JPS6194380A - Ｃｄ（ＳｅＳ）光導電膜の熱処理方法 - Google Patents
Ｃｄ（ＳｅＳ）光導電膜の熱処理方法Info
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- JPS6194380A JPS6194380A JP59215138A JP21513884A JPS6194380A JP S6194380 A JPS6194380 A JP S6194380A JP 59215138 A JP59215138 A JP 59215138A JP 21513884 A JP21513884 A JP 21513884A JP S6194380 A JPS6194380 A JP S6194380A
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- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 27
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
- H01L31/1832—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising ternary compounds, e.g. Hg Cd Te
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はＣｄ（ＳｓＳ）光導電膜の熱Ｓ理方法に関する
。
。
従来技術
Ｃｕ添加Ｃｌ（ＳｅＳ）は、密着形イメージセンサを構
成する光導電膜として使用されている。このような合金
は蒸着やスノ母ツタリングなどによって成膜しただけで
は、化合物としての結合性が不十分なこと、光導電性を
阻害する内部欠陥が存在することによって、光導電性を
示さない、添加したＣｕはアクセプタとして作用し、Ｃ
ｌ２を含む不活性雰囲気中で熱処理して添加するＣｌは
ドナーとして作用する。ＣｕとＣｌとの添加量を制御
することによって、Ｃｄ（ＳｅＳ）は光導電性を示すよ
うになる。
成する光導電膜として使用されている。このような合金
は蒸着やスノ母ツタリングなどによって成膜しただけで
は、化合物としての結合性が不十分なこと、光導電性を
阻害する内部欠陥が存在することによって、光導電性を
示さない、添加したＣｕはアクセプタとして作用し、Ｃ
ｌ２を含む不活性雰囲気中で熱処理して添加するＣｌは
ドナーとして作用する。ＣｕとＣｌとの添加量を制御
することによって、Ｃｄ（ＳｅＳ）は光導電性を示すよ
うになる。
たとえば、画像電子学会子線８０−０３−１０″Ａ４判
密着形イメージセンサ”によれハ、Ｃｕ添加Ｃｄ（Ｓａ
ｄ）を設置する治具のなかに、ＣｄＣｌ２＋ ＣｄＳ
（重量比１：５０） 粉体をしき、熱処理すべきＣｕ
添加Ｃｄ（Ｓ＠Ｓ）の処理温度と同一の温度において、
ＣｄＣｌ２を分解してＣｌ２を発生させ、Ｃ６２を不活
性雰囲気の空間に満たして、Ｃｕ添加ｃｄ（ｓｅｓ）に
添加して光導電性を付与する。
密着形イメージセンサ”によれハ、Ｃｕ添加Ｃｄ（Ｓａ
ｄ）を設置する治具のなかに、ＣｄＣｌ２＋ ＣｄＳ
（重量比１：５０） 粉体をしき、熱処理すべきＣｕ
添加Ｃｄ（Ｓ＠Ｓ）の処理温度と同一の温度において、
ＣｄＣｌ２を分解してＣｌ２を発生させ、Ｃ６２を不活
性雰囲気の空間に満たして、Ｃｕ添加ｃｄ（ｓｅｓ）に
添加して光導電性を付与する。
解決しようとする問題点
上記の従来技術においては、混合物中のＣｄＣｌ２が減
少するにつれて、発生するＣｌ２も次第に減少するが、
ＣｄＣｌ２分解温度を独立して制御でき々いので、再現
性よく光導電性を付与することができな％ｚ 。
少するにつれて、発生するＣｌ２も次第に減少するが、
ＣｄＣｌ２分解温度を独立して制御でき々いので、再現
性よく光導電性を付与することができな％ｚ 。
解決するだめの手段
上記問題点は、Ｃｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ）を、不活性雰囲
気中のＣｌ２とともに熱処理し、ＣｕとＣｌとの添加量
を制御して光導電性を付与する光導電膜の熱処理方法で
あって、Ｃｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ）熱処理領域の上流にお
いて、Ｃｌ２を不活性雰囲気と混合して熱処理領域に送
ることを特徴とする、Ｃｕ添加Ｃｄ（Ｓａｄ）光導電膜
の熱処理方法によって解決することができる。
気中のＣｌ２とともに熱処理し、ＣｕとＣｌとの添加量
を制御して光導電性を付与する光導電膜の熱処理方法で
あって、Ｃｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ）熱処理領域の上流にお
いて、Ｃｌ２を不活性雰囲気と混合して熱処理領域に送
ることを特徴とする、Ｃｕ添加Ｃｄ（Ｓａｄ）光導電膜
の熱処理方法によって解決することができる。
実施例１
第１図（ａ）Ｋ示すように、反応管１内に、処理すべき
Ｃｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ）膜２の加熱領域Ａがあり、その
上流にＣｌ２源３であるＣｄＣｌ２．粉末の加熱領域Ｂ
がある。
Ｃｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ）膜２の加熱領域Ａがあり、その
上流にＣｌ２源３であるＣｄＣｌ２．粉末の加熱領域Ｂ
がある。
第１図（ｂ）Ｋ示すように、領域Ａの温度ＴＡを５００
℃とし、領域Ｂの温度ＴＢを３００℃とし、厚み１．２
μｍＸ表面積約２６０＋ｍ２のＣｕ添加ｃｄ（ｓｅｓ）
膜およびＣｄＣｌ２粉体５．ＯＩを加熱し、ＣｄＣｌ２
．ｒ分体に近い端からＮ２を流量１００ ｃ １！／ｍ
ｉ ｎで導入した。そしてＣｄ（ＳｅＳ）領域にＣ２２
を分解導入した。
℃とし、領域Ｂの温度ＴＢを３００℃とし、厚み１．２
μｍＸ表面積約２６０＋ｍ２のＣｕ添加ｃｄ（ｓｅｓ）
膜およびＣｄＣｌ２粉体５．ＯＩを加熱し、ＣｄＣｌ２
．ｒ分体に近い端からＮ２を流量１００ ｃ １！／ｍ
ｉ ｎで導入した。そしてＣｄ（ＳｅＳ）領域にＣ２２
を分解導入した。
熱処理は９０分で終了した。再現性よく、基板上に付着
したｃｄ（ＳｅＳ）膜に光４τ性を付与することができ
た。
したｃｄ（ＳｅＳ）膜に光４τ性を付与することができ
た。
ここではＣ２２啄としてＣｄＣｌ２．’ｆｔ＞末を使用
したが、ＣｄＣ２２を混合したＣｄＳ 、またはｃｄ（
ｓｅｓ）、また（吐Ｃｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ）を使用する
こともできる。
したが、ＣｄＣ２２を混合したＣｄＳ 、またはｃｄ（
ｓｅｓ）、また（吐Ｃｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ）を使用する
こともできる。
実施例２
反１ち管内には処理すべき厚み１．２μｍ１表面積約２
６０ ｔａｎ’のＣｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ） 膜のみを配
置して、温度５００℃に加熱した。反応管の外部におい
て流量２５ ｃｃ／ｍｌｎのＣｌ２を、流ｆｌ ５００
ｃｃ／ｍｉｎのＮ２で希釈して反応管に導入し、９０
分後に反応を終った。こうして、制限なく多数のＣｄ（
ＳＯ８）光導電膜を再現性よく製造することができる。
６０ ｔａｎ’のＣｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ） 膜のみを配
置して、温度５００℃に加熱した。反応管の外部におい
て流量２５ ｃｃ／ｍｌｎのＣｌ２を、流ｆｌ ５００
ｃｃ／ｍｉｎのＮ２で希釈して反応管に導入し、９０
分後に反応を終った。こうして、制限なく多数のＣｄ（
ＳＯ８）光導電膜を再現性よく製造することができる。
発明の効果
本発明によって、再現性よ（Ｃｄ（Ｓ＠ｄ）光導電膜を
製造することが可能である・
製造することが可能である・
第１図（、）は本発明の方法を実施する装置の模式図で
あり、第１図（ｂ）は第１図（＆）の装置の温度を示す
グラフである。 １・・・反応管、２ ・−・Ｃｄ（ＳｅＳ）膜、３−Ｃ
ｄＣＡ２扮末、Ａ−Ｃｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ）加熱領域、
Ｂ−ＣｄＣｌ２加熱領域、ＴＡ−Ｃｄ（Ｓａｄ）加熱温
度、ＴＢ・ＣｄＣｌ２加熱温度。 γ）１図 （ａ） 、− Ａ Ｂ （ｂ） ° 。 −「 ゛ノｌｉ、＋ｈ：二ｒｉｈ＾；
あり、第１図（ｂ）は第１図（＆）の装置の温度を示す
グラフである。 １・・・反応管、２ ・−・Ｃｄ（ＳｅＳ）膜、３−Ｃ
ｄＣＡ２扮末、Ａ−Ｃｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ）加熱領域、
Ｂ−ＣｄＣｌ２加熱領域、ＴＡ−Ｃｄ（Ｓａｄ）加熱温
度、ＴＢ・ＣｄＣｌ２加熱温度。 γ）１図 （ａ） 、− Ａ Ｂ （ｂ） ° 。 −「 ゛ノｌｉ、＋ｈ：二ｒｉｈ＾；
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｃｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ）を、不活性雰囲気中のＣｌ
＿２とともに熱処理し、ＣｕとＣｌとの添加量を制御し
て光導電性を付与する光導電膜の熱処理方法であって、
Ｃｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ）熱処理領域の上流において、Ｃ
ｌ＿２を不活性雰囲気と混合して熱処理領域に送ること
を特徴とする、Ｃｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ）光導電膜の熱処
理方法。 ２、Ｃｌ＿２源をＣｄＣｌ＿２粉体、またはＣｄＣｌ＿
２を混合したＣｄＳ、もしくはＣｄ（ＳｅＳ）、もしく
はＣｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ）の粉体とし、熱処理すべきＣ
ｕ添加Ｃｄ（ＳｅＳ）の加熱領域とは異なる領域におい
て、この粉体を加熱し、ＣｄＣｌ＿２を分解してＣｌ＿
２を発生させる、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、Ｃｌ＿２源をＣｌ＿２気体とする、特許請求の範囲
第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215138A JPS6194380A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | Ｃｄ（ＳｅＳ）光導電膜の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215138A JPS6194380A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | Ｃｄ（ＳｅＳ）光導電膜の熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194380A true JPS6194380A (ja) | 1986-05-13 |
Family
ID=16667326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59215138A Pending JPS6194380A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | Ｃｄ（ＳｅＳ）光導電膜の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6194380A (ja) |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP59215138A patent/JPS6194380A/ja active Pending
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