JPS6179244A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6179244A JPS6179244A JP20135884A JP20135884A JPS6179244A JP S6179244 A JPS6179244 A JP S6179244A JP 20135884 A JP20135884 A JP 20135884A JP 20135884 A JP20135884 A JP 20135884A JP S6179244 A JPS6179244 A JP S6179244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wiring
- metal wiring
- exposure
- wirings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係シ、特に多層メタル
配ｍｓ造の形成に関する。
配ｍｓ造の形成に関する。
一般に、多層メタルを使用して配線する場合、同層での
メタル間の扱いに注意しないと、パターンカットおるい
はバター／のショートが起シやすい。
メタル間の扱いに注意しないと、パターンカットおるい
はバター／のショートが起シやすい。
第４図に従来の多層メタル配線構造の形成方法を示して
いる。図において、半導体基板１の上に第１層のメタル
配線層２が形成され、層間絶縁膜３を介してその上に第
２層のメタル配線４を形成し、その上にレジスト層５（
ネガ形）を設けて、ホトマスク６を用いて露光する。と
ころが、第１層のメタル配線２の上方の第２層のメタル
層４は、図のように下地の凸凹にょシ凸凹が生じる。そ
のため、露光用の光７は凸凹が生じた第２層のメタル層
４の表面又はその上のレジストの表面”ｒ ８ Ｋ示す
ように斜外側に反射され、ホトマスク６で再反射され、
非露光であるべきレジスト部分を露光してしまう。この
リスレクション現象によって第２層メタルのバターニン
グ後の配線４と同層の隣接する配線４′の間にショート
部９が形成されてしまう。またポジレジストヲ使用する
ときは、パターンカットが生ずることになる。
いる。図において、半導体基板１の上に第１層のメタル
配線層２が形成され、層間絶縁膜３を介してその上に第
２層のメタル配線４を形成し、その上にレジスト層５（
ネガ形）を設けて、ホトマスク６を用いて露光する。と
ころが、第１層のメタル配線２の上方の第２層のメタル
層４は、図のように下地の凸凹にょシ凸凹が生じる。そ
のため、露光用の光７は凸凹が生じた第２層のメタル層
４の表面又はその上のレジストの表面”ｒ ８ Ｋ示す
ように斜外側に反射され、ホトマスク６で再反射され、
非露光であるべきレジスト部分を露光してしまう。この
リスレクション現象によって第２層メタルのバターニン
グ後の配線４と同層の隣接する配線４′の間にショート
部９が形成されてしまう。またポジレジストヲ使用する
ときは、パターンカットが生ずることになる。
本発明は上述の従来の多層メタル配線に際して、フロセ
ステレシスト露光する場合、リスレクション現象が発生
し、配線パターンのシ璽−トやカットが生ずるという問
題を解決する。
ステレシスト露光する場合、リスレクション現象が発生
し、配線パターンのシ璽−トやカットが生ずるという問
題を解決する。
本発明は、半導体装置の多層メタル配線構造の形成に際
し、燐層のメタル同志を重ならしめる箇所において、該
メタルの重な９部分のメタル幅を後続の露光時のりフレ
クションを防止するように相対的に変更して形成する。
し、燐層のメタル同志を重ならしめる箇所において、該
メタルの重な９部分のメタル幅を後続の露光時のりフレ
クションを防止するように相対的に変更して形成する。
第１図にこの概念全示し、（Ａ）において第２層メタル
配線パターン幅１２ｔ−第１層メタル配線層くターン幅
１１よυ大となす例を示し、（Ｂ）において逆に第２層
メタル配線パターン幅１２ｔ−小さくする。
配線パターン幅１２ｔ−第１層メタル配線層くターン幅
１１よυ大となす例を示し、（Ｂ）において逆に第２層
メタル配線パターン幅１２ｔ−小さくする。
そして、第１層のメタル配線によυ形成される凹凸表面
の傾斜領域に第２層メタル配線層くターン１２の端（矢
印）が合わないようにする。
の傾斜領域に第２層メタル配線層くターン１２の端（矢
印）が合わないようにする。
本発明によれば、露光用の光が入射する第２層メタル配
線の底面部分には凹凸の傾斜がないから、光は第２層メ
タル配線に直角にあたシ、したがって反射光は表面に垂
直となシ、ホトマスクで再反射されることがない。した
がって、リスレクション現象にもとづくレジストの露光
が防止され、第２層メタル配線同志のショートや配線パ
ターンのカットがなくなる。
線の底面部分には凹凸の傾斜がないから、光は第２層メ
タル配線に直角にあたシ、したがって反射光は表面に垂
直となシ、ホトマスクで再反射されることがない。した
がって、リスレクション現象にもとづくレジストの露光
が防止され、第２層メタル配線同志のショートや配線パ
ターンのカットがなくなる。
第２図において、Ｓε基板２０の上に第１のメタル配線
層２１１例えばＡｎが形成される。次に層間絶縁膜２２
２例えば８４０２ ｆ ＣＶＤ法により形成し、その上
に第２層メタル配線用層２３（Ａｎ等）をスパッタある
いは蒸着によ多形成する。そして、スピンコード等によ
シネガレシスト層２４を形成し、マスク２５によシ密着
露光を行う。
層２１１例えばＡｎが形成される。次に層間絶縁膜２２
２例えば８４０２ ｆ ＣＶＤ法により形成し、その上
に第２層メタル配線用層２３（Ａｎ等）をスパッタある
いは蒸着によ多形成する。そして、スピンコード等によ
シネガレシスト層２４を形成し、マスク２５によシ密着
露光を行う。
本実施例では、第１層メタル配線層２１と第２層メタル
配線層２３を重ねて形成する箇所で、第２層メタル配線
用層２３の凹凸による傾斜領域α、ｂに第２層メタル配
線パターンの端がかからなβように第２層メタル配線パ
ターンを幅広く形成する。
配線層２３を重ねて形成する箇所で、第２層メタル配線
用層２３の凹凸による傾斜領域α、ｂに第２層メタル配
線パターンの端がかからなβように第２層メタル配線パ
ターンを幅広く形成する。
第３図は他の実施例であり、各部の番号は第２図と統一
しているので説明は略す。この例では第１層メタル配線
パターンよシ第２層メタル配線パターン金幅狭く形成し
、パターン露光が第２層メタル配線用層２３の傾斜領域
に掛らないようにする。
しているので説明は略す。この例では第１層メタル配線
パターンよシ第２層メタル配線パターン金幅狭く形成し
、パターン露光が第２層メタル配線用層２３の傾斜領域
に掛らないようにする。
以上、ネガレジストを用いた例を示したが、ポジレジス
トを用いた時はパターンカットを防止することができる
ことは明白であろう。
トを用いた時はパターンカットを防止することができる
ことは明白であろう。
以上本発明について詳説したように、本発明によれば、
燐層のメタル同志を重ならしめる箇所において、該メタ
ルの重な）部分のメタル幅を後続の露光時のリスレクシ
ョンを防止するように相対的にその幅を変えて形成した
ので、リスレクション効果によるレジストの露光が防止
され、第２層のメタル配線同志がショートする事態及び
カッド又はこれらに近い状態を防ぐことができ、製品の
信頼性、プロセスの歩留りを向上させる。
燐層のメタル同志を重ならしめる箇所において、該メタ
ルの重な）部分のメタル幅を後続の露光時のリスレクシ
ョンを防止するように相対的にその幅を変えて形成した
ので、リスレクション効果によるレジストの露光が防止
され、第２層のメタル配線同志がショートする事態及び
カッド又はこれらに近い状態を防ぐことができ、製品の
信頼性、プロセスの歩留りを向上させる。
第１図（Ａ） ＣＢ＞は本発明の概念図、第２図、第３
図はそれぞれ本発明の第１及び第２の実施例の素子断面
図、第４図は従来の多層配線の形成を示す図。 ２０・・・半導体基板（Ｓｊ） ２１・・・第１層メタル配線（Ａｎ） ２２・・・層間絶縁膜 ２３・・・第２層メタル配線（Ａ１） ２４・・・ホトレジスト層
図はそれぞれ本発明の第１及び第２の実施例の素子断面
図、第４図は従来の多層配線の形成を示す図。 ２０・・・半導体基板（Ｓｊ） ２１・・・第１層メタル配線（Ａｎ） ２２・・・層間絶縁膜 ２３・・・第２層メタル配線（Ａ１） ２４・・・ホトレジスト層
Claims (1)
- 半導体装置の多層メタル配線構造の形成に際し、隣層
のメタル層同志を重ならしめて形成する箇所において、
該メタルの重なり部分のメタル幅を相対的に異ならしめ
、下側メタル層による上側メタル層の凹凸の傾斜部に露
光端部が掛らないようになして、リスレクションによる
露光を防止することを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20135884A JPS6179244A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20135884A JPS6179244A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6179244A true JPS6179244A (ja) | 1986-04-22 |
Family
ID=16439720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20135884A Pending JPS6179244A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6179244A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62129983A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-12 | Toshiba Corp | 磁気記録再生装置のキヤリツジロツク機構 |
| JPH04226032A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-08-14 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2008185419A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 圧力検出装置 |
-
1984
- 1984-09-26 JP JP20135884A patent/JPS6179244A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62129983A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-12 | Toshiba Corp | 磁気記録再生装置のキヤリツジロツク機構 |
| JPH0743901B2 (ja) * | 1985-11-30 | 1995-05-15 | 株式会社東芝 | 磁気記録再生装置のキヤリツジロツク機構 |
| JPH04226032A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-08-14 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2008185419A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 圧力検出装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6179244A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5508133A (en) | Photo mask | |
| JP2796068B2 (ja) | 感光膜パターンの形成方法 | |
| JPS603528Y2 (ja) | 多層エツチングコイル | |
| US6242795B1 (en) | Metal line structure and method of manufacturing the same | |
| JPH07201990A (ja) | パターン形成方法 | |
| KR100596425B1 (ko) | 쉐도우 효과 제거를 위한 마스크 제작방법 | |
| JPS63174359A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2630407B2 (ja) | 電荷結合素子 | |
| JP2943283B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH08330249A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03266843A (ja) | アルミニゥム配線露光用マスク | |
| KR100265822B1 (ko) | 포토레지스트 패턴 형성방법 | |
| KR0156124B1 (ko) | 반도체소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960014962B1 (ko) | 위상반전마스크의 제조방법 | |
| KR0167608B1 (ko) | 롬의 게이트 전극 제조 방법 | |
| JPS6246529A (ja) | エツチング方法 | |
| KR20030018641A (ko) | 런너 메탈을 갖는 패키지의 제조방법 | |
| KR0172279B1 (ko) | 콘택 마스크 및 그를 이용한 콘택홀 형성 방법 | |
| JPS62286230A (ja) | 薄膜の選択食刻方法 | |
| KR100241534B1 (ko) | 반도체 소자의 반사방지막 형성방법 | |
| JPH07122632A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05343546A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS63246823A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0438830A (ja) | 半導体装置 |