JPS6198369A - 静電記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は静電記録装置に関する。より特定的ｒｃは、
この発明は、アモルファスシリコンのよりな光導電層が
露光されてそこに静電潜像が形成され、その静電潜像が
トナーによって現像される。

静電記録装置に１関する。

（ロ）従来の技術 静電記録装置ｔ’ｉｓ周知のように、感光体ドラ、　ム
を含み、この感光体ドラムは導電性基台に支持され九光
導電層を含む。そして、その光導電層に帯電コロドロア
＃Ｃよって正極性の電荷が帯電され。

その後この光導電層が露光されることによってその光導
電層に静電潜像が形成される。その後負極性に帯電され
九トナーを用いてその静電潜像が現像される。

このよりな静電記録装置の光導電層としては、従来、セ
レンが多用されている。光導電層がセレンの場合、帯電
コロドロアによりて帯電されるその表面電位は６００な
いし８００ｖとされ、そのような表面電位を得る九め＃
Ｃは、帯電コロトロンから感光体ドラムすなわち光導電
層ｒｃｒｉ２０声Ａ程度の電流が流れ込むだけでめった
。

一方、最近では、とのよりな感光体ドラムの光導電層と
して、耐磨耗性など機械的強度にすぐれたアモルファス
シリコンを用いることが提案されかつ実現されている。

たとえば％　１９８２年８月１２日付けで出願公開され
几特開昭５７−１３００３８号を参照されたい。

光Ｓｔ層がアモルファスシリコンの場合、従来のセレン
等の場合に比べて、その比抵抗が小さいので、光導電層
で高い電圧を保持することができず、その表面電位は、
九とえば、４ｏｏｖ程度である。そして、このようにア
モルファスシリコンの光導電層に４００Ｖ帯電させるた
めには、帯電コロトロンから感光体ドラムへは１通常％
２００ないし２５０声Ａ程度の電流が流れ込む。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 前述のように光導電層に２００μÅ以上の大きな電流が
流れると、光導電層ｒｃｌｆ、帯電コロト１　　　　　
　ロンの放電むらによろ帯電むらが生じる。このよ）゛
　　　　　　うな帯電むらは光導電層における部分的な
絶縁破壊を招来する。そして上述のよりな絶縁破壊は永
久的なダメージとして残り、結果的に、その部分には静
電潜像は形成されず、したがって、いわゆる「白ぬけ」
を生じる。

このよ５に、感光体としてアモルファスシリコンを主体
とする光導電層を用いる場合、その表面電位を一定以上
九するためＫは、大きな電流が必要であるが、他方、そ
のような大きな電流を流せば光導電層の電気的強度が劣
化し、感光体の寿命が短くなってしまうのでるる〇 それゆえＶＣ，この発明の主たる目的は、感光体の電気
的特性の劣化を抑制し、感光体の長寿命化を図ることが
できる、静電記録装置を提供することである。

に）問題点を解決する九めの手段 静電記録装置は感光体ドラムを含み、この感光体ドラム
は導電材料からなる基台およびその上に形成されたアモ
ルファスシリコンからなる光導電層を含む。導電性基台
と基準電位との間に抵抗□ が接続される。

（ホ）作　用 導電性基台と基準電位との間に抵抗が接続されていると
、感光体ドラムの光導電層に電流が流れるとき、この抵
抗によってバイアス電圧が発生される。光導電層の表面
電位は光導電層の電荷とバイアス電圧とによって一定に
保持式れるとともに、抵抗によって光導電層に流れ込む
電流量が減少される。

（へ）冥施例 第１図はこの発明が適用され得る静電記録装置の一例と
しての電子複写機を示す構造図である。

この発明は、このよりな電子複写機の他に、たとえばプ
リンタ、ファクシミリマ几ハその他のもののように、光
導電層が帯′成された後露光されてその光導電層ＩＣ静
電潜像が形成されるような、全ての静電記録装置に適用
できるものである。ということ？予め指摘しておく。

まず、この発明の理解に必要な範囲でこの電子複写機に
ついて概略的に説明する。電子複写機１０は機体１２に
−含み、この機体１２の上面Ｋｒｉ、その上に原稿（図
示せず）を載せる几めの原稿台１４が、矢印方向ｖｃ移
動ないし摺動可能に設けられる。機体１２の上面にはス
リットが形成され。

そのスリットに関連して１Ｍ体１２内ｒｃ　ｉｄ　ｓた
とえばハロゲノランプのような光源１６が固定的に設け
られる。この光源１６に関連して、その断面が楕円形の
反射鏡が設けられ、光源１６からの光は、この反射鏡に
よって反射されて原稿台１４上に載せられた原稿に照射
される。したがって、原稿台１４が矢印方向へ移動され
ることに応じて、原稿が上述のスリットを介ｆ、て光源
からの光を受けてそれを反射する。原稿からの反射光す
なわち原稿像はそのスリットの下方に固定的に設けられ
た短焦点レンズアレイ１８を通して感光体ドラム２０上
に投影され結像される。この短焦点レンズアレイ１８ｒ
１．多数のロツドレシズを密接配列し比集束性元伝導体
からなろ。なお、このような短焦点レンズアレイ１８は
、他のプラスチックレンズアレイや通常の凸レンズに代
見られてもよいことは勿論でるる。

感光体ドラム２０ｄ、この電子複写装置１００機体１２
内のほぼ中央に配置され、駆動源（図示せず〕によって
原稿台１４の移動と同期して、時計方向に回転される。

感光体ドラム２０は、第３図に示すように、導電性基台
２Ｃ１およびその上に積層的に形成されたアモルファス
シリコンからなる光導電層２０ｂを含む。また、感光体
ドラム２０の周囲には、その回転方向の順に、帯電コロ
トロン２２．現像装置２４．給紙装置２６．転写コロト
ロン３０９分離コロトロン３２訃よびクリーニング装置
４０が配列されている。

帯電コロトロ／２２は、感光体ドラム２０上に原稿像が
結像されるより前ｒｃ、この感光体ドラム２０の光導電
層２０ｂ（第３図）上に均一に或る極性たとえば正極性
の電荷を帯電させる几めのものであり電図示しなり直流
高圧電源に接続される。

この帯電コロトロン２２ＦＣよりて帯電された感光体ド
ラム２０上に短焦点レンズアレイ１８５ｅ通しく　　　
　　　て原稿像が照射されると、この感光体ドラム２０
・ｊ う の光導電層２０ｂの光導電特性に応じて、感光体ドラム
２０上に静電潜像が形成される。

現像装置２４は、そのような感光体ドラム２０上に形成
された静電潜像を或る極性たとえば負極性に帯電された
トナーによって可視像に現像する几めのものでめり、周
知のように、トナーボックスや磁気ブラシなどを含む。

給紙装置２６は給紙カセット（図示せず〕内に積層され
九紙２８を、１枚ずつ感光体ドラム２０の表面にもたら
すためのものである。その目的で。

給紙装置２６には、給紙ローラ２７およびレジスタロー
ラ２９が含まれる。給紙ロー２２７は１図示しない駆動
装置によって時計方向に回転され、その局面に接触し九
紙２８をレジスタローラ２９方同に取り込む。レジスタ
ローラ２９は給紙ローラ２７によって給送されｔｆＩｆ
ｃｇｅ適当Ｑ？タイミングで感光体ドラム２０の方向に
送り込むためのものである・ このようにして給紙装置２６から給送されｔ紙屯感光体
１°５ｂ２ＱＯ表１″接触した状態Ｃ″感　　　　　ｉ
光体ドラム２０の回転に応じて転写コロトロン３０の位
置にもたらされる。この転写コロトロン３０は、現像装
置２４のトナーとは逆極性の電荷を発生する。し友がっ
て、感光体ドラム２０上にトナー像を形成していたトナ
ーが、転写コロトロン３０の電界に引かれて紙２８上に
転写される。

分離コロトロン３２は、上述の転写の際に感光体ドラム
２０上に密着しようとする紙を、その感光体ドラム２０
から分離するためのものであフ。

たとえば交流コロナ放電器からなる。分離コロドロア３
２Ｖｃよって分離された紙は、その搬送方向下流側に設
けられ之搬送コンベア６４によってさられ搬送される。

この搬送コンベア３４は、駆動源（図示せず）によりて
Ｂｅされるメツシュ状のエンドレスベルトト、ソのエン
ドレスベルトの下方に設けられたバキュームユニットと
を含むｏしたがりて１紙はメツシュベルト上にもたらさ
れてバキュームユニットによって吸引され、ベルトの移
送にともなって、定着装置３６方向に搬送される。

搬送コンベア３４の上方Ｋｌ−！、感光体ドラム２０に
関連してクリーニング装置４０が設けられる。

このクリー二／グ装置４０ｆ１．感光体ドラム２０上の
トナー像が紙に転写された後、この感光体ドラム２０上
に残存するトナーを除去する几めのものである。その目
的で、このクリー二／グ装置４０は、感光体ドラム２０
の表面に当接して残存トナーを掻き落とすｔめのブレー
ドやそのよ５にして掻き落とされたトナーを収納するボ
ックスなどを含む。

定着装Ｒ３６は、電気ヒータを内蔵した加熱ローラと、
この加熱ローラに対して先にトナー像が転写された紙を
押しつけるための加圧ローラとを含む。したがって、こ
の２つのローラの間を紙が通過する際、その紙の上に転
写され几トナーが、加熱ローラによって溶融され、加圧
ローラによって紙の組織内部に押し込まれ、トナー像が
紙に定着されるのである。その後１紙２８は、排紙ロー
ラによって排紙トレイ３８上に排出される。

機体１２内には、制御ボックス４２が設けられ。

この制御ボックス４２内には、上述のようなシステムの
全体的な動作を制御する几めの電気回路を形成するプリ
ント基板（図示せず］などが収納されている。

さらに１機体１２内の下部には、電源ユニット４４が収
納される。この電源ユニット４４には。

図示しないそれぞれの駆動源たとえばモータに電力を供
給する九めの駆動用電源および帯電コロトロン２２およ
び転写コロトロン５０ｒＣ直流高電圧を印加するための
直流高圧電源や分離コロトロン３２Ｖｃ交流高圧を印加
するための交流高圧電源などが含まれる。

ｆ４１図のような電子複写装置１０において、原稿台１
４上に原稿が載せられ、スタートボタン（図示せず〕を
押すと、原稿台１４が矢印方向に移動し、光源１６によ
って形成された光像が短焦点レンズアレイｉａｔ通して
感光体ドラム２０上に照射される。これに先だって、感
光体ドラム２０が、第２図（Ａに示すようｒｃ駆動源（
図示せず〕に１　　　　　　よって回転開始されている
。その感光体ドラム２ド ０の回転開始の後、第２図＠に示すように、タイミンク
ｔｏで、帯電コロトロン２２による放電が開放される。

そのために、感光体ドラム２０の該当部分が短焦点レン
ズアレイ１８の直下に達するまでには、その部分は帯電
コロトロン２２ｒｃよりて所定の電荷が帯電されている
。その後、上述の露光が行われ、光導電層２０ｂの露光
されｔ部分に静電潜像が形成される。つぎに、第２図０
に示すように、タイミングｔｘで現像装置２４が作動し
、ついで、第２図０ｒｃ示すよりに、タイミングｔ２で
転写コロトロン３０および分離コロトロ／３２が作動を
開始する。

第３図はこの発明の一実施例を示す回路図でろる。この
１ｇ３図に示すよりに、感光体ドラム２０は、たとえば
アルミニウムないしは類似の金属材料からなる円筒状の
基台２０＆と、この基台２０ＪＬＪ：ｒｃ影形成れた光
導電層２０ｂ、！＝５ｅ含み、この光導電層２０ｂは、
−例として、アモルファスシリコ７によって形成される
・このよりなアモルファスシリコンとしては、九とえば
先に引用し几特　　　　　　１開昭５７−１３００３８
号公報に開示されているものが利用可能である。そして
、その感光体ドラム２０の周辺ｒｃＦｉ　％上述のより
ｒｃ、帯電コロトロン２２が設けられ、この帯電コロト
ロン２２は。

電源ユニット４４（第１図〕に含まれる直流高圧電源４
４１に接続される。

一方、感光体ドラム２０の基台２Ｃ１は、抵抗回路４６
Ｔｋ通して基準電位すなわちアース電位に接続される。

抵抗回路４６は、抵抗４６１を含み。

好ましくはこの抵抗４６１に並列的に接続されたコンデ
ンサ４６２を含む。抵抗４６１とコンデンサ４６２とが
用いられた場合には、この抵抗回路４６は充放電回路す
なわち時定数回路として形成される。

この第３図実施例は、第４図に示す等価回路で表すこと
ができる。すなわち、感光体ドラム２０の光導電層２０
ｂ＆−１１，抵抗２よびコンデ／すの並列回路として考
えることができ、その抵抗２よびコンデンサのそれぞれ
の値は、前述の露光によって変化する。

この発明は、このような抵抗回路４６を用いて。

感光体ドラム２０に流れる電流（ｒｄ）を小さくし・、
シかも感光体ドラム２０の光導電層の表面電位（Ｖｓ）
を一定値九とえば４００ｖに維持せんとするものである
。すなわち、抵抗回路４６に含まれる抵抗４６１ｒＣよ
って、そのドラム電流（ｆｄ）が制限され、その抵抗４
６１０両端に生じる電圧がバイアス電圧（Ｖｂｉａａ）
として表面電位（Ｖａ）を持ち上げろために利用される
。

抵抗回路４６ｒｃよるバイアス効果は基本的には。

その抵抗回路４６ｒｃ電流が流れている期間においての
み発揮されるものでメク、そして、その電流が流れるの
は、露光時にその光導電層に流れる電流は小さく殆ど無
視で客るので、第２図＠訃よび０１Ｃおいて一０Ｎ−で
示す期間である。なお、感光体ドラム２００表面電位は
、第２図（Ｑｒｃ示すような、現像期間において、現像
バイアスに対して、・或る程度以上大きいことが要求さ
れる。

そして、発明者は、抵抗回路４６の効果を確認するため
に、抵抗回路４６に２ける各エレメントの値を種々に変
更して、実験した。実験では、第５図に示すような測定
回路を用いて、感光体ドラム２０へ流れ込むドラム電流
１ｄ）、感光体ドラム２０の表面電位（Ｖｓ）および抵
抗回路４６によるバイアス電圧（Ｖｂｌａｇ）を測定し
几。

具体的には、感光体ドラム２０の近傍に表面電位計４８
が設置され、感光体ドラム２０と抵抗回路４６との間Ｋ
ｄ直流電流計５０が接続される。

そして、抵抗回路４６に、含まれる抵抗４６１の適当な
箇所からバイアス電圧〔ま几μそれに比例した電圧〕糸
数り出される。表面電位計４８によって測定され比表面
電位（ｖｓ）ｐ工び抵抗回路４６ｒｃよるバイアス電圧
（Ｖｂｉａａ）は、ともに、２ベンレコーダ５２に与え
られる。２べ／レコーダ５２では、表面電位（Ｖｓ）７
よびバイアス電圧（Ｖｂｉａｇ）のそれぞれの波形が別
々のペンで所定の記録用紙に記録される。

次に、第６図ないし第１５図を参照して、実験結果につ
いて説明する。

、５　　　　　　　第６図は抵抗回路４６（第３図〕が
ない場合のすなわち先行技術の表面電位（Ｖａ）および
バイアスこ圧（Ｖｂｉａｓ）を示す波形図である。

まず、その抵抗値が１ＭΩの抵抗４６１のみが含まれる
抵抗回路４６〔第３図〕が接続された。

この場合１表面電位（Ｖａ）およびバイアス電圧（Ｖｂ
ｌａｓ）は、それぞれ、第７図に示すようになる。この
第７図かられかるよりに、感光体ドラム２０すなわち光
導電層２０ｂと接地電位との間に抵抗回路４６が接続さ
れると、その光導電層２０ｂｒｃ電流が流れるとき、抵
抗４６１０両端に、第７図の下段に示すような兵イアス
電圧（”ｖ’ｂｉａｍ）が生じる。光導電層２０ｂの表
面電位（Ｖａ）ｉｊ第６図に示す従来例と同じように、
はぼ４００ｖとする。この表面電位（Ｖ　ｓ　）は、第
４図■の等価回路かられかるように、感光体ドラム２０
の電圧と上述のバイアス電圧（ｖｂｉａｓ）との和であ
る。バイアス電圧は、この第７図の場合、約２００ｖで
あり、したがって、感光体ドラム２０それ自体は２００
ｖ程度の電圧を分担するだけでよいことになる。このよ
りにして、感光体ドラ４□。えよ９．ｃ負担ｇａ、ｇ−
＜□８ヶ来。４０　　　　　　’Ｏｖから２００Ｖ’ｒ
ｃ下げることができるので、感光体ドラム２０の負担が
軽減されるばかりでなく。

電流計５０（８５図）Ｖｃ流れるドラム電流（ｌｄ）は
従来より小さくなる。具体的＃ＩＣは、電流（工ｄ）ｄ
％第６図で示す従来の場合的２３５μＡでめったが、第
７図に示す場合的１７３μＡでめりた〇 ５ｇ７図に示す例では、抵抗回路４６の抵抗４６１０作
用によって、バイアス電圧（Ｖｂｌａａ）そしてそれゆ
えに表面電位（Ｖｓ）Ｋ分離コロトロン３２（ｇｒＪ１
図〕の影響を受ける。これは、感光体ドラム２０の基台
２０＆が１ＭΩの抵抗４６１を介してアースに接続され
る几めである。このような交流ｆ圧の影響を除去する之
めＶｃは、・抵抗回路４６の抵抗４６１に並列にコンデ
ンサ４６２を接続すればよい。

＠８図は抵抗回路４６として１ＭΩの抵抗４６１とそれ
に並列接続され九α０１４７μＦのコンデンサ４６２、
とを用いた場合のバイアス電圧および表面電位の波形図
である。この第８図かられかるように、抵抗４６１に並
列に２とえば０．０４７μＦ程度のごく小さ一容量のコ
ンデンサ４６２を接続するだけで、第７図のよりな交流
高圧の影響を除去することができる。この第８図に示す
例でｒｉ、コンデンサ４６２のリアクタンスによってド
ラム電流（工ｄ）が影響を受けるが、コンデンサ４６２
の容量がごく小さいので、その電流（Ｅｉ）？−１４に
７図の場合と同じよう鵡約１７３μＡ程度であったＯ 第９図は抵抗回路４６として１ＭΩの抵抗４６１と０．
５μＦのコンデンサ４６２とを用いた場合の波形図であ
る。この場合にり、抵抗４６１とコンデンサ４６２とに
よって或る大きさの時定数を有する時定数回路が構成さ
れ、その時定数に応じ−て、バイアス電圧（Ｖｂｌｉｓ
）が、第９図のよ７うに指数関数的に増加し、約２００
”／に達する。表面電位（ｖ８）は必要な値たとえば４
００ｖに維持される。その念め、感光体ドラム２０（光
導電層２ｏｂ）で保持すべき電圧は！＋７２００ｖでよ
い。一方、コンデンサ４６２のリアクタンスによって、
ドラム電流（，１，ｄ）は、やや増加し、約１７５μＡ
となる。

第１０図は抵抗回路４６として１ＭΩの抵抗４６１と１
μＦのコンデンサ４６２とを接続し几場合の波形図であ
る。この第１０図の例では、抵抗４６１とコンデンサ４
６２とによる時定数が大きくなり抵抗回路４６によるバ
イアス電圧（Ｖｂｉａａ）に約１００ｖ程度と小さくな
り、したがってドラム電流（ｉｄ）ｄ、この第１０図の
場合、約２１０μＡとなる。

さらＶｃ、第１１図は、抵抗回路４６として１ＭΩの抵
に４６１ｊｒよびｚ２μＦのコンデンサ４６２を用いた
場合の波形図であり、第１２図はそのコンデンサ４６２
の値を４．７μＦとじ几場合の波形図である。１八ずれ
の場合もコツプ／す４６２のリアクタ７スが大きく影響
し、バイアス電圧（Ｖｂｉａｓ）が小きくなり、それに
応じてドラム電流（てｄ〕が大きくなっている。ドラム
電流（より　　　　　　　ｄ）は、第１１図の場合、約
２１０μ人となり。

１　　　　　第１２図の場合、約２１８μＡとなる。

第１３図は抵抗回路４６として０．１ＭΩの抵抗４６１
だけを用いた場合のバイアス電圧と表面電位の波形を示
す。この＠１３図の場合、抵抗回路４６ｒｃおける抵抗
が非常に小さいので、そのバイアス電圧も非常に小さい
が、それでもドラム電流（イｄ）を約２３０μＡ８ｉ度
と、第６図に示す従来例に比べて、小さくすることがで
きる〇第１３図の例では、抵抗回路４６には抵抗４６１
しか含まれていないので、先の第７図と同じように、交
流成分の影響を受ける。し念がって、このエフな交流成
分の影響を除去する几めには、コンデンサ４６２を用い
ればよい。

＠１４図は抵抗回路４６として０．　Ｉ　Ｍｇの抵抗４
６１とα０４７μＦのコンデンサ４６２とを用い九場合
の波形図を示す。この第１４図では、交流成分は殆ど現
れていない。

第１５図は抵抗回路４６として３ＭΩの抵抗４６１と２
．２μＦのコンデンサ４６２とを用い九場合の波形図で
ある。この場合、バイアス電圧は約　　　　　　１１０
０ｖ椙度となり、ドラム電流（Ｉｄ）は約２１５／ＩＡ
でめり几。

この一連の実験の結果が次表に示されている。

ここで、第１６図を参照して、感光体ドラム２０と基準
電位との間に抵抗回路４６を接続する具体的な方法の一
例について説明する。

感光体ドラム２゛０ハシヤフト２０１によって機体１２
に回転自在に支持される。感光体ドラム２０の一端にｔ
ｉｔ九とえば合成樹脂のよりな絶縁材料から・なるフラ
ンジ２０２が取り付けられていて、他端ｒｃは基台２０
ａと同じような導電材料からなろフランジ２０３が取り
付けられる。７ランジ２０２は金属のよりな導電材料か
らなる歯車２０４と一体化されている。この歯車２０４
０周側面には駆動源（図示せず〕に連結された歯車２０
５が噛み合わされる。導電性７ランジ２０３ｔ−Ｊ絶縁
性スリーブ２０６と一体化され、このスリーブ２０６が
シャフト２０１に固着されている。なお、シャフト２０
１と機体１２との間には、それぞれベアリング２０７お
よび２０８が介挿されている。

駆動源（図示せず）＃′Ｃよりて歯車２０５が回されろ
と、それに噛み合り歯車２０４が回り、したがりて感光
体ドラム２０が先に説明したようにシヤフト２０１を中
心としてその時計方向に回転される。

感光体ドラム２０の他方端の導電性７ランジ２０３の端
面には、支持台２１０に取シ付けられ光導電ブラシ２０
９の先端が接触される。そして。

この導電ブラシ２０９の一端が、抵抗回路４６ｇｅ通し
て、接地される。

なお、この抵抗回路４６ｒｉ、制御ボックス４２（第１
図）に収納されるプリント基板（図示せず〕上に形成さ
れればよい。

抵抗回路４６′ｆｅ接続する他の方法は、当業者なら容
品に推考できようが、要は、導電性基台２０＆ｉ接地電
位から浮がせ、その上で、その基台２０ａと接地電位と
の間に抵抗回路４６を接続すればよいのである。

（ト）発明の効果 １　　　　　　　　この発明に、感光体の光導電層を抵
抗手段を；：： 介して基準電位たとえばアース電位に接続するようにし
た。静電記録装置である。

この発明によれば、光導電層の表面電位がその光導電層
自体およびその光導電層と基準電位との間に接続されて
いる抵抗手段とに分割され、抵抗手段がバイアスとして
の機能を果たし、光導電層の表面電位そのものは十分大
きな値に維持され得る。したがって、光導［８それ自体
で保持すべき電圧が従来のものにくらべて小さくでき、
シ念がって、もし、光導’ｙｉｔｒｅがアモルファスシ
リコンのような比抵抗の小さい材料からなるものであっ
ても、従来のように感光体に大きな・電流を流す必要が
なく、光導電層すなわち感光体に流れ込む電流量は小さ
くてよい。したがって、この発明によれば、光導電層の
帯電むらを解消することができ。

感光体の電気的強度の劣化が少なくなり、より長寿命の
静電記録装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明が適用され得る電子複写機を示す構造
図である。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
１ｖＪ２図１′ｉ％１図に示す電子複写機の動作を概略
的に説明するためのタイミング図である。 第３図はこの発明の一実施例を示す電気回路図である。 第４図は第３図実施例の等価回路図である。 第５図は表面電位およびドラム電流などを測定するため
の測定装置を示す回路図である。 ￥１６図は従来技術における光導電′層の表面電位の波
形を示すグラフである。 第７図ないし第１５図は、それぞれ、この発明に従った
それぞれ異なる実施例における光導電層の表面電位とバ
イアス電位との波形を示すグラフ（２０ｂ）−ｉ導電層
、＋２３　・・・帯電＝ｚ口）　ａｙ、　ｉ４Ｑ・・・
抵抗回路、（４６１）・・・抵抗。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光導電層を有する感光体と、前記感光体の前記光導
   電層に或る極性の電荷を帯電させるための帯電手段と、
   前記感光体の前記光導電層を基準電位に接続するための
   抵抗手段とが具備されている静電記録装置。 ２、感光体はその上に前記光導電層が形成される導電性
   基台を含み、前記抵抗手段は前記導電性基台と前記基準
   電位との間に接続される特許請求の範囲第１項記載の静
   電記録装置。 ３、光導電層はアモルファスシリコンからなり、抵抗手
   段の抵抗値は０．１ないし１０ＭΩに選ばれる特許請求
   の範囲第１項若しくは第２項記載の静電記録装置。