JPS6180806A - 高透磁率磁性薄鋼板の製造方法 - Google Patents
高透磁率磁性薄鋼板の製造方法Info
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- JPS6180806A JPS6180806A JP59201597A JP20159784A JPS6180806A JP S6180806 A JPS6180806 A JP S6180806A JP 59201597 A JP59201597 A JP 59201597A JP 20159784 A JP20159784 A JP 20159784A JP S6180806 A JPS6180806 A JP S6180806A
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- JP
- Japan
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- thin steel
- steel sheet
- high permeability
- treatment
- steel plate
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- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、高透磁率磁性薄鋼板の製造方法に関し、低
Ｓｔ薄鋼板にＳｔを拡散浸透させて内部欠陥のない高３
ｉ磁性落鋼板を効率よく製造することを目的とする。
Ｓｔ薄鋼板にＳｔを拡散浸透させて内部欠陥のない高３
ｉ磁性落鋼板を効率よく製造することを目的とする。
く従来の技術〉
Ｆｅ−３ｔ合金、Ｆｅ −５ｔ−Ａ１合金の中には、Ｆ
ｅ ６．５％Ｓｉ合金やＦｅ−９，６％Ｓｉ ５．
４％ｋｔ合金（センダスト）のように極めて透磁率が高
く、優ｎた軟磁気特性を示すものがある。特にセンダス
トは１９３７年に増本、白木両博士によって発明されて
以来、ダストファ、磁気ヘッドなどの多くの電子機器に
応用さｎて来ている・特に磁気ヘッドに関しては、磁気
記録媒体の高密度化に伴い記録媒体の高保磁力化が進み
つつちる昨今では、従来使わｎてきたフェライトヘッド
よシも飽和磁化の高いセンダストの方が記録に適する月
利として注目さｎている。またＦ ｅ −６，５％Ｓｉ
合金についても高い飽和磁束密度を持つことから変圧器
の鉄心やその他の電気、電子機器への利用が考えらｎて
いる。
ｅ ６．５％Ｓｉ合金やＦｅ−９，６％Ｓｉ ５．
４％ｋｔ合金（センダスト）のように極めて透磁率が高
く、優ｎた軟磁気特性を示すものがある。特にセンダス
トは１９３７年に増本、白木両博士によって発明されて
以来、ダストファ、磁気ヘッドなどの多くの電子機器に
応用さｎて来ている・特に磁気ヘッドに関しては、磁気
記録媒体の高密度化に伴い記録媒体の高保磁力化が進み
つつちる昨今では、従来使わｎてきたフェライトヘッド
よシも飽和磁化の高いセンダストの方が記録に適する月
利として注目さｎている。またＦ ｅ −６，５％Ｓｉ
合金についても高い飽和磁束密度を持つことから変圧器
の鉄心やその他の電気、電子機器への利用が考えらｎて
いる。
軟磁気特性のすぐｎたこ扛らの高Ｓｔ合金を実際に電子
部品等に適用する場合、最も問題となるのはこｎらの合
金が脆性を示すため圧延により薄く加工することができ
ないという点である。このためセンダストの場合には、
鋳造後、素材をスライスすることにより磁気ヘッド用薄
片を作製しておシ、ヘッドの製造工程の中では極めて効
率の悪い工程となっている。その上、センダストは鋳造
凝固時にクラック、ピンホールなどが出来やすく、とｎ
らの欠陥を除去することが不可欠であり、その念めの工
程も必要となる。
部品等に適用する場合、最も問題となるのはこｎらの合
金が脆性を示すため圧延により薄く加工することができ
ないという点である。このためセンダストの場合には、
鋳造後、素材をスライスすることにより磁気ヘッド用薄
片を作製しておシ、ヘッドの製造工程の中では極めて効
率の悪い工程となっている。その上、センダストは鋳造
凝固時にクラック、ピンホールなどが出来やすく、とｎ
らの欠陥を除去することが不可欠であり、その念めの工
程も必要となる。
以上のような製造工程上の問題を解決するため以下のよ
うな様々な方法が試みらｎて来ている。
うな様々な方法が試みらｎて来ている。
■熱間における圧延、変形
■添加元素による加工性の改善
■融体急冷法
■圧延後成分調整法
■の熱間に２いて圧延、変形上行なう方法は、１０００
℃以上で極めて低い歪速度ｔとることＫよシ可能となる
が、その条件を工業的に実現するのはかなフの困難を伴
うものである。
℃以上で極めて低い歪速度ｔとることＫよシ可能となる
が、その条件を工業的に実現するのはかなフの困難を伴
うものである。
■の試みも元素の添加により若干の加工法の改善は見ら
ｎるもののやはシ脆性を示し、薄板への加工は依然困難
である上、こｎら添加元素により磁性が悪化してしまう
という欠点がある。
ｎるもののやはシ脆性を示し、薄板への加工は依然困難
である上、こｎら添加元素により磁性が悪化してしまう
という欠点がある。
■の融体急冷法は溶融金属から直接薄板形状″鋳造し１
うと″″″ｔ′・１延加Ｉｆ、″１となしに薄板が得ら
ｎるという点で、このような脆性の素材に対しては極め
て有効な方法である。
うと″″″ｔ′・１延加Ｉｆ、″１となしに薄板が得ら
ｎるという点で、このような脆性の素材に対しては極め
て有効な方法である。
■の圧延後の成分調整法は低Ｓｔ、低Ａｔ鋼を溶製し、
圧延によシ薄板とした後、表面からの浸透によりＳｔあ
るいはＡｔを富化させ、最終的に高Ｓｉｍ薄板とするも
のである。この方法は、五弓、何部や三谷、大西らによ
って検討されたものである。三谷、大西らによって提案
さｎた浸透方法は、Ｓｉ浸透処理時の加熱温度を１２３
０℃、Ｓｉ浸透雰囲気中のＳｉＣｌ４４の露点ｔＯ℃と
し、キャリアガスにはＮｚｔ”用いるというものである
。し、かじながら、この方法では、低炭素銅板（板厚０
．８ ｗｎ ）を基板にしてＳｉを６．２５％にまで富
化させるのに、浸透処理時間全３０分以上とる必要があ
り、しかも温度が１２３０℃と極めて高いため浸透処理
後のＲ，鋼板の形状が悪くなるという欠点があった。更
に高透磁率材料を製造する上で最も致命的な現象は、こ
の方法では浸透に伴いカーケンダールボイドと称する大
きなボイドが生成し、焼結処理を施してもなお相当量残
存するため、透磁率が著しく低下するということにある
。Ｓｉの浸透法による高Ｓｉ薄鋼板を製造する方法がい
まだ現実のものとなっていないのは、とのボイドの消去
が困難であるという一点にあるといっても過言ではない
。
圧延によシ薄板とした後、表面からの浸透によりＳｔあ
るいはＡｔを富化させ、最終的に高Ｓｉｍ薄板とするも
のである。この方法は、五弓、何部や三谷、大西らによ
って検討されたものである。三谷、大西らによって提案
さｎた浸透方法は、Ｓｉ浸透処理時の加熱温度を１２３
０℃、Ｓｉ浸透雰囲気中のＳｉＣｌ４４の露点ｔＯ℃と
し、キャリアガスにはＮｚｔ”用いるというものである
。し、かじながら、この方法では、低炭素銅板（板厚０
．８ ｗｎ ）を基板にしてＳｉを６．２５％にまで富
化させるのに、浸透処理時間全３０分以上とる必要があ
り、しかも温度が１２３０℃と極めて高いため浸透処理
後のＲ，鋼板の形状が悪くなるという欠点があった。更
に高透磁率材料を製造する上で最も致命的な現象は、こ
の方法では浸透に伴いカーケンダールボイドと称する大
きなボイドが生成し、焼結処理を施してもなお相当量残
存するため、透磁率が著しく低下するということにある
。Ｓｉの浸透法による高Ｓｉ薄鋼板を製造する方法がい
まだ現実のものとなっていないのは、とのボイドの消去
が困難であるという一点にあるといっても過言ではない
。
〈発明の概要〉
本発明は上記した従来技術の欠点を改善するためになさ
ｎたもので、圧延後成分町整法忙改良を加えることによ
り短時間で所望のＳｉ量を得ることができ、ま几ボイド
の生成を抑制できる優ｎた製造性を提供しようとするも
のである。
ｎたもので、圧延後成分町整法忙改良を加えることによ
り短時間で所望のＳｉ量を得ることができ、ま几ボイド
の生成を抑制できる優ｎた製造性を提供しようとするも
のである。
本発明者らは、従来性なわｎてきたＳｉ浸透条件を詳細
に検討した結果、Ｓｉの浸透速度を速くし、かつＳ１浸
透処理後にも拡散均一化処理後にもボイドの残留しない
条件を見い出した。かつこのＳｔ浸透処理によシ所望の
Ｓｉ量に調整した結果極めて高い透磁率を有する高Ｓｉ
薄板を製造することができ念。
に検討した結果、Ｓｉの浸透速度を速くし、かつＳ１浸
透処理後にも拡散均一化処理後にもボイドの残留しない
条件を見い出した。かつこのＳｔ浸透処理によシ所望の
Ｓｉ量に調整した結果極めて高い透磁率を有する高Ｓｉ
薄板を製造することができ念。
即ち、本発明者らは試験、研究を重ねた結果外部雰囲気
からのｓｔの浸透する速度に関してＳｉ化合物の分圧が
極めて大きな要因となっており、Ｓｉ化合物の分圧が高
けｔば高い程Ｓｔのひ送速度は速いことを見い出したも
のである。また、当該雰囲気中での基板の加熱、冷却速
度が速い刀がカーケンダールボイドの生成を抑制するこ
とも明らかとなった。
からのｓｔの浸透する速度に関してＳｉ化合物の分圧が
極めて大きな要因となっており、Ｓｉ化合物の分圧が高
けｔば高い程Ｓｔのひ送速度は速いことを見い出したも
のである。また、当該雰囲気中での基板の加熱、冷却速
度が速い刀がカーケンダールボイドの生成を抑制するこ
とも明らかとなった。
Ｈ１図にＦｅ −５，４％ＡＩ ＣＡｉ （板厚０．４
０ｍ）’ｉ基板として四塩化シリコン（ＳｉＣｌ４）
ｇ囲気中で試料を１１９０℃３０分間のＳｉ浸透処理を
行なう場合において、１０００℃から１１９０℃に達す
るまでの加熱速度を１０℃／ｍｉｎとした場合と３００
℃／ｍｉｎとした場合の浸透処理直後の断面組織を示す
。明らかに急速加熱冷却した場合の方がボイド（写真中
黒く表わｎている部分〕の生成は抑制さｎている。
０ｍ）’ｉ基板として四塩化シリコン（ＳｉＣｌ４）
ｇ囲気中で試料を１１９０℃３０分間のＳｉ浸透処理を
行なう場合において、１０００℃から１１９０℃に達す
るまでの加熱速度を１０℃／ｍｉｎとした場合と３００
℃／ｍｉｎとした場合の浸透処理直後の断面組織を示す
。明らかに急速加熱冷却した場合の方がボイド（写真中
黒く表わｎている部分〕の生成は抑制さｎている。
そこでまず本発明においてはＳｉ浸透温度は１０００℃
以上１２００’Ｃ以下とし、１０００℃以上における加
熱速度をｓ ｏ ｔ：／ｍｉｎ以上とする。
以上１２００’Ｃ以下とし、１０００℃以上における加
熱速度をｓ ｏ ｔ：／ｍｉｎ以上とする。
この限定理由を説明する。まず浸透温度は１０００℃未
満ではＳｉの浸透が極めて遅＜’ 、１２００℃以上で
はＳｉ浸透層に形成されるＦｅ３Ｓｉが融解してしまう
ためこの範囲とする。この温度範囲で加熱速度を定めた
のは、本発明の重要な要件の一つであり、目的とするの
は基板の加熱段階においてＳｉ浸透を行なう設定温度以
下の温度でＳｉが浸透するために起きる不具合（ボイド
の生成）ｔ−回避することにある。従って不活性ガス中
で基板を設定温度にまで加熱しておいて、しかる後にＳ
ｉＣｌ４蒸気を導入する方法も加熱速度５０℃／ｍｉｎ
以上と規定するところに含まｎ１本発明の範囲内である
。
満ではＳｉの浸透が極めて遅＜’ 、１２００℃以上で
はＳｉ浸透層に形成されるＦｅ３Ｓｉが融解してしまう
ためこの範囲とする。この温度範囲で加熱速度を定めた
のは、本発明の重要な要件の一つであり、目的とするの
は基板の加熱段階においてＳｉ浸透を行なう設定温度以
下の温度でＳｉが浸透するために起きる不具合（ボイド
の生成）ｔ−回避することにある。従って不活性ガス中
で基板を設定温度にまで加熱しておいて、しかる後にＳ
ｉＣｌ４蒸気を導入する方法も加熱速度５０℃／ｍｉｎ
以上と規定するところに含まｎ１本発明の範囲内である
。
ただし、この場合、ＳｉＣｌ４蒸気を導入する以前の基
板の酸化を極力抑えることが必要である。基板の酸化は
Ｓｌの浸透段階で低融点のＦｅ−５ｔ酸化物形＃：ｔ−
促し、本発明の意図を阻害する。
板の酸化を極力抑えることが必要である。基板の酸化は
Ｓｌの浸透段階で低融点のＦｅ−５ｔ酸化物形＃：ｔ−
促し、本発明の意図を阻害する。
この加熱速度に関しては、当然速い方がよ
１いが、１０００℃以上において５０℃／ｍｉ ｎであ
ｎば、ボイドを消去しうることがわかったので５０℃／
ｍｉｎ以上の加熱速度とした。
１いが、１０００℃以上において５０℃／ｍｉ ｎであ
ｎば、ボイドを消去しうることがわかったので５０℃／
ｍｉｎ以上の加熱速度とした。
以上の処理によすＳｉが所定量浸透した後、拡散処理に
より成分を均一化するのであるが、この拡散処理は基板
全冷却せずに雰囲気を不活性ガスに切シ換えることによ
シ引き続き行なってもよいし、基板を一度室温付近まで
冷却し、改めて拡散処理を施してもよい。ただこの場合
、Ｓ ｉ Ｃ１４雰囲気中で冷却する時には上述の理由
で冷却速度を速める必要がある。
より成分を均一化するのであるが、この拡散処理は基板
全冷却せずに雰囲気を不活性ガスに切シ換えることによ
シ引き続き行なってもよいし、基板を一度室温付近まで
冷却し、改めて拡散処理を施してもよい。ただこの場合
、Ｓ ｉ Ｃ１４雰囲気中で冷却する時には上述の理由
で冷却速度を速める必要がある。
なお本発明法によシ作製さｎた素材が磁場中冷却効果を
示すものである場合（例えばＦｅ−６５％Ｓｉ、 Ｆｅ
−８ｉ ＡｔＮｉ合金など）拡散均一化処理中の冷却
過程で磁場を印加することにより軟磁性を向上させるこ
とができる。この方法は磁場中冷却に関し、別個の熱処
理を要せず、拡散均一化処理と兼ねることができ、そｎ
によシ磁性を向上させることができる利点を有する。
示すものである場合（例えばＦｅ−６５％Ｓｉ、 Ｆｅ
−８ｉ ＡｔＮｉ合金など）拡散均一化処理中の冷却
過程で磁場を印加することにより軟磁性を向上させるこ
とができる。この方法は磁場中冷却に関し、別個の熱処
理を要せず、拡散均一化処理と兼ねることができ、そｎ
によシ磁性を向上させることができる利点を有する。
以上のように加熱速度を制御することによりボイドの生
成は相描量抑制さｎるが、更にＳｉＣｌｔ４の分圧を上
げることによりボイドの生成は抑制さｎたま゛まＳｉ浸
透速度を速めることができる。ＳｉＣｌ４の沸点は５７
℃であるので、この温度の分圧までは容易に得らｎる。
成は相描量抑制さｎるが、更にＳｉＣｌｔ４の分圧を上
げることによりボイドの生成は抑制さｎたま゛まＳｉ浸
透速度を速めることができる。ＳｉＣｌ４の沸点は５７
℃であるので、この温度の分圧までは容易に得らｎる。
また圧力を高めｎば、さらに高い分圧も得らｎる。三谷
、大面らの場合ＳｉＣｌ４４の分圧は露点０℃（導入ガ
ス中ＳｉＣｌ４景１０％）で行なわｎていたが、１０℃
（尋人ガス中Ｓ １ｃｔ４ｆｒ、 １６％）にすること
Ｋよ５ＳｉＳｉ浸透層格段と加速さｎ４０℃（導入カス
’ｐ Ｓ ｔ Ｃ４景５５％）にまで高めるとその効果
は更に顕著となる。
、大面らの場合ＳｉＣｌ４４の分圧は露点０℃（導入ガ
ス中ＳｉＣｌ４景１０％）で行なわｎていたが、１０℃
（尋人ガス中Ｓ １ｃｔ４ｆｒ、 １６％）にすること
Ｋよ５ＳｉＳｉ浸透層格段と加速さｎ４０℃（導入カス
’ｐ Ｓ ｔ Ｃ４景５５％）にまで高めるとその効果
は更に顕著となる。
第２図にＳｉＣｌ４雰囲気中でＦｅ −５，４％Ａｔ鋼
を急速加熱処理する場合において、ＳｉＣｌ２４分圧を
変えるため導入ガス中Ｓ ｉ ＣＬ、量を１０％、１６
％、５５％と変えた場合の基板の重量変化を示す。重量
変化はＳｉの浸透の程度を表わすパラメーターであシ、
重量変化が大きい程Ｓｉが多く浸透していることを示し
ている。この現象はＦｅＣｌ２が系外に出る５ Ｆｅ
＋ＳｉＣｌ４→Ｆｅ３ Ｓ ｉ ＋ ２ ｋ’ｅｃｔ２
の反応のためであると考えらｎている。第２図より明ら
かにＳｉ分圧が高い方がＳｔの浸透速度が速いことがわ
かる。このうちＥ’１ｉＣ４ｉ￥Ｆｊ ５５係にし、１
１９０℃×１７分Ｓｉ浸透処理を施したもの、及びそ１
ｒＬｔ” １２００℃×３時間拡散処理を施したものに
ついて化学成分及び組織を調査したところ、Ｓｉ量は９
．６係であシ、組織は第３図に示すようにボイドの生成
のない組織であった。即ち上記方法によｎば、ボイドを
生ずることなく、短時間で所望のＳｉ量に到達せしめる
ことが可能である。
を急速加熱処理する場合において、ＳｉＣｌ２４分圧を
変えるため導入ガス中Ｓ ｉ ＣＬ、量を１０％、１６
％、５５％と変えた場合の基板の重量変化を示す。重量
変化はＳｉの浸透の程度を表わすパラメーターであシ、
重量変化が大きい程Ｓｉが多く浸透していることを示し
ている。この現象はＦｅＣｌ２が系外に出る５ Ｆｅ
＋ＳｉＣｌ４→Ｆｅ３ Ｓ ｉ ＋ ２ ｋ’ｅｃｔ２
の反応のためであると考えらｎている。第２図より明ら
かにＳｉ分圧が高い方がＳｔの浸透速度が速いことがわ
かる。このうちＥ’１ｉＣ４ｉ￥Ｆｊ ５５係にし、１
１９０℃×１７分Ｓｉ浸透処理を施したもの、及びそ１
ｒＬｔ” １２００℃×３時間拡散処理を施したものに
ついて化学成分及び組織を調査したところ、Ｓｉ量は９
．６係であシ、組織は第３図に示すようにボイドの生成
のない組織であった。即ち上記方法によｎば、ボイドを
生ずることなく、短時間で所望のＳｉ量に到達せしめる
ことが可能である。
なお、本発明法によって製造しうる高透磁率磁性薄板の
種類としては３〜６．５％５ｉ−Ｆｅ合金、センダスト
合金があるが、Ｓｉの浸透に供する基板の成分としては
、以下の様に定めるのが好ましい。
種類としては３〜６．５％５ｉ−Ｆｅ合金、センダスト
合金があるが、Ｓｉの浸透に供する基板の成分としては
、以下の様に定めるのが好ましい。
■３〜６．５％５ｔ−Ｆｅ合金の場合
Ｃ０，０１％以下、ＳｉＯＮ２．０％、Ｍｎ ２％以下
、その他年可避不純物は極力低い方が望ましい。
、その他年可避不純物は極力低い方が望ましい。
■センダスト合金の場合
Ｃ０，０１％以下、Ｓｉ ４％以下、Ａｔ３〜８％、Ｎ
ｉ ４％以下、Ｍｎ２％以下、ｃｒ 、 Ｔｉなどの耐
食性を増す元素５％以下、その他の不可避不純物は極力
低い刀が望ましい。
ｉ ４％以下、Ｍｎ２％以下、ｃｒ 、 Ｔｉなどの耐
食性を増す元素５％以下、その他の不可避不純物は極力
低い刀が望ましい。
〈発明の実施例〉
実施例 １゜
以下のような化学成分を持つ薄板（長さ１００闘、幅４
０■、板厚０．４０ｍ）を基板として装置の概略ｔ−第
４図に示す。
０■、板厚０．４０ｍ）を基板として装置の概略ｔ−第
４図に示す。
ＳｉＣｌ１４’に満たした丸底フラスコ（１）は、０℃
〜５０１：までコントロール可能な恒温水槽（２）Ｋつ
けられており、この恒温水槽（２）の温度をコントロー
ルすることにより、炉（３）の導入ガス中の５ｉｃｔ、
量を変化させることが １できるよう罠なっている。
〜５０１：までコントロール可能な恒温水槽（２）Ｋつ
けられており、この恒温水槽（２）の温度をコントロー
ルすることにより、炉（３）の導入ガス中の５ｉｃｔ、
量を変化させることが １できるよう罠なっている。
試料Ｘは、１５００′ｃｔＴ昇温可能な炉（３）ノ中に
昇降可能に保持さｎｌこｎにより試料Ｘの加熱、冷却速
度をコントロールすることができるように構成さｎてい
る。
昇降可能に保持さｎｌこｎにより試料Ｘの加熱、冷却速
度をコントロールすることができるように構成さｎてい
る。
以上のような試料、装置を用いて次のよりなＳｔ浸浸透
処理性行った。
処理性行った。
１０％、５５チのＳｉＣｌｔ４分に恒温水槽温度をそ几
ぞれ０℃、４０℃に保持することによって得らｎる。
ぞれ０℃、４０℃に保持することによって得らｎる。
まｆＣ導入ガス流量は炉心管単位断面積轟り約７０ ｍ
ｔ／♂とじた。こｎらの試料Ｘ１、Ｘ２は引き続きＡｒ
％流中で１２００℃×３時間の拡散均一化処理を行な
った。拡散均一化処理後の試料Ｘ１、Ｘ２の断面組織を
第５図に示す。試料Ｘ１、Ｘ２ともボイドはほとんど生
成していない。また、試料Ｘ１、Ｘ２ともＳｉ浸透後は
ＥＰＭＡ定量分析の結果Ｓｉ量が９．６チにまで増加し
ていることが判明したが、この同じｓｔ量ｔ−浸透する
場合にもＳ ｉ Ｃ１，浴温が０℃の時（ＳｉＣｌｔ４
景１０％）は５０分もかかるのに比べ本発明に沿ったＳ
ｉＣｌ２４浴温４０℃（ＳｉＣｔ４景５５％）の場合は
わずか１７分で目標のＳｉ量へ到達している。
ｔ／♂とじた。こｎらの試料Ｘ１、Ｘ２は引き続きＡｒ
％流中で１２００℃×３時間の拡散均一化処理を行な
った。拡散均一化処理後の試料Ｘ１、Ｘ２の断面組織を
第５図に示す。試料Ｘ１、Ｘ２ともボイドはほとんど生
成していない。また、試料Ｘ１、Ｘ２ともＳｉ浸透後は
ＥＰＭＡ定量分析の結果Ｓｉ量が９．６チにまで増加し
ていることが判明したが、この同じｓｔ量ｔ−浸透する
場合にもＳ ｉ Ｃ１，浴温が０℃の時（ＳｉＣｌｔ４
景１０％）は５０分もかかるのに比べ本発明に沿ったＳ
ｉＣｌ２４浴温４０℃（ＳｉＣｔ４景５５％）の場合は
わずか１７分で目標のＳｉ量へ到達している。
この試料Ｘ２から内径１０慣、外径２０ｍのリングを切
り出し、直流磁化特性を測定したところ、最大透＠率６
４８００１保磁力４４ ｒｎＯｅ ｓ磁束密度１０４０
０Ｇ （ａｔｌｏｏｅ）という極めて良好な軟磁気特性
を示した。
り出し、直流磁化特性を測定したところ、最大透＠率６
４８００１保磁力４４ ｒｎＯｅ ｓ磁束密度１０４０
０Ｇ （ａｔｌｏｏｅ）という極めて良好な軟磁気特性
を示した。
実施例 ２゜
以下のような化学成分金持つ薄鉋板（板厚０．４ｍ）’
ｚ基板として、Ｆｅ−６，５％Ｓｉ薄板をＳｉ浸透処理
を次の条件で行なった０ ３ｉＣ４量：５５％ 浸透処理条件： １１００℃×・１分加熱速度：３０
０℃／ｒｎｉｎ 冷却速度：３００℃／ｍｉｎ この試料は引続きＡｒ気流中で１２００℃×３時間の拡
散均一化処理を行なった。均一化処理後、断面を観察し
たところボイドは見らｒず、その直流磁化特性値は最大
透磁率１７０００１ 保磁力１４ｍ０ｅという良好な値
を示した。
ｚ基板として、Ｆｅ−６，５％Ｓｉ薄板をＳｉ浸透処理
を次の条件で行なった０ ３ｉＣ４量：５５％ 浸透処理条件： １１００℃×・１分加熱速度：３０
０℃／ｒｎｉｎ 冷却速度：３００℃／ｍｉｎ この試料は引続きＡｒ気流中で１２００℃×３時間の拡
散均一化処理を行なった。均一化処理後、断面を観察し
たところボイドは見らｒず、その直流磁化特性値は最大
透磁率１７０００１ 保磁力１４ｍ０ｅという良好な値
を示した。
実施例 ３゜
上記実施例２と同一成分のＦｅ−３％Ｓｔ薄鋼板（ｔ＝
０．４０ｙａｎ）を基板としてＦｅ−６，５％Ｓｉ薄板
全製造することを目的としてＳｉ浸透処理、及び拡散均
一化処理を次の条件で行なった。
０．４０ｙａｎ）を基板としてＦｅ−６，５％Ｓｉ薄板
全製造することを目的としてＳｉ浸透処理、及び拡散均
一化処理を次の条件で行なった。
Ｓｊ ＣＺ４ ｒ・：５５ ％
浸透処理条件： １１００℃×４分
加熱速度：３００℃／ｍｉ ｎ
拡散均一化処理： １２００℃×３時間１ｎＡｒ冷却
条件：８００℃以下金１０℃／ｍｉｎで８０ｅ直流、磁
場中で冷却 以上の処理を行なったものの磁化等性を測定したところ
最大透磁率３８０００という良好な値を示した。
条件：８００℃以下金１０℃／ｍｉｎで８０ｅ直流、磁
場中で冷却 以上の処理を行なったものの磁化等性を測定したところ
最大透磁率３８０００という良好な値を示した。
第１図は従来法による薄鋼板の断面組織を示す顕微鏡写
真、第２図はＳ ｉ Ｃ１Ｇ量をパラメータとしたＳｉ
ａ透処理時間と重量変化との関係を示すグラフ、第３因
と第５図は本発明法による薄鋼板の断面組織を示す顕微
鏡写真、第４図は実施例のための装置概略図である。 特許出願人 日本鋼管株式会社 発 明 者 中 岡 −秀 −
同 高 １） 芳
−１同 １） 中
端代理人弁理士 吉 原 省
三第 １ 図 ５０μｍ 第 ２ 図 Ｓｉ ’ｔｋ毫（理杓藺（か） 第 ４ 図 第 ３ 図 ５０μｍ 第 ５ 図 ５゜７゜ 手続補正書：１．− 昭ＩＦＤ、３９年り２月≧タ日 特許庁長官 志 二 学 殿（特許庁審査ｖ
Ｘ 殿）１ 事件の
表示 昭和、！；７ 年 特 許 願第２ｏｌＳＰ７号（７
ｊ、：’、［」、：’、”、、”’、’、；：（：ｊ二
１１代理人 ５、 ｉｄｉ正命令のＬｉ付 ±呻旨−−→←−ト １
６ 補正の対象 １；−一 金や■腓 ＼−ヌ゛、／ 補 正 内 容 ／本願明縄貴中第１５頁８行月中「保磁力１４ｍｏｅＪ
とあるを「保磁力１４０ｍ０ｅＪと訂正する。 二同省第１６頁２行目中「ｒＡ化等性」とあるを「磁化
特性」と訂正する。
真、第２図はＳ ｉ Ｃ１Ｇ量をパラメータとしたＳｉ
ａ透処理時間と重量変化との関係を示すグラフ、第３因
と第５図は本発明法による薄鋼板の断面組織を示す顕微
鏡写真、第４図は実施例のための装置概略図である。 特許出願人 日本鋼管株式会社 発 明 者 中 岡 −秀 −
同 高 １） 芳
−１同 １） 中
端代理人弁理士 吉 原 省
三第 １ 図 ５０μｍ 第 ２ 図 Ｓｉ ’ｔｋ毫（理杓藺（か） 第 ４ 図 第 ３ 図 ５０μｍ 第 ５ 図 ５゜７゜ 手続補正書：１．− 昭ＩＦＤ、３９年り２月≧タ日 特許庁長官 志 二 学 殿（特許庁審査ｖ
Ｘ 殿）１ 事件の
表示 昭和、！；７ 年 特 許 願第２ｏｌＳＰ７号（７
ｊ、：’、［」、：’、”、、”’、’、；：（：ｊ二
１１代理人 ５、 ｉｄｉ正命令のＬｉ付 ±呻旨−−→←−ト １
６ 補正の対象 １；−一 金や■腓 ＼−ヌ゛、／ 補 正 内 容 ／本願明縄貴中第１５頁８行月中「保磁力１４ｍｏｅＪ
とあるを「保磁力１４０ｍ０ｅＪと訂正する。 二同省第１６頁２行目中「ｒＡ化等性」とあるを「磁化
特性」と訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、通常の工程で製造した薄鋼板をＳｉＣｌ＿４を含む
雰囲気中に置き、該薄鋼板にＳｉを 浸透させる高透磁率磁性薄鋼板の製造方 法において、 ＳｉＣｌ＿４を含む雰囲気における薄鋼板の１０００℃
以上での加熱速度を５０℃／ｍｉｎ以上、Ｓｉ浸透温度
を１１００℃〜１２００℃として所要時間処理後、不活
性雰囲気中で拡 散処理を施すことを特徴とする高透磁率 磁性薄鋼板の製造方法。 ２、通常の工程で製造した薄鋼板をＳｉＣｌ＿４を含む
雰囲気中に置き、該薄鋼板にＳｉ を浸透させる高透磁率磁性薄鋼板の製造 方法において、 ＳｉＣｌ＿４を含む雰囲気中のＳｉＣｌ＿４量を１６％
以上、該雰囲気における薄鋼板の１０００ ℃以上での加熱速度を５０℃／ｍｉｎ以上、Ｓｉ浸透温
度を１１００℃〜１２００℃として所要時間処理後、不
活性雰囲気中で拡散 処理を施すことを特徴とする高透磁率磁 性薄鋼板の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59201597A JPS6180806A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 高透磁率磁性薄鋼板の製造方法 |
| US06/845,873 US4832762A (en) | 1984-09-28 | 1985-09-26 | Method for producing thin steel sheet of high magnetic permeability |
| PCT/JP1985/000535 WO1986002105A1 (en) | 1984-09-28 | 1985-09-26 | Process for producing thin magnetic steel plate having high permeability |
| EP85904865A EP0198084B1 (en) | 1984-09-28 | 1985-09-26 | Process for producing thin magnetic steel plate having high permeability |
| DE8585904865T DE3585686D1 (de) | 1984-09-28 | 1985-09-26 | Verfahren zur herstellung duenner magnetischer stahlbleche hoher permeabilitaet. |
| KR1019860700166A KR950013285B1 (ko) | 1984-09-28 | 1985-09-26 | 고투자율 자성 박강판의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59201597A JPS6180806A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 高透磁率磁性薄鋼板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180806A true JPS6180806A (ja) | 1986-04-24 |
| JPH0260041B2 JPH0260041B2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=16443690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59201597A Granted JPS6180806A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 高透磁率磁性薄鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6180806A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001254166A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-18 | Nkk Corp | 高周波磁気特性に優れた高けい素鋼板の製造方法 |
| JP2010132977A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Jfe Steel Corp | 極薄珪素鋼板およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59201597A patent/JPS6180806A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001254166A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-18 | Nkk Corp | 高周波磁気特性に優れた高けい素鋼板の製造方法 |
| JP2010132977A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Jfe Steel Corp | 極薄珪素鋼板およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0260041B2 (ja) | 1990-12-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |