JPS6196741A - リ−ドフレ−ム収納容器 - Google Patents
リ−ドフレ−ム収納容器Info
- Publication number
- JPS6196741A JPS6196741A JP21772184A JP21772184A JPS6196741A JP S6196741 A JPS6196741 A JP S6196741A JP 21772184 A JP21772184 A JP 21772184A JP 21772184 A JP21772184 A JP 21772184A JP S6196741 A JPS6196741 A JP S6196741A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- resin
- lead frames
- lead
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型集積回路を製造する過程で半製品と
して形成される樹脂封止済リードフレームを複数枚収納
するリードフレーム収納容器に関する。
して形成される樹脂封止済リードフレームを複数枚収納
するリードフレーム収納容器に関する。
従来のリードフレーム収納容器の一例を第2囲網した状
態で側面図で示す。すなわち第4図に一例を示す樹脂封
止済リードフレーム2の外形寸法に、わづかのガタ分を
加えることにより設定した内側寸法の収納容器の内部に
、単純に積み重ねることに工9複数枚のリードフレーム
を収納する様になっていた。ここで4は樹脂封止により
厚くなっ友部分、5は樹脂封止されずに薄いままの部分
である。
態で側面図で示す。すなわち第4図に一例を示す樹脂封
止済リードフレーム2の外形寸法に、わづかのガタ分を
加えることにより設定した内側寸法の収納容器の内部に
、単純に積み重ねることに工9複数枚のリードフレーム
を収納する様になっていた。ここで4は樹脂封止により
厚くなっ友部分、5は樹脂封止されずに薄いままの部分
である。
上述した従来の収納容器でに、収納されたリードフレー
ムは、樹脂封止され厚くなった部分同志が触れ合い積み
重ねられるので、樹脂封止されず薄いままの部分は、積
み重ねられた状態でも互いに触れ合わず必然的にリード
フレーム間に太き々空間を作ってしまい、容器の収納効
率が悪いという欠点があった。
ムは、樹脂封止され厚くなった部分同志が触れ合い積み
重ねられるので、樹脂封止されず薄いままの部分は、積
み重ねられた状態でも互いに触れ合わず必然的にリード
フレーム間に太き々空間を作ってしまい、容器の収納効
率が悪いという欠点があった。
本発明の収納容器では、リードフレームは、樹脂封止さ
れ厚くなった部分同志が触れ合い積み重もl’−fp
l/% Rtf ■シhりy冥の尖細1の I
I−L”71ノ−ム長手方向に対応する寸法ヲ、リード
フレームの樹脂封止部の同方向の1個当りの長さ以上長
くすることにエリ、1枚毎に互い違いにずらして重ね合
わせる様になっている。
れ厚くなった部分同志が触れ合い積み重もl’−fp
l/% Rtf ■シhりy冥の尖細1の I
I−L”71ノ−ム長手方向に対応する寸法ヲ、リード
フレームの樹脂封止部の同方向の1個当りの長さ以上長
くすることにエリ、1枚毎に互い違いにずらして重ね合
わせる様になっている。
次に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例にリードフレーム2を収納し
た状態の側面図である。構造を斜視図で示すと第2図で
示した従来のリードフレーム収納容器と同じになるが、
収納されたリードフレームの長手方向に対応する内側寸
法に、リードフレーム樹脂封止部分1個の同方向の長さ
以上長くしであるので、例えば一番下のリードフレーム
を第1図の様に右側に寄せて収納し、その上のリードフ
レームを左側に寄せて、又さらにその上のリードフレー
ムを右側に寄せてという具合に収納すれば、静 それぞれのいちばん厚くなっている樹脂部分同志ではな
く、厚くなっている樹脂部分には樹脂のない薄い部分が
互いに重なり合うことになり、より小さいピッチでリー
ドフレームを積み重ねられる様になった。
た状態の側面図である。構造を斜視図で示すと第2図で
示した従来のリードフレーム収納容器と同じになるが、
収納されたリードフレームの長手方向に対応する内側寸
法に、リードフレーム樹脂封止部分1個の同方向の長さ
以上長くしであるので、例えば一番下のリードフレーム
を第1図の様に右側に寄せて収納し、その上のリードフ
レームを左側に寄せて、又さらにその上のリードフレー
ムを右側に寄せてという具合に収納すれば、静 それぞれのいちばん厚くなっている樹脂部分同志ではな
く、厚くなっている樹脂部分には樹脂のない薄い部分が
互いに重なり合うことになり、より小さいピッチでリー
ドフレームを積み重ねられる様になった。
〔発明の効果〕
以上説明した様に、本発明に限られた大きさの収納容器
に対し、効率よくエリ多数枚のリードフレームを収納出
来るという効果がある。このことは同時に、ある一定の
生産能力を備える為に準備が必要な収納容器数が少なく
てすむという効果や、集積回路製造装置の供給部や収納
部にセットして使用した場合に、それぞれの供給容量や
収納容量が増大したことになり、装置の連続運転可能時
間が長くなり稼動率が向上するという効果、さらに収納
容器に半製品を詰めて製造工程間を運搬する際にも一定
量をより小さい体積で運搬出来、運搬コストの低下や運
搬効率の向上等を計れるという効果等を生じさせる。
に対し、効率よくエリ多数枚のリードフレームを収納出
来るという効果がある。このことは同時に、ある一定の
生産能力を備える為に準備が必要な収納容器数が少なく
てすむという効果や、集積回路製造装置の供給部や収納
部にセットして使用した場合に、それぞれの供給容量や
収納容量が増大したことになり、装置の連続運転可能時
間が長くなり稼動率が向上するという効果、さらに収納
容器に半製品を詰めて製造工程間を運搬する際にも一定
量をより小さい体積で運搬出来、運搬コストの低下や運
搬効率の向上等を計れるという効果等を生じさせる。
第1図は本発明の実施例のリードフレーム収納容器にリ
ードフレームを収納した状態の側面図、第2図は本発明
のリードフレーム収納容器と従来のリードフレーム収納
容器の共通斜視図、第3図は従来のリードフレーム収納
容器にリードフレームを収納した状態の側面図、第4図
は樹脂封止済リードフレームの一例の斜視図である。 1・・・・・本発明のリードフレーム収納容器、2・・
・・・・樹脂封止済リードフレーム、3・・・・・・従
来のリードフレーム収納容器、4・・・・・・樹脂封止
され厚くなり几部分、5・・・・・・樹脂封止されず薄
いままの部分。
ードフレームを収納した状態の側面図、第2図は本発明
のリードフレーム収納容器と従来のリードフレーム収納
容器の共通斜視図、第3図は従来のリードフレーム収納
容器にリードフレームを収納した状態の側面図、第4図
は樹脂封止済リードフレームの一例の斜視図である。 1・・・・・本発明のリードフレーム収納容器、2・・
・・・・樹脂封止済リードフレーム、3・・・・・・従
来のリードフレーム収納容器、4・・・・・・樹脂封止
され厚くなり几部分、5・・・・・・樹脂封止されず薄
いままの部分。
Claims (1)
- 樹脂封止済リードフレームを複数枚収納する容器にお
いて、前記リードフレームを1枚毎に互い違いに所定量
ずらして重ね合わせる様にしたことを特徴とするリード
フレーム収納容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21772184A JPS6196741A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | リ−ドフレ−ム収納容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21772184A JPS6196741A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | リ−ドフレ−ム収納容器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6196741A true JPS6196741A (ja) | 1986-05-15 |
Family
ID=16708694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21772184A Pending JPS6196741A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | リ−ドフレ−ム収納容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6196741A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6414927A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Kojundo Kagaku Kenkyusho Kk | Forming method of silicon nitride film or silicon oxynitride film |
WO2013004423A1 (de) | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur herstellung von trisilylamin aus monochlorsilan und ammoniak |
WO2013087298A1 (de) | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur herstellung von trisilylamin aus monochlorsilan und ammoniak unter verwendung von inertem lösungsmittel |
DE102012214290A1 (de) | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur gekoppelten Herstellung von Polysilazanen und Trisilylamin |
DE102013209802A1 (de) | 2013-05-27 | 2014-11-27 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur gekoppelten Herstellung von Trisilylamin und Polysilazanen mit einer Molmasse bis 500 g/mol |
DE102014204785A1 (de) | 2014-03-14 | 2015-09-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von reinem Trisilylamin |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP21772184A patent/JPS6196741A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6414927A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Kojundo Kagaku Kenkyusho Kk | Forming method of silicon nitride film or silicon oxynitride film |
WO2013004423A1 (de) | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur herstellung von trisilylamin aus monochlorsilan und ammoniak |
WO2013087298A1 (de) | 2011-12-16 | 2013-06-20 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur herstellung von trisilylamin aus monochlorsilan und ammoniak unter verwendung von inertem lösungsmittel |
DE102012214290A1 (de) | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur gekoppelten Herstellung von Polysilazanen und Trisilylamin |
WO2014023470A1 (de) | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur gekoppelten herstellung von polysilazanen und trisilylamin |
DE102013209802A1 (de) | 2013-05-27 | 2014-11-27 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur gekoppelten Herstellung von Trisilylamin und Polysilazanen mit einer Molmasse bis 500 g/mol |
WO2014191058A1 (de) | 2013-05-27 | 2014-12-04 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur gekoppelten herstellung von trisilylamin und polysilazanen mit einer molmasse bis 500 g/mol |
DE102014204785A1 (de) | 2014-03-14 | 2015-09-17 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von reinem Trisilylamin |
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