JPS62102131A - 光フアイバ試験装置 - Google Patents
光フアイバ試験装置Info
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- JPS62102131A JPS62102131A JP24345785A JP24345785A JPS62102131A JP S62102131 A JPS62102131 A JP S62102131A JP 24345785 A JP24345785 A JP 24345785A JP 24345785 A JP24345785 A JP 24345785A JP S62102131 A JPS62102131 A JP S62102131A
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- fiber
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/30—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides
- G01M11/31—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides with a light emitter and a light receiver being disposed at the same side of a fibre or waveguide end-face, e.g. reflectometers
- G01M11/3181—Reflectometers dealing with polarisation
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- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、０ＴＤＲ法を用いた光ファイバ試験装置の改
良に関するものである。
良に関するものである。
（従来の技術）
光ファイバにはガラスに固有の散乱が存在する。
光ファイバコアを伝搬する光波はコア内のドーパントな
どの散乱源によりレイリー散乱を生じる。
どの散乱源によりレイリー散乱を生じる。
特にこの散乱光のうちファイバコア後方〈光源方向）ヘ
ガイドされた散乱光を後方散乱光と呼ぶ。
ガイドされた散乱光を後方散乱光と呼ぶ。
光ファイバの一端から光パルスを送り、後方敗乱光を観
測することによりファイバの長さ方向の損失分布や破断
点などを検出する手法を０ＴＤＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｔｉｍｅ ［）ｏｍａｉｎ Ｒｅｆ Ｉ ｅｃｔ
ｏｍｅｔ ｒｙ）法という。
測することによりファイバの長さ方向の損失分布や破断
点などを検出する手法を０ＴＤＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ
Ｔｉｍｅ ［）ｏｍａｉｎ Ｒｅｆ Ｉ ｅｃｔ
ｏｍｅｔ ｒｙ）法という。
第６図は従来の０ＴＤＲ法を用いた光ファイバ試験装置
の基本構成を示す構成ブロック図である。
の基本構成を示す構成ブロック図である。
光源１から出力された光パルスは方向性結合器２を通っ
て被測定ファイバ３に入射する。この光の一部は後方レ
イリー散乱光として逆方向へ戻り、再び方向性結合器２
を経由して受光素子４に入射し検出される。受光素子４
の電気出力は増幅器５で増幅後、演算部６でＡ ／ Ｄ
変換、平均化処理。
て被測定ファイバ３に入射する。この光の一部は後方レ
イリー散乱光として逆方向へ戻り、再び方向性結合器２
を経由して受光素子４に入射し検出される。受光素子４
の電気出力は増幅器５で増幅後、演算部６でＡ ／ Ｄ
変換、平均化処理。
対数変換などが行われ、データ保存手段８に格納される
とともに、表示装置７で表示される。
とともに、表示装置７で表示される。
第７図〜第１０図は従来用いられていた光方向性結合器
の例を示す構成ブロック図である。
の例を示す構成ブロック図である。
第７図装置の場合、光源１から出力された光はレンズ２
０１で平行光とされた侵、ハーフミラ−２０２を介して
その半分がレンズ２０３を介して被測定ファイバ３に入
射する。被測定ファイバ３からの後方散乱光は再びレン
ズ２０３を介してハーフミラ−２０２に入射し、その半
分がレンズ２０４を介して受光素子４に入射する。
０１で平行光とされた侵、ハーフミラ−２０２を介して
その半分がレンズ２０３を介して被測定ファイバ３に入
射する。被測定ファイバ３からの後方散乱光は再びレン
ズ２０３を介してハーフミラ−２０２に入射し、その半
分がレンズ２０４を介して受光素子４に入射する。
第８図装置の場合は、前記第７図の装置においてレンズ
２０１．ハーフミラ−２０２およびレンズ２０３の代り
にそれぞれ屈折率分布型レンズ２１１、ハーフミラ−２
１２および屈折率分布型レンズ２１３を用いたもので、
動作も同様である。
２０１．ハーフミラ−２０２およびレンズ２０３の代り
にそれぞれ屈折率分布型レンズ２１１、ハーフミラ−２
１２および屈折率分布型レンズ２１３を用いたもので、
動作も同様である。
第９図装置の場合、光源１から出力した光はレンズ２２
１を介して異方性結晶２２２に入射し、レンズ２２３を
介して被測定ファイバ３に入射する。被測定ファイバ３
からの後方散乱光は再びレンズ２２３を介して異方性結
晶２２２に入射し、そのうらの異常光成分がレンズ２２
４を介して受光素子４に入ｔＦＪする。
１を介して異方性結晶２２２に入射し、レンズ２２３を
介して被測定ファイバ３に入射する。被測定ファイバ３
からの後方散乱光は再びレンズ２２３を介して異方性結
晶２２２に入射し、そのうらの異常光成分がレンズ２２
４を介して受光素子４に入ｔＦＪする。
第１０図の場合は、光源１から出力された光は超音波光
偏向器２３１およびレンズ２３２を介して被測定ファイ
バ３に入射する。被測定ファイバ３からの後方散乱光は
再びレンズ２３２を介して超音波光偏向器２３１に入射
し、回折によりその一部が受光素子４に入射する。
偏向器２３１およびレンズ２３２を介して被測定ファイ
バ３に入射する。被測定ファイバ３からの後方散乱光は
再びレンズ２３２を介して超音波光偏向器２３１に入射
し、回折によりその一部が受光素子４に入射する。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、第７図および第８図の装置の場合は５０
％以上の挿入損失があり、第９図装置の場合は光学ファ
イバからの戻り光の偏波面がランダムな場合に５０％以
上の挿入損失が生じてしまう。またこれらの装置は、後
方散乱光のうち光の入射端での大きな光量のフレネル反
射などにより光検出部の増幅器などが飽和するのを防ぐ
ために一時的に光をマスクする光マスク機能を有してい
ない。第１０図装置の場合は超音波光偏向器を用いるこ
とによりこの光マスク機能を実現しているが、挿入損失
が２０％以上あり、また、光学系が大きくなるという欠
点を有している。
％以上の挿入損失があり、第９図装置の場合は光学ファ
イバからの戻り光の偏波面がランダムな場合に５０％以
上の挿入損失が生じてしまう。またこれらの装置は、後
方散乱光のうち光の入射端での大きな光量のフレネル反
射などにより光検出部の増幅器などが飽和するのを防ぐ
ために一時的に光をマスクする光マスク機能を有してい
ない。第１０図装置の場合は超音波光偏向器を用いるこ
とによりこの光マスク機能を実現しているが、挿入損失
が２０％以上あり、また、光学系が大きくなるという欠
点を有している。
本発明は上記の問題点を解決するためになされたもので
、挿入損失が少なく、偏波面依存性がなく、光マスク機
能を有し、光学系を小形化できる光ファイバ試験装置を
実現することを目的としている。
、挿入損失が少なく、偏波面依存性がなく、光マスク機
能を有し、光学系を小形化できる光ファイバ試験装置を
実現することを目的としている。
（問題点を解決するための手段）
本発明は光源からの光を被測定ファイバに入射し被測定
ファイバの後方散乱光を検出することにより被測定ファ
イバの状態を観測する光ファイバ試験装置に係るもので
、その特徴とするところは２つの偏波面分離手段とこの
２つの偏波面分離手段の間に設けたファラデー効果素子
および半波長板とを直列に配置するとともに、前記ファ
ラデー効果素子に磁場を加える磁場印加手段と、この磁
場印加手段を制御する制御手段とを備え、光源からの光
を第１の前記偏波面分離手段に入射して第２の前記偏波
面分離手段から被測定ファイバに出射しだ後被測定ファ
イバの後方散乱光を第２の前記偏波面分離手段に入射し
て第１の前記偏波面分離手段から受光部に出射するよう
に構成した１点にある。
ファイバの後方散乱光を検出することにより被測定ファ
イバの状態を観測する光ファイバ試験装置に係るもので
、その特徴とするところは２つの偏波面分離手段とこの
２つの偏波面分離手段の間に設けたファラデー効果素子
および半波長板とを直列に配置するとともに、前記ファ
ラデー効果素子に磁場を加える磁場印加手段と、この磁
場印加手段を制御する制御手段とを備え、光源からの光
を第１の前記偏波面分離手段に入射して第２の前記偏波
面分離手段から被測定ファイバに出射しだ後被測定ファ
イバの後方散乱光を第２の前記偏波面分離手段に入射し
て第１の前記偏波面分離手段から受光部に出射するよう
に構成した１点にある。
（作用）
上記のような構成によれば、偏波面分離手段で分離した
光の互いに垂直な偏波面を磁界を印加したファラデー効
果素子で回転することにより、光源からの出力光を被測
定ファイバに導くとともに被測定ファイバからの後方散
乱光を受光素子に導くことができ、かつファラデー効果
素子に磁界を加えないで偏波面を回転させないことによ
り、受光素子に対して後方散乱光をマスクすることがで
きる。
光の互いに垂直な偏波面を磁界を印加したファラデー効
果素子で回転することにより、光源からの出力光を被測
定ファイバに導くとともに被測定ファイバからの後方散
乱光を受光素子に導くことができ、かつファラデー効果
素子に磁界を加えないで偏波面を回転させないことによ
り、受光素子に対して後方散乱光をマスクすることがで
きる。
（実施例）
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第１図は本発明に係る光ファイバ試験装置の一実施例、
の光学系部分を示す構成ブロック図である。
の光学系部分を示す構成ブロック図である。
１は半導体レーザなどからなる光源、２４１は光を平行
光線とするためのレンズ、２４２は前記光源１からの出
力光をレンズ２４１を介して入射しこれを偏波面が互い
に直交する２つの直線偏光に分離する光学的な異方性結
晶、２４５および２４６はそれぞれレンズ２４１を介し
て異方性結晶２４２から出射される光の偏波面を回転さ
せるためのファラデー効果素子および半波長板、２４７
はこの半波長板２４７からの出射光をし・ンズ２４１を
介して入射して合成する第２の異方性結晶、３はこの異
方性結晶２４７からの出射光がレンズ２４１を介して入
射する被測定ファイバ、４はこの被測定ファイバ３から
逆方向に出射される後方散乱光を前記異方性結晶２４７
．半波長板２４６゜ファラデー効果素子２４５および異
方性結晶２４２を介して受光する受光素子である。
光線とするためのレンズ、２４２は前記光源１からの出
力光をレンズ２４１を介して入射しこれを偏波面が互い
に直交する２つの直線偏光に分離する光学的な異方性結
晶、２４５および２４６はそれぞれレンズ２４１を介し
て異方性結晶２４２から出射される光の偏波面を回転さ
せるためのファラデー効果素子および半波長板、２４７
はこの半波長板２４７からの出射光をし・ンズ２４１を
介して入射して合成する第２の異方性結晶、３はこの異
方性結晶２４７からの出射光がレンズ２４１を介して入
射する被測定ファイバ、４はこの被測定ファイバ３から
逆方向に出射される後方散乱光を前記異方性結晶２４７
．半波長板２４６゜ファラデー効果素子２４５および異
方性結晶２４２を介して受光する受光素子である。
第２図は上記実施例の制卸系統を示すための構成ブロッ
ク図である。第１図と同一の部分には同じ記号を付しで
ある。２５０は前記ファラデー効果素子２４５の表面に
数層を成して設けられた位相整合膜、２５１はファラデ
ー効果素子２４５の温度を検出する温度センサ、２５２
および２５３はそれぞれ電磁石すなわち磁場印加手段を
構成する鉄心およびコイル、２５４はこのコイル２５３
に流す電流を制御する制御回路である。
ク図である。第１図と同一の部分には同じ記号を付しで
ある。２５０は前記ファラデー効果素子２４５の表面に
数層を成して設けられた位相整合膜、２５１はファラデ
ー効果素子２４５の温度を検出する温度センサ、２５２
および２５３はそれぞれ電磁石すなわち磁場印加手段を
構成する鉄心およびコイル、２５４はこのコイル２５３
に流す電流を制御する制御回路である。
上記装置において、異方性結晶２４２および２４７は２
つの偏波面分離手段を構成する。２つの異方性光学結晶
としては方解石などを用いる。また、ファラデー効果素
子としては、ＹＩＧ単結晶（Ｙ３ Ｆｅ５０＋ ２ ＞
、ＢＧＯ単結晶（ＢＬＩ ２Ｇｅ ０２ ｏ ）、ＢＳ
Ｏ単結晶（ＢＬＩ ２８ｚ ０２゜）、ファラデー回転
ガラスなどを用いる。レンズは屈折率分布型レンズなど
を用いる。半波長板はその主軸が異方性結晶の主軸に対
して２２．５０傾けて配置しである。
つの偏波面分離手段を構成する。２つの異方性光学結晶
としては方解石などを用いる。また、ファラデー効果素
子としては、ＹＩＧ単結晶（Ｙ３ Ｆｅ５０＋ ２ ＞
、ＢＧＯ単結晶（ＢＬＩ ２Ｇｅ ０２ ｏ ）、ＢＳ
Ｏ単結晶（ＢＬＩ ２８ｚ ０２゜）、ファラデー回転
ガラスなどを用いる。レンズは屈折率分布型レンズなど
を用いる。半波長板はその主軸が異方性結晶の主軸に対
して２２．５０傾けて配置しである。
また一般にファラデー効果素子は、磁化が飽和したとき
に大きな反磁場が生じるため、外部から加える磁場は数
千Ｏｅ （エルステッド）程度が必要となっていたが、
ここではファラデー効果素子の厚みを薄くすることによ
り反磁場の影響をなくし約数百０ｅ程度で動作するよう
にしている。その結果素子の厚さが約数百μｍとなり、
内部を導波する光は表面で全反射しながら進むので、全
反射の際に光の偏波面を変化させないよう前記のように
数層の位相整合膜を設けたのである。
に大きな反磁場が生じるため、外部から加える磁場は数
千Ｏｅ （エルステッド）程度が必要となっていたが、
ここではファラデー効果素子の厚みを薄くすることによ
り反磁場の影響をなくし約数百０ｅ程度で動作するよう
にしている。その結果素子の厚さが約数百μｍとなり、
内部を導波する光は表面で全反射しながら進むので、全
反射の際に光の偏波面を変化させないよう前記のように
数層の位相整合膜を設けたのである。
このような構成の光ファイバ試験装置の動作を次に説明
する。第３図および第４図は上記装置の動作を説明する
ために光の偏波面方向を示す動作説明図である。光源１
から出力された光はレンズ２４１を経由して異方性結晶
２４２に入射し、互いに偏波面が垂直な常光２４３（第
３図（Ａ））と異常光２４４（第３図〈Ｄ））に分かれ
て進み、レンズ２４１を介して別々にファラデー効果素
子２４５へ入射する。このときファラデー効果素子２４
５には磁場印加手段によって磁場が印加されているので
、前記異方性結晶２４２から入射する２本の光はそれぞ
れ偏波面を４５°回転される（第３図（Ｂ）（Ｅ））。
する。第３図および第４図は上記装置の動作を説明する
ために光の偏波面方向を示す動作説明図である。光源１
から出力された光はレンズ２４１を経由して異方性結晶
２４２に入射し、互いに偏波面が垂直な常光２４３（第
３図（Ａ））と異常光２４４（第３図〈Ｄ））に分かれ
て進み、レンズ２４１を介して別々にファラデー効果素
子２４５へ入射する。このときファラデー効果素子２４
５には磁場印加手段によって磁場が印加されているので
、前記異方性結晶２４２から入射する２本の光はそれぞ
れ偏波面を４５°回転される（第３図（Ｂ）（Ｅ））。
ファラデー効果素子２４５を出射した２本の光は半波長
板２４６で（易波面を逆方向に４５°回転される（第３
図（Ｃ）（Ｆ））ため、ファラデー効果素子２４５通過
前の状態に戻る。その後異方性結晶２４７内で合成され
た後（第３図（Ｇ））被測定光ファイバ３内へ入射する
。次に被測定光ファイバ３から後方散乱光が戻ってくる
と、異方性結晶２４７内で常光と異常光に分離され（第
４図〈△）（Ｄ））、それぞれ半波長板２４６と磁場が
印加されたファラデー効果素子２４５で偏波面を同一方
向に４５゜づつ合計９０°回転され（第３図（Ｂ）（Ｅ
）（Ｃ）（Ｆ））、結果として常光は異常光に、異常光
は常光に変換される。この２つの光は異方性結晶２４２
で合成された後（第４図（Ｇ））、受光素子４に入射す
る。以上説明したように、ファラデー効果素子２４５に
磁場を印加して、通過光の偏光面が４５°回転するよう
にしておくと、光源から出た光は全て被測定ファイバ３
へ入射し、被測定ファイバ３から戻る後方散乱光は全て
受光素子４へ戻ることになる。ファラデー効果素子２４
５を光パルスが通過してから一定の短時間磁場の印加を
停止すれば、その期間だけ後方散乱光が受光素子４へ戻
らないようにすることができる。
板２４６で（易波面を逆方向に４５°回転される（第３
図（Ｃ）（Ｆ））ため、ファラデー効果素子２４５通過
前の状態に戻る。その後異方性結晶２４７内で合成され
た後（第３図（Ｇ））被測定光ファイバ３内へ入射する
。次に被測定光ファイバ３から後方散乱光が戻ってくる
と、異方性結晶２４７内で常光と異常光に分離され（第
４図〈△）（Ｄ））、それぞれ半波長板２４６と磁場が
印加されたファラデー効果素子２４５で偏波面を同一方
向に４５゜づつ合計９０°回転され（第３図（Ｂ）（Ｅ
）（Ｃ）（Ｆ））、結果として常光は異常光に、異常光
は常光に変換される。この２つの光は異方性結晶２４２
で合成された後（第４図（Ｇ））、受光素子４に入射す
る。以上説明したように、ファラデー効果素子２４５に
磁場を印加して、通過光の偏光面が４５°回転するよう
にしておくと、光源から出た光は全て被測定ファイバ３
へ入射し、被測定ファイバ３から戻る後方散乱光は全て
受光素子４へ戻ることになる。ファラデー効果素子２４
５を光パルスが通過してから一定の短時間磁場の印加を
停止すれば、その期間だけ後方散乱光が受光素子４へ戻
らないようにすることができる。
この光マスク機能を用いて、光の入射端における大きな
フレネル反射などにより受光部の増幅器などの飽和が生
じるのを防ぐことかできる。実際には制御回路２５４に
光マスク信号を送ることにより動作させる。
フレネル反射などにより受光部の増幅器などの飽和が生
じるのを防ぐことかできる。実際には制御回路２５４に
光マスク信号を送ることにより動作させる。
またファラデー効果素子２４５の温度を温麿センサ２５
１で検出して印加する磁場の大きさを制、御しているの
で、偏波面が正確に４５°回転できる。
１で検出して印加する磁場の大きさを制、御しているの
で、偏波面が正確に４５°回転できる。
この様な構成の装置によれば、光の損失がなく、かつ偏
波面依存性のない光ファイバ試験装置を実現できる。
波面依存性のない光ファイバ試験装置を実現できる。
また板厚の薄いファラデー効果素子と位相整合膜を用い
ているため、少ない電流でファラデー効果素子を駆動で
き、低電力で高速な光マスク機能を実現できる。
ているため、少ない電流でファラデー効果素子を駆動で
き、低電力で高速な光マスク機能を実現できる。
なおファラデー効果素子として、最近開発された材料、
例えばＢＪ、置換ガドリニウム鉄ガーネット単結晶（Ｇ
ｄ３−ｘＢＬｘＦｅ５０＋ ２ ＞を用いれば、光軸方
向の長さを短くできるので、ファラデー効果素子の厚さ
を薄くしたり、位相整合膜を設けずに実現することもで
きる。
例えばＢＪ、置換ガドリニウム鉄ガーネット単結晶（Ｇ
ｄ３−ｘＢＬｘＦｅ５０＋ ２ ＞を用いれば、光軸方
向の長さを短くできるので、ファラデー効果素子の厚さ
を薄くしたり、位相整合膜を設けずに実現することもで
きる。
第５図は本発明の他の実施例で、第１図の光学系におい
て偏波面分離手段として異方性結晶の代りに偏光ビーム
スプリッタとプリズムを用いたものを示す構成ブロック
図である。第１図と同一の部分には同じ記号を付して説
明を省略する。図において、光源１から出射した光はレ
ンズ２６１を介して偏光ビームスプリッタ２６２に入射
した後透過または反射して互いに垂直な偏波面を有する
２つの出力光に分離される。透過光は第１図の場合と同
様にファラデー効果素子２４５および半波長索子２４５
を通過しプリズム２６３で反射して方向を変えられる。
て偏波面分離手段として異方性結晶の代りに偏光ビーム
スプリッタとプリズムを用いたものを示す構成ブロック
図である。第１図と同一の部分には同じ記号を付して説
明を省略する。図において、光源１から出射した光はレ
ンズ２６１を介して偏光ビームスプリッタ２６２に入射
した後透過または反射して互いに垂直な偏波面を有する
２つの出力光に分離される。透過光は第１図の場合と同
様にファラデー効果素子２４５および半波長索子２４５
を通過しプリズム２６３で反射して方向を変えられる。
反則光はプリズム２６４で反射されて方向を変えた後フ
ァラデー効果素子２４５および半波長素子２４６を経由
して前記プリズム２６３の出力光とともに偏光ビームス
プリッタ２６５に入射して合成される。偏光ビームスプ
リッタ２６５からの出射光はレンズ２６１を介して被測
定ファイバ３に入射する。被測定ファイバ３からの後方
散乱光は同様に偏光ビームスプリッタ２６５にお【プる
反射および透過により互いに垂直な偏波面を有する２つ
の出力光に分離される。反射光は半波長板２４６．ファ
ラデー効果素子２４５およびプリズム２６４を介して偏
光ビームスプリッタ２６２に入射する。透過光はプリズ
ム２６３、半波長板２４６およびファラデー効果素子２
４５を介して偏光ビームスプリッタ２６２に入射する。
ァラデー効果素子２４５および半波長素子２４６を経由
して前記プリズム２６３の出力光とともに偏光ビームス
プリッタ２６５に入射して合成される。偏光ビームスプ
リッタ２６５からの出射光はレンズ２６１を介して被測
定ファイバ３に入射する。被測定ファイバ３からの後方
散乱光は同様に偏光ビームスプリッタ２６５にお【プる
反射および透過により互いに垂直な偏波面を有する２つ
の出力光に分離される。反射光は半波長板２４６．ファ
ラデー効果素子２４５およびプリズム２６４を介して偏
光ビームスプリッタ２６２に入射する。透過光はプリズ
ム２６３、半波長板２４６およびファラデー効果素子２
４５を介して偏光ビームスプリッタ２６２に入射する。
、偏光ビームスプリッタ２６２でこの２つの光は合成さ
れ、レンズ２６１を介して受光素子４に入射する。その
他の動作および特長は第１の実施例と同様である。
れ、レンズ２６１を介して受光素子４に入射する。その
他の動作および特長は第１の実施例と同様である。
なお上記の実施例で使用しているプリズムの代りにミラ
ーを用いてもよい。
ーを用いてもよい。
また磁場印加手段として、ソレノイド形コイルでファラ
デー効果素子全体を覆ってもよい。
デー効果素子全体を覆ってもよい。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば、挿入損失が少なく、
偏波面依存性がなく、光マスク機能を有し、光学系を小
形化できる光ファイバ試験装置を実現することができる
。
偏波面依存性がなく、光マスク機能を有し、光学系を小
形化できる光ファイバ試験装置を実現することができる
。
第１図は本発明に係わる光ファイバ試験装置の一実加例
の一部を示す構成ブロック図、第一２図は同全体を示す
構成ブロック図、第３図および第４図は第１図装置の動
作を説明するための動作説明図、第５図は本発明の第２
の実施例を示す構成ブロック図、第６図〜第１０図は従
来の光ファイバ試験装置を示す構成ブロック図である。 １・・・光源、３・・・被測定ファイバ、２４２．２４
７．２６２，２６３，２６４．２６５・・・偏波面分離
手段、２４５・・・ファラデー効果素子、２４６・・・
半波長板、２５２，２５３・・・磁場印加手段、２５４
・・・制御手段。 第３図 ７．４図 （Ａ） ＣＢ） （Ｃ）
（Ａ＞ （Ｂ） （こ
〕（Ｄ） （Ｅ） （／”）
（Ｄ） （Ｉ：） （Ｆ）第５図 第す図 第７図 第９図 ／ｌ ｎ４ 第１図 ７．１０図
の一部を示す構成ブロック図、第一２図は同全体を示す
構成ブロック図、第３図および第４図は第１図装置の動
作を説明するための動作説明図、第５図は本発明の第２
の実施例を示す構成ブロック図、第６図〜第１０図は従
来の光ファイバ試験装置を示す構成ブロック図である。 １・・・光源、３・・・被測定ファイバ、２４２．２４
７．２６２，２６３，２６４．２６５・・・偏波面分離
手段、２４５・・・ファラデー効果素子、２４６・・・
半波長板、２５２，２５３・・・磁場印加手段、２５４
・・・制御手段。 第３図 ７．４図 （Ａ） ＣＢ） （Ｃ）
（Ａ＞ （Ｂ） （こ
〕（Ｄ） （Ｅ） （／”）
（Ｄ） （Ｉ：） （Ｆ）第５図 第す図 第７図 第９図 ／ｌ ｎ４ 第１図 ７．１０図
Claims (4)
- （１）光源からの光を被測定ファイバに入射し被測定フ
ァイバの後方散乱光を検出することにより被測定ファイ
バの状態を観測する光ファイバ試験装置において、 ２つの偏波面分離手段とこの２つの偏波面分離手段の間
に設けたファラデー効果素子および半波長板とを直列に
配置するとともに、前記ファラデー効果素子に磁場を加
える磁場印加手段と、この磁場印加手段を制御する制御
手段とを備え、光源からの光を第１の前記偏波面分離手
段に入射して第２の前記偏波面分離手段から被測定ファ
イバに出射した後被測定ファイバの後方散乱光を第２の
前記偏波面分離手段に入射して第１の前記偏波面分離手
段から受光部に出射するように構成したことを特徴とす
る光ファイバ試験装置。 - （２）光源からの光を第２の偏波面分離手段から被測定
ファイバに出射した後磁場印加手段が一定時間ファラデ
ー効果素子に磁場を印加しないようにした特許請求の範
囲第１項記載の光ファイバ試験装置。 - （３）偏波面分離手段を異方性結晶で構成した特許請求
の範囲第１項記載の光ファイバ試験装置。 - （４）偏波面分離手段を偏光プリズムと全反射プリズム
で構成した特許請求の範囲第１項記載の光ファイバ試験
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24345785A JPS62102131A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 光フアイバ試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24345785A JPS62102131A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 光フアイバ試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102131A true JPS62102131A (ja) | 1987-05-12 |
Family
ID=17104169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24345785A Pending JPS62102131A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 光フアイバ試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102131A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0580858A1 (en) * | 1992-02-17 | 1994-02-02 | Sumitomo Cement Co. Ltd. | Method of measuring the amount of light reflected by an optical fiber and device therefor |
| CN102607814A (zh) * | 2012-03-27 | 2012-07-25 | 清华大学 | 一种光学元件各向异性检测装置 |
| GB2496318A (en) * | 2011-11-07 | 2013-05-08 | Gooch & Housego Plc | Polarisation diversity detector |
| CN111366337A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-03 | 中兴光电子技术有限公司 | 一种片上偏振旋转测试装置和方法 |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP24345785A patent/JPS62102131A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0580858A1 (en) * | 1992-02-17 | 1994-02-02 | Sumitomo Cement Co. Ltd. | Method of measuring the amount of light reflected by an optical fiber and device therefor |
| EP0580858A4 (en) * | 1992-02-17 | 1994-03-21 | Sumitomo Cement Co | METHOD AND DEVICE FOR MEASURING THE QUANTITY OF LIGHT REFLECTED BY AN OPTICAL FIBER. |
| GB2496318A (en) * | 2011-11-07 | 2013-05-08 | Gooch & Housego Plc | Polarisation diversity detector |
| CN102607814A (zh) * | 2012-03-27 | 2012-07-25 | 清华大学 | 一种光学元件各向异性检测装置 |
| CN111366337A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-03 | 中兴光电子技术有限公司 | 一种片上偏振旋转测试装置和方法 |
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