JPS6188964A - Production of shielding chassis - Google Patents

Production of shielding chassis

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JPS6188964A
JPS6188964A JP21055684A JP21055684A JPS6188964A JP S6188964 A JPS6188964 A JP S6188964A JP 21055684 A JP21055684 A JP 21055684A JP 21055684 A JP21055684 A JP 21055684A JP S6188964 A JPS6188964 A JP S6188964A
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JP
Japan
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chassis
solder
flux
melting tank
film
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JP21055684A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasutake Kawate
川手 靖猛
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/08Soldering by means of dipping in molten solder

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Molten Solder (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent the clogging of the holes of a chassis for a high frequency circuit product with solder and the generation of droppings in the stage of dipping the chassis into the solder after coating of a flux thereon to fill the fitting holes with the solder and to manufacture said chassis by passing the chassis into the floating film of the flux and taking out the same. CONSTITUTION:The surface of the manufactured chassis is cleaned by degreasing and thereafter the entire part of the chassis is dipped into a flux tank. The chassis is thereafter taken out of the flux tank and the entire part of the chassis is warmed. Such chassis 5 is then dipped into a solder melting tank 1. The solder in the tank 1 is held at about 250 deg.C and an oxide film is removed (the jet is held temporarily stopped in the jet solder melting tank) and thereafter the above-mentioned dipping is carried out at within about 5sec. Then the flux coated on the chassis 5 is stripped from the chassis 5 and floats on the solder surface 2, thus forming the flux floating film 6. While the chassis 5 is passed through the inside of the film 6 in the state of preventing the dispersion of the film 6, the chassis is risen at about 10mm/sec speed and is taken out. The chassis is dipped in about 2-5% soln. of water and dilute hydrochloric acid, by which the chassis is washed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、コンバータやチューナ等の高周波回路製品に
使用するシールドシャシを製造する製造方法に関し、更
に詳しくは、シャシ枠体とその中を仕切る仕切り板との
嵌合部などの隙き間を半田によって埋めてシールドシャ
シを製造する製造方法に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a manufacturing method for manufacturing a shielded chassis used for high frequency circuit products such as converters and tuners, and more specifically relates to a manufacturing method for manufacturing a shielded chassis used for high frequency circuit products such as converters and tuners. The present invention relates to a manufacturing method for manufacturing a shield chassis by filling gaps such as a fitting part with a plate with solder.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

例えば、TV用コンバータなど、非常に高い周波数の信
号を取り扱う装置においては、該装置を構成しているシ
ャシ枠体とその中を仕切る仕切板との嵌合部などKEI
(き間が生じていると、各仕切り内に配置されている基
板間においてその隙き間を介して互いに電波のやりとり
が行われ、電気的特性に障害を及ぼすことがある。その
為、一般的には、その隙き間を半田によって埋めて電磁
的にシールドして電波のやりとりが行われないようKし
ている。
For example, in devices that handle very high frequency signals, such as TV converters, KEI
(If a gap exists, radio waves may be exchanged between the boards placed in each partition through the gap, which may impair the electrical characteristics. In general, the gap is filled with solder and electromagnetically shielded to prevent the exchange of radio waves.

そζで、各嵌合部の隙き間を半田によって埋める方法と
して、従来では、糸半田をシャシ枠体と仕切板との嵌合
部(コーナ部)Icのせ、そのまま融解炉の中を通すこ
とにより半田をとかして隙き間を埋めていた。しかし、
一般にシャシには、嵌合部が約40箇所もあるため、実
際には、シャシ全体を横にしたりさかさまKしたりして
方向を変えながら、上記した作業を数回繰り返して行う
必要があり、非常に工数が掛ってしまプ欠点があった。
Therefore, in order to fill the gaps between each fitting part with solder, the conventional method is to place thread solder on the fitting part (corner part) Ic between the chassis frame and the partition plate, and pass it through a melting furnace as it is. As a result, I had to melt the solder to fill in the gaps. but,
Generally, a chassis has about 40 mating parts, so in reality, it is necessary to repeat the above process several times while changing the orientation by turning the entire chassis sideways or upside down. However, the drawback was that it took a lot of man-hours.

そこで、半田溶融槽内にシャシ全体を直接浸漬して、−
回の作業にて各嵌合部の隙き間を一度に半田によって埋
める方法が考えられる。
Therefore, the entire chassis was immersed directly into the solder melting tank.
One possible method is to fill in the gaps between each fitting part with solder in one operation.

しかし、この方法による場合、浸漬したシャシを外へ取
り出す際に、シャシ枠体等の側面に開けられている穴(
貫通コンデンサの挿入穴等)が半田(よってふさがれた
り(以下、この現象を穴ふさがりと呼ぶ。)、シャシの
下端に半田のつららが発生したりするので、これらを如
何に除去するかが問題となる。
However, when using this method, when taking out the immersed chassis, holes (
The problem is how to remove solder icicles, which can cause the insertion holes of feedthrough capacitors, etc.) to become blocked by solder (hereinafter this phenomenon is referred to as hole clogging), and solder icicles to form on the bottom edge of the chassis. becomes.

例えば、従来では、特開昭56−1044099号公報
に記載されているよ5に、半田浸漬後に遠心分離を施す
ととKより穴ふさがりや半田つららを除去している。以
下、この方法について第2図を用いて簡単に説明する。
For example, conventionally, as described in JP-A-56-1044099, hole blockages and solder icicles are removed by centrifuging after immersion in solder. This method will be briefly explained below using FIG. 2.

第2図は従来のシールドシャシの製造方法を示す工程図
である。
FIG. 2 is a process diagram showing a conventional method for manufacturing a shielded chassis.

第2図において、ステップa乃至Cに示す様に1製作さ
れたシャシは、クロロルエタン等の有機溶剤中に浸すこ
とにより表面上脱脂した後、フラックス槽内に浸漬して
表面にスラックスを塗布する。
In FIG. 2, the manufactured chassis is immersed in an organic solvent such as chloroethane to degrease its surface, and then immersed in a flux bath to coat the surface with slack.

次に、シャシ全体を半田溶融槽内に浸漬した後(ステッ
プdへ溶融半FBが固まらない状態でシャシを遠心分離
機にかけ穴ふさがり等を除去する(ステップe)。続い
て、シャシ半田の膜厚を均一にするためと、シャシ枠体
と仕切り板との嵌合部のシールドを確実にする丸めに、
油浸漬を行い(ステップf)、その後、付着した油を再
びクロロルエタン洗浄によって落す(ステップg)。
Next, after the entire chassis is immersed in the solder melting tank (step d), the chassis is placed in a centrifuge to remove any blockages such as holes, etc., while the molten half FB is not solidified (step e). To make the thickness uniform and to ensure the shielding of the fitting part between the chassis frame and the partition plate,
Oil immersion is performed (step f), and then the attached oil is removed again by chloroethane washing (step g).

しかしながら、この方法では、遠心分離を行う為、半田
の飛散処理を施す必要があり、その周辺の設備投資に金
が掛かる等の欠点が考えられる。
However, in this method, since centrifugal separation is performed, it is necessary to perform a treatment for scattering the solder, and there may be drawbacks such as an increase in investment in peripheral equipment.

又、シャシ枠体と仕切り板との嵌合部のシールドは、油
浸漬しなくても、シャシの取り出す方向を半田の流゛れ
易い方向にすることにより、比較的均一で機能上間−に
ならない。又、さらK、この方法では、油浸漬後の洗浄
を効果的に行5為に、とプしてもクロ四ルエタン等の有
機溶剤を使用しなければならず、しかしながら最近、こ
れら有機溶剤を使用することは、公害規制が厳しい大め
、新らたに使用することが難しくなってきており、仮に
使用できたとしても、その処理設備等に設備投資が必要
となるなどの欠点がある。
In addition, the shield at the fitting part between the chassis frame and the partition plate can be made relatively uniform and functionally easy without being immersed in oil by setting the direction in which the chassis is taken out in the direction in which the solder flows easily. No. Furthermore, in this method, in order to effectively perform cleaning after immersion in oil, organic solvents such as chlorotetraethane must be used.However, recently, these organic solvents have been Due to strict pollution regulations, it has become difficult to reuse them, and even if they could be used, there are drawbacks such as the need for capital investment in processing equipment.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除去し、半
田による穴ふさがりや半田つららを発生させることなく
、シャシ枠体と仕切板との嵌合部などに生じる隙き閲を
一度に半田によって埋めることができ、しかも、工程数
が短縮化され、設備コストも安価で済むシールドシャシ
の製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art, and to eliminate gaps that occur at the fitting portion between the chassis frame and the partition plate by soldering at once, without clogging the holes with solder or generating solder icicles. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a shield chassis, which can be filled with the above-mentioned problems by shortening the number of steps and reducing the equipment cost.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

スラックスを塗布したシャシを半田溶融槽内に浸漬する
と、塗布したスラックスがシャシより分離し半田浴l!
ll槽の半田表mK浮上して浮上膜を形成する。その浮
上膜中を通して浸漬されたシャシを外へ取り出した時に
は、シャシ枠体と仕切板との嵌合部などに生じる隙き間
は半田によって埋められるが、半田による穴ふさがりや
半田つららの発生は見られないことを、発明者は発見し
た。
When a chassis coated with slack is immersed in a solder melting tank, the coated slack separates from the chassis and forms a solder bath!
The solder surface mK of the ll tank floats to form a floating film. When the chassis that has been immersed through the floating film is taken out, the gaps that occur at the fitting part between the chassis frame and the partition plate are filled with solder, but the solder does not cover the holes or cause solder icicles. The inventor discovered something that cannot be seen.

本発明は、この現象に着目してなされたものであり、従
って、本発明では、上記した目的を達成する為、シャシ
を浸漬すべき半田溶融槽内の半田表面にフラックスの浮
上膜を形成する第1の工程と、半田溶融槽内に浸漬され
九シャシを前記スラックスの浮上膜中を通して外へ取り
出す第2の工程とを含み、シャシ側面の半田による穴ふ
さがりや半田つららの発生を見ることなしく、シャシ枠
体の中を仕切る仕切板と該枠体との嵌合部などに生じる
隙き間を半田で埋めるようKしたものである。
The present invention has been made by focusing on this phenomenon. Therefore, in order to achieve the above-mentioned object, the present invention forms a floating film of flux on the surface of the solder in the solder melting tank in which the chassis is immersed. This process includes a first step and a second step in which the nine chassis immersed in the solder melting tank are taken out through the floating film of the slacks, and the holes on the side of the chassis are not clogged with solder or solder icicles are generated. In addition, solder is used to fill gaps that occur at the fitting portion between the partition plate that partitions the inside of the chassis frame and the frame.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

第1図は本発明の一実施例を示す工程図である。FIG. 1 is a process diagram showing an embodiment of the present invention.

wc1図に示す様に、先ず従来方法と同じく部品の加工
工程と部品の組立工程にてシャシを製作しくステップa
)、次に1脱脂工程にてクロロルエタンによりシャシの
表面のよごれや油を落した後(ステップb)、フラック
ス槽に7ヤシ全体を浸漬させる(ステップC)。このフ
ラックス塗布工程では、比較的、軟化点の高いフラック
スを入れた槽を用いている。その後、フラックス槽より
シャシを取り出し、ヒータ等による高温雰囲気の中に約
20秒間置くことにより、フラックスの活性化による清
浄作用によりシャシ表面をylK清浄にすると共に、シ
ャシ全体を温めている(ステップC)。
As shown in Figure wc1, first step a is to manufacture the chassis using the parts machining process and parts assembly process as in the conventional method.
), then in the first degreasing step, dirt and oil are removed from the surface of the chassis using chloroethane (step b), and then the entire seven palms are immersed in a flux bath (step c). In this flux application step, a tank containing flux having a relatively high softening point is used. After that, the chassis is taken out of the flux bath and placed in a high temperature atmosphere using a heater or the like for about 20 seconds to make the surface of the chassis ylK clean due to the cleaning action of the activation of the flux and to warm the entire chassis (Step C). ).

次に、第1図において、ステップdに示す半田浸漬工程
について第5図(a ) s (b )を参照して説明
する。
Next, the solder dipping step shown in step d in FIG. 1 will be explained with reference to FIGS. 5(a) and 5(b).

第3図は本発明の一実施例における半田浸漬工程を説明
する為の説明図である。(a)はシャシが浸漬される前
の半田溶融槽内の状態を示し、(b)はシャシが浸漬さ
れた後の半田溶融槽内の状態を示す。
FIG. 3 is an explanatory diagram for explaining the solder dipping process in one embodiment of the present invention. (a) shows the state inside the solder melting tank before the chassis is immersed, and (b) shows the state inside the solder melting tank after the chassis is immersed.

第3図において、1は半田溶融槽、2は半田溶融槽1内
の半田表面、3はフラックス分散防止枠、4は分散防止
枠支持手段、5はシャシ、6はフラックス浮上膜、7は
シャシ把持手段、である。
In FIG. 3, 1 is a solder melting tank, 2 is a solder surface in the solder melting tank 1, 3 is a flux dispersion prevention frame, 4 is a dispersion prevention frame support means, 5 is a chassis, 6 is a flux floating film, and 7 is a chassis. It is a gripping means.

半田浸漬工程では、先ず、第3図(a)K示す半田溶融
槽1内の半田を約250℃程度に保持した上、静止型半
田溶融槽であれば表面の酸化膜を除去した後に、又、噴
流半田溶融槽であれば一時噴流を停止させた状態で、シ
ャシ5を半田溶融槽1内に浸漬させる。尚、シャシ5の
半田溶融槽1内への浸漬は、半田表面2の酸化膜を除去
できた直後に行5のが良く、長くても約5秒程度後迄に
は行う必要がある。このことは、重要なポイントとなる
。何故なら、これは酸化膜によりシャシ半田メッキ表面
に、酸化カスが付着することKより半田のピンホールが
発生するからである。
In the solder dipping process, first, the solder in the solder melting tank 1 shown in FIG. If it is a jet solder melting tank, the chassis 5 is immersed in the solder melting tank 1 with the jet temporarily stopped. It is best to immerse the chassis 5 into the solder melting tank 1 in line 5 immediately after the oxide film on the solder surface 2 has been removed, and it is necessary to immerse the chassis 5 in the solder melting tank 1 for about 5 seconds at most. This is an important point. This is because pinholes in the solder occur due to the adhesion of oxide scum to the surface of the chassis solder plating due to the oxide film.

次に、シャシ5が半田溶融槽1内に浸漬されると、シャ
シ5に塗布されていたフラックスが、シャシ5より離れ
て、半田溶融槽内1の半田表面2に浮上し、そこで7ラ
ツクス浮上膜6を形成する。
Next, when the chassis 5 is immersed in the solder melting tank 1, the flux applied to the chassis 5 separates from the chassis 5 and floats to the solder surface 2 in the solder melting tank 1, where 7 fluxes float. A film 6 is formed.

このフラックス浮よ膜6は半田溶融槽1内が静止状態に
おるためあまり分散したりしないが、分散防止を確実な
ものKする為に、第3図(a)K示す様に、予め、シャ
シ5の外形より大きめの分散防止枠(上下面が開いてい
る枠)3を半田溶融槽1内に埋めておき、半田表面2の
酸化膜除去後に、第3図(b)K示す様に、半田表面2
上から分散防止枠3の一部を人寸法長さ出し、分散防止
枠3内にシャシ5を浸漬するよ5Kしている。この様に
することにより、確実にフラックス浮上膜6の分散を防
止することができる。又、他の方法として、半田溶融槽
1を小さくして分散防止を兼ねることも考えられるが、
半田浸漬のコン)o−ル上、半田溶融槽1は大きい方が
外界との放熱の関係によるバラツキが少ないので、良い
結果となる。又、更に厚くフラックス浮上膜6を形成し
たい場合、その分散防止枠3内の半田表面2へ外からフ
ラックスを滴下しても良い。
This flux floating film 6 does not disperse much because the inside of the solder melting tank 1 is in a stationary state, but in order to ensure prevention of dispersion, the flux floating film 6 is placed on the chassis in advance as shown in FIG. 3(a). A dispersion prevention frame 3 (a frame with open top and bottom surfaces) larger than the outer size of the solder melting tank 1 is buried in the solder melting tank 1, and after removing the oxide film on the solder surface 2, as shown in FIG. 3(b)K, Solder surface 2
A part of the dispersion prevention frame 3 is extended to a human size length from above, and the chassis 5 is immersed in the dispersion prevention frame 3 for 5K. By doing so, it is possible to reliably prevent the flux floating film 6 from dispersing. Also, as another method, it is possible to make the solder melting tank 1 smaller so as to prevent dispersion.
On the solder immersion console, the larger the solder melting tank 1 is, the better the results will be because there will be less variation due to the relationship between heat radiation and the outside world. Furthermore, if it is desired to form an even thicker flux floating film 6, flux may be dropped onto the solder surface 2 within the dispersion prevention frame 3 from outside.

この様にシャン5に塗布されていたフラックスがシャシ
5より離れて浮上するか、又は、半田表面2に外からフ
ラックスを滴下するかして、形成され九フラックス浮上
膜6を分散しない状態にした上で、浸漬されたシャシ5
をそのフラックス浮上膜6中を通しながら約10 tm
/ secの速さで上昇させ、外へ取り出す。
In this way, the flux applied to the chassis 5 floats away from the chassis 5, or the flux is dropped onto the solder surface 2 from the outside, forming a flux floating film 6 that is not dispersed. Above, immersed chassis 5
about 10 tm while passing the flux through the floating membrane 6.
/sec and take it out.

この様にして取り出されたシャシ5には半田による穴ふ
さがりや半田つららの発生は見られない。
The chassis 5 taken out in this manner does not show any hole plugging caused by solder or generation of solder icicles.

これは、恐らく、フラックスの表面張力低下作用や、フ
ラックスから発生するガスなどによって、シャシ側面に
あけられた穴が半田のたれによってふさがれるのを邪魔
したり、シャシ端部につららが発生するのを防いだりす
る為だと考えられるが、はっきりしたことはわからない
This is probably due to the surface tension lowering effect of the flux or the gas generated from the flux, which prevents the holes drilled on the side of the chassis from being filled with solder drippings, or causes icicles to form at the edges of the chassis. It is thought that this is to prevent this, but we do not know for sure.

尚、浸漬されたシャシ5を半田溶融槽1から取り出すタ
イミングは、半田表面2にあるフラックス浮上膜6が炭
化現象を起す前でちる必要がおる。
The immersed chassis 5 must be removed from the solder melting tank 1 before the flux floating film 6 on the solder surface 2 starts to carbonize.

この為、フラックスには、軟化点の高いフラックスを用
いた方のが、時間が長くとれて有利である。
For this reason, it is advantageous to use a flux with a high softening point because it can take a longer time.

以上が、半田浸漬工程についての説明である。The above is an explanation of the solder dipping process.

次に、第1図において、ステップCに示す洗浄工程であ
るが、この工程では、先程の半田浸漬工程において半田
溶融槽内から取り出されたシャシを、水と希塩酸の2〜
5%溶液に浸漬することKよりシャシの表面を洗浄して
いる。シャシの表面についたフラックスや半田の微細カ
スなどは、クロロルエタン等を用いずとも前記溶液にて
楽に落すことができる。
Next, in the cleaning process shown in step C in FIG.
The surface of the chassis was cleaned by immersing it in a 5% solution. Fine particles of flux and solder on the surface of the chassis can be easily removed with the solution without using chloroethane or the like.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、半田による穴ふさがりや半田つららを
発生させることなく、シャシ枠体と仕切板との嵌合部な
どに生じる隙き間を一度に半田によって埋めてシールド
シャシを製造することができる。しかも、従来と比較し
て、工程数も短縮でき、設備コストも安価で済み、容易
に実現することができる。更に、一度に数台のシャシを
処理することも可能で、非常に生産性を高めることもで
き、又、クロロルエタンを使用するかわりに水と希塩酸
2〜5%溶液で済むため、ランニングコストが安くて済
む。
According to the present invention, it is possible to manufacture a shield chassis by filling gaps that occur at the fitting portion between the chassis frame and the partition plate with solder all at once without clogging holes with solder or generating solder icicles. can. Moreover, compared to the conventional method, the number of steps can be reduced, the equipment cost can be reduced, and it can be easily realized. Furthermore, it is possible to process several chassis at once, greatly increasing productivity, and running costs are low because water and a 2-5% dilute hydrochloric acid solution are used instead of chloroethane. It's done.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す工程図、第2図は従来
のシールドシャシの製造方法を示す工程図、第3図は本
発明の一実施例における半田浸漬工程を説明するための
説明図、である。 符号説明
Fig. 1 is a process diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a process diagram showing a conventional shield chassis manufacturing method, and Fig. 3 is a process diagram illustrating a solder dipping process in an embodiment of the present invention. This is an explanatory diagram. Code explanation

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)シャシ枠体の中を仕切る仕切板と該枠体との嵌合部
などに生じる隙き間を半田で埋めてシールドシャシを製
造する製造方法において、 シャシを浸漬すべき半田溶融槽内の半田表面にフラック
スの浮上膜を形成する第1の工程と、半田溶融槽内に浸
漬されたシャシを前記フラックスの浮上膜中を通して外
へ取り出す第2の工程と、 を含み、シャシ側面の半田による穴ふさがりや半田つら
らの発生を見ることなしに、前記隙き間を半田で埋める
ようにしたことを特徴とするシールドシャシの製造方法
。 2)特許請求の範囲第1項に記載のシールドシャシの製
造方法において、前記第1の工程が、フラックスを塗布
されたシャシを半田溶融槽内に浸漬することにより、塗
布された該フラックスがシャシより離れて半田表面に浮
上して浮上膜を形成する工程か、或いは溶融槽内半田面
にフラックスを外から滴下することにより浮上膜を形成
する工程の何れかまたは双方から成ることを特徴とする
シールドシャシの製造方法。
[Scope of Claims] 1) A manufacturing method for manufacturing a shielded chassis by filling a gap formed at a fitting portion between a partition plate that partitions the inside of a chassis frame and the frame with solder, the chassis being immersed. a first step of forming a floating film of flux on the surface of the solder in the solder melting tank; and a second step of taking out the chassis immersed in the solder melting tank through the floating film of flux. . A method of manufacturing a shielded chassis, characterized in that the gap is filled with solder without clogging holes or generating solder icicles on the side surface of the chassis. 2) In the method for manufacturing a shielded chassis according to claim 1, in the first step, the chassis coated with flux is immersed in a solder melting tank, so that the coated flux melts into the chassis. It is characterized by comprising either or both of the steps of forming a floating film by floating on the solder surface at a distance from the melting tank, or forming a floating film by dropping flux from the outside onto the solder surface in the melting tank. How to manufacture a shield chassis.
JP21055684A 1984-10-09 1984-10-09 Production of shielding chassis Pending JPS6188964A (en)

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