JPS6185871A - 透明電極の製造法 - Google Patents
透明電極の製造法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、薄膜太陽電池等に使用する透明電極の製造法
に関するものである。
に関するものである。
従来例の構成とその問題点
薄膜太陽電池に使用される透明電極は、従来電子ヒーム
蒸着法、スパッタリング法、スプレー法等によりガラス
基板に、透明導電膜の形成を行ない、前記透明導電膜の
パターニングによる透明電極の形成は印刷法やフォトエ
ッチ法により行なわれていた。すなわち一度全面に透明
導電膜をつけた後に部分的にこれを除去するという工数
の多い工程により行なっていたので、コストがかかり、
この工程の簡素化と低コスト化が大きな問題点であった
0 また、従来メタルマスクを用いて用いて、薄膜形成と同
時に、パターニングを行なうという技術は、10 ’
TOrr以上の高真空下における蒸着法において、広く
用いられてきた。しかし、例えばITOや5n02等の
透明導電膜の蒸着条件は。
蒸着法、スパッタリング法、スプレー法等によりガラス
基板に、透明導電膜の形成を行ない、前記透明導電膜の
パターニングによる透明電極の形成は印刷法やフォトエ
ッチ法により行なわれていた。すなわち一度全面に透明
導電膜をつけた後に部分的にこれを除去するという工数
の多い工程により行なっていたので、コストがかかり、
この工程の簡素化と低コスト化が大きな問題点であった
0 また、従来メタルマスクを用いて用いて、薄膜形成と同
時に、パターニングを行なうという技術は、10 ’
TOrr以上の高真空下における蒸着法において、広く
用いられてきた。しかし、例えばITOや5n02等の
透明導電膜の蒸着条件は。
電子ビーム法では10 ’Torr程度であり、スパ
ッタリング法では10−5〜−2Torrと低真空であ
るために蒸着物の回り込みによる影響があった。
ッタリング法では10−5〜−2Torrと低真空であ
るために蒸着物の回り込みによる影響があった。
さらに、基板温度を200〜300℃程度まで上げて、
蒸着するだめにメタルマスクの歪、熱的たわみ等により
、メタルマスクとガラス基板の間にすきまが生じ、かつ
蒸着物の回り込みによるパターンのほけや膜厚の不均一
が生じて透明導電膜付けと同時に、パターニングを精度
よく行なうことが困難であった。さらにメタルマスク付
近の基板温度はメタルマスクにより熱吸収が起こり、他
よりも低温になるために、均一な膜質の透明導電膜が得
られないという問題もあった。
蒸着するだめにメタルマスクの歪、熱的たわみ等により
、メタルマスクとガラス基板の間にすきまが生じ、かつ
蒸着物の回り込みによるパターンのほけや膜厚の不均一
が生じて透明導電膜付けと同時に、パターニングを精度
よく行なうことが困難であった。さらにメタルマスク付
近の基板温度はメタルマスクにより熱吸収が起こり、他
よりも低温になるために、均一な膜質の透明導電膜が得
られないという問題もあった。
以上の如〈従来のメタルマスク法では透明電極を選択的
に形成する製法に多くの問題点があった。
に形成する製法に多くの問題点があった。
発明の目的
本発明は、従来の透明電極の製法に鑑み1強磁性体から
なるメタルマスクを用い、好ましくはこれに着色し、熱
吸収を増すことと、アルミニウム板に希土類磁石を埋め
込んだ磁性板を使うことで従来よりも簡素化した工程と
、低コストで透明電極を製造することを目的とする。
なるメタルマスクを用い、好ましくはこれに着色し、熱
吸収を増すことと、アルミニウム板に希土類磁石を埋め
込んだ磁性板を使うことで従来よりも簡素化した工程と
、低コストで透明電極を製造することを目的とする。
発明の構成
本発明は、基板に透明電極をメタルマスクを用いて選択
的に形成する方法において、メタルマスクに、強磁性体
を用いるとともに、アルミニウム板に希土類磁石を配置
した磁石板を基板裏面に当接し、基板とメタルマスクと
を、磁力により密着させてメタルマスクと基板とのすき
まをなくした状態で真空蒸着又はスパッタリング法等に
より、透明電極を蒸着するものである。メタルマスクは
好ましくはヒータからの熱を吸収するよう着色すること
により基板上の熱分布は均一になり、熱等によるメタル
マスクのそり等は磁石板からの磁力により無く、ボケの
ない均一な透明電極パターンが得られる。
的に形成する方法において、メタルマスクに、強磁性体
を用いるとともに、アルミニウム板に希土類磁石を配置
した磁石板を基板裏面に当接し、基板とメタルマスクと
を、磁力により密着させてメタルマスクと基板とのすき
まをなくした状態で真空蒸着又はスパッタリング法等に
より、透明電極を蒸着するものである。メタルマスクは
好ましくはヒータからの熱を吸収するよう着色すること
により基板上の熱分布は均一になり、熱等によるメタル
マスクのそり等は磁石板からの磁力により無く、ボケの
ない均一な透明電極パターンが得られる。
着色は、例えばスパッタリング法によりSiCをメタル
マスク表面に形成することKより得られる。
マスク表面に形成することKより得られる。
もしくは、簡便なメッキ法により着色しても良い。
磁石板は、メタルマスクに応じて形成する。メタルマス
クパターンの格子点に対して、同じような位置に、アル
ミニウム板の希土類磁石を配置する。磁力は1MII程
度の厚さのガラス板で3000ガウス程度が必要である
。
クパターンの格子点に対して、同じような位置に、アル
ミニウム板の希土類磁石を配置する。磁力は1MII程
度の厚さのガラス板で3000ガウス程度が必要である
。
その磁石により、基板を介して、メタルマスクの格子点
を磁力吸着し、熱、ひずみ等によるメタルマスクの基板
からの浮きを防止し、蒸着パターンを鮮明にする。磁石
板を基板から離すと、メタルマスクは、自然に基板から
離れ、ここにおいて、透明導電膜形成と、パターニング
が同時にできる。
を磁力吸着し、熱、ひずみ等によるメタルマスクの基板
からの浮きを防止し、蒸着パターンを鮮明にする。磁石
板を基板から離すと、メタルマスクは、自然に基板から
離れ、ここにおいて、透明導電膜形成と、パターニング
が同時にできる。
実施例の説明
次に図を用いて、本発明の詳細な説明する。
第1図に示すガラス基板11をまず洗浄する。次にこの
ガラス基板11を、第2図に示すように着色されたメタ
ルマスク22を表面側に希土類磁石44をアルミニウム
板に埋め込んだ磁石板33を裏面側に配して66のよう
に位置合せを行ない、重ね合せる。
ガラス基板11を、第2図に示すように着色されたメタ
ルマスク22を表面側に希土類磁石44をアルミニウム
板に埋め込んだ磁石板33を裏面側に配して66のよう
に位置合せを行ない、重ね合せる。
ついで第3図のように蒸着面を蒸着源66の方向に向け
て、赤外線ヒータ7により加熱して、透明導電膜の蒸着
を行なう。この場合、電子ビーム蒸着法でも、スパッタ
リング法でもよく、その方式は問わない。
て、赤外線ヒータ7により加熱して、透明導電膜の蒸着
を行なう。この場合、電子ビーム蒸着法でも、スパッタ
リング法でもよく、その方式は問わない。
メタルマスク22は、磁石板33に埋め込まれている希
土類磁石によって吸着され、ガラス基板11に対して、
密着している。赤外線ヒータ7により、着色されたメタ
ルマスク22は、加熱されるが、磁石板33により吸着
されており、着色されたメタルマスク22は、ガラス基
板11に密着していることKは変わりない。メタルマス
ク22は、SiCにより黒く着色されており、赤外線ヒ
ータ7の熱を良く吸収して、ガラス基板11よりも高い
温度に保たれる。そのため第4図のようにガラス基板に
蒸着される透明導電膜8と、メタルマスク22に接近し
て蒸着される透明導電膜9とは温度的に同等であるから
ほぼ同一の物性を持つ透明導電膜が得られる。
土類磁石によって吸着され、ガラス基板11に対して、
密着している。赤外線ヒータ7により、着色されたメタ
ルマスク22は、加熱されるが、磁石板33により吸着
されており、着色されたメタルマスク22は、ガラス基
板11に密着していることKは変わりない。メタルマス
ク22は、SiCにより黒く着色されており、赤外線ヒ
ータ7の熱を良く吸収して、ガラス基板11よりも高い
温度に保たれる。そのため第4図のようにガラス基板に
蒸着される透明導電膜8と、メタルマスク22に接近し
て蒸着される透明導電膜9とは温度的に同等であるから
ほぼ同一の物性を持つ透明導電膜が得られる。
着色されたメタルマスク22は、磁石板33で保持でき
る為、それ自体で強度を持たせる必要かないので薄くで
きる。
る為、それ自体で強度を持たせる必要かないので薄くで
きる。
メタルマスク22は薄い方がバター二/グ精度を出す上
においては好ましく、透明導電膜の膜厚及び物性の均一
性を出す為には、Q、3111以下が必要である。
においては好ましく、透明導電膜の膜厚及び物性の均一
性を出す為には、Q、3111以下が必要である。
このようにして蒸着した後、メタルマスク、磁石板を増
りのぞいたガラス基板11を第5図に示す。基板の表面
に透明電極1oがパターニングされており、透明電極基
板として使用できることKなる。
りのぞいたガラス基板11を第5図に示す。基板の表面
に透明電極1oがパターニングされており、透明電極基
板として使用できることKなる。
なお、これら昧、真空プロセス中で行なわれるので、薄
膜太陽電池を形成する工程を後工程とするならば、すべ
て真空中で工程を進°めることができる。
膜太陽電池を形成する工程を後工程とするならば、すべ
て真空中で工程を進°めることができる。
第6図はその薄膜太陽電池の工程の概念を示したもので
ある。工程は12で示す矢印の方向に進んでいく。トレ
イにセットされたメタルマスク−ガラス基板−磁石板の
一体物13は、ゲートバルブ14を通過して、仕込室1
6に進む。その後、電子ビーム蒸着法もしくはスパッタ
リング法により、透明電極蒸着室16で透明電極を蒸着
される。
ある。工程は12で示す矢印の方向に進んでいく。トレ
イにセットされたメタルマスク−ガラス基板−磁石板の
一体物13は、ゲートバルブ14を通過して、仕込室1
6に進む。その後、電子ビーム蒸着法もしくはスパッタ
リング法により、透明電極蒸着室16で透明電極を蒸着
される。
次の第1のマスク交換室17でメタルマスクをCVD装
置用マスクに交換された後よく知られているプラズマC
VD装ftKアモルファスシリコン層を形成するために
進む。2層形成室18,1層形成119 、 n層形成
室20において、アモルファスシリコン層を順次形成す
る。次に第2のマスク交換室21において、金属電極を
形成する為に、メタルマスクを金属電極形成用マスクに
交換され、金属電極蒸着室23に入り、金属電極が形成
される。金属電極の形成は、スパッタリング法、i子ビ
ーム法のどちらでもかまわない。そして取り出し室24
に入り、大気に戻され、薄膜太陽電池素子が完成されて
出て来る。なお、26はRF電極である。
置用マスクに交換された後よく知られているプラズマC
VD装ftKアモルファスシリコン層を形成するために
進む。2層形成室18,1層形成119 、 n層形成
室20において、アモルファスシリコン層を順次形成す
る。次に第2のマスク交換室21において、金属電極を
形成する為に、メタルマスクを金属電極形成用マスクに
交換され、金属電極蒸着室23に入り、金属電極が形成
される。金属電極の形成は、スパッタリング法、i子ビ
ーム法のどちらでもかまわない。そして取り出し室24
に入り、大気に戻され、薄膜太陽電池素子が完成されて
出て来る。なお、26はRF電極である。
すべての工程が、真空度数Torr 〜1o ’Tor
rで行なわれるため、真空度の整合をとることは容易で
あり、生産性は高いことが期待できる。
rで行なわれるため、真空度の整合をとることは容易で
あり、生産性は高いことが期待できる。
なお、全工程において、メタルマスクを使用するので、
磁石で保持する方法はパターニング精度を向上するうえ
で有効である。
磁石で保持する方法はパターニング精度を向上するうえ
で有効である。
発明の効果
前記したようK、透明電極において、その膜形成とパタ
ーニングが同時に出来、その膜質もメタルマスク付近と
他の場所とが均一であり製法も簡素であり、低コスト化
が期待できる。また後工程において、プラズマCVD装
置と同じラインを組むことができ、一貫生産が容易に行
える。
ーニングが同時に出来、その膜質もメタルマスク付近と
他の場所とが均一であり製法も簡素であり、低コスト化
が期待できる。また後工程において、プラズマCVD装
置と同じラインを組むことができ、一貫生産が容易に行
える。
第1図は本発明に用いる洗浄されたガラス基板を示す図
、第2図はメタルマスクとガラス基板と磁石板との位置
関係を示した図、第3図は第2図の三者を重ね合せ、透
明導電膜を蒸着する際の位置関係を示した図、第4図は
透明導電膜のメタルマスクに対する位置関係を示す図、
第6図はメタルマスク、磁石板を取り去って出来上った
透明電極を示す図、第6図は後工程として、プラズマC
VD装置をつけた場合の概略図である。 11・・・・・・ガラス基板、22・・・・・・着色さ
れたメタルマスク、33・・・・・・磁石板、44・・
・・・・希土類磁石、65・・・・・重ね合せ位置関係
指示線、66・・・・・蒸着源方向、7・・・・・・ヒ
ータ、8・・・・・透明導電膜、9・・・・・メタルマ
スクに近い部分の透明導電膜、10・・・・・・パター
ニングされた透明電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
、第2図はメタルマスクとガラス基板と磁石板との位置
関係を示した図、第3図は第2図の三者を重ね合せ、透
明導電膜を蒸着する際の位置関係を示した図、第4図は
透明導電膜のメタルマスクに対する位置関係を示す図、
第6図はメタルマスク、磁石板を取り去って出来上った
透明電極を示す図、第6図は後工程として、プラズマC
VD装置をつけた場合の概略図である。 11・・・・・・ガラス基板、22・・・・・・着色さ
れたメタルマスク、33・・・・・・磁石板、44・・
・・・・希土類磁石、65・・・・・重ね合せ位置関係
指示線、66・・・・・蒸着源方向、7・・・・・・ヒ
ータ、8・・・・・透明導電膜、9・・・・・メタルマ
スクに近い部分の透明導電膜、10・・・・・・パター
ニングされた透明電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
Claims (2)
- (1)基板に透明電極をメタルマスクを用いて選択的に
形成する方法であって、前記メタルマスクを強磁性体で
形成して基板表面に配置するとともに、アルミニウム板
および希土類磁石を用いて作った磁石板を基板裏面に当
接して、基板とメタルマスクを磁力により密着させ、マ
スク側から電子ビーム蒸着またはスパッタリング等によ
り透明電極を形成する透明電極の製造法。 - (2)前記メタルマスクをスパッタリングまたはメッキ
によって、熱吸収の大きい色に着色した特許請求の範囲
第1項記載の透明電極の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59208507A JPS6185871A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 透明電極の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59208507A JPS6185871A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 透明電極の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6185871A true JPS6185871A (ja) | 1986-05-01 |
Family
ID=16557299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59208507A Pending JPS6185871A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 透明電極の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6185871A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2004079442A1 (ja) * | 2003-03-06 | 2006-06-08 | 株式会社ブリヂストン | 画像表示装置の製造方法及び画像表示装置 |
JP2014045137A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Toyota Motor Corp | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法 |
US10431779B2 (en) | 2012-07-10 | 2019-10-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP59208507A patent/JPS6185871A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2004079442A1 (ja) * | 2003-03-06 | 2006-06-08 | 株式会社ブリヂストン | 画像表示装置の製造方法及び画像表示装置 |
US10431779B2 (en) | 2012-07-10 | 2019-10-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method |
JP2014045137A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Toyota Motor Corp | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法 |
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