JPS619574A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
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- JPS619574A JPS619574A JP12908784A JP12908784A JPS619574A JP S619574 A JPS619574 A JP S619574A JP 12908784 A JP12908784 A JP 12908784A JP 12908784 A JP12908784 A JP 12908784A JP S619574 A JPS619574 A JP S619574A
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- slit
- evaporation
- substrate
- width
- vapor deposition
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は蒸着速度制御機構を有する真空蒸着装置に関す
る。 ゛ 〈従来の技術および問題点〉 従来の真空蒸着装置は主に第１図に示す構成を有してい
る。蒸発原料ｌは蒸発ルツボ２に収納され、蒸発ルツボ
２には加熱ヒータ３が設けられて−る。蒸発原料ｌの上
方には蒸着基板４が配役されると共に膜厚センサ５が設
けられている。更に基板４と蒸発原料ｌとの間にはシャ
ッタ６が設けら九ている。とｎらは真空容器９に収納ざ
ｎてお）、該真空容器９には更に排気系２０が接続して
いる。尚、図中７は膜厚計であシ、又８は電源である。
る。 ゛ 〈従来の技術および問題点〉 従来の真空蒸着装置は主に第１図に示す構成を有してい
る。蒸発原料ｌは蒸発ルツボ２に収納され、蒸発ルツボ
２には加熱ヒータ３が設けられて−る。蒸発原料ｌの上
方には蒸着基板４が配役されると共に膜厚センサ５が設
けられている。更に基板４と蒸発原料ｌとの間にはシャ
ッタ６が設けら九ている。とｎらは真空容器９に収納ざ
ｎてお）、該真空容器９には更に排気系２０が接続して
いる。尚、図中７は膜厚計であシ、又８は電源である。
上記装置構成にお−て、基板４に蒸発原料Ｘｉ無蒸着る
場合、予めシャッタ６を閉じて基板４を覆い、余分の蒸
発粒子が基板４に付着するの會防止する。次に加熱ヒー
タ３によって蒸発原料１’に加熱する。加熱温度社膜厚
センサ５および膜厚計７でモニタさｎる蒸着速度の大小
に応じて制御し、最終的に所望の蒸着速度１与える加熱
温度に設定する。しかる稜シャッタ６の移動によ少基板
４ｔ−蒸発原料ｌに対して露出させ、基板４の面上に薄
膜を形成する。ところがこのような動作において、蒸着
速度奮励の値に再度設定するためには、蒸発原料ｌおよ
び蒸発ルツボ２の温度が別の値に達するまでの間、通常
、数１０秒から数分程度の時間を必要とすることになり
、その間、薄膜形成を中断しなければならないという欠
点を有している。
場合、予めシャッタ６を閉じて基板４を覆い、余分の蒸
発粒子が基板４に付着するの會防止する。次に加熱ヒー
タ３によって蒸発原料１’に加熱する。加熱温度社膜厚
センサ５および膜厚計７でモニタさｎる蒸着速度の大小
に応じて制御し、最終的に所望の蒸着速度１与える加熱
温度に設定する。しかる稜シャッタ６の移動によ少基板
４ｔ−蒸発原料ｌに対して露出させ、基板４の面上に薄
膜を形成する。ところがこのような動作において、蒸着
速度奮励の値に再度設定するためには、蒸発原料ｌおよ
び蒸発ルツボ２の温度が別の値に達するまでの間、通常
、数１０秒から数分程度の時間を必要とすることになり
、その間、薄膜形成を中断しなければならないという欠
点を有している。
また第１図に示す装置音用いた他の蒸着速度制御法とし
て、蒸発原料ｌの加熱温度Ｔｈ 一定値に設定し、従っ
て蒸発原料ｌの蒸発速度は一定とし、シャツタ６七周期
的に開閉することＫより、時間平均さｆＬｆｃ蒸着速度
を所望の値に設定する方法がある。この場合シャツにあ
る時間ｔ−Ｔ１、またシャッタ６が開の状態従来法に比
べてはるかに短かい時間内に蒸着速度全変化させること
が可能となるが、シャッタ６の移動ストロークが大きく
かつ高速で移動させる必要があり、装置の耐久性が低下
する。更に装置が高価になることなどの欠点を有して−
る。また、原理的に間けつ蒸着動作であるため、複数の
蒸着源を用いた同時蒸着による合金薄膜形成の場合には
合金組成が、蒸着膜の膜厚方向く関してシャックの開閉
時間間隔に対応して周期的に変動するという欠点を有し
ている。
て、蒸発原料ｌの加熱温度Ｔｈ 一定値に設定し、従っ
て蒸発原料ｌの蒸発速度は一定とし、シャツタ６七周期
的に開閉することＫより、時間平均さｆＬｆｃ蒸着速度
を所望の値に設定する方法がある。この場合シャツにあ
る時間ｔ−Ｔ１、またシャッタ６が開の状態従来法に比
べてはるかに短かい時間内に蒸着速度全変化させること
が可能となるが、シャッタ６の移動ストロークが大きく
かつ高速で移動させる必要があり、装置の耐久性が低下
する。更に装置が高価になることなどの欠点を有して−
る。また、原理的に間けつ蒸着動作であるため、複数の
蒸着源を用いた同時蒸着による合金薄膜形成の場合には
合金組成が、蒸着膜の膜厚方向く関してシャックの開閉
時間間隔に対応して周期的に変動するという欠点を有し
ている。
〈問題を解決する丸めの技術手段〉
本発明は上記欠点上解消するため、真空蒸着装置に蒸着
粒子の透過率を制御するためのシャッタ機構全般けたも
のであって、その構成は、真空容器内の蒸発源と基板と
の間に、複数の微細スリン）？有し、かつ該微細スリッ
トの幅が連続的に変化するシャッタ機構を設けたことを
特徴とする。
粒子の透過率を制御するためのシャッタ機構全般けたも
のであって、その構成は、真空容器内の蒸発源と基板と
の間に、複数の微細スリン）？有し、かつ該微細スリッ
トの幅が連続的に変化するシャッタ機構を設けたことを
特徴とする。
〈実 施 例〉
第２図に本発明に係る装置構成の一例を示す。図示する
ように、蒸発原料ｌは蒸発ルツボ２に収納され、蒸発ル
ツボ２には加熱ヒータ３が設けられている。蒸発原料ｌ
の上方には蒸着基板４が配設さｎると共に膜厚センサ５
が設けられている。更に基板４と蒸発原料ｌとの間には
シャッタ機構ｌＯが設けら九ている。これらは真空容器
９に収納されてお〕、該真空容器９には更に排気系２０
が接続している。尚、図中、７は膜厚計であり、又８は
電源である。
ように、蒸発原料ｌは蒸発ルツボ２に収納され、蒸発ル
ツボ２には加熱ヒータ３が設けられている。蒸発原料ｌ
の上方には蒸着基板４が配設さｎると共に膜厚センサ５
が設けられている。更に基板４と蒸発原料ｌとの間には
シャッタ機構ｌＯが設けら九ている。これらは真空容器
９に収納されてお〕、該真空容器９には更に排気系２０
が接続している。尚、図中、７は膜厚計であり、又８は
電源である。
上記シャッタ機構１０の一例を第３図四〇に示す。同図
において、該シャッタ機＊２０は２枚のスリット板１１
．１３によって形成されている。 ・・− これらスリット板１ｔ １３にはそｎぞれ幅Ｗｏの微細なスリン）１８が等間隙
Ｗ１で設けられている。更にスリット板１１．１３の側
端には支持棒１２．１４が設けられている。こ叔らスリ
ット板１１．１３はそのスリット１８の重ね合せ罠よシ
微細スリット全形成するように重ね合せらｎると共に、
支持棒１２．１４ｔ−介して一方のスリット板１１が他
方のスリット板１３に対して相対的に移動さｎることに
よ〕微細スリットのスリット幅が変化される。
において、該シャッタ機＊２０は２枚のスリット板１１
．１３によって形成されている。 ・・− これらスリット板１ｔ １３にはそｎぞれ幅Ｗｏの微細なスリン）１８が等間隙
Ｗ１で設けられている。更にスリット板１１．１３の側
端には支持棒１２．１４が設けられている。こ叔らスリ
ット板１１．１３はそのスリット１８の重ね合せ罠よシ
微細スリット全形成するように重ね合せらｎると共に、
支持棒１２．１４ｔ−介して一方のスリット板１１が他
方のスリット板１３に対して相対的に移動さｎることに
よ〕微細スリットのスリット幅が変化される。
即ち、スリット１８の幅Ｗ０，０．スリントの位置間ｇ
重のとき実効的な微細スリット幅Ｗは、０≦Ｗ≦Ｗ・
の範囲で任意に設定される。従って、第２図に示した本
発明の装置を動作させる場合、まず蒸発原料ｌの蒸発速
度が一定値ａＯとなるように膜厚センサ５．膜厚計７お
よび電源８を動作させる。次に、シャッタ機構１０の実
効的なスリット幅Ｗｔ−調節し、最終的に必要とする蒸
着速度：Ｒを設設定する。ここで、Ｒ＝ Ｒｏ Ｘ Ｗ
／Ｗ１ なる関係とが可能である。なおスリット幅
Ｗ、およびスリットの位置間隔Ｗ１は蒸発源の口径Ｓの
大小に応じて決定ざｎる。その理由は、第４図に示され
るように、蒸着膜の面内での膜厚分布を少なくするには
Ｓ ＞＞Ｗｌなる条件が満たされる必要があるからであ
る。図示するように状の領域二Ｔ意に到達する。従って
蒸着膜の面内での膜厚分布を極力小さくするにハＴ工と
Ｔ２することが必要となる。−例として、５＝１３ｓＬ
ｔ ＝５３．Ｌｔ＝１０ｃｍ、％＝０．２ｍであ俤であ
った。ざらに膜厚分布を小さく抑える必要がｔＤｎばＷ
ｅｔ’よシ小さくすればよい。
重のとき実効的な微細スリット幅Ｗは、０≦Ｗ≦Ｗ・
の範囲で任意に設定される。従って、第２図に示した本
発明の装置を動作させる場合、まず蒸発原料ｌの蒸発速
度が一定値ａＯとなるように膜厚センサ５．膜厚計７お
よび電源８を動作させる。次に、シャッタ機構１０の実
効的なスリット幅Ｗｔ−調節し、最終的に必要とする蒸
着速度：Ｒを設設定する。ここで、Ｒ＝ Ｒｏ Ｘ Ｗ
／Ｗ１ なる関係とが可能である。なおスリット幅
Ｗ、およびスリットの位置間隔Ｗ１は蒸発源の口径Ｓの
大小に応じて決定ざｎる。その理由は、第４図に示され
るように、蒸着膜の面内での膜厚分布を少なくするには
Ｓ ＞＞Ｗｌなる条件が満たされる必要があるからであ
る。図示するように状の領域二Ｔ意に到達する。従って
蒸着膜の面内での膜厚分布を極力小さくするにハＴ工と
Ｔ２することが必要となる。−例として、５＝１３ｓＬ
ｔ ＝５３．Ｌｔ＝１０ｃｍ、％＝０．２ｍであ俤であ
った。ざらに膜厚分布を小さく抑える必要がｔＤｎばＷ
ｅｔ’よシ小さくすればよい。
次に第５図囚ｆ３）に本発明に係る他のシャッタ機構を
示す。本シャッタ機構は図示するように支持棒１５．１
６と両支持棒１５．ｉ６の間に張設されたワイヤ１７と
によって形成されて匹る。即ち太さＤのワイヤ１７が間
隙Ｗ！で平行に配置され、これらワイヤ１７の両端は支
持棒１５．１６に支持さｎている。ここで支持棒１５．
１６に対しワイヤ１７が角ることができる。角度θは支
持棒１６に対し支持棒１５ｔ−平行移動さすことによシ
容易に変化させることができる。
示す。本シャッタ機構は図示するように支持棒１５．１
６と両支持棒１５．ｉ６の間に張設されたワイヤ１７と
によって形成されて匹る。即ち太さＤのワイヤ１７が間
隙Ｗ！で平行に配置され、これらワイヤ１７の両端は支
持棒１５．１６に支持さｎている。ここで支持棒１５．
１６に対しワイヤ１７が角ることができる。角度θは支
持棒１６に対し支持棒１５ｔ−平行移動さすことによシ
容易に変化させることができる。
尚、上記各実施例のシャッタ機構の他、例えば細長め矩
形の部材を所定間隙に並列してシャッタ機構全形成し、
該部材を軸方向に回転することによ）スリット幅を変化
させる構成のものなど、本発明の目的の範囲内で種々の
構成のものを用いることができる。
形の部材を所定間隙に並列してシャッタ機構全形成し、
該部材を軸方向に回転することによ）スリット幅を変化
させる構成のものなど、本発明の目的の範囲内で種々の
構成のものを用いることができる。
本発明に係る上記各実施例においては微細スリットの作
成が容易であシ第２図、第３図の実施例においてはとく
に膜厚の面、内分布の抑制に優れる。その−例としてＷ
！＝ ０．０５ ｃｍ ＋Ｄ＝ ０．０３ ｃｍ、蒸発
源の口径が１ｍ、蒸発源とシャッタの距離が５ｏｎ、シ
ャッタと基板との距離がｌＯ−であった場合、蒸着膜の
面内での膜厚分布は±ｌチ以下であった。
成が容易であシ第２図、第３図の実施例においてはとく
に膜厚の面、内分布の抑制に優れる。その−例としてＷ
！＝ ０．０５ ｃｍ ＋Ｄ＝ ０．０３ ｃｍ、蒸発
源の口径が１ｍ、蒸発源とシャッタの距離が５ｏｎ、シ
ャッタと基板との距離がｌＯ−であった場合、蒸着膜の
面内での膜厚分布は±ｌチ以下であった。
更に上記各実施例に共通した利点として、蒸発源の加熱
温度を変えることなくしたがって蒸発量を一定に保ちつ
つ、蒸着速度を連続的に変化させることが可７能となる
。そのため、蒸着速度を短時間内に荏意の値に設定でき
るという利点がある。また従来の間欠蒸着による蒸着速
度制御法の欠点であった蒸着速度の周期変化が生じない
という利点を有する。
温度を変えることなくしたがって蒸発量を一定に保ちつ
つ、蒸着速度を連続的に変化させることが可７能となる
。そのため、蒸着速度を短時間内に荏意の値に設定でき
るという利点がある。また従来の間欠蒸着による蒸着速
度制御法の欠点であった蒸着速度の周期変化が生じない
という利点を有する。
〈発明の効果〉
以上説明したように本発明は、薄膜の蒸着速度音燭時間
内に任意の値に設定できるものであるから、たとえば蒸
発量の安定化が困難な蒸着材料に対して本発明を用いｎ
ば、蒸発量の大小に対応した蒸着速度の高速制御により
、蒸着速度を常に一定値に維持できるという利点を有す
る。また複数の蒸発源を用いた同時蒸着法による化合物
薄膜作製に本発明を適用すれば、組成の精密制御を容易
に達成しうるという利点がある。ざらに化合物組成を、
堆積膜厚の増加とともに連続的に変化させることができ
るので、組成傾斜法による良質結晶薄膜の作製などに応
用できる。
内に任意の値に設定できるものであるから、たとえば蒸
発量の安定化が困難な蒸着材料に対して本発明を用いｎ
ば、蒸発量の大小に対応した蒸着速度の高速制御により
、蒸着速度を常に一定値に維持できるという利点を有す
る。また複数の蒸発源を用いた同時蒸着法による化合物
薄膜作製に本発明を適用すれば、組成の精密制御を容易
に達成しうるという利点がある。ざらに化合物組成を、
堆積膜厚の増加とともに連続的に変化させることができ
るので、組成傾斜法による良質結晶薄膜の作製などに応
用できる。
第１図は従来の真空蒸着装置の概略図、第２図は本発明
の真空蒸着装置の概略図、第３図（イ）０は本発明のス
リット機構の斜視図、断面図、第４図は蒸発物質のスリ
ット通過状態を示す説明図、第５図（へ）ｆ３）は本発
明の他のスリット機構を示す斜視図、断面図である。図
中、ｌ−蒸発原料、２−蒸発ルツボ、３−加熱ヒータ、
４一基板、５−膜厚センサ、６−シャツタ板、７−膜厚
計、８−ヒータ電源、９−真空容器、１０−シャッタ機
構、１１．１３−スリット板、１２゜１４−支持棒、１
５．１６−支持棒、１７−ワイヤ、１８−スリット、２
〇−排気系。 椅許出願人 日本電信電話公社 代 理 人
の真空蒸着装置の概略図、第３図（イ）０は本発明のス
リット機構の斜視図、断面図、第４図は蒸発物質のスリ
ット通過状態を示す説明図、第５図（へ）ｆ３）は本発
明の他のスリット機構を示す斜視図、断面図である。図
中、ｌ−蒸発原料、２−蒸発ルツボ、３−加熱ヒータ、
４一基板、５−膜厚センサ、６−シャツタ板、７−膜厚
計、８−ヒータ電源、９−真空容器、１０−シャッタ機
構、１１．１３−スリット板、１２゜１４−支持棒、１
５．１６−支持棒、１７−ワイヤ、１８−スリット、２
〇−排気系。 椅許出願人 日本電信電話公社 代 理 人
Claims (3)
- （１）真空容器内の蒸発源と基板との間に、複数の微細
スリットを有し、かつ該微細スリットの幅が連続的に変
化するシャッタ機構を設けたことを特徴とする真空蒸着
装置。 - （２）特許請求の範囲第１項において、上記シャッタ機
構は一定幅の微細スリットを有するスリット板の重ね合
せにより形成され、一方のスリット板が他方のスリット
板に対して移動し、 スリット板相互を通じるスリット幅がスリット板相互の
移動により変化することを特徴とする真空蒸着装置。 - （３）特許請求の範囲第１項において、上記シャッタ機
構は、一定間隙で細線が並列に張設して形成され、該細
線の傾動により細線相互間のスリット幅が変化すること
を特徴とする真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12908784A JPS619574A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12908784A JPS619574A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619574A true JPS619574A (ja) | 1986-01-17 |
Family
ID=15000751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12908784A Pending JPS619574A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS619574A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6286160A (ja) * | 1985-10-12 | 1987-04-20 | Fujitsu Ltd | 蒸着装置 |
| JPH0589446U (ja) * | 1991-06-05 | 1993-12-07 | 株式会社大阪真空機器製作所 | 薄膜形成装置用シャッター機構 |
| JPH0741943A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-10 | Nec Corp | スパッタ装置 |
| JP2003532794A (ja) * | 2000-05-08 | 2003-11-05 | インテマティックス コーポレーション | 材料チップのコンビナトリアル合成 |
| US7905961B2 (en) | 2005-08-31 | 2011-03-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Linear type deposition source |
| US8048229B2 (en) | 2005-08-31 | 2011-11-01 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing an organic layer and method for controlling a heating unit thereof |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP12908784A patent/JPS619574A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6286160A (ja) * | 1985-10-12 | 1987-04-20 | Fujitsu Ltd | 蒸着装置 |
| JPH0774443B2 (ja) * | 1985-10-12 | 1995-08-09 | 富士通株式会社 | 蒸着装置 |
| JPH0589446U (ja) * | 1991-06-05 | 1993-12-07 | 株式会社大阪真空機器製作所 | 薄膜形成装置用シャッター機構 |
| JPH0741943A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-10 | Nec Corp | スパッタ装置 |
| JP2003532794A (ja) * | 2000-05-08 | 2003-11-05 | インテマティックス コーポレーション | 材料チップのコンビナトリアル合成 |
| US7905961B2 (en) | 2005-08-31 | 2011-03-15 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Linear type deposition source |
| US8048229B2 (en) | 2005-08-31 | 2011-11-01 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing an organic layer and method for controlling a heating unit thereof |
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