JPS6193638A - ワイヤホンダ - Google Patents
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、 °−°′ ″ワイヤボンダに関
し、特に超音波ワイヤボンディング技術におけるウェッ
ジ（ボンディング用端子）の上下動作を迅速なものとし
、ボンディング速５度の・・イスビード化を計ることを
目的とするものである。
し、特に超音波ワイヤボンディング技術におけるウェッ
ジ（ボンディング用端子）の上下動作を迅速なものとし
、ボンディング速５度の・・イスビード化を計ることを
目的とするものである。
一般に超音波ワイヤボンディング方式は、超音波エネル
ギにより被ボンディング体にボンディングワイヤを加圧
振動させながら相互の新鮮面を露出させて塑性変形によ
る固相接合を行なうものである。したがって、そのワイ
ヤボンディングに先だって、ボンディングワイヤのつぶ
れなとの変形を生じさせると接合性のよいボンディング
ができないために、ボンディングワイヤの変形ｔできる
だけ少なくするようにして被ボンディング体にボンディ
ングワイヤを接触させ、しかる後ウェッジの超音波振動
によりボンディングを行なう必要がある。
ギにより被ボンディング体にボンディングワイヤを加圧
振動させながら相互の新鮮面を露出させて塑性変形によ
る固相接合を行なうものである。したがって、そのワイ
ヤボンディングに先だって、ボンディングワイヤのつぶ
れなとの変形を生じさせると接合性のよいボンディング
ができないために、ボンディングワイヤの変形ｔできる
だけ少なくするようにして被ボンディング体にボンディ
ングワイヤを接触させ、しかる後ウェッジの超音波振動
によりボンディングを行なう必要がある。
このため、従来の超音波ワイヤボンディング方式は、ワ
イヤボンディングの際、ウェッジの上下動作は第１図（
ａ）〜（ｂ）に示すように、ウェッジが被ワイヤボンデ
ィング体に接近したらボンディングワイヤ金ゆっくりと
降下させるようにウェッジを低速下降させ、ワイヤが被
ボンディング体に接触する際、ワイヤが変形しないよう
な動作をもって行なっている。
イヤボンディングの際、ウェッジの上下動作は第１図（
ａ）〜（ｂ）に示すように、ウェッジが被ワイヤボンデ
ィング体に接近したらボンディングワイヤ金ゆっくりと
降下させるようにウェッジを低速下降させ、ワイヤが被
ボンディング体に接触する際、ワイヤが変形しないよう
な動作をもって行なっている。
なお、ウェッジの上下動作プロフィルを示す第１図（ｂ
）において、図のＡ−Ｄはウェッジの上下動作速度の態
様を示すもので、人はウェッジが定位置状態、Ｂはウェ
ッジが高速下降速度状態、Ｃはウェッジが低速下降速度
状ｆｌ、Ｄはウェッジが高速上昇速度状態をそれぞれ示
すものである。ブた、ａ −ｋで示す各点は、ウェッジ
の動作速度が転換する個所を示すものである。
）において、図のＡ−Ｄはウェッジの上下動作速度の態
様を示すもので、人はウェッジが定位置状態、Ｂはウェ
ッジが高速下降速度状態、Ｃはウェッジが低速下降速度
状ｆｌ、Ｄはウェッジが高速上昇速度状態をそれぞれ示
すものである。ブた、ａ −ｋで示す各点は、ウェッジ
の動作速度が転換する個所を示すものである。
しかしながら、従来の超音波ワイヤボンディング方式で
は、ウェッジの下降動作に長時間を要するため、これが
ボンディングのハイスピード化に支障となっでいる。
は、ウェッジの下降動作に長時間を要するため、これが
ボンディングのハイスピード化に支障となっでいる。
これは、被す°ンデイング体としてセラミックパッケー
ジの場合をとってみると、セラミックそれにリードのそ
れぞれの部品精度のばらつきや固着材へのペレットの埋
め込み深さ、ガラスへのリードの埋め込み深さのばらつ
きなどが大きく、特に後者のばらつきが±０．３ ｗｎ
にも達し、それぞれの被ボンディング体間のボンディン
グ高さが部品精度のばらつきによシ大きく異なることよ
り、その高さのばらつきが顕著なものとなシ、このばら
つきを吸収できるだけの時間（第１図におけるＴｌ１Ｔ
２ ）、ウェッジの低速下降をつづけなければならない
ことに起因している。
ジの場合をとってみると、セラミックそれにリードのそ
れぞれの部品精度のばらつきや固着材へのペレットの埋
め込み深さ、ガラスへのリードの埋め込み深さのばらつ
きなどが大きく、特に後者のばらつきが±０．３ ｗｎ
にも達し、それぞれの被ボンディング体間のボンディン
グ高さが部品精度のばらつきによシ大きく異なることよ
り、その高さのばらつきが顕著なものとなシ、このばら
つきを吸収できるだけの時間（第１図におけるＴｌ１Ｔ
２ ）、ウェッジの低速下降をつづけなければならない
ことに起因している。
この対策として、ウェッジの下降速度を上げたり、低速
下降の時間帯を短縮することが考えられるが、そうする
と、ウェッジの高速下降によシボ７デイングワイヤが被
ポンディング体であるペレットやリードに衝撃をもって
接触することにつながシ、ボンディングの接合性を悪く
するため、このような対策にはおのずと限界がある。
下降の時間帯を短縮することが考えられるが、そうする
と、ウェッジの高速下降によシボ７デイングワイヤが被
ポンディング体であるペレットやリードに衝撃をもって
接触することにつながシ、ボンディングの接合性を悪く
するため、このような対策にはおのずと限界がある。
このため、ウェッジの上下動作におけるウェッジの下降
時間の占める時間を大きくとる必要がちシ、この時間が
大となって、ボンディング速度ツバイスピード化のネッ
クとなっている。
時間の占める時間を大きくとる必要がちシ、この時間が
大となって、ボンディング速度ツバイスピード化のネッ
クとなっている。
一方、従来の超音波ワイヤボンダにおけるウェッジの上
下動機構は、ウェッジが取シ付けられているボンディン
グアームを、ウェッジが第１図に図示するような動きが
できるようなカム線図をもつカムを一方向に旋回させな
がらウェッジを上下動させるものである。
下動機構は、ウェッジが取シ付けられているボンディン
グアームを、ウェッジが第１図に図示するような動きが
できるようなカム線図をもつカムを一方向に旋回させな
がらウェッジを上下動させるものである。
したがって、このような従来のウェッジの上下動機構に
おいては、ウェッジの上下動幅及び速度がカムのカム線
図と回転数によって決まってしまうために、ウェッジの
上下動作及び速度の態様を変えるにはそれに対応するよ
うなカム線図をもつ別仕様のカムに取シ換える必要があ
る。そのため、ウェッジの動きを簡単に変更することが
できず、１台のボンダをもって種々の態様のボンディン
グを行なうことができない欠点がある。
おいては、ウェッジの上下動幅及び速度がカムのカム線
図と回転数によって決まってしまうために、ウェッジの
上下動作及び速度の態様を変えるにはそれに対応するよ
うなカム線図をもつ別仕様のカムに取シ換える必要があ
る。そのため、ウェッジの動きを簡単に変更することが
できず、１台のボンダをもって種々の態様のボンディン
グを行なうことができない欠点がある。
本発明の目的は、このような従来のワイヤボンディング
方式による諸問題を解決し、ハイスピードなワイヤボン
ディングができる −ｔ≠漆及びワイヤボンダを
提供することにある。
方式による諸問題を解決し、ハイスピードなワイヤボン
ディングができる −ｔ≠漆及びワイヤボンダを
提供することにある。
また、本発明の他の目的は、ウェッジの上下動作を容易
に変更でき、１台のボンダで種々の態様のボンディング
を行なうことができ、しかも自動化しうるワイヤボンダ
を提供することにある。
に変更でき、１台のボンダで種々の態様のボンディング
を行なうことができ、しかも自動化しうるワイヤボンダ
を提供することにある。
以下余白
を嘴式本発明におけるワイヤボンダとしては、ボンディ
ング用端子の上下動作速度及び移動量を制御しつる制御
機構部を有し、被ボンディング体に合わせたポンディン
グ用端子の上下動作プロフィルに二りワイヤボンディン
グするワイヤボンダとするものでおる。
ング用端子の上下動作速度及び移動量を制御しつる制御
機構部を有し、被ボンディング体に合わせたポンディン
グ用端子の上下動作プロフィルに二りワイヤボンディン
グするワイヤボンダとするものでおる。
以下、本発明のワイヤボンダを用いた超音波ワイヤボン
ディング法の一実施例をもって本発明を具体的に詳述す
る。
ディング法の一実施例をもって本発明を具体的に詳述す
る。
第２図（ａ）〜（ｂ）は、被ボンディング体の１例であ
るデュアルインライン形のセラミツクツくツケージを示
す図で、同図（ａｌは平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）
におけるＡＡ’矢視縦断面図である。図において、２１
はセラミックパッケージ本体、２２はＩＣが設けられて
いる半導体素子ペレットで、その表面に１４個のパッド
電極２２２〜２２ｎがあり、固以下余白 殖財２３によシセラミックパッケージ本体２１にダイポ
ンディングされているものでおる。２４２〜２４ｎはペ
レット２２における１４個のパッド電極２２８〜２２ｎ
に対応するリードでちり、低融点ガラス２５によりセラ
ミックパッケージ本体２１に取シ付けられているもので
ある。
るデュアルインライン形のセラミツクツくツケージを示
す図で、同図（ａｌは平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）
におけるＡＡ’矢視縦断面図である。図において、２１
はセラミックパッケージ本体、２２はＩＣが設けられて
いる半導体素子ペレットで、その表面に１４個のパッド
電極２２２〜２２ｎがあり、固以下余白 殖財２３によシセラミックパッケージ本体２１にダイポ
ンディングされているものでおる。２４２〜２４ｎはペ
レット２２における１４個のパッド電極２２８〜２２ｎ
に対応するリードでちり、低融点ガラス２５によりセラ
ミックパッケージ本体２１に取シ付けられているもので
ある。
（１） ウェッジの低速下降時間Ｔ１４ｔに余裕をも
って設定したウェッジの上下動（第３図参照）によって
、半導体ペレット２２のパッド電極２２ａとそのパッド
電極２２ａに対応するリード２４ａをポンディングワイ
ヤでらるアルミニウム線で相互羨続する。この場合、ウ
ェッジの低速下降時間Ｔ１ 、Ｔ２に余裕をもたせるの
は、この時点において、パッド電極２２ａ及びリード２
４ａの位置が明確にわかっていないためでめる。
って設定したウェッジの上下動（第３図参照）によって
、半導体ペレット２２のパッド電極２２ａとそのパッド
電極２２ａに対応するリード２４ａをポンディングワイ
ヤでらるアルミニウム線で相互羨続する。この場合、ウ
ェッジの低速下降時間Ｔ１ 、Ｔ２に余裕をもたせるの
は、この時点において、パッド電極２２ａ及びリード２
４ａの位置が明確にわかっていないためでめる。
この場合、ウェッジの初期位置ａからパッド電極２２ａ
の位置ｔまでの距離（ウェッジが下降してパッド電極２
２ａに着地するまでの距離）Ｄａｔを測定することと、
パッド電極２２ａにワイヤポンディングしたのち、ウェ
ッジが上昇した位置ｅ。
の位置ｔまでの距離（ウェッジが下降してパッド電極２
２ａに着地するまでの距離）Ｄａｔを測定することと、
パッド電極２２ａにワイヤポンディングしたのち、ウェ
ッジが上昇した位置ｅ。
ｆからリード２４ａの位置ｍまで距離（、ｌエツジが下
降してリード２４ａに着地するまでの距離）ｐｆｍを測
定することを行なう。
降してリード２４ａに着地するまでの距離）ｐｆｍを測
定することを行なう。
（２） 個々（７）パッド電極２２ａ ＃２２ｂ 、
−１２２Ｈの相互の位置のばらつきの直上Δα及び個々
のリード２４ａｊ２４ｂｊ・・・、２４ｎの相互の位置
のばらつきの（直±Δβを被ボンディング体の部品精度
や組立精度などを基にして１個の被ボンディング体の中
でのおさえる位置ばらつきと、して選定する。そして、
ウェッジがパッド電極に対して下降する際の低速動作範
囲をウェッジの高さにしてＤａｄの位置を中心として土
Δαの領域と規定し、ウェッジがリードに対して下降す
る際の低速動作範囲をウェッジの高さＫしてｐｆｍの位
置を中心とＬ７て土Δβの領域と規定し、この規定にも
とづいたウェッジの上下動作プロフィルを決める。この
プロフィルを図示したものが第４図（ａ）である。
−１２２Ｈの相互の位置のばらつきの直上Δα及び個々
のリード２４ａｊ２４ｂｊ・・・、２４ｎの相互の位置
のばらつきの（直±Δβを被ボンディング体の部品精度
や組立精度などを基にして１個の被ボンディング体の中
でのおさえる位置ばらつきと、して選定する。そして、
ウェッジがパッド電極に対して下降する際の低速動作範
囲をウェッジの高さにしてＤａｄの位置を中心として土
Δαの領域と規定し、ウェッジがリードに対して下降す
る際の低速動作範囲をウェッジの高さＫしてｐｆｍの位
置を中心とＬ７て土Δβの領域と規定し、この規定にも
とづいたウェッジの上下動作プロフィルを決める。この
プロフィルを図示したものが第４図（ａ）である。
（３） 第４図（ａ）に示すようなウェッジの上下動
作プロフィルにしたがってウェッジを動作させて、パッ
ド電極２２ｂとリード２４ｂとをアルミニウム線によシ
ワイヤボンディングし、次いで順次第４図伸）に示すよ
うなプロフィルによるウェッジの動きにより、パッド電
極２２Ｃｒ ２２ｄ＋”’、２２ｎとそれに対応するリ
ード２４ＣＩ ２４ｄ ｌ・・・。
作プロフィルにしたがってウェッジを動作させて、パッ
ド電極２２ｂとリード２４ｂとをアルミニウム線によシ
ワイヤボンディングし、次いで順次第４図伸）に示すよ
うなプロフィルによるウェッジの動きにより、パッド電
極２２Ｃｒ ２２ｄ＋”’、２２ｎとそれに対応するリ
ード２４ＣＩ ２４ｄ ｌ・・・。
２４ｎとをアルミニウム線によシワイヤボンディングし
、１つのセラミックパッケージすなわち１個の被ワイヤ
ボンディング体のワイヤボンディングを終了する。第４
図（ｂ）は、上述したようなワイヤボンディングにおけ
るウェッジの上下動プロフィルを示す図である。
、１つのセラミックパッケージすなわち１個の被ワイヤ
ボンディング体のワイヤボンディングを終了する。第４
図（ｂ）は、上述したようなワイヤボンディングにおけ
るウェッジの上下動プロフィルを示す図である。
（４）続いて、順次各被ワイヤポンディ／グ体にワイヤ
ポンディングする際には、前記した（１）〜（３）の手
続をとって行なう。
ポンディングする際には、前記した（１）〜（３）の手
続をとって行なう。
上述したこと刀・らもあきらかのように、本発明Ｋかか
る超音波ワイヤポンディフグ法は、ウェッジの低速下降
時間（第４図におけるＴＩ ’ 、Ｔ２’ ）が短時
間となるため、ウェッジのよ下動作時間が非常に短かく
なシ、ノ・イスピードなボンディングができる。これは
、個々の披ボンディング体に対し、あらかじめウェッジ
の下降する基準位ｅＪｖａｔｒＤｆｍを測定しておき、
これを基にしてウェッジのパッド電極及びリードに対し
て下降する際の低速下降動作範囲を決めていることによ
る。また、ウェッジの高さのばらつきとして選定した直
上Δα。
る超音波ワイヤポンディフグ法は、ウェッジの低速下降
時間（第４図におけるＴＩ ’ 、Ｔ２’ ）が短時
間となるため、ウェッジのよ下動作時間が非常に短かく
なシ、ノ・イスピードなボンディングができる。これは
、個々の披ボンディング体に対し、あらかじめウェッジ
の下降する基準位ｅＪｖａｔｒＤｆｍを測定しておき、
これを基にしてウェッジのパッド電極及びリードに対し
て下降する際の低速下降動作範囲を決めていることによ
る。また、ウェッジの高さのばらつきとして選定した直
上Δα。
土Δβは、各個の被ボンディング体の部品精度や組立精
度などを基にして行なっているため、それだれの被ボン
ディング体間のボンディング高さのばらつきがなくなシ
、小さな（直となっていることによる。
度などを基にして行なっているため、それだれの被ボン
ディング体間のボンディング高さのばらつきがなくなシ
、小さな（直となっていることによる。
すなわち、本発明釦かかる超音波ワイヤボンディング法
では、第４図（ｂ）に示すように、パッド電極２２ａと
それに対応するリード２４ａとのワイヤボンディングに
要する時間は従来と同じりｔｌでおるが、パッド電極２
２ｂ 、２２Ｃ、−，２２ｎとそれに対応するリード２
４ｂ１２４ＣＩ・・・。
では、第４図（ｂ）に示すように、パッド電極２２ａと
それに対応するリード２４ａとのワイヤボンディングに
要する時間は従来と同じりｔｌでおるが、パッド電極２
２ｂ 、２２Ｃ、−，２２ｎとそれに対応するリード２
４ｂ１２４ＣＩ・・・。
２４ｎとのワイヤボンディングに要する時間は、（ｎ−
１）ｔ２であシ、結局、１個の被ボンディング体にワイ
ヤボンディングするに要する時間はｔｌ ＋（” １
） ｔ２である。一方、従来の方式での１個の被ボン
ディング体にワイヤボンディングするに要する時間はｎ
ｔ、である。したがって、本発明は、１個の被ボンディ
ング体にワイヤボンディングするに要する時間を従来方
式のものに比較してｎｔ＋ （ｔ、＋（ｎ ｌ）
ｔ２１＝（ｎｌ）（ｔｌ ’２）だけ短縮することが
でき、前述したようにＴ、＋Ｔ２ ＞Ｔ Ｉ’ ＋ Ｔ
２ ’であることより １． ＞ １２となシ、大幅に
ワイヤボンディング時間を本発明は短かくでき、ハイス
ピードなワイヤボンディングができ七ものである。
１）ｔ２であシ、結局、１個の被ボンディング体にワイ
ヤボンディングするに要する時間はｔｌ ＋（” １
） ｔ２である。一方、従来の方式での１個の被ボン
ディング体にワイヤボンディングするに要する時間はｎ
ｔ、である。したがって、本発明は、１個の被ボンディ
ング体にワイヤボンディングするに要する時間を従来方
式のものに比較してｎｔ＋ （ｔ、＋（ｎ ｌ）
ｔ２１＝（ｎｌ）（ｔｌ ’２）だけ短縮することが
でき、前述したようにＴ、＋Ｔ２ ＞Ｔ Ｉ’ ＋ Ｔ
２ ’であることより １． ＞ １２となシ、大幅に
ワイヤボンディング時間を本発明は短かくでき、ハイス
ピードなワイヤボンディングができ七ものである。
次に、本発明にかかる超音波ワイヤボンダについて説明
する。
する。
第５図は本発明の一実施列である超音波ワイヤボンダを
示す概略図であり、特にウェッジの上下動作機構部を示
す図である。図において、１はボンディング用端子であ
るウェッジで、ボンディングワイヤであるアルミニウム
線２がウェッジ先端に導ひかれている。３は超音波振動
子が接続されているホーンでアシ、ホーン支持具４と通
してカム５の回転によシ上下動し、ウェッジを上下動さ
せるものである。
示す概略図であり、特にウェッジの上下動作機構部を示
す図である。図において、１はボンディング用端子であ
るウェッジで、ボンディングワイヤであるアルミニウム
線２がウェッジ先端に導ひかれている。３は超音波振動
子が接続されているホーンでアシ、ホーン支持具４と通
してカム５の回転によシ上下動し、ウェッジを上下動さ
せるものである。
６はカム５を回転させる駆動モータである。７はウェッ
ジを前後左右に移動させるＸＹテーブルであり、８は被
ボンディング体、９は被ボンディング体８を支持する支
持台である。
ジを前後左右に移動させるＸＹテーブルであり、８は被
ボンディング体、９は被ボンディング体８を支持する支
持台である。
１０はウェッジ着地検出器で、ホーン支持具４と電気的
に絶縁されたレバー１１に電気接続されており、ウェッ
ジ１が下降して被ボンディング体８に接触した際、レバ
ー１１がアースされたカムから離れ、レバー電圧が上が
ることにより、ウェッジ１が被ボンディング体８に着地
（接触）した際の状態を検出しうるものである。
に絶縁されたレバー１１に電気接続されており、ウェッ
ジ１が下降して被ボンディング体８に接触した際、レバ
ー１１がアースされたカムから離れ、レバー電圧が上が
ることにより、ウェッジ１が被ボンディング体８に着地
（接触）した際の状態を検出しうるものである。
カム５は第７図に示すようなカム線図をもつもので、回
転角とカムリフトとの関係が線型のものを使用している
。
転角とカムリフトとの関係が線型のものを使用している
。
また、このワイヤポンダは、第６図に示すような制御機
構部を備えている。この制御機構部は、ウェッジの上下
動作速度及び移動量を制御しうるもので、モータ６と、
このモータ６に直結しているロータリエンコーダ（回転
角度を検出するもの）１２及びタコジェネレータ（回転
速度を検出するもの）１３とをメカニカルなものとして
有し、これを制御する電気回路すなわち回転角度の指令
データを記憶しうるメモリ回路１４、回転角度判定回路
１５、速度制御回路１６、モータのドライバ回路１７、
ウェッジをボンディング時などに適宜停止させつるタイ
マ１８を主要素として構成されているもめである。
構部を備えている。この制御機構部は、ウェッジの上下
動作速度及び移動量を制御しうるもので、モータ６と、
このモータ６に直結しているロータリエンコーダ（回転
角度を検出するもの）１２及びタコジェネレータ（回転
速度を検出するもの）１３とをメカニカルなものとして
有し、これを制御する電気回路すなわち回転角度の指令
データを記憶しうるメモリ回路１４、回転角度判定回路
１５、速度制御回路１６、モータのドライバ回路１７、
ウェッジをボンディング時などに適宜停止させつるタイ
マ１８を主要素として構成されているもめである。
したがって、この制御機構部は、メモリ１４に制御用カ
ム５の回転角に対応させたウェッジ１の上下動作速度及
び移動量を記憶させておけば、そのメモリ１４からの指
令どおりにモータ６を回転させ、それに対応してカム５
を回転させてウェッジ１を所望の高速下降速匿、低速下
降速度、上昇速度ｔもって上下動させ１、タイマ１８全
通してウェッジ１の動作の停止全行なわしめつるもので
らる。
ム５の回転角に対応させたウェッジ１の上下動作速度及
び移動量を記憶させておけば、そのメモリ１４からの指
令どおりにモータ６を回転させ、それに対応してカム５
を回転させてウェッジ１を所望の高速下降速匿、低速下
降速度、上昇速度ｔもって上下動させ１、タイマ１８全
通してウェッジ１の動作の停止全行なわしめつるもので
らる。
この種の超音波ワイヤボンダの動作について第２図伸）
〜（ｂ）に示す被ボンディング体にワイヤボンディング
する態様について順を追って説明する。
〜（ｂ）に示す被ボンディング体にワイヤボンディング
する態様について順を追って説明する。
（１） ウェッジｌの低速下降時間ＴＩ 、Ｔ２に
余裕をもって設定したウェッジ１の上下動（第３図参照
）によって、半導体ペレット２２のノくツド電極２２ａ
とそのパッド電極２２ａに対応するリード２４ａをアル
ミニウム線２で相互接続する。この場合、ウェッジ１の
低速下降時間Ｔ、、Ｔ２に余裕をもたせるのは、この時
点において、ノ＜ツド電極２２ａ及びリード２４ａの位
置が明確にわかっていないためである。
余裕をもって設定したウェッジ１の上下動（第３図参照
）によって、半導体ペレット２２のノくツド電極２２ａ
とそのパッド電極２２ａに対応するリード２４ａをアル
ミニウム線２で相互接続する。この場合、ウェッジ１の
低速下降時間Ｔ、、Ｔ２に余裕をもたせるのは、この時
点において、ノ＜ツド電極２２ａ及びリード２４ａの位
置が明確にわかっていないためである。
このワイヤボンディング時、ウェッジ１が下降してパッ
ド電極２２ａに接触したことをウェッジ着地検出器ｌＯ
により検出し、この時のａ−タリエ／コーダ１２の出力
全制御部内部のメモＩＪ １４に記憶させる。また、同
じく、ウェッジ１が下降してリード２２ａに接触したこ
とをウェッジ着地検出器１０によシ検出し、この時のａ
−タリエンコーダ１２の出力を制御部内部のメモＩＪ
ｌ ４に記憶させる。
ド電極２２ａに接触したことをウェッジ着地検出器ｌＯ
により検出し、この時のａ−タリエ／コーダ１２の出力
全制御部内部のメモＩＪ １４に記憶させる。また、同
じく、ウェッジ１が下降してリード２２ａに接触したこ
とをウェッジ着地検出器１０によシ検出し、この時のａ
−タリエンコーダ１２の出力を制御部内部のメモＩＪ
ｌ ４に記憶させる。
この情報は、ウェッジが下降してパッド電極２２ａに着
地するまでの距離Ｄａｔを測定することと、パッド電極
２２ａにワイヤボンディングしたのち、停止状態下のウ
ェッジｌが再び下降してリード２４ａに着地するまでの
距離ｐｆｍを測定することに相当する。
地するまでの距離Ｄａｔを測定することと、パッド電極
２２ａにワイヤボンディングしたのち、停止状態下のウ
ェッジｌが再び下降してリード２４ａに着地するまでの
距離ｐｆｍを測定することに相当する。
（２）個々のパッド電極＝２ａ ｒ ２２ｂ 、・・’
＋２２ｎの相・互の位置のばらつきの直上Δα及び個々
のリード２４ａ、２４ｂｒ・・・、２４ｎの相互の位置
のばらつきの埴土Δβを被ボンディング体の部品精度や
組立精度などｔ基にして選定する。そして、ウェッジ１
がパッド電極に対して下降する際の低速動作範囲をウェ
ッジの高さにしてＤａｔの位置を中心として土Δαの領
域と規定し、ウェッジｌがリードに対して下降する際の
低速動作範囲をウェッジの高さにしてｐｆｍの位置を中
心として土Δβの領域と規定し、この規定にもとづいた
ウェッジｌの上下動作プロフィルを決め、これを制御部
のメモリ回路に記憶させる。このプロフィルを図示した
ものが第４図（ａ）である。
＋２２ｎの相・互の位置のばらつきの直上Δα及び個々
のリード２４ａ、２４ｂｒ・・・、２４ｎの相互の位置
のばらつきの埴土Δβを被ボンディング体の部品精度や
組立精度などｔ基にして選定する。そして、ウェッジ１
がパッド電極に対して下降する際の低速動作範囲をウェ
ッジの高さにしてＤａｔの位置を中心として土Δαの領
域と規定し、ウェッジｌがリードに対して下降する際の
低速動作範囲をウェッジの高さにしてｐｆｍの位置を中
心として土Δβの領域と規定し、この規定にもとづいた
ウェッジｌの上下動作プロフィルを決め、これを制御部
のメモリ回路に記憶させる。このプロフィルを図示した
ものが第４図（ａ）である。
（３） メモリ回路から前記したウェッジ上下動作プ
ロフィルに従った信号を出力すると、モータ６がそれに
従った回転を行なう。この動作によってウェッジｌを上
下動させ、順次、パッド電極２２ｂ。
ロフィルに従った信号を出力すると、モータ６がそれに
従った回転を行なう。この動作によってウェッジｌを上
下動させ、順次、パッド電極２２ｂ。
２２Ｃ１・・・、２２ｎとその電極に対応するリード２
４ｂ Ｉ ２４ＣＩ・・・、２４ｎとをアルミニウム線
によりワイヤボンディングすることにより、１つのセラ
ミックパッケージすなわち１個の被ワイヤボンディング
体のワイヤボンディングを終了させる。
４ｂ Ｉ ２４ＣＩ・・・、２４ｎとをアルミニウム線
によりワイヤボンディングすることにより、１つのセラ
ミックパッケージすなわち１個の被ワイヤボンディング
体のワイヤボンディングを終了させる。
（４）続いて、順次各被ワイヤηバンディング体にワイ
ヤボンディングする際には、前記した（１）〜（３）の
操作をとって行なう。
ヤボンディングする際には、前記した（１）〜（３）の
操作をとって行なう。
上述したことからあきらかのように、本発明にかかる超
音波ワイヤボンダは、下記するような諸特長をもつもの
である。
音波ワイヤボンダは、下記するような諸特長をもつもの
である。
（１） ウェッジの上下動作は、メモリ回路に記憶さ
せるウェッジの上下動作プロフィルにより容易に変更で
きる。
せるウェッジの上下動作プロフィルにより容易に変更で
きる。
（２） ウェッジの上下動作はメモリ回路に記憶させ
る情報の交換だけでよく、シたがって容易にそれを変更
でさることから、１台のボンダで種々の態様のボンディ
ングを行なうことができる。
る情報の交換だけでよく、シたがって容易にそれを変更
でさることから、１台のボンダで種々の態様のボンディ
ングを行なうことができる。
（３）実施例にかかるワイヤボンディング法に則ったワ
イヤボンディングができ、そのワイヤボンディング操作
を自動化できる。
イヤボンディングができ、そのワイヤボンディング操作
を自動化できる。
（４） 実施例にかかるワイヤボンディング法に則っ
たワイヤボンディングができるため、高速度ワイヤボン
ディングができる。
たワイヤボンディングができるため、高速度ワイヤボン
ディングができる。
本発明は、超音波ワイヤボンディング方式に限定されず
、熱圧着法などによるワイヤボンディング方式にも適用
できる。
、熱圧着法などによるワイヤボンディング方式にも適用
できる。
第１図（ａ）〜（１））は従来の超音波ワ・ｆタボ／デ
ィング方式におけるウェッジの上下動作プロフィルを示
す図、第２図（ａ）〜（ｂ）は被ボンディング体の一種
であるセラミックパックー−ジを示す図で、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）は同図（１）のＡＡ’矢視縦断面
図、第３図乃至第４図（ａ）〜（ｂ）は本発明にかかる
ウェッジの上下動作プロフィルを示す図１第５図〜第６
′ 図は本発明にかかる超音波ワイヤポンダを
示す概略図、第７図は本発明にかかるカムのカム線図で
ある。 １・・・ウェッジ、２・・・アルミニウム線、３・・・
ホーン、４・・・ホーン支持具、５・・・カム、６・・
・モータ、７・・・ＸＹテーブル、８・・・被ボン、デ
ィング体、９・・・支持台、ｌＯ・・・ウェッジ着地検
出器、１１・・・レバー、１２・・・ロータリエンコー
ダ、１３・・・タコジェネレータ、１４・・・メモリ回
路、１５・・・回転角度判定回路、１６・・・速度制御
回路、１７・・・モータのドライバ回路、１８・・・タ
イマ。 児 １ 図 埒 閣 η Ｚ 図 （良） （ｌＡ） ２ζ ！−Ｉ ３ 呂 第 ４ 図
ィング方式におけるウェッジの上下動作プロフィルを示
す図、第２図（ａ）〜（ｂ）は被ボンディング体の一種
であるセラミックパックー−ジを示す図で、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）は同図（１）のＡＡ’矢視縦断面
図、第３図乃至第４図（ａ）〜（ｂ）は本発明にかかる
ウェッジの上下動作プロフィルを示す図１第５図〜第６
′ 図は本発明にかかる超音波ワイヤポンダを
示す概略図、第７図は本発明にかかるカムのカム線図で
ある。 １・・・ウェッジ、２・・・アルミニウム線、３・・・
ホーン、４・・・ホーン支持具、５・・・カム、６・・
・モータ、７・・・ＸＹテーブル、８・・・被ボン、デ
ィング体、９・・・支持台、ｌＯ・・・ウェッジ着地検
出器、１１・・・レバー、１２・・・ロータリエンコー
ダ、１３・・・タコジェネレータ、１４・・・メモリ回
路、１５・・・回転角度判定回路、１６・・・速度制御
回路、１７・・・モータのドライバ回路、１８・・・タ
イマ。 児 １ 図 埒 閣 η Ｚ 図 （良） （ｌＡ） ２ζ ！−Ｉ ３ 呂 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ボンディング用端子の上下動作速度及び移動量を制
御しうる制御機構部を有し、被ボンディング体に合わせ
たボンディング用端子の上下動作プロフィルによりワイ
ヤボンディングするワイヤボンダ。 ２、ボンディング用端子は、回転角度とカムリフトとが
線型のカム線図をもつカムの正逆回転によつて上下動し
うるものである特許請求の範囲第１項記載のワイヤボン
ダ。 ３、ボンディング用端子は、超音波ワイヤボンディング
用ウェッジである特許請求の範囲第１項のワイヤボンダ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212495A JPS6193638A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ワイヤホンダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212495A JPS6193638A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ワイヤホンダ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4902779A Division JPS55141736A (en) | 1979-04-23 | 1979-04-23 | Method for wirebonding and wirebonder |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193638A true JPS6193638A (ja) | 1986-05-12 |
| JPS6224942B2 JPS6224942B2 (ja) | 1987-05-30 |
Family
ID=16623602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60212495A Granted JPS6193638A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ワイヤホンダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6193638A (ja) |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60212495A patent/JPS6193638A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6224942B2 (ja) | 1987-05-30 |
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