JPS6193691A - 電気光変換素子 - Google Patents
電気光変換素子Info
- Publication number
- JPS6193691A JPS6193691A JP59215335A JP21533584A JPS6193691A JP S6193691 A JPS6193691 A JP S6193691A JP 59215335 A JP59215335 A JP 59215335A JP 21533584 A JP21533584 A JP 21533584A JP S6193691 A JPS6193691 A JP S6193691A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- side electrode
- laser
- pole side
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
［発明の技術分野］
この発明は、半導体レーザ・ダイオード、発光ダイオー
ド等の電気光変換素子に関する。
ド等の電気光変換素子に関する。
［従来技術の説明］
半導体レーザ・ダイオードは、小型、堅牢、高効率、長
寿命といった利点を有していることから表示用、光情報
処理等の発光源として広く用いられている。第３図はダ
ブル・ヘテロ構造のレーザ・ダイオードを示している。
寿命といった利点を有していることから表示用、光情報
処理等の発光源として広く用いられている。第３図はダ
ブル・ヘテロ構造のレーザ・ダイオードを示している。
このレーザ・ダイオードは次のようにして製造される。
ｎ −ＧａＡＳ基板（１）の下面にＡＩＧａＡＳ閉込層
（２）、ＧａＡＳ活性層（発光層） （３） 、Ａｌ
ＧａＡｓ１ｆｆｌ込層（４）およびＧａＡｓキャップ層
（５）を順次形成する。キャップ層（５）の下面に５ｉ
０２絶縁膜（６）をスパッタ法により形成する。絶縁膜
（６）の下面にフォトゾグラフイ法によってエツチング
用のマスクを形成したのち、絶縁膜（６）をエツチング
してストライプ（９）を形成する。マスクを除去したの
ち、絶縁膜（６）の下面に正極側電極（８）を、基板（
１）の上面に負極側電極（８）を真空蒸着法によってそ
れぞれ形成し、へき開、ダイシングを経て半導体レーザ
・ダイオードが完成する。
（２）、ＧａＡＳ活性層（発光層） （３） 、Ａｌ
ＧａＡｓ１ｆｆｌ込層（４）およびＧａＡｓキャップ層
（５）を順次形成する。キャップ層（５）の下面に５ｉ
０２絶縁膜（６）をスパッタ法により形成する。絶縁膜
（６）の下面にフォトゾグラフイ法によってエツチング
用のマスクを形成したのち、絶縁膜（６）をエツチング
してストライプ（９）を形成する。マスクを除去したの
ち、絶縁膜（６）の下面に正極側電極（８）を、基板（
１）の上面に負極側電極（８）を真空蒸着法によってそ
れぞれ形成し、へき開、ダイシングを経て半導体レーザ
・ダイオードが完成する。
半導体レーザ・ダイオードを直流Ｎ流で駆動すると、温
度上昇するためにしきい値電流および外部微分量子効率
が低下する。半導体レーザ・ダイオードの温度上昇を防
止するために、半導体レーザ・ダイオードの正極側電極
の外面をダイヤモンド、銅などのヒートシンクに融着し
て、熱放散性を高めることが行なわれている。
度上昇するためにしきい値電流および外部微分量子効率
が低下する。半導体レーザ・ダイオードの温度上昇を防
止するために、半導体レーザ・ダイオードの正極側電極
の外面をダイヤモンド、銅などのヒートシンクに融着し
て、熱放散性を高めることが行なわれている。
しかしながら、半導体レーザ・ダイオードの負極電極の
ある基板がわには何ら熱放散手段が施されておらず、基
板がわからも熱放散を行えるようにすることが要望され
て−いる。
ある基板がわには何ら熱放散手段が施されておらず、基
板がわからも熱放散を行えるようにすることが要望され
て−いる。
発明の概要
［発明の目的］
この発明は、基板がわからも熱を放散させることができ
、放熱効果の高い電気光変換素子を提供することを目的
とする。
、放熱効果の高い電気光変換素子を提供することを目的
とする。
［発明の構成、作用および効果］
この発明による電気光変換素子は、半導体基板およびこ
の基板上に形成された発光層を備えた電気光変換素子に
おいて、半導体基板の外面に放熱用凹部が形成されてい
ることを特徴とする。電気光変換素子の代表的なものと
しては、半導体レーザ・ダイオードや発光ダイオードが
ある。
の基板上に形成された発光層を備えた電気光変換素子に
おいて、半導体基板の外面に放熱用凹部が形成されてい
ることを特徴とする。電気光変換素子の代表的なものと
しては、半導体レーザ・ダイオードや発光ダイオードが
ある。
この発明による電気光変換素子では、半導体基板の外面
に放熱用凹部が形成されているから、素子の表面積が増
大し、熱放散性が向上する。
に放熱用凹部が形成されているから、素子の表面積が増
大し、熱放散性が向上する。
実施例の説明
第１図は、半導体レーザ・ダイオードを示している。第
１図において第３図と同じものには同じ符号を付してそ
の説明を省略する。この半導体レーザ・ダイオードでは
、負極側電極（８）の上面から閉込層（２）に適する横
断簡略■形の溝（１０）が形成されている。
１図において第３図と同じものには同じ符号を付してそ
の説明を省略する。この半導体レーザ・ダイオードでは
、負極側電極（８）の上面から閉込層（２）に適する横
断簡略■形の溝（１０）が形成されている。
第２図は、上記半導体レーザ・ダイオードの製造工程を
示している。
示している。
まず、基板（１）の下面に閉込Ｊｉ（２）、活性層、閉
込層、キャップ層、絶縁膜および正極側電極を形成する
とともに基板（１）の上面に正極側電極（７）を形成し
てレーザ・ウェハ（２０）を製造する。
込層、キャップ層、絶縁膜および正極側電極を形成する
とともに基板（１）の上面に正極側電極（７）を形成し
てレーザ・ウェハ（２０）を製造する。
レーザ・ウェハ（２０）上に、へき開方向（第２図では
左右方向）に所定間隔をおいて５ｉｎ２マスク（１１）
をフォトリゾグラフィ法でストライブ状に形成する。
左右方向）に所定間隔をおいて５ｉｎ２マスク（１１）
をフォトリゾグラフィ法でストライブ状に形成する。
塩酸、酢酸および過酸化水素が１：２：１の割合で混合
されたエツチング液を用いて負極側電極（８）をエツチ
ングする。つづいて、水酸化アンモニウムおよび水が１
：２０の割合で混合されたエツチング液を用いて基板（
１）をエツチングして溝（１０）を閉込層（２）に達す
るまで形成する。
されたエツチング液を用いて負極側電極（８）をエツチ
ングする。つづいて、水酸化アンモニウムおよび水が１
：２０の割合で混合されたエツチング液を用いて基板（
１）をエツチングして溝（１０）を閉込層（２）に達す
るまで形成する。
ＳｉＯ□マスクＣ１１）を除去する。そして、第２図（
Ｃ）の破線ｌに沿ってレーザ・ウェハ（２０）をへき開
したのち、鎖線ｍにそってダイシングする。これによっ
て、半導体レーザ・ダイオードが得られる。ＧａＡＳ基
板のエツチング液としては、上記のものの他、ＰＡ酸−
酢酸系、硫酸−過酸化系弗酸−硝酸系等のものを用いる
ことができる。
Ｃ）の破線ｌに沿ってレーザ・ウェハ（２０）をへき開
したのち、鎖線ｍにそってダイシングする。これによっ
て、半導体レーザ・ダイオードが得られる。ＧａＡＳ基
板のエツチング液としては、上記のものの他、ＰＡ酸−
酢酸系、硫酸−過酸化系弗酸−硝酸系等のものを用いる
ことができる。
上記のようにして得られた半導体レーザ・ダイオードで
は、負極側電極の上面から溝が形成されているので、基
板の表面積が増大する。このため、基板表面からの熱放
散性が高くなる。
は、負極側電極の上面から溝が形成されているので、基
板の表面積が増大する。このため、基板表面からの熱放
散性が高くなる。
上記実施例では、基板上面に１条の溝が形成されている
が、基板上面に複数の細溝を平行に形成して基板上面を
波状に形成するようにしてもよい。また、この発明は発
光ダイオードにも適用できる。
が、基板上面に複数の細溝を平行に形成して基板上面を
波状に形成するようにしてもよい。また、この発明は発
光ダイオードにも適用できる。
第１図はこの発明の実施例を示す構成図、第２図は、半
導体レーザ・ダイオードの製造工程を示す工程図、第３
図は従来例を示す構成図である。 （１）・・・基板、（１０）・・・溝。 以 °上 ｉｔ図
導体レーザ・ダイオードの製造工程を示す工程図、第３
図は従来例を示す構成図である。 （１）・・・基板、（１０）・・・溝。 以 °上 ｉｔ図
Claims (1)
- 半導体基板およびこの基板上に形成された発光層を備
えた電気光変換素子において、半導体基板の外面に放熱
用凹部が形成されていることを特徴とする電気光変換素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215335A JPS6193691A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 電気光変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215335A JPS6193691A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 電気光変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193691A true JPS6193691A (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16670589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59215335A Pending JPS6193691A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 電気光変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6193691A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2411522A (en) * | 2000-12-18 | 2005-08-31 | Samsung Electro Mech | Light emitting device having heat-dissipating element |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP59215335A patent/JPS6193691A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2411522A (en) * | 2000-12-18 | 2005-08-31 | Samsung Electro Mech | Light emitting device having heat-dissipating element |
| GB2411522B (en) * | 2000-12-18 | 2005-11-02 | Samsung Electro Mech | GaN based group III-V nitride semi-conductor light emitting diode |
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