JPH11302894A - Electroplating - Google Patents

Electroplating

Info

Publication number
JPH11302894A
JPH11302894A JP11448398A JP11448398A JPH11302894A JP H11302894 A JPH11302894 A JP H11302894A JP 11448398 A JP11448398 A JP 11448398A JP 11448398 A JP11448398 A JP 11448398A JP H11302894 A JPH11302894 A JP H11302894A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
tin
nickel
film
plating bath
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11448398A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shoichi Higuchi
庄一 樋口
Masanori Endo
正則 遠藤
Tatsuo Kunishi
多通夫 国司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP11448398A priority Critical patent/JPH11302894A/en
Publication of JPH11302894A publication Critical patent/JPH11302894A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To always stably obtain plating objects having good solder wettability by managing the concn. of the tin ions in a bath resulted by the intrusion of the tin ions in a tin plating bath accompanying a holder into a nickel plating bath. SOLUTION: The plating objects, for example, electronic parts having electrodes, are taken into the holder in a taking-in station and are successively passed through the Ni plating bath 3 constituting an Ni plating line in an arrow 11 direction, a first recovering tank 4 and a first washing tank 5 and are then transferred via a traversing station 10 to an Sn plating line where the electronic parts successively pass the Sn plating bath 6, a second recovering tank 7 and a second washing tank 8. The electronic parts are taken out of the holder in a taking-out station 9. As a result, there is the possibility that the Sn ions in the Sn plating bath 6 accompanying the holder intrude into the Ni plating bath 3 and, therefore, the concn. of the Sn ions in the Ni plating bath 3 is managed at all times in such a manner that <=500 ppm is attained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、電気めっき方法
に関するもので、特に、ニッケル膜および錫膜の2層か
らなるめっき皮膜を形成しようとする電気めっき方法に
関するものである。
The present invention relates to an electroplating method, and more particularly to an electroplating method for forming a plating film composed of two layers, a nickel film and a tin film.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえばチップ状のセラミックコンデン
サのような電子部品の端子電極には、たとえば、電気め
っきにより、まずニッケル膜が形成され、次いでその上
に錫膜が形成されることによって、このような電子部品
を実装するための配線基板との半田付け性を良好なもの
とし、信頼性の高い電気的接続を得るようにしている。
2. Description of the Related Art For example, a nickel film is first formed on a terminal electrode of an electronic component such as a chip-shaped ceramic capacitor by, for example, electroplating, and then a tin film is formed thereon. The solderability with a wiring board for mounting various electronic components is improved, and a highly reliable electrical connection is obtained.

【0003】このようなニッケル膜と錫膜との2層から
なるめっき皮膜を形成するため、たとえば、図1に示す
ような平面配置を有するめっき装置1が適用されてい
る。めっき装置1は、大別して、ニッケルめっきを行な
うラインと錫めっきを行なうラインとを有している。ニ
ッケルめっきラインは、取り入れステーション2から始
まり、ニッケルめっき浴3、第1の回収槽4および第1
の洗浄槽5へと続く。他方、錫めっきラインは、錫めっ
き浴6から始まり、第2の回収槽7、第2の洗浄槽8お
よび取り出しステーション9へと続く。また、ニッケル
めっきラインの終端と錫めっきラインの始端との間に
は、トラバースステーション10が位置される。
In order to form such a plating film composed of two layers, a nickel film and a tin film, for example, a plating apparatus 1 having a planar arrangement as shown in FIG. 1 is applied. The plating apparatus 1 is roughly divided into a line for performing nickel plating and a line for performing tin plating. The nickel plating line starts from the intake station 2, the nickel plating bath 3, the first recovery tank 4 and the first
To the washing tank 5. On the other hand, the tin plating line starts with a tin plating bath 6 and continues to a second recovery tank 7, a second cleaning tank 8 and a removal station 9. A traverse station 10 is located between the end of the nickel plating line and the start of the tin plating line.

【0004】図1では図示しないが、めっき対象物を保
持するためのホルダは、めっき処理を実施している間、
上述した取り入れステーション2、ニッケルめっき浴
3、第1の回収槽4、第1の洗浄槽5、トラバースステ
ーション10、錫めっき浴6、第2の回収槽7、第2の
洗浄槽8および取り出しステーション9を順次通過する
循環経路に沿って矢印11で示す方向に循環する。
[0004] Although not shown in FIG. 1, a holder for holding an object to be plated is provided during the plating process.
The above-described intake station 2, nickel plating bath 3, first recovery tank 4, first cleaning tank 5, traverse station 10, tin plating bath 6, second recovery tank 7, second cleaning tank 8, and removal station 9 circulates in a direction indicated by an arrow 11 along a circulation path sequentially passing through.

【0005】めっき対象物が、たとえばチップ状のセラ
ミックコンデンサである場合、その端子電極上に電気め
っきを施す場合、複数個のセラミックコンデンサを、鋼
鉄製のボールからなるメディアとともに、回転バレル内
に入れ、この回転バレルをホルダとして用いながらめっ
き処理が実施される。すなわち、このホルダとしての回
転バレルが、めっき装置1における上述した循環経路に
沿って循環しながら、めっき処理が実施される。
When the object to be plated is, for example, a chip-shaped ceramic capacitor, when electroplating is performed on its terminal electrode, a plurality of ceramic capacitors are put in a rotary barrel together with a medium made of steel balls. The plating process is performed using the rotating barrel as a holder. That is, the plating process is performed while the rotary barrel serving as the holder circulates along the above-described circulation path in the plating apparatus 1.

【0006】より詳細には、たとえば回転バレルのよう
なホルダが、上述したように、めっき装置1における循
環経路に沿って循環しながら、以下のような工程が順次
実施される。まず、取り入れステーション2において、
めっき対象物としての複数個のチップ状のセラミックコ
ンデンサがホルダに取り入れられる。
More specifically, the following steps are sequentially performed while a holder such as a rotary barrel circulates along the circulation path in the plating apparatus 1 as described above. First, at intake station 2,
A plurality of chip-shaped ceramic capacitors as plating objects are incorporated in the holder.

【0007】次いで、ニッケルめっき浴3にホルダが浸
漬され、各セラミックコンデンサの端子電極上にニッケ
ル膜が形成される。次いで、第1の回収槽4において、
たとえば水洗により、ニッケルイオンが回収される。次
いで、第1の洗浄槽5において、ホルダによって保持さ
れた状態で、セラミックコンデンサが、たとえば超音波
を適用しながら、純水で洗浄される。
Next, the holder is immersed in the nickel plating bath 3 to form a nickel film on the terminal electrodes of each ceramic capacitor. Next, in the first recovery tank 4,
For example, nickel ions are recovered by washing with water. Next, in the first cleaning tank 5, the ceramic capacitor is washed with pure water while being held by the holder, for example, while applying ultrasonic waves.

【0008】以上のようなニッケルめっきラインでの処
理を終えたとき、めっき対象物としてのセラミックコン
デンサは、ホルダとともに、トラバースステーション1
0を通って、錫めっきラインに移送される。錫めっきラ
インにおいては、まず、ニッケルめっきを終えためっき
対象物としての複数個のセラミックコンデンサが、ホル
ダとともに、錫めっき浴6に浸漬され、各セラミックコ
ンデンサの端子電極上に既に形成されているニッケル膜
上に、錫膜が形成される。
[0008] When the processing in the nickel plating line as described above is completed, the ceramic capacitor as the object to be plated is placed in the traverse station 1 together with the holder.
0 and transferred to a tin plating line. In the tin plating line, first, a plurality of ceramic capacitors as plating objects, which have been subjected to nickel plating, are immersed in a tin plating bath 6 together with a holder, and the nickel capacitors already formed on the terminal electrodes of the respective ceramic capacitors. A tin film is formed on the film.

【0009】次いで、第2の回収槽7において、たとえ
ば水洗されることによって、錫イオンが回収される。次
いで、第2の洗浄槽8において、たとえば、超音波を適
用しながら、純水によって、ホルダによって保持された
セラミックコンデンサが洗浄される。次いで、取り出し
ステーション9において、めっき処理を終えた複数個の
セラミックコンデンサがホルダから取り出される。
Next, tin ions are recovered in the second recovery tank 7 by, for example, washing with water. Next, in the second cleaning tank 8, the ceramic capacitor held by the holder is cleaned with pure water while applying ultrasonic waves, for example. Next, in the removal station 9, the plurality of ceramic capacitors that have been subjected to the plating process are removed from the holder.

【0010】ホルダは、その後においても、上述したよ
うな取り入れステーション2から始まる循環経路に沿っ
て循環し、それによって、1周循環する毎に、取り出し
ステーション9において、ニッケル膜および錫膜の2層
からなるめっき皮膜を形成した端子電極を有する複数個
のセラミックコンデンサがホルダから取り出され、ま
た、次いで、取り入れステーション2において、めっき
処理されるべき端子電極を有する複数個のセラミックコ
ンデンサがホルダに取り入れられ、以後、このような工
程が繰り返される。
The holder still circulates along the circulation path starting from the intake station 2 as described above, so that each time the holder circulates one round, at the take-out station 9, two layers of nickel film and tin film are obtained. A plurality of ceramic capacitors having terminal electrodes formed with a plating film consisting of the same are removed from the holder, and then, at the intake station 2, a plurality of ceramic capacitors having terminal electrodes to be plated are introduced into the holder. Thereafter, such a process is repeated.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】各セラミックコンデン
サの端子電極の最外層に錫膜を形成するのは、前述した
ように、端子電極の半田付け性を良好にするためである
が、図1に示したようなめっき装置1を用いて連続的に
めっき処理を行なった場合、錫膜の形成のための錫めっ
きラインを通過させたにもかかわらず、端子電極の半田
濡れ性の悪いセラミックコンデンサしか得られないこと
がしばしばあった。
The reason why the tin film is formed on the outermost layer of the terminal electrode of each ceramic capacitor is to improve the solderability of the terminal electrode as described above. When a plating process is continuously performed using the plating apparatus 1 as shown, only a ceramic capacitor having poor solder wettability of terminal electrodes despite passing through a tin plating line for forming a tin film. Often not available.

【0012】このような半田濡れ性の悪い端子電極にお
いては、半田をはじいているように見え、さらに詳細に
調査すると、ニッケル膜上に均一な層状をなして付着し
ているはずの錫膜が、島状にまだらに付着しており、下
地のニッケル膜がそのまま表面に露出している箇所が観
察された。このことから、半田濡れ性を改善するために
は、このように錫が島状に析出することを防止しなけれ
ばならないことがわかる。
In such a terminal electrode having poor solder wettability, it appears that the solder is repelled, and a more detailed examination reveals that the tin film, which should have adhered in a uniform layer on the nickel film. The spots were observed to be spotted in an island shape and the underlying nickel film was directly exposed on the surface. From this, it can be seen that in order to improve the solder wettability, it is necessary to prevent such tin precipitation in an island shape.

【0013】そこで、この発明は、ニッケル膜および錫
膜の2層からなるめっき皮膜を形成するに際して、上述
したような問題を解決し得る、電気めっき方法を提供し
ようとすることである。
Accordingly, an object of the present invention is to provide an electroplating method capable of solving the above-mentioned problems when forming a plating film composed of two layers, a nickel film and a tin film.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】この発明は、少なくとも
ニッケルめっき浴と第1の洗浄槽と錫めっき浴と第2の
洗浄槽とを順次通過する循環経路に沿って循環するホル
ダによってめっき対象物を保持させた状態で、めっき対
象物上にニッケル膜および錫膜の2層からなるめっき皮
膜を形成するとともに、ホルダが循環経路に沿って1周
循環する毎に、めっき皮膜を形成しためっき対象物をホ
ルダから取り出した後、新たなめっき対象物をホルダに
取り入れることを繰り返す、電気めっき方法に向けられ
るものであるが、本件発明者は、このような工程を備え
る電気めっき方法を実施したとき、特に上述のような問
題が生じやすいことを見出し、この発明をなすに至った
ものである。
According to the present invention, an object to be plated is provided by a holder circulating along a circulation path which sequentially passes at least a nickel plating bath, a first cleaning tank, a tin plating bath, and a second cleaning tank. In the state in which the plating film is formed, a plating film composed of two layers of a nickel film and a tin film is formed on the plating object, and the plating film is formed each time the holder circulates once along the circulation path. It is intended to be an electroplating method that repeats taking in a new object to be plated into the holder after taking out the object from the holder, and the present inventor has proposed an electroplating method including such a process. In particular, the present inventors have found that the above-described problem is likely to occur, and have accomplished the present invention.

【0015】これらの問題を解決するため、発明者は、
ニッケル膜および錫膜の2層からなるめっき皮膜を形成
するためのめっき処理について鋭意検討した結果、ニッ
ケルめっき浴中に所定量以上の錫イオンを混入させて、
1層目のニッケル膜を形成した後、錫めっき浴中に浸漬
して2層目の錫膜を形成しようとすると、錫が層状には
析出せず、島状に析出し、結果として、端子電極の半田
濡れ性を劣化させる不具合が生じることを見出した。他
方、錫めっき浴中にニッケルイオンが混入しても、半田
濡れ性にはほとんど影響しないことも見出した。
To solve these problems, the inventor has
As a result of intensive studies on the plating treatment for forming a plating film consisting of two layers of a nickel film and a tin film, a predetermined amount or more of tin ions were mixed into a nickel plating bath,
After the first layer of nickel film is formed, when immersed in a tin plating bath to form a second layer of tin film, tin is not deposited in a layer form but in an island form. It has been found that a problem of deteriorating the solder wettability of the electrode occurs. On the other hand, it has been found that even if nickel ions are mixed in the tin plating bath, the solder wettability is hardly affected.

【0016】これらの知見に基づくと、ニッケルめっき
浴内の錫イオン濃度が、後の錫めっき処理の成否を左右
する重要なファクタであり、この錫イオン濃度を所定値
以下に下げなければ、その後の錫めっき処理を良好に行
ない得ないことがわかる。ここで、再び、この発明が向
けられる上述したようなニッケルめっきと錫めっきとを
繰り返す電気めっき方法に注目すると、めっき対象物を
保持するホルダは、めっき処理のための循環経路に沿っ
て循環するので、錫めっき浴内の錫イオンが、このホル
ダに伴われてニッケルめっき浴内に混入し、前述したよ
うな錫めっきにおける不具合を生じさせていることが十
分に考えられる。
[0016] Based on these findings, the tin ion concentration in the nickel plating bath is an important factor that determines the success or failure of the subsequent tin plating treatment. It can be seen that the tin plating process cannot be performed well. Here, paying attention again to the electroplating method of repeating the nickel plating and the tin plating as described above to which the present invention is directed, the holder holding the plating object circulates along the circulation path for the plating process. Therefore, it is sufficiently conceivable that tin ions in the tin plating bath are mixed into the nickel plating bath along with the holder and cause the above-described problems in the tin plating.

【0017】そのため、この発明に係る電気めっき方法
は、錫めっき浴内の錫イオンがホルダに伴われてニッケ
ルめっき浴内に混入することによってもたらされるニッ
ケルめっき浴内の錫イオン濃度を管理する工程を備える
ことを特徴としている。上述したような錫イオン濃度を
管理する工程において、好ましくは、錫イオン濃度が5
00ppm以下になるように管理することが行なわれ
る。
Therefore, in the electroplating method according to the present invention, the step of controlling the concentration of tin ions in the nickel plating bath caused by mixing the tin ions in the tin plating bath into the nickel plating bath with the holder. It is characterized by having. In the step of controlling the tin ion concentration as described above, preferably, the tin ion concentration is 5
It is controlled so as to be 00 ppm or less.

【0018】また、この管理する工程は、錫イオン濃度
をより低くするように制御する工程を含んでいてもよ
い。この制御する工程は、たとえば、ニッケルめっき浴
中にダミーのめっき対象物を浸漬して電気めっきする工
程を含んでいる。この発明は、めっき皮膜を形成する工
程において、めっき対象物上にまずニッケル膜が形成さ
れ、次いでニッケル膜上に錫膜が形成される場合、特に
有利に適用される。この場合、めっき対象物としては、
代表的には、めっきされるべき電極を備える電子部品で
ある。
The managing step may include a step of controlling the tin ion concentration to be lower. This controlling step includes, for example, a step of immersing a dummy plating object in a nickel plating bath to perform electroplating. The present invention is particularly advantageously applied when a nickel film is first formed on a plating object and then a tin film is formed on the nickel film in the step of forming a plating film. In this case, as the plating object,
Typically, it is an electronic component having an electrode to be plated.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】図1に示しためっき装置1は、こ
の発明の一実施形態による電気めっき方法を実施するた
めにも用いられる。前述したように、取り入れステーシ
ョン2において、めっき対象物がホルダ(図示せず。)
に取り入れられ、このホルダによって保持されためっき
対象物は、次いで、ニッケルめっきラインを構成するニ
ッケルめっき浴3、第1の回収槽4および第1の洗浄槽
5を順次通過した後、トラバースステーション10を介
して、錫めっきラインに移り、この錫めっきラインにお
いて、錫めっき浴6、第2の回収槽7および第2の洗浄
槽8を順次通過し、最終的に、取り出しステーション9
においてホルダから取り出される。このように取り出さ
れためっき対象物上には、1層目にニッケル膜が位置
し、かつ2層目に錫膜が位置した、2層からなるめっき
皮膜が形成されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The plating apparatus 1 shown in FIG. 1 is also used for carrying out an electroplating method according to one embodiment of the present invention. As described above, in the intake station 2, the object to be plated is a holder (not shown).
Then, the plating object held by the holder passes through the nickel plating bath 3, the first recovery tank 4, and the first cleaning tank 5 constituting the nickel plating line, and then passes through the traverse station 10. , And passes through a tin plating bath 6, a second recovery tank 7 and a second cleaning tank 8 in this order, and finally, a removal station 9.
Is removed from the holder. On the plating object thus taken out, a two-layer plating film is formed, in which a nickel film is located on the first layer and a tin film is located on the second layer.

【0020】このようなめっき装置1において、ホルダ
が矢印11方向に循環しながら連続的にめっき処理が施
されるので、錫めっき浴6内の錫イオンがホルダに伴わ
れてニッケルめっき浴3内に混入する可能性が十分にあ
る。そこで、ニッケル膜上に、良好な錫膜を常に形成で
きるようにするため、この実施形態では、ニッケルめっ
き浴3内の錫イオン濃度が常に管理される。
In such a plating apparatus 1, since the holder is continuously plated while being circulated in the direction of the arrow 11, tin ions in the tin plating bath 6 are accompanied by the holder to cause the tin ions in the nickel plating bath 3. There is a good possibility that it will be mixed in. Therefore, in this embodiment, the tin ion concentration in the nickel plating bath 3 is always controlled so that a good tin film can always be formed on the nickel film.

【0021】この管理は、錫イオン濃度が所定値を超え
たとき、めっき処理操作の進行を単に停止するための管
理であっても、錫イオン濃度を積極的により低くするよ
うに制御するための管理であってもよい。後者の錫イオ
ン濃度をより低くするように制御する場合、たとえば、
ニッケルめっき浴3中にダミーのめっき対象物を浸漬し
て比較的低い電流密度で電気めっきすることにより錫イ
オン濃度を低減する方法が有利に採用される。また、ニ
ッケルめっき浴3を新しいものに交換するのも一方法で
ある。
This control is intended to control the tin ion concentration to be positively lowered even when the tin ion concentration exceeds a predetermined value. It may be management. When controlling the latter to lower the tin ion concentration, for example,
A method of reducing the tin ion concentration by immersing the dummy plating object in the nickel plating bath 3 and electroplating at a relatively low current density is advantageously employed. Another method is to replace the nickel plating bath 3 with a new one.

【0022】上述したように、ニッケルめっき浴3内の
錫イオン濃度を管理する場合、この錫イオン濃度の許容
範囲を予め求めておき、この許容範囲に基づいて管理す
るのが効率的である。そこで、このような錫イオン濃度
の許容範囲を求めるため、次のような実験を行なった。
この実験は、ビーカースケールの実験であるが、以下の
ようなニッケルめっき浴および錫めっき浴をそれぞれ用
意した。 (1)ニッケルめっき浴: 硫酸ニッケル…300g/リットル 塩化ニッケル…50g/リットル ホウ酸…35g/リットル pH…4 浴温…50℃ (2)錫めっき浴 硫酸錫…70g/リットル クエン酸水素2アンモニウム…100g/リットル 硫酸アンモニウム…100g/リットル pH…5 浴温…30℃ 他方めっき対象物として、10mm×30mm×0.3
mmの銅板を用意した。
As described above, when managing the tin ion concentration in the nickel plating bath 3, it is efficient to determine an allowable range of the tin ion concentration in advance and manage based on the allowable range. Therefore, the following experiment was conducted in order to obtain such an allowable range of the tin ion concentration.
This experiment was a beaker scale experiment, and the following nickel plating bath and tin plating bath were prepared. (1) Nickel plating bath: Nickel sulfate: 300 g / L Nickel chloride: 50 g / L Boric acid: 35 g / L pH: 4 Bath temperature: 50 ° C. (2) Tin plating bath Tin sulfate: 70 g / L Diammonium hydrogen citrate 100 g / l Ammonium sulfate 100 g / l pH 5 Bath temperature 30 ° C. On the other hand, 10 mm × 30 mm × 0.3
mm copper plate was prepared.

【0023】次いで、この銅板を、まず、ニッケルめっ
き浴中に2分間浸漬し、5A/dm 2 の電流密度にてニ
ッケルめっきを行ない、膜厚2μmのニッケル膜を形成
し、次いで、錫めっき浴中に2分間浸漬し、4A/dm
2 の電流密度にて錫めっきを行ない、膜厚4μmの錫膜
を形成した。以上のめっき処理においては、ニッケルめ
っき浴内の錫イオン濃度は0である。
Next, this copper plate was first plated with nickel
Immerse in a bath for 2 minutes, 5A / dm TwoAt the current density of
Perform nickel plating to form a 2μm thick nickel film
And then immersed in a tin plating bath for 2 minutes, 4 A / dm
TwoTin plating with a current density of 4 μm and a thickness of 4 μm
Was formed. In the above plating process, nickel
The tin ion concentration in the plating bath is zero.

【0024】同様に、上述したようなめっき処理操作
を、ニッケルめっき浴に500ppmの濃度をもって錫
イオンを混入させた場合、および1000ppmの濃度
をもって錫イオンを混入させた場合についても実施し
た。次いで、上述のようにニッケルめっき浴内の錫イオ
ン濃度が0ppm、500ppmおよび1000ppm
の各場合において得られた試料の半田濡れ性を評価し
た。この評価において、半田としてH60Aを使用し、
半田温度を230℃とし、フラックスとしてロジン系の
低活性なフラックスを用い、メニスコグラフ法によるゼ
ロクロスタイムを求めた。
Similarly, the plating operation as described above was carried out for the case where tin ions were mixed at a concentration of 500 ppm in the nickel plating bath and the case where tin ions were mixed at a concentration of 1000 ppm. Then, as described above, the tin ion concentration in the nickel plating bath was 0 ppm, 500 ppm, and 1000 ppm.
In each case, the sample obtained was evaluated for solder wettability. In this evaluation, H60A was used as solder,
The soldering temperature was set to 230 ° C., and a zero-cross time was determined by a meniscograph method using a low-activity rosin flux as a flux.

【0025】その結果、ゼロクロスタイムは、錫イオン
濃度が0ppmに場合には、5秒未満であり、同じく5
00ppmの場合には、5秒以上20秒未満であり、同
じく1000ppmの場合には、20秒以上であった。
ここでゼロクロスタイムは、短い方が好ましいが、20
秒未満であれば許容できる範囲であり、このことから、
ニッケルめっき浴内の錫イオン濃度は500ppm以下
になるように管理すればよいことがわかる。
As a result, the zero crossing time is less than 5 seconds when the tin ion concentration is 0 ppm,
In the case of 00 ppm, it was 5 seconds or more and less than 20 seconds, and in the case of 1000 ppm, it was 20 seconds or more.
Here, the zero cross time is preferably shorter,
Less than a second is acceptable, and from this,
It can be seen that the tin ion concentration in the nickel plating bath should be controlled so as to be 500 ppm or less.

【0026】したがって、図1に示しためっき装置1に
おいて、ニッケルめっき浴内の錫イオン濃度が500p
pm以下になるように管理しながら、たとえばチップ状
のセラミックコンデンサのような電子部品をめっき対象
物として、その端子電極上にニッケル膜および錫膜の2
層からなるめっき皮膜を形成するようにすれば、この端
子電極の半田濡れ性を常に優れたものとすることができ
る。
Therefore, in the plating apparatus 1 shown in FIG. 1, the tin ion concentration in the nickel plating bath is 500 p.
pm or less while controlling an electronic component such as a chip-shaped ceramic capacitor as a plating object, and forming a nickel film and a tin film on a terminal electrode thereof.
If a plating film composed of layers is formed, the solder wettability of the terminal electrode can always be made excellent.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、少な
くともニッケルめっき浴と第1の洗浄槽と錫めっき浴と
第2の洗浄槽とを順次通過する循環経路に沿って循環す
るホルダによってめっき対象物を保持させた状態で、め
っき対象物上にニッケル膜および錫膜の2層からなるめ
っき皮膜を形成する場合に、錫めっき浴内の錫イオンが
ホルダに伴われてニッケルめっき浴内に不可避的に混入
するが、ニッケルめっき浴内の錫イオン濃度を管理する
ようにしているので、ニッケルめっき浴内の錫イオン濃
度が所定値を超えることによって、錫膜が良好に形成さ
れない現象が生じることを未然に防ぐことができる。し
たがって、このような電気めっき方法が適用されて製造
される製品の歩留まりを向上させることができる。
As described above, according to the present invention, the holder circulating along the circulation path sequentially passing at least the nickel plating bath, the first cleaning tank, the tin plating bath, and the second cleaning tank. When a plating film composed of two layers, a nickel film and a tin film, is formed on a plating object in a state where the plating object is held, tin ions in the tin plating bath are accompanied by the holder and are formed in the nickel plating bath. Although it is inevitably mixed in, the tin ion concentration in the nickel plating bath is controlled, so that the phenomenon that the tin film is not formed well when the tin ion concentration in the nickel plating bath exceeds a predetermined value. This can be prevented from occurring. Therefore, the yield of products manufactured by applying such an electroplating method can be improved.

【0028】この発明において、ニッケルめっき浴内の
錫イオン濃度は、より低い方が好ましいわけであるが、
このような錫イオン濃度を管理する際、これが500p
pm以下であるというように、許容される基準値を明確
にすれば、このような管理がより容易かつ確実に行なえ
るようになる。また、この発明において、錫イオン濃度
を管理するとき、錫イオン濃度を積極的により低くする
ように制御するようにすれば、めっき処理を連続してよ
り長時間実施できるようになる。
In the present invention, the tin ion concentration in the nickel plating bath is preferably lower,
When controlling such tin ion concentration, this is 500p
If the permissible reference value is clarified to be equal to or less than pm, such management can be performed more easily and reliably. Further, in the present invention, when controlling the tin ion concentration so as to actively lower the tin ion concentration, the plating process can be continuously performed for a longer time.

【0029】また、上述のように錫イオン濃度をより低
くするように制御する方法として、ニッケルめっき浴中
にダミーのめっき対象物を浸漬して電気めっきする方法
を採用すれば、比較的容易にかつ低コストで錫イオン濃
度をより低くするように制御することができる。また、
この発明において、めっき対象物上にまずニッケル膜が
形成され、次いでこのニッケル膜上に錫膜が形成される
場合、後の錫めっき処理において、ニッケルめっき浴内
の錫イオンによる悪影響をより受けやすいので、この発
明による効果がより顕著に発揮されることができる。
As a method of controlling the tin ion concentration to be lower as described above, if a method of immersing a dummy plating object in a nickel plating bath and performing electroplating is adopted, it is relatively easy. At the same time, the tin ion concentration can be controlled to be lower at low cost. Also,
In the present invention, when a nickel film is first formed on an object to be plated, and then a tin film is formed on the nickel film, the subsequent tin plating treatment is more susceptible to the adverse effects of tin ions in the nickel plating bath. Therefore, the effect of the present invention can be more remarkably exhibited.

【0030】また、上述のように、ニッケル膜上に錫膜
が形成される場合であって、めっき対象物が、めっきさ
れるべき電極を備える電子部品である場合には、この発
明によれば、半田濡れ性の良好な電極を備える電子部品
を常に安定して得ることができる。
According to the present invention, when the tin film is formed on the nickel film and the object to be plated is an electronic component having an electrode to be plated, as described above. Thus, an electronic component including an electrode having good solder wettability can always be stably obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施形態による電気めっき方法を
実施するために用いられるめっき装置1の平面配置図で
ある。
FIG. 1 is a plan layout view of a plating apparatus 1 used for performing an electroplating method according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 めっき装置 2 取り入れステーション 3 ニッケルめっき浴 5 第1の洗浄槽 6 錫めっき浴 8 第2の洗浄槽 9 取り出しステーション DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plating apparatus 2 Intake station 3 Nickel plating bath 5 First washing tank 6 Tin plating bath 8 Second washing tank 9 Removal station

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくともニッケルめっき浴と第1の洗
浄槽と錫めっき浴と第2の洗浄槽とを順次通過する循環
経路に沿って循環するホルダによってめっき対象物を保
持させた状態で、前記めっき対象物上にニッケル膜およ
び錫膜の2層からなるめっき皮膜を形成するとともに、
前記ホルダが前記循環経路に沿って1周循環する毎に、
前記めっき皮膜を形成した前記めっき対象物を前記ホル
ダから取り出した後、新たなめっき対象物を前記ホルダ
に取り入れることを繰り返す、電気めっき方法であっ
て、 前記錫めっき浴内の錫イオンが前記ホルダに伴われて前
記ニッケルめっき浴内に混入することによってもたらさ
れる前記ニッケルめっき浴内の錫イオン濃度を管理する
工程を備えることを特徴とする、電気めっき方法。
In a state where an object to be plated is held by a holder circulating along a circulation path sequentially passing through at least a nickel plating bath, a first cleaning bath, a tin plating bath, and a second cleaning bath. While forming a plating film consisting of two layers of a nickel film and a tin film on a plating object,
Each time the holder circulates one round along the circulation path,
An electroplating method in which the plating object on which the plating film is formed is taken out of the holder, and then a new plating object is repeatedly introduced into the holder, wherein the tin ions in the tin plating bath contain the holder. Controlling the concentration of tin ions in the nickel plating bath caused by mixing in the nickel plating bath with the process.
【請求項2】 前記管理する工程において、前記錫イオ
ン濃度が500ppm以下になるように管理する、請求
項1に記載の電気めっき方法。
2. The electroplating method according to claim 1, wherein, in the step of controlling, the tin ion concentration is controlled to be 500 ppm or less.
【請求項3】 前記管理する工程は、前記錫イオン濃度
をより低くするように制御する工程を含む、請求項1ま
たは2に記載の電気めっき方法。
3. The electroplating method according to claim 1, wherein the managing step includes a step of controlling the tin ion concentration to be lower.
【請求項4】 前記制御する工程は、前記ニッケルめっ
き浴中にダミーのめっき対象物を浸漬して電気めっきす
る工程を含む、請求項3に記載の電気めっき方法。
4. The electroplating method according to claim 3, wherein said controlling step includes a step of immersing a dummy plating object in said nickel plating bath to perform electroplating.
【請求項5】 前記めっき皮膜を形成する工程におい
て、前記めっき対象物上にまず前記ニッケル膜が形成さ
れ、次いで前記ニッケル膜上に前記錫膜が形成される、
請求項1ないし4のいずれかに記載の電気めっき方法。
5. In the step of forming the plating film, the nickel film is first formed on the plating object, and then the tin film is formed on the nickel film.
The electroplating method according to claim 1.
【請求項6】 前記めっき対象物は、めっきされるべき
電極を備える電子部品である、請求項5に記載の電気め
っき方法。
6. The electroplating method according to claim 5, wherein the object to be plated is an electronic component having an electrode to be plated.
JP11448398A 1998-04-24 1998-04-24 Electroplating Pending JPH11302894A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11448398A JPH11302894A (en) 1998-04-24 1998-04-24 Electroplating

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11448398A JPH11302894A (en) 1998-04-24 1998-04-24 Electroplating

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11302894A true JPH11302894A (en) 1999-11-02

Family

ID=14638888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11448398A Pending JPH11302894A (en) 1998-04-24 1998-04-24 Electroplating

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11302894A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010147167A (en) * 2008-12-17 2010-07-01 Murata Mfg Co Ltd Method and apparatus for producing ceramic electronic component
CN103361687A (en) * 2013-07-29 2013-10-23 厦门旺朋电子元件有限公司 Electrotinning processing technology of SMD automobile electronic components

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010147167A (en) * 2008-12-17 2010-07-01 Murata Mfg Co Ltd Method and apparatus for producing ceramic electronic component
CN103361687A (en) * 2013-07-29 2013-10-23 厦门旺朋电子元件有限公司 Electrotinning processing technology of SMD automobile electronic components

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4568431A (en) Process for producing electroplated and/or treated metal foil
JP4000796B2 (en) Via hole copper plating method
US4549950A (en) Systems for producing electroplated and/or treated metal foil
JP2004513221A5 (en)
US4551210A (en) Dendritic treatment of metallic surfaces for improving adhesive bonding
CA2047502C (en) Selectively plating electrically conductive pin
KR850000304B1 (en) Method of removing copper ions from a bath containing same
US3984290A (en) Method of forming intralayer junctions in a multilayer structure
US4549941A (en) Electrochemical surface preparation for improving the adhesive properties of metallic surfaces
JPH11302894A (en) Electroplating
JPS6257120B2 (en)
US4532014A (en) Laser alignment system
JPS58500765A (en) A method for chemically stripping a plating layer containing palladium and at least one of copper and nickel, and a bath used in the method
US7270734B1 (en) Near neutral pH cleaning/activation process to reduce surface oxides on metal surfaces prior to electroplating
US4552627A (en) Preparation for improving the adhesion properties of metal foils
EP0181430A1 (en) Systems for producing electroplated and/or treated metal foil
US6383617B1 (en) Method for electroless gold deposition in the presence of a palladium seeder and article produced thereby
JPH04217387A (en) Electroless plating method for conductor pattern and electroless plating jig
US2361680A (en) Method of reducing edge leakage in metal oxide-metal rectifiers
JP3087554B2 (en) Plating method
US3934985A (en) Multilayer structure
KR100336319B1 (en) Method and apparatus for electroplating of crystal-oscillator base lead
US2197632A (en) Electrical rectifier
DE19540122C2 (en) Electroless plating method and its application
JP3119385B2 (en) Surface treatment method, surface treatment device and surface treatment liquid for electronic components and their electrode terminals