JPS6183250A - 電子部品用導電性ペ−スト組成物 - Google Patents
電子部品用導電性ペ−スト組成物Info
- Publication number
- JPS6183250A JPS6183250A JP59205254A JP20525484A JPS6183250A JP S6183250 A JPS6183250 A JP S6183250A JP 59205254 A JP59205254 A JP 59205254A JP 20525484 A JP20525484 A JP 20525484A JP S6183250 A JPS6183250 A JP S6183250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste composition
- conductive paste
- diamine
- solution
- molecular weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、導電性接着剤、電極材等として用いられる
電子部品用導電性ペースト組成物に関するものである。
電子部品用導電性ペースト組成物に関するものである。
最近、半導体装置の組立てにおいて、半導体素子を、セ
ラミック基板やアルミニウム基板に形成された導体層上
あるいはステムやリードフレーム等からなる基板上に接
着固定するための接着剤、いわゆるグイボンディング用
接着剤として、ポリイミド系樹脂をバインダーとするポ
リイミド系銀ペーストが用いられるようになってきた。
ラミック基板やアルミニウム基板に形成された導体層上
あるいはステムやリードフレーム等からなる基板上に接
着固定するための接着剤、いわゆるグイボンディング用
接着剤として、ポリイミド系樹脂をバインダーとするポ
リイミド系銀ペーストが用いられるようになってきた。
このポリイミド系銀ペーストは、従来がらこの種の接着
剤として用いられているエポキシ樹脂をバインダーとす
るｌエポキシ樹脂銀ペーストに比べて、耐熱性、耐湿性
に優れた銀ペースト硬化体接着剤層を形成できる。
剤として用いられているエポキシ樹脂をバインダーとす
るｌエポキシ樹脂銀ペーストに比べて、耐熱性、耐湿性
に優れた銀ペースト硬化体接着剤層を形成できる。
しかしながら、このポリイミド系銀ペーストを用いた場
合には、接着剤層の厚みを５〜２０μｍ以下としなけれ
ば上記接着固定に必要な充分な接着力が得られず、この
ため接着剤層の厚膜化が困難であるという欠点があった
。これは、この銀ペーストが、ポリイミド前駆体として
ポリアミド酸を用いており、このポリアミド酸が厚膜形
成能に欠けるため、ポリイミド系銀ペーストから形成さ
れる銀ペースト硬化体は、その厚みが上記範囲を超えた
厚膜部分でポリイミド系樹脂の一部が粒子状に樹脂化し
て粉化状を呈し、バインダーとしての機能を果たさなく
なるのである。すなわち、銀ペースト硬化体の厚膜部分
の強度が低下するため、接着剤層全体の凝結力が低下す
るのである。このような問題は、ダイボンディング用接
着剤のみならず、チップ部品の端面外部電極材、水晶発
振子の水晶振動子固定兼電極用接着剤等に用いる場合に
同様にも生じていた。
合には、接着剤層の厚みを５〜２０μｍ以下としなけれ
ば上記接着固定に必要な充分な接着力が得られず、この
ため接着剤層の厚膜化が困難であるという欠点があった
。これは、この銀ペーストが、ポリイミド前駆体として
ポリアミド酸を用いており、このポリアミド酸が厚膜形
成能に欠けるため、ポリイミド系銀ペーストから形成さ
れる銀ペースト硬化体は、その厚みが上記範囲を超えた
厚膜部分でポリイミド系樹脂の一部が粒子状に樹脂化し
て粉化状を呈し、バインダーとしての機能を果たさなく
なるのである。すなわち、銀ペースト硬化体の厚膜部分
の強度が低下するため、接着剤層全体の凝結力が低下す
るのである。このような問題は、ダイボンディング用接
着剤のみならず、チップ部品の端面外部電極材、水晶発
振子の水晶振動子固定兼電極用接着剤等に用いる場合に
同様にも生じていた。
このようなポリイミド系銀ペーストの厚膜形成性を改善
することができれば、この銀ペーストを用いて形成され
る接着剤層の厚膜化が可能なだけでなく、その優れた耐
熱性や耐湿性を生がして導電性樹脂として用途を拡大す
ることができる。
することができれば、この銀ペーストを用いて形成され
る接着剤層の厚膜化が可能なだけでなく、その優れた耐
熱性や耐湿性を生がして導電性樹脂として用途を拡大す
ることができる。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、厚
膜形成能を有する電子部品用導電性ペースト組成物の提
供をその目的とする。
膜形成能を有する電子部品用導電性ペースト組成物の提
供をその目的とする。
上記の目的を達成するため、この発明の電子部品用導電
性ペースト組成物は、ポリイミド系樹脂の前駆体を主成
分とし、有機溶媒と導電性充填剤とを含むペースト組成
物であって、上記ポリイミド樹脂の前駆体を、下記のＡ
成分９９〜８０モル％とＢ成分１〜２０モル％からなる
ジアミノ化合物と、芳香族テトラカルボン酸エステルと
を不活性溶媒中に等モルもしくは略等モル溶解し加熱し
・て反応させることにより得られるイミド環含有低分
子量重合体で構成するものである。
性ペースト組成物は、ポリイミド系樹脂の前駆体を主成
分とし、有機溶媒と導電性充填剤とを含むペースト組成
物であって、上記ポリイミド樹脂の前駆体を、下記のＡ
成分９９〜８０モル％とＢ成分１〜２０モル％からなる
ジアミノ化合物と、芳香族テトラカルボン酸エステルと
を不活性溶媒中に等モルもしくは略等モル溶解し加熱し
・て反応させることにより得られるイミド環含有低分
子量重合体で構成するものである。
Ａ ： （ａｌ下記の一般式（１）で表される芳香族４
核体ジアミン （ｂｌ上記（ａ）およびＢ成分以外の分子内にケイ素原
子を含まないジアミン からなるジアミン。
核体ジアミン （ｂｌ上記（ａ）およびＢ成分以外の分子内にケイ素原
子を含まないジアミン からなるジアミン。
ただし、ｔａ＋と（ｂ）の相互のモル比は１００：０〜
７０ ： ３０である。
７０ ： ３０である。
Ｂ：下記の一般式（２）で表されるジアミノシロキサン
すなわち、この発明は、有機溶媒に対する親和性をもつ
前記一般式（１）の芳香族４核体ジアミンと、半導体素
子表面に対する接着性の高い上記一般式（２）のジアミ
ノシロキサンとを併用し、これらジアミンと、ジアミン
に対して鋭敏に反応する芳香族テトラカルボン酸二無水
物ではなくそれよりもやや反応性の低いエステルとを不
活性溶媒中に溶解し加熱処理を施すことにより、ポリア
ミド酸よりも著しく厚膜形成能に冨み、かつ低分子量体
であって溶解性のよい分子量２０００００以下の、イミ
ド環を含む重合体（縮合部分が全てイミド化したポリイ
ミド、一部未閉環部分を残し残余がイミド化したポリイ
ミド−ポリアミド酸構造のポリマーもしくはオリゴマー
）を生成させ、これをポリイミド前駆体として用いるこ
とにより、導電性ペースト組成物硬化体層の厚膜化を可
能にするものである。また、上記イミド環含有低分子量
重合体は、上記のように、ポリアミド酸に比べて分子量
が低く、イミド環を有しているにもかかわらず溶解性に
富むため、導電性ペースト組成物中の濃度を、ポリアミ
ド酸を使用する従来のものに比べて高濃度に設定するこ
とができる。したがって、従来のような、ポリアミド酸
の濃度不足に起因するペーストのチクソトロピー性（揺
変性）不足から生じる操業性の悪化等の現象の発生を防
止しうるという付随的効果も得られるようになる。
前記一般式（１）の芳香族４核体ジアミンと、半導体素
子表面に対する接着性の高い上記一般式（２）のジアミ
ノシロキサンとを併用し、これらジアミンと、ジアミン
に対して鋭敏に反応する芳香族テトラカルボン酸二無水
物ではなくそれよりもやや反応性の低いエステルとを不
活性溶媒中に溶解し加熱処理を施すことにより、ポリア
ミド酸よりも著しく厚膜形成能に冨み、かつ低分子量体
であって溶解性のよい分子量２０００００以下の、イミ
ド環を含む重合体（縮合部分が全てイミド化したポリイ
ミド、一部未閉環部分を残し残余がイミド化したポリイ
ミド−ポリアミド酸構造のポリマーもしくはオリゴマー
）を生成させ、これをポリイミド前駆体として用いるこ
とにより、導電性ペースト組成物硬化体層の厚膜化を可
能にするものである。また、上記イミド環含有低分子量
重合体は、上記のように、ポリアミド酸に比べて分子量
が低く、イミド環を有しているにもかかわらず溶解性に
富むため、導電性ペースト組成物中の濃度を、ポリアミ
ド酸を使用する従来のものに比べて高濃度に設定するこ
とができる。したがって、従来のような、ポリアミド酸
の濃度不足に起因するペーストのチクソトロピー性（揺
変性）不足から生じる操業性の悪化等の現象の発生を防
止しうるという付随的効果も得られるようになる。
この発明は、このように、イミド環含有低分子量重合体
を用いる点が特徴である。このようなイミド環含有低分
子量重合体は、上記式（１１で表される芳香族４核体ジ
アミン（Ａ成分）９９〜８０モル％と上記式（２）で表
されるジアミノシロキサン（Ｂ成分）１〜２０モル％と
からなるジアミノ化合物と、芳香族テトラカルボン酸エ
ステルとを不活性溶媒中に等モルもしくは略等モル溶解
し加熱しく９） て反応させることにより得られる。
を用いる点が特徴である。このようなイミド環含有低分
子量重合体は、上記式（１１で表される芳香族４核体ジ
アミン（Ａ成分）９９〜８０モル％と上記式（２）で表
されるジアミノシロキサン（Ｂ成分）１〜２０モル％と
からなるジアミノ化合物と、芳香族テトラカルボン酸エ
ステルとを不活性溶媒中に等モルもしくは略等モル溶解
し加熱しく９） て反応させることにより得られる。
上記芳香族４核体ジアミンとして好適なものは、２．２
−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロ
パンがあげられる。それ以外の好ましい代表例として、
２，２−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕プロパン、２．２−ビス〔３−クロロ−
４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、１
．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
エタン、１，１−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニルコメタン、１，１−ビス〔３−ク
ロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン
、１．１−ビス〔３，５−ジメチル−４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エタン、ビス（４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−メチル−
４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス
〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕エタン、ビス〔３，５−ジメチル−４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニルコメタン等かあげられる。
−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロ
パンがあげられる。それ以外の好ましい代表例として、
２，２−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕プロパン、２．２−ビス〔３−クロロ−
４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、１
．１−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕
エタン、１，１−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニルコメタン、１，１−ビス〔３−ク
ロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン
、１．１−ビス〔３，５−ジメチル−４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕エタン、ビス（４−（４−アミ
ノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−メチル−
４−（４−アミノフェノキシ）フェニルコメタン、ビス
〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕エタン、ビス〔３，５−ジメチル−４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニルコメタン等かあげられる。
なお、上記一般式（１）で表される芳香族４核体ジアミ
ンのうちの３０モル％までは、従来の分子内にケイ素原
子を含まないジアミンをＡ成分の一部として用いること
ができる。それ以上の使用は、得られるイミド環含有低
分子量重合体の厚膜形成能が損なわれるようになるので
止める必要がある。このような従来のジアミンを例示す
ると、メタフェニレンジアミン、バラフェニレンジアミ
ン等の１核体ジアミン、４，４” −ジアミノジフェニ
ルメタン、４，４゛ −ジアミノジフェニルエーテル、
２．２’ −ビス（４−アミノフェニル）プロパン、３
，３゛ −ジアミノジフェニルスルホン、４．４゛−ジ
アミノジフェニルスルホン、４．４゛ −ジアミノジフ
ェニルスルフィド、ベンジジン、ベンジジン−３，３＋
−ジスルホン酸、ベンジジン−３−モノスルホン酸、
ベンジジン−３−モノカルボン酸、３．３゛ −ジメト
キシベンジジン等の２抗体ジアミン、４−４”−ジアミ
ノ−ｐ−ターフェニル、１．４−ビス（ｍ−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、１．４−ビス（ｐ−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−アミノスルホニル）
ベンゼン、１，４−ビス（ｐ−アミノフェニルスルホニ
ル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−アミノフェニルチオ
エーテル）ベンゼン、１．４−ビス（ｐ−アミノフェニ
ルチオエーテル）ベンゼン等の３核体ジアミン、４．４
゛ −ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボンアミ
ド、３．４′ −ジアミノジフェニルエーテル−４−カ
ルボンアミド、３，４゛ −ジアミノジフェニルエーテ
ル−３゛ −カルボンアミド、３，３゛ −ジアミノジ
フェニルエーテル−４−カルボンアミド等のジアミノカ
ルボンアミド化合物、４．４° −（４−アミノフェノ
キシ）ジフェニルスルホン、４゜４’ ＝（３−アミ
ノフェノキシ）ジフェニルスルホン、４．４’−（４−
アミノフェノキシ）ジフェニルスルフィド、４．４’
−（４−アミノフェノキシ）ビフェニル等の一般式（
１）に含まれない４核体ジアミンやヘキサメチレンジア
ミン、ヘプタメチレンジアミン等の脂肪族ジアミン、１
．４−ジアミノシクロヘキサノン、イソホロンジアミン
、４．４’ −ジアミノジシクロヘキシルメタン等の
脂環族ジアミンがあげられる。
ンのうちの３０モル％までは、従来の分子内にケイ素原
子を含まないジアミンをＡ成分の一部として用いること
ができる。それ以上の使用は、得られるイミド環含有低
分子量重合体の厚膜形成能が損なわれるようになるので
止める必要がある。このような従来のジアミンを例示す
ると、メタフェニレンジアミン、バラフェニレンジアミ
ン等の１核体ジアミン、４，４” −ジアミノジフェニ
ルメタン、４，４゛ −ジアミノジフェニルエーテル、
２．２’ −ビス（４−アミノフェニル）プロパン、３
，３゛ −ジアミノジフェニルスルホン、４．４゛−ジ
アミノジフェニルスルホン、４．４゛ −ジアミノジフ
ェニルスルフィド、ベンジジン、ベンジジン−３，３＋
−ジスルホン酸、ベンジジン−３−モノスルホン酸、
ベンジジン−３−モノカルボン酸、３．３゛ −ジメト
キシベンジジン等の２抗体ジアミン、４−４”−ジアミ
ノ−ｐ−ターフェニル、１．４−ビス（ｍ−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、１．４−ビス（ｐ−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−アミノスルホニル）
ベンゼン、１，４−ビス（ｐ−アミノフェニルスルホニ
ル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−アミノフェニルチオ
エーテル）ベンゼン、１．４−ビス（ｐ−アミノフェニ
ルチオエーテル）ベンゼン等の３核体ジアミン、４．４
゛ −ジアミノジフェニルエーテル−３−カルボンアミ
ド、３．４′ −ジアミノジフェニルエーテル−４−カ
ルボンアミド、３，４゛ −ジアミノジフェニルエーテ
ル−３゛ −カルボンアミド、３，３゛ −ジアミノジ
フェニルエーテル−４−カルボンアミド等のジアミノカ
ルボンアミド化合物、４．４° −（４−アミノフェノ
キシ）ジフェニルスルホン、４゜４’ ＝（３−アミ
ノフェノキシ）ジフェニルスルホン、４．４’−（４−
アミノフェノキシ）ジフェニルスルフィド、４．４’
−（４−アミノフェノキシ）ビフェニル等の一般式（
１）に含まれない４核体ジアミンやヘキサメチレンジア
ミン、ヘプタメチレンジアミン等の脂肪族ジアミン、１
．４−ジアミノシクロヘキサノン、イソホロンジアミン
、４．４’ −ジアミノジシクロヘキシルメタン等の
脂環族ジアミンがあげられる。
上記一般式（２）で表されるジアミノシロキサン（Ｂ成
分）は、導電性ペースト組成物硬化体の電子部品（例え
ば半導体素子）に対する密着性を向上させるため、密着
性向上剤として用いられる。しかしながら、多量に使用
すると生成ペースト組成物硬化体の耐熱性等が損なわれ
るようになるため、その使用量は、ジアミノ化合物全体
の１〜２０モル％に設定する必要がある。好ましいのは
１〜４モル％である。すなわち、ジアミノシロキサンの
使用量が２０モル％を超えると、生成ポリイミド皮膜の
耐熱性および耐湿性が低下し、逆に１モル％未満になる
と、半導体素子に対する密着性に劣るようになるからで
ある。このようなジアミノシロキサンの代表例はつぎの
とおりである。
分）は、導電性ペースト組成物硬化体の電子部品（例え
ば半導体素子）に対する密着性を向上させるため、密着
性向上剤として用いられる。しかしながら、多量に使用
すると生成ペースト組成物硬化体の耐熱性等が損なわれ
るようになるため、その使用量は、ジアミノ化合物全体
の１〜２０モル％に設定する必要がある。好ましいのは
１〜４モル％である。すなわち、ジアミノシロキサンの
使用量が２０モル％を超えると、生成ポリイミド皮膜の
耐熱性および耐湿性が低下し、逆に１モル％未満になる
と、半導体素子に対する密着性に劣るようになるからで
ある。このようなジアミノシロキサンの代表例はつぎの
とおりである。
ＣＨ，ＣＨ３
Ｈ２Ｎ −Ｇ−ＣＨ２→３− Ｓ ｉ −０−Ｓ ｉ
−（１−ＣＨ２→、−ＮＨｚＣ１ｈ ＣＬ ｃｎｉ ＣＨ３ Ｃ６ｂｓ Ｃ６Ｈｓ ＣＨ，ＣＨ３ Ｃ６Ｈ５ＱＣ■３ Ｃ６）Ｉｓ この発明は、このようなＡ成分、Ｂ成分からなるジアミ
ノ化合物と反応させる酸類として、芳香族テトラカルボ
ン酸エステルを用いる。このような芳香族テトラカルボ
ン酸エステルとしては、通常、分子量２００〜７００程
度のものが用いられる。この種のエステルは、例えば、
芳香族テトラカルボン酸二無水物と、炭素数４以下の一
価アルコールとを反応させてつくられる。このようなア
ルコールを例示すると、メタノール、エタノール、ｎ−
プロパツール、５ｅｃ−プロパツール、ｎ−ブタノール
、５ｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノールがあげら
れる。これらのアルコールのなかでも、メタノール、エ
タノール、ｎ−プロパツール、５ｅｃ−ブタノールを用
いることが好ましく、最も好ましいのはメタノール、エ
タノールである。上記−価アルコールと反応させる芳香
族テトラカルボン酸二無水物の代表的なものを例示する
と、ピロメリット酸二無水物、３，３”、４．４” −
ベンゾフェノンテトラカルポン酸二無水物、３．３’
、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
、２，３．３’ 、４’ −ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、２，３，６．７−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、１．２゜５．６−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、１．４，５．８−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、２，２” −ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）プロパンニ無水物、ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）スルホンニ無水物、３，４．９．
１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）エーテルニ無水物、２，２
° −（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパンニ無
水物、１，１°−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル
）エタンニ無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラ
カルボン酸二無水物、２，３，６．７−アントラセンテ
トラカルボン酸二無水物、１，２，７．８−フェナント
レンテトラカルボン酸二無水物があげられる。
−（１−ＣＨ２→、−ＮＨｚＣ１ｈ ＣＬ ｃｎｉ ＣＨ３ Ｃ６ｂｓ Ｃ６Ｈｓ ＣＨ，ＣＨ３ Ｃ６Ｈ５ＱＣ■３ Ｃ６）Ｉｓ この発明は、このようなＡ成分、Ｂ成分からなるジアミ
ノ化合物と反応させる酸類として、芳香族テトラカルボ
ン酸エステルを用いる。このような芳香族テトラカルボ
ン酸エステルとしては、通常、分子量２００〜７００程
度のものが用いられる。この種のエステルは、例えば、
芳香族テトラカルボン酸二無水物と、炭素数４以下の一
価アルコールとを反応させてつくられる。このようなア
ルコールを例示すると、メタノール、エタノール、ｎ−
プロパツール、５ｅｃ−プロパツール、ｎ−ブタノール
、５ｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノールがあげら
れる。これらのアルコールのなかでも、メタノール、エ
タノール、ｎ−プロパツール、５ｅｃ−ブタノールを用
いることが好ましく、最も好ましいのはメタノール、エ
タノールである。上記−価アルコールと反応させる芳香
族テトラカルボン酸二無水物の代表的なものを例示する
と、ピロメリット酸二無水物、３，３”、４．４” −
ベンゾフェノンテトラカルポン酸二無水物、３．３’
、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
、２，３．３’ 、４’ −ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、２，３，６．７−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、１．２゜５．６−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、１．４，５．８−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、２，２” −ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）プロパンニ無水物、ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）スルホンニ無水物、３，４．９．
１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）エーテルニ無水物、２，２
° −（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパンニ無
水物、１，１°−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル
）エタンニ無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラ
カルボン酸二無水物、２，３，６．７−アントラセンテ
トラカルボン酸二無水物、１，２，７．８−フェナント
レンテトラカルボン酸二無水物があげられる。
エステル化は、芳香族テトラカルボン酸二無水物に対し
て過剰量のアルコールを反応容器に加え、アルコールの
沸点で加熱還流し、無水物基１個に対してアルコールを
少なくとも１個以上反応させた構造の芳香族テトラカル
ボン酸ジエステル以上の多エステルとし、反応終了後に
過剰のアルコ−ルを留去することにより行うことができ
る。
て過剰量のアルコールを反応容器に加え、アルコールの
沸点で加熱還流し、無水物基１個に対してアルコールを
少なくとも１個以上反応させた構造の芳香族テトラカル
ボン酸ジエステル以上の多エステルとし、反応終了後に
過剰のアルコ−ルを留去することにより行うことができ
る。
上記芳香族テトラカルボン酸エステルのうち、特に好適
なものは、３．３’ 、４．４’ −ビフェニルテト
ラカルボン酸ジメチルエステルおよび３．３’ 、４，
４° −ビフェニルテトラカルボン酸ジエヂルエステル
である。これら好適なエステルは、通常は酸無水物基を
有していない。そして、これらの芳香族テトラカルボン
酸エステルを用いた場合、最も厚膜のペースト組成物硬
化体が形成でき、しかも、形成された上記硬化体は、ポ
リアミド酸を経由して得られる同一構造のペースト組成
物硬化体と同等の特性を備えている。もちろん、上記の
エステル以外の他の二無水物エステルを使用する場合で
も厚膜形成ができるが、加熱条件をより緩和して行う等
の手段をとることが好ましい。
なものは、３．３’ 、４．４’ −ビフェニルテト
ラカルボン酸ジメチルエステルおよび３．３’ 、４，
４° −ビフェニルテトラカルボン酸ジエヂルエステル
である。これら好適なエステルは、通常は酸無水物基を
有していない。そして、これらの芳香族テトラカルボン
酸エステルを用いた場合、最も厚膜のペースト組成物硬
化体が形成でき、しかも、形成された上記硬化体は、ポ
リアミド酸を経由して得られる同一構造のペースト組成
物硬化体と同等の特性を備えている。もちろん、上記の
エステル以外の他の二無水物エステルを使用する場合で
も厚膜形成ができるが、加熱条件をより緩和して行う等
の手段をとることが好ましい。
つぎに、この発明の電子部品用導電性ペースト組成物の
製造の一例について具体的に説明する。
製造の一例について具体的に説明する。
すなわち１式（１）で表される芳香族４核体ジアミンを
中心とするＡ成分９９〜２０モル％および式（２）で表
されるジアミノシロキサンからなるＢ成分１〜２０モル
％の組成のジアミノ化合物と、芳香族テトラカルボン酸
エステルとを等モルもしくは略等モル不活性溶媒中に、
室温または７０℃以下の温度で溶解し、均一透明溶液に
したのち、８０〜２００℃に加熱し、脱アルコール反応
により重縮合を進める。その結果、分子量２０００００
以下の、イミド環を含む重合体が生成し、これが生成す
るに従って上記不活性溶媒に溶解して、イミド環含有低
分子量重合体溶液となる。このようにして得られた溶液
は、イミド環含有重合体が低分子量であり、しかもその
重合体中に、溶媒親和性の高い芳香族４核体ジアミンが
導入されているため、ポリイミド形成成分である上記重
合体を高濃度で溶解しろる。この溶液中のポリイミド形
成成分濃度である固形分濃度（上記重合体濃度）は、使
用する用途によって種々変わり得るが、目安としては溶
液粘度を１００ｃｐｓ （２５±０．１℃において）
に調整したときの固形分濃度が２０重量％以上になるよ
うにすることが好ましい。
中心とするＡ成分９９〜２０モル％および式（２）で表
されるジアミノシロキサンからなるＢ成分１〜２０モル
％の組成のジアミノ化合物と、芳香族テトラカルボン酸
エステルとを等モルもしくは略等モル不活性溶媒中に、
室温または７０℃以下の温度で溶解し、均一透明溶液に
したのち、８０〜２００℃に加熱し、脱アルコール反応
により重縮合を進める。その結果、分子量２０００００
以下の、イミド環を含む重合体が生成し、これが生成す
るに従って上記不活性溶媒に溶解して、イミド環含有低
分子量重合体溶液となる。このようにして得られた溶液
は、イミド環含有重合体が低分子量であり、しかもその
重合体中に、溶媒親和性の高い芳香族４核体ジアミンが
導入されているため、ポリイミド形成成分である上記重
合体を高濃度で溶解しろる。この溶液中のポリイミド形
成成分濃度である固形分濃度（上記重合体濃度）は、使
用する用途によって種々変わり得るが、目安としては溶
液粘度を１００ｃｐｓ （２５±０．１℃において）
に調整したときの固形分濃度が２０重量％以上になるよ
うにすることが好ましい。
なお、上記不活性溶媒溶液に対する加熱処理は、上記の
ように８０〜２００℃の温度で行うことが好ましい。加
熱を上記温度条件で行うことにより、分子量が２１００
〜２０００００の低分子量の、イミド環を含む重合体が
得られるようになる。ここで、上記分子量は、ポリスチ
レンを基準物質とし、展開溶媒としてテトラヒドロフラ
ンを用いるゲルパーミェーションクロマトグラフィーに
より求めた重量平均分子量を示している。また、芳香族
テトラカルボン酸エステルのエステル基の種類によって
は、まれに脱アルコール化反応の反応速度が速くなり、
イミド環を含む重合体の分子量が２０００００にとどま
らずそれ以上に高分子量化し、不活性溶媒に不溶化する
ことも起こりうる。そのような場合には、反応を低温で
行う等により対処することができる。他方、溶液中に未
反応モノマーが残存することがあるが、これもペースト
組成物を電子部品に塗布し２００〜３５０℃に加熱して
上記重合体をポリイミド化する際に、その重合体（ポリ
マーとオリゴマー）と反応しポリイミドの一部となるた
め、特別に除去する必要はない。
ように８０〜２００℃の温度で行うことが好ましい。加
熱を上記温度条件で行うことにより、分子量が２１００
〜２０００００の低分子量の、イミド環を含む重合体が
得られるようになる。ここで、上記分子量は、ポリスチ
レンを基準物質とし、展開溶媒としてテトラヒドロフラ
ンを用いるゲルパーミェーションクロマトグラフィーに
より求めた重量平均分子量を示している。また、芳香族
テトラカルボン酸エステルのエステル基の種類によって
は、まれに脱アルコール化反応の反応速度が速くなり、
イミド環を含む重合体の分子量が２０００００にとどま
らずそれ以上に高分子量化し、不活性溶媒に不溶化する
ことも起こりうる。そのような場合には、反応を低温で
行う等により対処することができる。他方、溶液中に未
反応モノマーが残存することがあるが、これもペースト
組成物を電子部品に塗布し２００〜３５０℃に加熱して
上記重合体をポリイミド化する際に、その重合体（ポリ
マーとオリゴマー）と反応しポリイミドの一部となるた
め、特別に除去する必要はない。
また、芳香族テトラカルボン酸エステルおよびジアミノ
化合物を溶解する上記不活性溶媒とは、上記エステルお
よびジアミノ化合物と反応せず、しかも生成イミド環含
有低分子量重合体を溶解しうる有機溶剤のことである。
化合物を溶解する上記不活性溶媒とは、上記エステルお
よびジアミノ化合物と反応せず、しかも生成イミド環含
有低分子量重合体を溶解しうる有機溶剤のことである。
そのような不活性溶媒の一例として、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ
” −ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ” −ジメチルス
ルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド等の高極性塩
基性溶媒があげられる。もちろん、これ以外の溶媒、例
えばテトラヒドロフラン、アセトフェノン、シクロヘキ
サノン、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジ
オキサンも用いることができる。また、これらの溶媒と
、トルエン、キシレン、ベンゾニトリル、ベンゼン、フ
ェノールのような汎用溶媒を併用することもできる。し
かし、その使用量は、生成重合体の溶解度を低下させな
い範囲に抑制する必要がある。
ピロリドン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ
” −ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ” −ジメチルス
ルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド等の高極性塩
基性溶媒があげられる。もちろん、これ以外の溶媒、例
えばテトラヒドロフラン、アセトフェノン、シクロヘキ
サノン、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジ
オキサンも用いることができる。また、これらの溶媒と
、トルエン、キシレン、ベンゾニトリル、ベンゼン、フ
ェノールのような汎用溶媒を併用することもできる。し
かし、その使用量は、生成重合体の溶解度を低下させな
い範囲に抑制する必要がある。
つぎに、上記のようにして得られた溶液中に、導電性充
填剤および有機溶媒ならびに必要に応じてその他の添加
剤（例えば界面活性剤、シランカップリング剤等）を加
え、混練してペースト状にする。その結果、目的とする
電子部品用導電性ペースト組成物が得られる。
填剤および有機溶媒ならびに必要に応じてその他の添加
剤（例えば界面活性剤、シランカップリング剤等）を加
え、混練してペースト状にする。その結果、目的とする
電子部品用導電性ペースト組成物が得られる。
このペースト化の際に用いられる上記有機溶媒としては
、上記イミド環含有低分子量重合体の合成時に使用しう
る不活性溶媒として列挙したものを用いることができる
。したがって、上記重合体の合成時に用いたと同様の不
活性溶媒をそのまま使用できる。有機溶媒の量は、有機
溶媒が、上記重合体と有機溶媒の合計量の１０〜９０重
量％を占めるよう設定するのが通常である。好ましいの
は３０〜７０重量％である。
、上記イミド環含有低分子量重合体の合成時に使用しう
る不活性溶媒として列挙したものを用いることができる
。したがって、上記重合体の合成時に用いたと同様の不
活性溶媒をそのまま使用できる。有機溶媒の量は、有機
溶媒が、上記重合体と有機溶媒の合計量の１０〜９０重
量％を占めるよう設定するのが通常である。好ましいの
は３０〜７０重量％である。
上記導電性充填剤としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、
Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｊ！、Ｓｎ、Ｆｅ。
Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｊ！、Ｓｎ、Ｆｅ。
Ｇｏ、Ｃｒ等の金属粉ないしこれらの合金粉、またはＲ
ｕ０ｚ ｒ Ｃｒ ０２ ＋ ＺｎＯ，Ｓｎ ０２ ＋
Ｆｅｚ Ｃ１＋ ＋ Ｉｎｚ ０３ ＋ ＰｄＯ
，Ｔ１２０ｚ 、Ｉｒ ０３ 、 Ｐ ｈ Ｏ，Ｓ
ｂｚ○３ｒＢ１２０ａ、Ｃｄ０等の酸化物粉が単独でも
しくは併せて用いられる。また、これらと、カーボン、
グラファイト、カーボンブラックとの併用もできる。し
かし、好ましくはＡｇ粉、ＡｇとＰｄの混合粉である。
ｕ０ｚ ｒ Ｃｒ ０２ ＋ ＺｎＯ，Ｓｎ ０２ ＋
Ｆｅｚ Ｃ１＋ ＋ Ｉｎｚ ０３ ＋ ＰｄＯ
，Ｔ１２０ｚ 、Ｉｒ ０３ 、 Ｐ ｈ Ｏ，Ｓ
ｂｚ○３ｒＢ１２０ａ、Ｃｄ０等の酸化物粉が単独でも
しくは併せて用いられる。また、これらと、カーボン、
グラファイト、カーボンブラックとの併用もできる。し
かし、好ましくはＡｇ粉、ＡｇとＰｄの混合粉である。
さらに好適にはＡｇ粉である。これらの導電性充填剤は
その製法により種々の形状のものがあり、樹状粉、鱗片
状粉、球状粉、多孔質粉、針状粉等があげられるが樹状
粉、鱗片状粉のものを用いるのが好ましい。これら導電
性充填剤の粒子径は、一般に１００メツシユフリーパス
、好適には３２５メツシユフリーパスであるのが望まし
い。導電性充填剤の使用量は、通常、上記充填剤が組成
物全体の固形分の６０〜９５重量％を占めるように設定
される。好ましいのは７０〜９０重量％である。
その製法により種々の形状のものがあり、樹状粉、鱗片
状粉、球状粉、多孔質粉、針状粉等があげられるが樹状
粉、鱗片状粉のものを用いるのが好ましい。これら導電
性充填剤の粒子径は、一般に１００メツシユフリーパス
、好適には３２５メツシユフリーパスであるのが望まし
い。導電性充填剤の使用量は、通常、上記充填剤が組成
物全体の固形分の６０〜９５重量％を占めるように設定
される。好ましいのは７０〜９０重量％である。
上記ペースト状化のための混練には、三本ロール、ボー
ルミル等の分散機が用いられるが、高粘度ペーストを分
散でき、しかも回収効率のよい三本ロールを用いること
が好ましい。この混線に際し、半導体素子や外部支持体
等の被着体とペースト硬化体との界面の密着性を向上さ
せる目的で必要に応じてシランカップリング剤やポリシ
ロキサン等の各種の任意成分を配合しても差し支えない
。さらに導電性ペースト組成物の揺変性を一層向上させ
るために、界面活性剤で代表される添加剤を必要に応じ
て配合してもよい。
ルミル等の分散機が用いられるが、高粘度ペーストを分
散でき、しかも回収効率のよい三本ロールを用いること
が好ましい。この混線に際し、半導体素子や外部支持体
等の被着体とペースト硬化体との界面の密着性を向上さ
せる目的で必要に応じてシランカップリング剤やポリシ
ロキサン等の各種の任意成分を配合しても差し支えない
。さらに導電性ペースト組成物の揺変性を一層向上させ
るために、界面活性剤で代表される添加剤を必要に応じ
て配合してもよい。
なお、上記の製造例は、イミド環含有低分子量重合体溶
液に、導電性充填剤を加え、さらに有機溶媒を添加し混
練して目的とするペースト組成物を製造しているが、イ
ミド環含有低分子量重合体溶液に導電性充填剤のみを添
加してペースト組成物を製造してもよく、また上記溶液
から水中への再沈によってイミド環含有低分子量重合体
を分離して乾燥し、有機溶媒に再溶解してペースト組成
物を製造してもよい。
液に、導電性充填剤を加え、さらに有機溶媒を添加し混
練して目的とするペースト組成物を製造しているが、イ
ミド環含有低分子量重合体溶液に導電性充填剤のみを添
加してペースト組成物を製造してもよく、また上記溶液
から水中への再沈によってイミド環含有低分子量重合体
を分離して乾燥し、有機溶媒に再溶解してペースト組成
物を製造してもよい。
このようにして得られる導電性ペースト組成物は、これ
を電子部品に塗工し乾燥して有機溶媒を除去したのち、
高温に加熱処理すると、ポリイミド前駆体であるイミド
環含有低分子量重合体がポリイミド化して硬化し、硬化
体（ポリイミド系樹脂）中に導電性充填剤が分散結着さ
れた構造の導重層を形成する。この導電層はその厚みが
５１程度以下であれば強度が低下せず、半導体素子とリ
ードフレームとを接着するための接着剤層等として充分
な接着力（プッシュプルゲージにより測定される接着カ
ニ２００〜３００ ｋｇ／ ｃ＋Ｊ、グイボンディング
用接着剤として充分な接着力）を示す。
を電子部品に塗工し乾燥して有機溶媒を除去したのち、
高温に加熱処理すると、ポリイミド前駆体であるイミド
環含有低分子量重合体がポリイミド化して硬化し、硬化
体（ポリイミド系樹脂）中に導電性充填剤が分散結着さ
れた構造の導重層を形成する。この導電層はその厚みが
５１程度以下であれば強度が低下せず、半導体素子とリ
ードフレームとを接着するための接着剤層等として充分
な接着力（プッシュプルゲージにより測定される接着カ
ニ２００〜３００ ｋｇ／ ｃ＋Ｊ、グイボンディング
用接着剤として充分な接着力）を示す。
なお、上記導電性ペースト組成物は、イミド環含有低分
子量重合体を高濃度に含有しチクソトロピー性が高くな
っているため、操業性にも優れている。すなわち、従来
の導電性ペースト組成物は、分子量の大なポリアミド酸
を用いていてその濃度を高めることができないため、相
対的に溶媒量が多くなり、それによってチクソトロピー
性が小さくなっていた。チクソトロピー性が小さいこと
は、シリンジを用いたディスペンス法で、リードフレー
ム上に連続的にペースト組成物を塗布した場合、塗布量
がばらつくこと、および“たれ”のため、塗布部分以外
のリードフレームにもペーストが滴下し、汚染してしま
うこと、等の問題を生しる。しかしながら、この発明の
導電性ペースト組成物は、上記のようにチクソトロピー
性が高いため、シリンジによるディスペンス塗布法での
作業性に優れるものである。また、このようにディスペ
ンス塗布法に優れるので、同時にチクソトロピー性を要
求されるスクリーン印刷法による塗布法が用いられる各
種分野で使用できる。
子量重合体を高濃度に含有しチクソトロピー性が高くな
っているため、操業性にも優れている。すなわち、従来
の導電性ペースト組成物は、分子量の大なポリアミド酸
を用いていてその濃度を高めることができないため、相
対的に溶媒量が多くなり、それによってチクソトロピー
性が小さくなっていた。チクソトロピー性が小さいこと
は、シリンジを用いたディスペンス法で、リードフレー
ム上に連続的にペースト組成物を塗布した場合、塗布量
がばらつくこと、および“たれ”のため、塗布部分以外
のリードフレームにもペーストが滴下し、汚染してしま
うこと、等の問題を生しる。しかしながら、この発明の
導電性ペースト組成物は、上記のようにチクソトロピー
性が高いため、シリンジによるディスペンス塗布法での
作業性に優れるものである。また、このようにディスペ
ンス塗布法に優れるので、同時にチクソトロピー性を要
求されるスクリーン印刷法による塗布法が用いられる各
種分野で使用できる。
この発明の導電性ペースト組成物は、上記のような優れ
た特性を有するうえに、導電機能、耐熱性、耐湿性およ
び強度（接着力）に優れたペースト硬化体層を形成でき
るため、電子部品用としてこれら特性が要求される各種
の用途に極めて有用である。すなわち、この導電性ペー
スト組成物は、ハイブリットＩＣやモノリシックＩＣの
グイポンディング用接着剤、あるいは従来低融点ガラス
フリット銀ペースト等無機系銀ペーストしか使用できな
かったチップコンデンサーやチップ抵抗器等のチップ部
品の分野における電極材として、あるいは水晶振動子固
定用導電性接着剤兼電極材、液晶表示セル電極材等に広
く用いられる。
た特性を有するうえに、導電機能、耐熱性、耐湿性およ
び強度（接着力）に優れたペースト硬化体層を形成でき
るため、電子部品用としてこれら特性が要求される各種
の用途に極めて有用である。すなわち、この導電性ペー
スト組成物は、ハイブリットＩＣやモノリシックＩＣの
グイポンディング用接着剤、あるいは従来低融点ガラス
フリット銀ペースト等無機系銀ペーストしか使用できな
かったチップコンデンサーやチップ抵抗器等のチップ部
品の分野における電極材として、あるいは水晶振動子固
定用導電性接着剤兼電極材、液晶表示セル電極材等に広
く用いられる。
このような使用例を第１図ないし第８図に示す。
すなわち、第１図はハイブリットＩＣの平面図であり、
第２図はその■−■断面図である。これらの図において
、１は金属外囲器、２ａ、 ２ｂ。
第２図はその■−■断面図である。これらの図において
、１は金属外囲器、２ａ、 ２ｂ。
２ｃ、２ｄ、２ｅはリードビンである。３はアルミニウ
ム、アルミナまたはガラスエポキシ等からなる基板であ
り、この基板３上に導体層４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４
ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈ、４ｉ、４ｊ、４に、４１が設け
られている。これらの導体層は、銀、金、銀−パラジウ
ム等を導電フィラーとし、有機ポリマーおよび低融点ガ
ラスをバインダーとするペースト状物を基板上に塗工し
、溶媒を除去したのち７００〜１２００°Ｃ程度で焼成
することにより設けられる。上記導体層４Ｃには、半導
体素子５が、この発明の導電性ペースト組成物を用いて
形成されたペースト硬化体層６によって強固に接着固定
されている。この接着は、導体層４Ｃ上に、前記の導電
性ペースト組成物を所定量設け、さらに半導体素子５を
その上に載置し前記組成物を加熱硬化させることによっ
て行われる。７ａ、７ｂは他の導体層４ｂ、４ｄと電気
的に接続するためのボンディングワイヤ、８ａ。
ム、アルミナまたはガラスエポキシ等からなる基板であ
り、この基板３上に導体層４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４
ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈ、４ｉ、４ｊ、４に、４１が設け
られている。これらの導体層は、銀、金、銀−パラジウ
ム等を導電フィラーとし、有機ポリマーおよび低融点ガ
ラスをバインダーとするペースト状物を基板上に塗工し
、溶媒を除去したのち７００〜１２００°Ｃ程度で焼成
することにより設けられる。上記導体層４Ｃには、半導
体素子５が、この発明の導電性ペースト組成物を用いて
形成されたペースト硬化体層６によって強固に接着固定
されている。この接着は、導体層４Ｃ上に、前記の導電
性ペースト組成物を所定量設け、さらに半導体素子５を
その上に載置し前記組成物を加熱硬化させることによっ
て行われる。７ａ、７ｂは他の導体層４ｂ、４ｄと電気
的に接続するためのボンディングワイヤ、８ａ。
８ｂ、８ｃは抵抗、コンデンサー、ダイオード等のチッ
プ部品である。９は基板１を載せた放熱板であり、この
放熱板９上に、導体層４ａとワイヤ１１によって電気的
に接続されたアース用の導体層１０が設けられている。
プ部品である。９は基板１を載せた放熱板であり、この
放熱板９上に、導体層４ａとワイヤ１１によって電気的
に接続されたアース用の導体層１０が設けられている。
１１′はエポキシ樹脂等からなる封止樹脂、１２はリー
ドピン２ａ〜２Ｃ外部突出部を封止するためのエポキシ
樹脂製の樹脂封止部である。
ドピン２ａ〜２Ｃ外部突出部を封止するためのエポキシ
樹脂製の樹脂封止部である。
第３図は封止樹脂層を省略したモノリシックＩＣの平面
図であり、第４図はそのｎ−ｎ断面図である。これらの
図において、１３はリードフレームであり、このリード
フレーム１３上に半導体素子１４が、この発明の導電性
ペースト組成物を用いて形成されたペースト硬化体層１
５によって強固に接着固定されている。この接着は、前
記のハイブリッドＩＣにおける導電層と半導体素子との
接着と同様の方法で行われる。１６ａ、１６ｂは他のリ
ードフレーム１４ａ、１４ｂにボンディングワイヤ１７
ａ、１７ｂによって電気的に接着さく２７） れた電極、１８はトランスファー成形等により上記の各
部品を一体に封止したエポキシ樹脂製の封止樹脂層であ
る。
図であり、第４図はそのｎ−ｎ断面図である。これらの
図において、１３はリードフレームであり、このリード
フレーム１３上に半導体素子１４が、この発明の導電性
ペースト組成物を用いて形成されたペースト硬化体層１
５によって強固に接着固定されている。この接着は、前
記のハイブリッドＩＣにおける導電層と半導体素子との
接着と同様の方法で行われる。１６ａ、１６ｂは他のリ
ードフレーム１４ａ、１４ｂにボンディングワイヤ１７
ａ、１７ｂによって電気的に接着さく２７） れた電極、１８はトランスファー成形等により上記の各
部品を一体に封止したエポキシ樹脂製の封止樹脂層であ
る。
第５図はチップコンデンサーの断面図である。
図において、１９はＢａＴｉ０． 、 ＴｉＯ□等を主
成分とするセラミック誘電体、２０は内部電極で、有機
ポリマーおよび低融点ガラスをバインダーとする導電性
ペースト組成物の焼結により形成された無機系銀、金、
銀−パラジウム等のペースト硬化体で構成されている。
成分とするセラミック誘電体、２０は内部電極で、有機
ポリマーおよび低融点ガラスをバインダーとする導電性
ペースト組成物の焼結により形成された無機系銀、金、
銀−パラジウム等のペースト硬化体で構成されている。
２１ａ、２１ｂはこれらの内部電極を並列接続するよう
に設けられた外部電極で、この発明の導電性ペースト組
成物硬化体により構成されている。このチップコンデン
サーは、ＢａＴｉＯ３，ＴｉＯ□等を主成分とするセラ
ミック材料を薄膜シート状にしたものに、前記無機系銀
、金、銀−パラジウム等の導電性ペースト組成物を印刷
し、この薄膜シートを数層から数十層に重ねて７００〜
１２００℃程度の温度で焼結し、ついでこの発明の導電
性ペースト組成物を硬化させ外部電極２１ａ、２１ｂと
することによりつくられる。なお、外部電極２１ａ、２
１ｂは、チップコンデンサーのハンダ付けの際に、導電
性充填剤としての銀がハンダへ溶出することを防止する
ため、Ｎｉ等のメッキ層を設ける場合もある。
に設けられた外部電極で、この発明の導電性ペースト組
成物硬化体により構成されている。このチップコンデン
サーは、ＢａＴｉＯ３，ＴｉＯ□等を主成分とするセラ
ミック材料を薄膜シート状にしたものに、前記無機系銀
、金、銀−パラジウム等の導電性ペースト組成物を印刷
し、この薄膜シートを数層から数十層に重ねて７００〜
１２００℃程度の温度で焼結し、ついでこの発明の導電
性ペースト組成物を硬化させ外部電極２１ａ、２１ｂと
することによりつくられる。なお、外部電極２１ａ、２
１ｂは、チップコンデンサーのハンダ付けの際に、導電
性充填剤としての銀がハンダへ溶出することを防止する
ため、Ｎｉ等のメッキ層を設ける場合もある。
第６図はチップ抵抗器の断面図である。アルミナ基板２
２上に酸化ルテニウム、カーボン等の厚膜からなる抵抗
素子２３が設けられている。２４はこの発明の導電性ペ
ースト組成物の加熱硬化（イミド化）により形成された
ペースト硬化体であり、ハンダ付は性を良くするため錫
を主体として設けられたハンダメッキ層２６およびニッ
ケル層２４゛ とともに、外部電極２５を構成している
。
２上に酸化ルテニウム、カーボン等の厚膜からなる抵抗
素子２３が設けられている。２４はこの発明の導電性ペ
ースト組成物の加熱硬化（イミド化）により形成された
ペースト硬化体であり、ハンダ付は性を良くするため錫
を主体として設けられたハンダメッキ層２６およびニッ
ケル層２４゛ とともに、外部電極２５を構成している
。
このニッケル層２４゛ は、外部電極２５をハンダ付け
する際に、ペースト組成物２４がら導電性充填剤として
の銀が溶出するのを防止するために設けられたものであ
る。２７はガラスからなる保護膜である。
する際に、ペースト組成物２４がら導電性充填剤として
の銀が溶出するのを防止するために設けられたものであ
る。２７はガラスからなる保護膜である。
第７図は水晶発振子の切欠側面図である。水晶板２８の
両面に銀−金薄膜２９ａ、２９ｂが設けられている。第
８図はこの薄膜２９ａ、２９ｂが設けられた水晶板２８
の平面図である。２９゛ ａ、２９’ ｂはこの発明
の導電性ペースト組成物の加熱硬化（イミド化）により
形成されたペースト硬化体であり、水晶板２８とリード
フレーム３１ａ、３１ｂとを接着する機能を有するとと
もに、前記の銀−金薄膜２’９ａ、２９ｂとともに電極
３０ａ、３０ｂを構成している。３２は金属製ケースで
ある。
両面に銀−金薄膜２９ａ、２９ｂが設けられている。第
８図はこの薄膜２９ａ、２９ｂが設けられた水晶板２８
の平面図である。２９゛ ａ、２９’ ｂはこの発明
の導電性ペースト組成物の加熱硬化（イミド化）により
形成されたペースト硬化体であり、水晶板２８とリード
フレーム３１ａ、３１ｂとを接着する機能を有するとと
もに、前記の銀−金薄膜２’９ａ、２９ｂとともに電極
３０ａ、３０ｂを構成している。３２は金属製ケースで
ある。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明の電子部品用導電性ペースト組
成物は、ポリイミド系樹脂の前駆体として、従来のポリ
アミド酸に比べて著しく優れた厚膜形成能を有するイミ
ド環含有低分子量重合体を用いているため、導電性ペー
スト組成物硬化体層の厚膜化を実現しうるようになる。
成物は、ポリイミド系樹脂の前駆体として、従来のポリ
アミド酸に比べて著しく優れた厚膜形成能を有するイミ
ド環含有低分子量重合体を用いているため、導電性ペー
スト組成物硬化体層の厚膜化を実現しうるようになる。
すなわち、従来のポリイミド系銀ペースト硬化体層の厚
みは高々５〜２０μｍであるところ、この発明のペース
ト組成物によれば、それをはるかに超える厚膜の硬化体
層を、樹脂の粉化現象等を生じることなく形成しうるの
である。しかも、形成された硬化体層の緒特性は、ポリ
アミド酸から形成されたもののそれと何ら変わらない。
みは高々５〜２０μｍであるところ、この発明のペース
ト組成物によれば、それをはるかに超える厚膜の硬化体
層を、樹脂の粉化現象等を生じることなく形成しうるの
である。しかも、形成された硬化体層の緒特性は、ポリ
アミド酸から形成されたもののそれと何ら変わらない。
そのうえ、上記イミド環含有低分子量重合体は、低分子
量であるうえ、その分子中に溶媒親和性に富む芳香族４
核体ジアミンが導入されていて極めて溶解性に富んでい
るため、ペースト組成物中に高濃度で含有させることが
できそのチクソトロピー性を高めることができる。した
がって、従来のような、ポリアミド酸の濃度不足に起因
する、ペーストのチクソトロピー性不足から生じる操業
性の悪化等の現象の発生を防止しうるという付随的効果
も得られるようになる。
量であるうえ、その分子中に溶媒親和性に富む芳香族４
核体ジアミンが導入されていて極めて溶解性に富んでい
るため、ペースト組成物中に高濃度で含有させることが
できそのチクソトロピー性を高めることができる。した
がって、従来のような、ポリアミド酸の濃度不足に起因
する、ペーストのチクソトロピー性不足から生じる操業
性の悪化等の現象の発生を防止しうるという付随的効果
も得られるようになる。
つぎに、実施例について説明する。
なお、以下の実施例において、溶液粘度、固形分濃度お
よび揺変度はつぎのようにして測定した。
よび揺変度はつぎのようにして測定した。
（１）溶液粘度
Ｅ型回転粘度計で、２５±０．１℃で測定した。
（２）固形分濃度
ここ＼に、Ｗｌ ：シャーレの重量（ｇ）Ｗ２ ：試料
とシャーレの重量（ｇ） Ｗｚ：１５０℃で６０分さらに２００ ℃で６０分乾燥した後の試料と シャーレの重量（ｇ） （３）揺変度 稲麦性を示す尺度として、揺変度（チクソトロピックイ
ンデックス）をつぎの式により定義した。
とシャーレの重量（ｇ） Ｗｚ：１５０℃で６０分さらに２００ ℃で６０分乾燥した後の試料と シャーレの重量（ｇ） （３）揺変度 稲麦性を示す尺度として、揺変度（チクソトロピックイ
ンデックス）をつぎの式により定義した。
η′
揺変度−□
η
ただし、η” ；東京計器■製ＢＨ型回転粘度計で、ロ
ーター階７を用い、２ｒｐ ｍで計った２５℃での粘度（ボイ ズ） η ；同じ＜２Ｏｒｐｍでの粘度（ポイズ） 〔実施例１〕 攪拌装置、冷却管および温度計を付したフラスコ中に、
３，３”、 ４． ４’ −ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物２９．４ｇ（０，１モル）とメタノール１
６０ｇ（５モル）を加え、６４〜６５℃で６時間、反応
系が透明となるまで加熱還流した。その後過剰のメタノ
ールを留去し、さらに減圧下でメタノール残分を完全に
留去した。得られたエステル化物は、酸価が３１１であ
り、ＩＲスペクトルから３．３’ 、４．４’ −ビ
フェニルテトラカルボン酸ジメチルエステルであること
が確認された。つぎに、このようにして得られた３、３
’ 、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン酸ジメ
チルエステル３５．８ｇ（０，１モル）と、２，２−ビ
ス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン
３９．５７ｇ （０，０９６５モル）とビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサン０．８７ｇ（０
，００３５モル）とをＮ−メチル−２−ピロリドン６９
．８ ｇ中に加え、４０℃で２時間攪拌して透明溶液と
し、引き続いて８０℃で２０時間攪拌を続は透明粘稠溶
液とした。このようにして得られた重合体溶液は、固形
分濃度が５０．３％であり、溶液粘度が４０００ｃｐｓ
であった。
ーター階７を用い、２ｒｐ ｍで計った２５℃での粘度（ボイ ズ） η ；同じ＜２Ｏｒｐｍでの粘度（ポイズ） 〔実施例１〕 攪拌装置、冷却管および温度計を付したフラスコ中に、
３，３”、 ４． ４’ −ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物２９．４ｇ（０，１モル）とメタノール１
６０ｇ（５モル）を加え、６４〜６５℃で６時間、反応
系が透明となるまで加熱還流した。その後過剰のメタノ
ールを留去し、さらに減圧下でメタノール残分を完全に
留去した。得られたエステル化物は、酸価が３１１であ
り、ＩＲスペクトルから３．３’ 、４．４’ −ビ
フェニルテトラカルボン酸ジメチルエステルであること
が確認された。つぎに、このようにして得られた３、３
’ 、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン酸ジメ
チルエステル３５．８ｇ（０，１モル）と、２，２−ビ
ス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン
３９．５７ｇ （０，０９６５モル）とビス（３−アミ
ノプロピル）テトラメチルジシロキサン０．８７ｇ（０
，００３５モル）とをＮ−メチル−２−ピロリドン６９
．８ ｇ中に加え、４０℃で２時間攪拌して透明溶液と
し、引き続いて８０℃で２０時間攪拌を続は透明粘稠溶
液とした。このようにして得られた重合体溶液は、固形
分濃度が５０．３％であり、溶液粘度が４０００ｃｐｓ
であった。
つぎに、上記の重合体溶液を水中に投じ、生成再沈ポリ
マーを減圧乾燥したのち赤外吸収スペクトル測定をした
ところ、第９図に示すように、１７８０ｃｍ−’および
１７２０ｃｍ−’にイミド基にもとづ＜ ＞Ｃ＝Ｏの特
性吸収帯が現れていた。この結果から上記ポリマーは、
イミド環を含む重合体であることが確認された。つぎに
、上記重合体溶液１００ｇ （固形分５０．３ｇ）に、
３２５メツシユフリーパスの鱗片状銀粉（最大粒径３２
μｍ、平均粒径５．１．ｃ＋ｍ）を２０１．２ｇ、さら
にＮ−メチル−２−ピロリドン１２．０ ｇを加え、よ
く混合した後、三本ロールで混練して分散し、目的とす
る電子部品用導電性銀ペースト組成物を得た。得られた
銀ペースト組成物の揺変度を測定したところ、３．８０
であり、チクソトロピー性が高いことがわかった。なお
、２Ｑｒｐｍでの粘度は８９０ボイズであった。つぎに
これを５ｃｃシリンジに５ｇ充填し、５ ｋｇ ／ ｃ
ｔＡの空気圧で、リードフレームのダイボンデイングプ
レート上に、ディスペンサーを用いて、連続塗布したと
ころ、吐出量のばらつきが少なく、定量塗布が可能であ
り、しかも、“たれ”が無く、塗布作業性に優れている
ことがわかった。塗布後、半導体素子を接着し、１２０
℃で３０分間、２００℃で３０分間、乾燥硬化した。
マーを減圧乾燥したのち赤外吸収スペクトル測定をした
ところ、第９図に示すように、１７８０ｃｍ−’および
１７２０ｃｍ−’にイミド基にもとづ＜ ＞Ｃ＝Ｏの特
性吸収帯が現れていた。この結果から上記ポリマーは、
イミド環を含む重合体であることが確認された。つぎに
、上記重合体溶液１００ｇ （固形分５０．３ｇ）に、
３２５メツシユフリーパスの鱗片状銀粉（最大粒径３２
μｍ、平均粒径５．１．ｃ＋ｍ）を２０１．２ｇ、さら
にＮ−メチル−２−ピロリドン１２．０ ｇを加え、よ
く混合した後、三本ロールで混練して分散し、目的とす
る電子部品用導電性銀ペースト組成物を得た。得られた
銀ペースト組成物の揺変度を測定したところ、３．８０
であり、チクソトロピー性が高いことがわかった。なお
、２Ｑｒｐｍでの粘度は８９０ボイズであった。つぎに
これを５ｃｃシリンジに５ｇ充填し、５ ｋｇ ／ ｃ
ｔＡの空気圧で、リードフレームのダイボンデイングプ
レート上に、ディスペンサーを用いて、連続塗布したと
ころ、吐出量のばらつきが少なく、定量塗布が可能であ
り、しかも、“たれ”が無く、塗布作業性に優れている
ことがわかった。塗布後、半導体素子を接着し、１２０
℃で３０分間、２００℃で３０分間、乾燥硬化した。
そして、半導体素子と、リードフレームとの接着力を調
べたところ、３５ｋｇ／ｃＩｌであり、アセンブリ一工
程での組立に支障の無い接着力を示した。
べたところ、３５ｋｇ／ｃＩｌであり、アセンブリ一工
程での組立に支障の無い接着力を示した。
〔実施例２〕
実施例１と同様な反応容器に３．３’ 、４．４° −
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２９．４ｇ（０，
１モル）とｎ−プロパツール３００ｇ（５モル）を加え
、９７℃で４時間、反応系が透明となるまで加熱還流し
た。その後過剰のｎ−プロパツールを留去し、３．３’
、４．４’ へビフェニルテトラカルボン酸ジｎ−プ
ロピルエステルを合成した。ついで、得られた３、３’
、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン酸ジｎ−
プロピルエステル４１．４ｇに、２，２−ビスＣ４−＜
、４−アミノフエノキシ）フェニル〕プロパン３８．９
５ｇ（０、０９５モル）とビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン１．２４ ｇ （０，００５
モル）とＮ−メチル−２−ピロリドン８１．６ｇとを加
え、６０℃で２時間攪拌したのち、１０５°Ｃで２時間
、さらに１５０℃で１時間攪拌し、目的とする重合体溶
液をつくった。得られた溶液の固形分濃度は５０．５％
、溶液粘度は４９００ｃｐｓであった。
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２９．４ｇ（０，
１モル）とｎ−プロパツール３００ｇ（５モル）を加え
、９７℃で４時間、反応系が透明となるまで加熱還流し
た。その後過剰のｎ−プロパツールを留去し、３．３’
、４．４’ へビフェニルテトラカルボン酸ジｎ−プ
ロピルエステルを合成した。ついで、得られた３、３’
、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン酸ジｎ−
プロピルエステル４１．４ｇに、２，２−ビスＣ４−＜
、４−アミノフエノキシ）フェニル〕プロパン３８．９
５ｇ（０、０９５モル）とビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン１．２４ ｇ （０，００５
モル）とＮ−メチル−２−ピロリドン８１．６ｇとを加
え、６０℃で２時間攪拌したのち、１０５°Ｃで２時間
、さらに１５０℃で１時間攪拌し、目的とする重合体溶
液をつくった。得られた溶液の固形分濃度は５０．５％
、溶液粘度は４９００ｃｐｓであった。
つぎに、上記のようにして得られた重合体溶液を水中に
投入し、生成再沈ポリマーを減圧乾燥したのち赤外吸収
スペクトル測定をしたところ、第１０図に示すように、
１７８０ｃｍ−’および１７２Ｑｃｍ−’にイミド基に
もとづ（＞Ｃ＝Ｑの特性吸収帯が現れていた。これより
、上記ポリマーは、イミド環を含む重合体であることが
確認された。
投入し、生成再沈ポリマーを減圧乾燥したのち赤外吸収
スペクトル測定をしたところ、第１０図に示すように、
１７８０ｃｍ−’および１７２Ｑｃｍ−’にイミド基に
もとづ（＞Ｃ＝Ｑの特性吸収帯が現れていた。これより
、上記ポリマーは、イミド環を含む重合体であることが
確認された。
つぎに、得られた重合体溶液１００ｇ （固形分５０．
５ｇ）に、３２５メツシユフリーパスの鱗片状銀粉（最
大粒径３２μｍ、平均粒径３．３μｍ）を２５２．５
ｇ加え、三本ロールで混線分散し、揺変度４．５５．２
Ｏｒｐｍでの粘度１１００ボイズの導電性ペースト組成
物を得た。このペースト組成物について、実施例１と同
様にして、ディスペンス法で塗布作業性を調べたところ
、塗布作業性に優れていた。そして、実施例１と同様に
して半導体素子を接着し、１００°Ｃで３０分間、２５
０℃で１０分間乾燥硬化させた後の半導体素子とリード
フレームとの接着力は、１５５ ｋｇ／ｃＪ、３５０℃
で３１ｋｇ／ｃｎｌであり、充分な接着力を示した。
５ｇ）に、３２５メツシユフリーパスの鱗片状銀粉（最
大粒径３２μｍ、平均粒径３．３μｍ）を２５２．５
ｇ加え、三本ロールで混線分散し、揺変度４．５５．２
Ｏｒｐｍでの粘度１１００ボイズの導電性ペースト組成
物を得た。このペースト組成物について、実施例１と同
様にして、ディスペンス法で塗布作業性を調べたところ
、塗布作業性に優れていた。そして、実施例１と同様に
して半導体素子を接着し、１００°Ｃで３０分間、２５
０℃で１０分間乾燥硬化させた後の半導体素子とリード
フレームとの接着力は、１５５ ｋｇ／ｃＪ、３５０℃
で３１ｋｇ／ｃｎｌであり、充分な接着力を示した。
〔実施例３〕
３．３’ 、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物に代えて、３．３”、４．４’ −ベンゾフ
ェノンテトラカルポン酸二無水物を同モル使用した。そ
れ以外は実施例１と同様にして固形分濃度５０．０％、
溶液粘度１８００ｃｐｓの重合体溶液をつくった。
酸二無水物に代えて、３．３”、４．４’ −ベンゾフ
ェノンテトラカルポン酸二無水物を同モル使用した。そ
れ以外は実施例１と同様にして固形分濃度５０．０％、
溶液粘度１８００ｃｐｓの重合体溶液をつくった。
つぎに、上記のようにして得られた重合体溶液を水中に
投入し、生成再沈ポリマーを減圧乾燥したのち赤外吸収
スペクトル測定をしたところ、第１１図に示すように、
１７８０ ｃｍ−、’および１７２０ｃｍ−１にイミド
基にもとづく〉Ｃ−〇の特性吸収帯が現れていた。これ
より、上記ポリマーは、イミド環を含む重合体であるこ
とが確認された。
投入し、生成再沈ポリマーを減圧乾燥したのち赤外吸収
スペクトル測定をしたところ、第１１図に示すように、
１７８０ ｃｍ−、’および１７２０ｃｍ−１にイミド
基にもとづく〉Ｃ−〇の特性吸収帯が現れていた。これ
より、上記ポリマーは、イミド環を含む重合体であるこ
とが確認された。
つぎに、得られた重合体溶液１００ｇ （固形分５０．
５ｇ）に、実施例１で使用した銀粉を２１０ｇ加え、三
本ロールで混線分散し、揺変度３．９５．２０ｒｐｍで
の粘度８００ボイズの導電性ペースト組成物を得た。こ
のペースト組成物について、実施例１と同様にして、デ
ィスペンス法で塗布作業性を調べたところ、塗布作業性
に優れていた。
５ｇ）に、実施例１で使用した銀粉を２１０ｇ加え、三
本ロールで混線分散し、揺変度３．９５．２０ｒｐｍで
の粘度８００ボイズの導電性ペースト組成物を得た。こ
のペースト組成物について、実施例１と同様にして、デ
ィスペンス法で塗布作業性を調べたところ、塗布作業性
に優れていた。
そして、実施例１と同様にして半導体素子を接着し、１
２０℃で３０分間、２００°Ｃで３０分間乾燥硬化させ
た後の半導体素子とリードフレームとの接着力は、１５
８ ｋｇ／ｃｔＡ、 ３５０ ’Ｃで３０ｋｇ／−であ
り、充分な接着力を示した。
２０℃で３０分間、２００°Ｃで３０分間乾燥硬化させ
た後の半導体素子とリードフレームとの接着力は、１５
８ ｋｇ／ｃｔＡ、 ３５０ ’Ｃで３０ｋｇ／−であ
り、充分な接着力を示した。
〔実施例４〕
２．２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕プロパン４１．、Ｏｇ （０，１モル）に化工て２，
２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン３３．６２ｇ （０，０８２モル）とビス（３−
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン４．４７
ｇ （０，０１８モル）を用いた。それ以外は実施例１
と同様にして固形分濃度５０．０％、溶液粘度１３００
ｃｐｓの重合体溶液を得た。
〕プロパン４１．、Ｏｇ （０，１モル）に化工て２，
２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン３３．６２ｇ （０，０８２モル）とビス（３−
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン４．４７
ｇ （０，０１８モル）を用いた。それ以外は実施例１
と同様にして固形分濃度５０．０％、溶液粘度１３００
ｃｐｓの重合体溶液を得た。
つぎに、上記のようにして得られた重合体溶液を水中に
投入し、生成再沈ポリマーを減圧乾燥したのち赤外吸収
スペクトル測定をしたところ、第１２図に示すように、
１７８０ｃｍ−’および１７２０σ１にイミド基にもと
づ＜ ＞Ｃ＝Ｏの特性吸収帯が見られイミド環を含む重
合体であることが確認された。
投入し、生成再沈ポリマーを減圧乾燥したのち赤外吸収
スペクトル測定をしたところ、第１２図に示すように、
１７８０ｃｍ−’および１７２０σ１にイミド基にもと
づ＜ ＞Ｃ＝Ｏの特性吸収帯が見られイミド環を含む重
合体であることが確認された。
つぎに、得られた重合体溶液１００ｇ （固形分５０．
０ｇ）に、実施例２で用いた銀粉を２５０ｇ加え、三本
ロールで混線分散し、揺変度４．８３．２０ｒｐｍでの
粘度８５０ボイズの導電性ペースト組成物を得た。この
ペースト組成物について、実施例１と同様にして、ディ
スペンス法で塗布作業性を調べたところ、塗布作業性に
優れていた。そして、実施例１と同様にして半導体素子
を接着し、１００℃で３０分間、２５０℃で３０分間乾
燥硬化させた後の半導体素子とリードフレームとの接着
力は、１４７ｋｇ／ｃＪ、３５０℃で２５ｋｇ／ｃＪで
あり、充分な接着力を示した。
０ｇ）に、実施例２で用いた銀粉を２５０ｇ加え、三本
ロールで混線分散し、揺変度４．８３．２０ｒｐｍでの
粘度８５０ボイズの導電性ペースト組成物を得た。この
ペースト組成物について、実施例１と同様にして、ディ
スペンス法で塗布作業性を調べたところ、塗布作業性に
優れていた。そして、実施例１と同様にして半導体素子
を接着し、１００℃で３０分間、２５０℃で３０分間乾
燥硬化させた後の半導体素子とリードフレームとの接着
力は、１４７ｋｇ／ｃＪ、３５０℃で２５ｋｇ／ｃＪで
あり、充分な接着力を示した。
〔実施例５〕
実施例２で作製したこの発明の導電性ペースト組成物を
５ｃｃシリンジに５ｇ詰め、３ ｋｇ ／ ｃｎｌの空
気圧で、気密封止型水晶発振子の組立に用いる４２アロ
イ製リードフレーム上にディスペンス法で滴下し、水晶
振動板を接着後、１２０℃で３０分間、２７５℃で９０
分間乾燥硬化し、接着固定した。そして、低融点ガラス
を用い、ガラス製容器の上下を４７０°Ｃ２１０分間の
条件で密封し、気密封止型水晶発振子を作製した。この
過程でのディスベンザ−塗布作業では、定量塗布が可能
で、しかも、シリンジ先端からの“たれ”も無く、塗布
作業性に優れていた。また、４２７０イ製リードフレー
ムと水晶振動板との接着力も充分で、７５ ｃｍの高さ
から竪木上へ落下したあとの導通不良もなかった。また
、低融点ガラスでの封止にも充分耐えることから、耐熱
性も充分であり、この発明の導電性ペースト組成物は半
導体素子のダイボンデイング接着剤以外の用途において
も有用であることがわかった。
５ｃｃシリンジに５ｇ詰め、３ ｋｇ ／ ｃｎｌの空
気圧で、気密封止型水晶発振子の組立に用いる４２アロ
イ製リードフレーム上にディスペンス法で滴下し、水晶
振動板を接着後、１２０℃で３０分間、２７５℃で９０
分間乾燥硬化し、接着固定した。そして、低融点ガラス
を用い、ガラス製容器の上下を４７０°Ｃ２１０分間の
条件で密封し、気密封止型水晶発振子を作製した。この
過程でのディスベンザ−塗布作業では、定量塗布が可能
で、しかも、シリンジ先端からの“たれ”も無く、塗布
作業性に優れていた。また、４２７０イ製リードフレー
ムと水晶振動板との接着力も充分で、７５ ｃｍの高さ
から竪木上へ落下したあとの導通不良もなかった。また
、低融点ガラスでの封止にも充分耐えることから、耐熱
性も充分であり、この発明の導電性ペースト組成物は半
導体素子のダイボンデイング接着剤以外の用途において
も有用であることがわかった。
〔比較例１〕
攪拌装置、冷却管、 ？ＩＡ度計右上び窒素置換装置を
付したフラスコ中に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１９
８．３ｇを加え、ビス（３−アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサン０．８７ ｇ （０，００３５モル）
と４．４゛ −ジアミノジフェニルエーテル１９．３
ｇ （０，，０９６５モル）を仕込み、溶解するまで攪
拌した。つぎに３．３’ 、４，４° −ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物２９．４ｇ（０，１モル）を徐
々に添加した。反応系を３０℃以下になるように保持し
、透明粘稠溶液になるまで攪拌した。つぎに反応系を６
０℃に８時間保ち、この加熱熟成工程後、不揮発固形分
２０．０重量％、溶液粘度が４２０ボイズのポリイミド
前駆体の溶液を作製した。
付したフラスコ中に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１９
８．３ｇを加え、ビス（３−アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサン０．８７ ｇ （０，００３５モル）
と４．４゛ −ジアミノジフェニルエーテル１９．３
ｇ （０，，０９６５モル）を仕込み、溶解するまで攪
拌した。つぎに３．３’ 、４，４° −ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物２９．４ｇ（０，１モル）を徐
々に添加した。反応系を３０℃以下になるように保持し
、透明粘稠溶液になるまで攪拌した。つぎに反応系を６
０℃に８時間保ち、この加熱熟成工程後、不揮発固形分
２０．０重量％、溶液粘度が４２０ボイズのポリイミド
前駆体の溶液を作製した。
得られたポリイミド前駆体の溶液１００ｇ （固形分２
０ ｇ ）に、３２５メツシユフリーパスの鱗片状銀粉
（最大粒径３２μｍ、平均粒径５．１μｍ）９６．６ｇ
を加え、三本ロールで混練してポリイミド前駆体の溶液
に分散した。このペースト組成物の揺変度は１．３１で
、２Ｏｒｐｍでの粘度は８６０ボイズであった。これに
ついて、実施例２と同様にして、塗布作業性を調べたと
ころ、吐出量にばらつきがあり、定量塗布は困難であっ
た。さらに、このペースト組成物は塗布作業中に、グイ
ボンディングプレート以外のリードフレーム上に滴下す
る場合があり、リードフレームを汚染することがあった
。しかも、正常に塗布された場合の半導体素子とリード
フレームとの接着力は、１２０℃で３０分間、２００℃
で６０分乾燥硬化した後、９５ ｋｇ／ｃｌ、 ３５
０℃で２３ ｋｇ ／ ｃＪであったが、これは実施例
１〜４のそれと比べて劣っている。
０ ｇ ）に、３２５メツシユフリーパスの鱗片状銀粉
（最大粒径３２μｍ、平均粒径５．１μｍ）９６．６ｇ
を加え、三本ロールで混練してポリイミド前駆体の溶液
に分散した。このペースト組成物の揺変度は１．３１で
、２Ｏｒｐｍでの粘度は８６０ボイズであった。これに
ついて、実施例２と同様にして、塗布作業性を調べたと
ころ、吐出量にばらつきがあり、定量塗布は困難であっ
た。さらに、このペースト組成物は塗布作業中に、グイ
ボンディングプレート以外のリードフレーム上に滴下す
る場合があり、リードフレームを汚染することがあった
。しかも、正常に塗布された場合の半導体素子とリード
フレームとの接着力は、１２０℃で３０分間、２００℃
で６０分乾燥硬化した後、９５ ｋｇ／ｃｌ、 ３５
０℃で２３ ｋｇ ／ ｃＪであったが、これは実施例
１〜４のそれと比べて劣っている。
〔比較例２〕
実施例１と同様の反応器に、３．３’ 、４．４゛ −
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２９．４ｇ（０，
１モル）と２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ
）フェニル〕プロパン３９．５７ｇ（０，０９６５モル
）とビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキ
サン０．８７ｇ（０，００３５モル）を加え、さらにＮ
−メチル−２−ピロリドン２７９．４ ｇを加え、３０
℃以下（特に室温付近ないしそれに近い温度）に保ちな
がら攪拌した。
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２９．４ｇ（０，
１モル）と２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ
）フェニル〕プロパン３９．５７ｇ（０，０９６５モル
）とビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキ
サン０．８７ｇ（０，００３５モル）を加え、さらにＮ
−メチル−２−ピロリドン２７９．４ ｇを加え、３０
℃以下（特に室温付近ないしそれに近い温度）に保ちな
がら攪拌した。
これによって重合反応は速やかに進行し、反応系の粘度
が上昇し、固形分濃度１９．９％、溶液粘度が２０００
０００ｃｐｓ以上のポリアミド酸溶液をつくった。つぎ
に、これを６０℃に保って加熱熟成を行い、溶液粘度を
３９０００ｃｐｓまで低下させることにより得られたポ
リイミド前駆体溶液１００ｇ （固形分１９．９ｇ）に
、実施例１で使用した銀粉７９．６ ｇを加え、三本ロ
ールで混線分散して、揺変度１．３９．２Ｏｒｐｍでの
粘度６５０ポイズの導電性ペースト組成物を得た。この
ものは、比較例１のものと同様、揺変性に劣るため、塗
布作業性が悪かった。しかし、これを１２０℃で３０分
間、２００℃で３０分間乾燥硬化させた後の半導体素子
とリードフレームとの接着力は実施例１と同程度で優れ
ていた。
が上昇し、固形分濃度１９．９％、溶液粘度が２０００
０００ｃｐｓ以上のポリアミド酸溶液をつくった。つぎ
に、これを６０℃に保って加熱熟成を行い、溶液粘度を
３９０００ｃｐｓまで低下させることにより得られたポ
リイミド前駆体溶液１００ｇ （固形分１９．９ｇ）に
、実施例１で使用した銀粉７９．６ ｇを加え、三本ロ
ールで混線分散して、揺変度１．３９．２Ｏｒｐｍでの
粘度６５０ポイズの導電性ペースト組成物を得た。この
ものは、比較例１のものと同様、揺変性に劣るため、塗
布作業性が悪かった。しかし、これを１２０℃で３０分
間、２００℃で３０分間乾燥硬化させた後の半導体素子
とリードフレームとの接着力は実施例１と同程度で優れ
ていた。
〔比較例３〕
実施例１と同様の反応器に、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン４９．６ ｇを加え、さらに実施例１で得られた３、
３’ 、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン酸ジ
メチルエステル３５．８ｇ（０，１モル）
Ｉと４．４” −ジアミノジフェニルエーテル１９．３
ｇ（０，０９６５モル）とビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン０．８７ ｇ （０，００３
５モル）を加え、４０℃で２時間、攪拌して完全に溶解
し、引き続いて８０℃で２０時間攪拌し透明粘稠溶液と
した。この重合体溶液は固形分濃度４９．８％、溶液粘
度２０００ｃｐｓであった。
ン４９．６ ｇを加え、さらに実施例１で得られた３、
３’ 、４．４’ −ビフェニルテトラカルボン酸ジ
メチルエステル３５．８ｇ（０，１モル）
Ｉと４．４” −ジアミノジフェニルエーテル１９．３
ｇ（０，０９６５モル）とビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン０．８７ ｇ （０，００３
５モル）を加え、４０℃で２時間、攪拌して完全に溶解
し、引き続いて８０℃で２０時間攪拌し透明粘稠溶液と
した。この重合体溶液は固形分濃度４９．８％、溶液粘
度２０００ｃｐｓであった。
つぎに、得られた重合体溶液１００ｇ （固形分４９．
８ｇ）に、実施例１で使用した銀粉１９９．２ｇを加え
、三本ロールで混線分散し、揺変度３．８８．２Ｏｒｐ
ｍでの粘度９２０ポイズの導電性ペースト組成物を作製
した。この導電性ペースト組成物は、揺変性に優れるた
め、実施例１と同様に塗布作業性に優れているものの、
１２０°Ｃで３０分間、２００℃で６０分間乾燥硬化さ
せた後の半導体素子とリードフレームとの接着力が６０
ｋｇ／ｃ＋ｌＩ。
８ｇ）に、実施例１で使用した銀粉１９９．２ｇを加え
、三本ロールで混線分散し、揺変度３．８８．２Ｏｒｐ
ｍでの粘度９２０ポイズの導電性ペースト組成物を作製
した。この導電性ペースト組成物は、揺変性に優れるた
め、実施例１と同様に塗布作業性に優れているものの、
１２０°Ｃで３０分間、２００℃で６０分間乾燥硬化さ
せた後の半導体素子とリードフレームとの接着力が６０
ｋｇ／ｃ＋ｌＩ。
３５０℃で７ ｋｇ ／ ｃａとかなり劣っていた。
なお、上記実施例１〜４および比較例１〜２により得ら
れた重合体溶液を、その溶液を構成する溶媒で順次希釈
し、所定濃度における粘度（２５±１℃にて測定）を測
定してグラフ化し第１３図に示した。直線ａは実施例１
． ｂは実施例２．ｃは実施例３．ｄは実施例４のそ
れを示し、直線ｅは比較例１．ｆは比較例２．ｇは比較
例３のそれを示す。第１３図から明らかなように、実施
例の溶液は比較例のそれと比べて著しく固形分濃度が高
く揺変性に富んだペースト組成物をつくりうろことがわ
かる。なお、比較例２は固形分濃度が高く揺変性に富ん
だペースト組成物をつくりうるものの接着力不足であり
実用には耐えないものである。
なお、上記実施例１〜４および比較例１〜２により得ら
れた重合体溶液を、その溶液を構成する溶媒で順次希釈
し、所定濃度における粘度（２５±１℃にて測定）を測
定してグラフ化し第１３図に示した。直線ａは実施例１
． ｂは実施例２．ｃは実施例３．ｄは実施例４のそ
れを示し、直線ｅは比較例１．ｆは比較例２．ｇは比較
例３のそれを示す。第１３図から明らかなように、実施
例の溶液は比較例のそれと比べて著しく固形分濃度が高
く揺変性に富んだペースト組成物をつくりうろことがわ
かる。なお、比較例２は固形分濃度が高く揺変性に富ん
だペースト組成物をつくりうるものの接着力不足であり
実用には耐えないものである。
第１図〜第８図はこの発明の樹脂液の使用を示すもので
、第１図はハイブリットＩＣの平面図、第２図はそのＩ
＝Ｉ断面図、第３図はモノリシックＩＣの封止樹脂層を
省略した状態の平面図、第４図はその■−■断面図、第
５図はチップコンデンサーの断面図、第６図はチップ抵
抗器の断面図、第７図は水晶発振子の切欠側面図、第８
図はその水晶発振子部品の平面図、第９図〜第１２図は
実施例１〜４で得られたポリイミドの赤外吸収スペクト
ル図、第１３図は塗布溶液の固形分濃度−溶液粘度線図
である。 特許出願人 日東電気工業株式会社 代理人 弁理士 西 藤 征 彦 第３図 第４図 第５図 第７図
、第１図はハイブリットＩＣの平面図、第２図はそのＩ
＝Ｉ断面図、第３図はモノリシックＩＣの封止樹脂層を
省略した状態の平面図、第４図はその■−■断面図、第
５図はチップコンデンサーの断面図、第６図はチップ抵
抗器の断面図、第７図は水晶発振子の切欠側面図、第８
図はその水晶発振子部品の平面図、第９図〜第１２図は
実施例１〜４で得られたポリイミドの赤外吸収スペクト
ル図、第１３図は塗布溶液の固形分濃度−溶液粘度線図
である。 特許出願人 日東電気工業株式会社 代理人 弁理士 西 藤 征 彦 第３図 第４図 第５図 第７図
Claims (6)
- （１）ポリイミド系樹脂の前駆体を主成分とし、有機溶
媒と導電性充填剤とを含むペースト組成物であつて、上
記ポリイミド系樹脂の前駆体が、下記のＡ成分９９〜８
０モル％とＢ成分１〜２０モル％からなるジアミノ化合
物と、芳香族テトラカルボン酸エステルとを不活性溶媒
中に等モルもしくは略等モル溶解し加熱して反応させる
ことにより得られるイミド環含有低分子量重合体である
電子部品用導電性ペースト組成物。 Ａ：（ａ）下記の一般式（１）で表される芳香族４核体
ジアミン ▲数式、化学式、表等があります▼−−−−−−−−−
（１） 〔式（１）中、Ｒ＿１、Ｒ＿２は水素、炭素数１〜４の
アルキル基またはＣＦ＿３であり、 互いに同じであつても異なつていてもよ い。Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿６は水素、ハロゲン
または炭素数１〜４のアルキル基 であり、互いに同じであつても異なつて いてもよい。〕 （ｂ）上記（ａ）およびＢ成分以外の分子内にケイ素原
子を含まないジアミン からなるジアミン。 ただし、（ａ）と（ｂ）の相互のモル比は１００：０〜
７０：３０である。 Ｂ：下記の一般式（２）で表されるジアミノシロキサン ▲数式、化学式、表等があります▼−−−−−−−−−
−−−−（２） 〔式（２）中、Ｒ７は二価の有機基、Ｒ８は一価の有機
基であり、ｎは１〜１０００の整 数である。〕 - （２）ジアミノ化合物と芳香族テトラカルボン酸エステ
ルを等モルもしくは略等モル溶解した不活性溶媒溶液に
対する加熱が、８０〜２００℃の温度で行われる特許請
求の範囲第１項記載の電子部品用導電性ペースト組成物
。 - （３）不活性溶媒溶液中における反応によつて生成する
イミド環含有低分子量重合体が、その不活性溶媒中に溶
解した状態で得られる特許請求の範囲第１項または第２
項記載の電子部品用導電性ペースト組成物。 - （４）イミド環含有低分子量重合体の溶液が、溶液粘度
を１００ｃｐｓ（２５±０．１℃）に調整したときの固
形濃度が２０重量％以上になるように設定されている特
許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の電
子部品用導電性ペースト組成物。 - （５）芳香族テトラカルボン酸エステルが、３，３’、
４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸エステルである
特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の
電子部品用導電性ペースト組成物。 - （６）導電性充填剤が、銀粉である特許請求の範囲第１
項ないし第５項のいずれかに記載の電子部品用導電性ペ
ースト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205254A JPS6183250A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 電子部品用導電性ペ−スト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59205254A JPS6183250A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 電子部品用導電性ペ−スト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6183250A true JPS6183250A (ja) | 1986-04-26 |
Family
ID=16503939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59205254A Pending JPS6183250A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | 電子部品用導電性ペ−スト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6183250A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62227978A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペ−スト |
| JPH0196246A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Ube Ind Ltd | 銅ペースト組成物および導電性配線体の製法 |
| WO2017027456A1 (en) * | 2015-08-12 | 2017-02-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Paste and process for forming a solderable polyimide–based polymer thick film conductor |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP59205254A patent/JPS6183250A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62227978A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペ−スト |
| JPH0196246A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Ube Ind Ltd | 銅ペースト組成物および導電性配線体の製法 |
| WO2017027456A1 (en) * | 2015-08-12 | 2017-02-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Paste and process for forming a solderable polyimide–based polymer thick film conductor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5605763A (en) | Electrically conductive bonding films | |
| EP2530103A1 (en) | Polyimide resin composition, adhesive agent and laminate each comprising same, and device | |
| JPH0768347B2 (ja) | 有機ケイ素末端ポリイミド前駆体とポリイミドの製造方法 | |
| JPWO2007116979A1 (ja) | 封止充填剤用樹脂組成物、それを用いたフリップチップ実装法及びフリップチップ実装品 | |
| KR930002237B1 (ko) | 내열성 수지 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 집적 회로장치 | |
| JP2697215B2 (ja) | 耐熱樹脂ペーストおよびこれを用いたｉｃ | |
| US5667899A (en) | Electrically conductive bonding films | |
| US20210355349A1 (en) | Modified polyamic acid, preparation method thereof, and preparation method of composite film | |
| JP3482946B2 (ja) | 接着フィルム及び半導体装置 | |
| US5164816A (en) | Integrated circuit device produced with a resin layer produced from a heat-resistant resin paste | |
| JPS6183250A (ja) | 電子部品用導電性ペ−スト組成物 | |
| JPH07228697A (ja) | 接着フィルム | |
| TW201026806A (en) | Resin paste for die bonding, method for producing semiconductor device, and semiconductor device | |
| KR20020007426A (ko) | 미세전자소자 패키지용 고기능성 에폭시미드 제조방법 | |
| JP3513829B2 (ja) | 接着フィルム | |
| JP4013092B2 (ja) | 接着フィルム | |
| JPS60170626A (ja) | 電子部品用導電性ペ−スト組成物 | |
| JPS6183228A (ja) | 溶剤可溶性ポリイミド | |
| JPS6183229A (ja) | ポリイミド膜形成用樹脂液の製法 | |
| JPS60206884A (ja) | 導電性ペ−スト組成物 | |
| JPH02170857A (ja) | ポリイミド膜形成溶液 | |
| JPS58113250A (ja) | 導電性銀ペ−スト組成物とこれを用いた半導体装置 | |
| JPH03159006A (ja) | 耐熱性導電接着シート | |
| JPH01263154A (ja) | 導電性ペースト組成物 | |
| JPS62227979A (ja) | 樹脂ペ−スト |