ｓ Ｉ
ｎｇ、 ＋０１２なる化学式を有する磁性ガーネット
単結晶膜を３３２μｍの厚さに液相エピタキシャル法で
形成した。このガーネット膜の光吸収スペクトルを測定
し波長０，８μｍでの光吸収係数を求めたところ６０ｃ
ｌ’であった。この波長でのファラデー回転係数が８０
０＋ｊｅｇ ／ ｃｍであることから、磁気光学性能指
数は３． Ｏｄｅｇ ／ ｄＢであった。この値はＩｎ
をドープしていないＹ３ＦｅｓＯ＋２における２、 ５
ｄｅｇ ／ ｄＢと比べ改善効果があった。
（実施例４）
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化はう素糸融剤より
９６７℃において、格子定数が１２．４３８ Ａの非磁
性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板（１１Ｎ上に
、格子定数が１２．４５０人でＬ１１＋Ｆ ｅ３．ｓ
Ｉ ｎｔ、０＋２な化学式を有する磁性ガーネ・ット単
結晶膜を２６５μｍの厚さに液相エピタキシャル法で形
成した。このガーネット膜の光吸収スペクトルを測定し
波長０．８μｍでの光吸収係数を求めたところ０．５ｃ
ｍ−’であった。この波長でのファラデー回転係数が３
２０ｄｅｇ ／ ｃｍであることから、磁気光学性能指
数は１４７ｃｌｅｇ ／ ｄＢであった。この値はＩｎ
をドープしていないＹ、Ｆｅ５０１□における２、５ｄ
ｅｇ／ｄＢと比べ著しく改善された。尚、Ｉｎの含有量
がガーネット分子式当り１．５モルを超えると、磁気的
特性が消失する温度であるキュリ一温度が室温付近まで
降下してしまい、実用的でなくなる。
９６７℃において、格子定数が１２．４３８ Ａの非磁
性サマリウム・ガリウム・ガーネット基板（１１Ｎ上に
、格子定数が１２．４５０人でＬ１１＋Ｆ ｅ３．ｓ
Ｉ ｎｔ、０＋２な化学式を有する磁性ガーネ・ット単
結晶膜を２６５μｍの厚さに液相エピタキシャル法で形
成した。このガーネット膜の光吸収スペクトルを測定し
波長０．８μｍでの光吸収係数を求めたところ０．５ｃ
ｍ−’であった。この波長でのファラデー回転係数が３
２０ｄｅｇ ／ ｃｍであることから、磁気光学性能指
数は１４７ｃｌｅｇ ／ ｄＢであった。この値はＩｎ
をドープしていないＹ、Ｆｅ５０１□における２、５ｄ
ｅｇ／ｄＢと比べ著しく改善された。尚、Ｉｎの含有量
がガーネット分子式当り１．５モルを超えると、磁気的
特性が消失する温度であるキュリ一温度が室温付近まで
降下してしまい、実用的でなくなる。
上記の各実施例では、ガーネットのホストイオンとして
ＹおよびＬｕを用いる場合を例示したが、その他の希土
類イオンを用いても同様の効果が得られた。
ＹおよびＬｕを用いる場合を例示したが、その他の希土
類イオンを用いても同様の効果が得られた。
以上説明した如く本発明を用いることにより、ガーネッ
ト中の１６ａ位置のＦｅイオンをガーネットの化学式当
り０．１〜１．３モルのＩｎイオンで置換する三とによ
り、波長０．８μｍでの光吸収を低減でき、磁気光学性
能指数を改善できる。
ト中の１６ａ位置のＦｅイオンをガーネットの化学式当
り０．１〜１．３モルのＩｎイオンで置換する三とによ
り、波長０．８μｍでの光吸収を低減でき、磁気光学性
能指数を改善できる。
Claims (1)
- （１）ガーネット結晶中の１６ａ位置のＦｅイオンの一
部がガーネットの化学式当たり０．１〜１．３モルのＩ
ｎイオンで置換されたことを特徴とする磁気光学ガーネ
ット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18581085A JPS6246998A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 磁気光学ガ−ネツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18581085A JPS6246998A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 磁気光学ガ−ネツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246998A true JPS6246998A (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=16177285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18581085A Pending JPS6246998A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | 磁気光学ガ−ネツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6246998A (ja) |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP18581085A patent/JPS6246998A/ja active Pending
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