JPS6185875A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPS6185875A JPS6185875A JP59209198A JP20919884A JPS6185875A JP S6185875 A JPS6185875 A JP S6185875A JP 59209198 A JP59209198 A JP 59209198A JP 20919884 A JP20919884 A JP 20919884A JP S6185875 A JPS6185875 A JP S6185875A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、いわゆる透明導電膜を拡散源とした太陽電池
に関するものである。
に関するものである。
〈従来技術〉
従来、ドーパントを添加した、スピン、スプレー等で形
成されたオキサイドフィルムを熱処理して、反射防止膜
とＰＮ接合を同時に形成する構造のものか提案されてい
る。第２図にその構造例を示す。ｌは反射防止膜で、２
はこの反射防止膜ｌを拡散源として形成されたＮ型拡散
層である。３はＰ型基板である。
成されたオキサイドフィルムを熱処理して、反射防止膜
とＰＮ接合を同時に形成する構造のものか提案されてい
る。第２図にその構造例を示す。ｌは反射防止膜で、２
はこの反射防止膜ｌを拡散源として形成されたＮ型拡散
層である。３はＰ型基板である。
拡散源兼反射防止膜の材料としては、例えば、リント虫
チタン酸化物（Ｐｈｏｓｐｈｏ−ＴｉｔａｎａｔｅＧｌ
ａｓｓ ）あるいはリンドープ拳シリコン酸化物（Ｐｈ
ａｓｐｈｏ−５ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ ）等が知
られている。
チタン酸化物（Ｐｈｏｓｐｈｏ−ＴｉｔａｎａｔｅＧｌ
ａｓｓ ）あるいはリンドープ拳シリコン酸化物（Ｐｈ
ａｓｐｈｏ−５ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ ）等が知
られている。
しかし、上記構造のものは、反射防止膜ｌのシート抵抗
が非常に高く、第２図のように、フォトエッチあるいは
反射防止膜ｌを貫通して、Ｎ型拡散層２と接触可能なペ
ースト等による集電極４゜４、・・・が必要である。
が非常に高く、第２図のように、フォトエッチあるいは
反射防止膜ｌを貫通して、Ｎ型拡散層２と接触可能なペ
ースト等による集電極４゜４、・・・が必要である。
つまり従来では、このような電極形成のためのプロセス
が増加し、かつ多（の銀ペースト等を要して、コスト高
となっていた。
が増加し、かつ多（の銀ペースト等を要して、コスト高
となっていた。
〈発明の目的〉
本発明は、上記の欠点を解消するものであり、透明導電
膜を拡散源とし、比較的高温で熱処理するこきにより、
基板に対してＰＮ接合を形成するとともに透明導電膜を
反射防止膜とし、かつまた透明導電膜を集電極としてそ
のまま用いる構造の太陽電池を提供するものである。
膜を拡散源とし、比較的高温で熱処理するこきにより、
基板に対してＰＮ接合を形成するとともに透明導電膜を
反射防止膜とし、かつまた透明導電膜を集電極としてそ
のまま用いる構造の太陽電池を提供するものである。
〈実施例〉
以下第１図に従って本発明の一実施例を説明する。
まず、ある導電型を有する基板１１に、スプレー法、Ｃ
ＶＤ法あるいはスパッタ法により、主原料１２と所望の
伝導型を得るためのドーパン）１３とを析出させ（第１
図（ω）、ドープされた塗布膜＋４を形成する（第１図
（ｂ））。その後、比較的高温で熱処理（焼成）するこ
とにより、反射防止膜となる透明導電膜１５と、基板ｌ
とは逆導電型の拡散層１６とを同時形成する（第２図（
Ｃ））。
ＶＤ法あるいはスパッタ法により、主原料１２と所望の
伝導型を得るためのドーパン）１３とを析出させ（第１
図（ω）、ドープされた塗布膜＋４を形成する（第１図
（ｂ））。その後、比較的高温で熱処理（焼成）するこ
とにより、反射防止膜となる透明導電膜１５と、基板ｌ
とは逆導電型の拡散層１６とを同時形成する（第２図（
Ｃ））。
透明導電膜としては、アモルファス用ガラス基板の透明
電極として用いられるＳｎＯ□膜がよく知られ、これら
ではシート抵抗を低下させるためにＰＨや５ｂｃｇ３
をドープしている。上記において、所望の伝導型を得
るためのドーパン）１３として、これらの技術がそのま
ま採用できる。なお、ＳｎＯ□膜のみならず、可視光に
対する透過率かよ（低抵抗材料のＩｎ２Ｏ３膜等ももち
ろん可能である。
電極として用いられるＳｎＯ□膜がよく知られ、これら
ではシート抵抗を低下させるためにＰＨや５ｂｃｇ３
をドープしている。上記において、所望の伝導型を得
るためのドーパン）１３として、これらの技術がそのま
ま採用できる。なお、ＳｎＯ□膜のみならず、可視光に
対する透過率かよ（低抵抗材料のＩｎ２Ｏ３膜等ももち
ろん可能である。
上記構成において、例えば５ｎ０２膜の屈折率は〜２．
０で、シリコンの反射防止膜として比較的良好な結果を
得た。
０で、シリコンの反射防止膜として比較的良好な結果を
得た。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、電極形成が不用となりプ
ロセスを簡略化できるとともに、銀ペースト等も不要で
あり、コストダウンした有用は太陽電池が提供できる。
ロセスを簡略化できるとともに、銀ペースト等も不要で
あり、コストダウンした有用は太陽電池が提供できる。
第１図（ａｌｉｂｉ（ｃｌは本発明の一実施例を説明す
る図、第２図は従来例を説明する図である。 １１・・・基板、１５・・・反射防止膜となる透明導電
膜、１６・・・拡散層。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）］） 第１図 一ム 第２図 （Ｃ）
る図、第２図は従来例を説明する図である。 １１・・・基板、１５・・・反射防止膜となる透明導電
膜、１６・・・拡散層。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）］） 第１図 一ム 第２図 （Ｃ）
Claims (1)
- １、第１導電型基板の受光側主面に反射防止膜を兼用す
る透明導電膜が形成され、上記基板の受光側主面には上
記反射防止膜兼透明導電膜との境界に、反射防止膜兼透
明導電膜中にドープされたドーパントの拡散によって形
成された基板とは逆の第２導電型拡散層が設けられてな
ることを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59209198A JPS6185875A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59209198A JPS6185875A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6185875A true JPS6185875A (ja) | 1986-05-01 |
Family
ID=16568972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59209198A Pending JPS6185875A (ja) | 1984-10-03 | 1984-10-03 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6185875A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016026409A (ja) * | 2009-04-21 | 2016-02-12 | テトラサン インコーポレイテッド | 高効率太陽電池構造体および製造方法 |
| JP2018198313A (ja) * | 2017-05-24 | 2018-12-13 | ツィンファ ユニバーシティ | 太陽電池 |
-
1984
- 1984-10-03 JP JP59209198A patent/JPS6185875A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016026409A (ja) * | 2009-04-21 | 2016-02-12 | テトラサン インコーポレイテッド | 高効率太陽電池構造体および製造方法 |
| JP2018198313A (ja) * | 2017-05-24 | 2018-12-13 | ツィンファ ユニバーシティ | 太陽電池 |
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