JPS6178127A - 薄膜配線基板 - Google Patents
薄膜配線基板Info
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- JPS6178127A JPS6178127A JP59199482A JP19948284A JPS6178127A JP S6178127 A JPS6178127 A JP S6178127A JP 59199482 A JP59199482 A JP 59199482A JP 19948284 A JP19948284 A JP 19948284A JP S6178127 A JPS6178127 A JP S6178127A
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- film wiring
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は金融機器やファクシミリ等に使用される密着型
イメージセンサやサーマルヘッドに好適なM膜配線基板
に関するものでおる。
イメージセンサやサーマルヘッドに好適なM膜配線基板
に関するものでおる。
[発明の技術的背景とその問題点]
例えば租弊鑑別装置に用いられる密鴛型イメージセンナ
は第3図に示すような回路慣成になっている。
は第3図に示すような回路慣成になっている。
即ち、ガラスなどの高抵抗基板上に薄膜技術によって一
列に高密度に並べらfiたrJi、数個の光電変換素子
(1)の一方は端子aυ、シDを介してこの光電変換素
子(1)刀・らの光電変換信号に応答するイ8号処理回
路などからなる光電変換素子駆動用集積回路(以下単に
集積回路という)(2)に接続され、また他方は端子a
ωを介して共通1!極(3)に接続されている。この集
積回路(2)は光電変換素子(1)を集積回路(2)を
介して選択的に通電してa取りをする入力信号804)
に接続されると共に出力信号用端子(5)と電ti?、
(61に接続さ力、ている。このような回#f’5構
成により枳1−別装置の読取りに光電変換素子fl)を
選択的に通電させることにより行なわれる。
列に高密度に並べらfiたrJi、数個の光電変換素子
(1)の一方は端子aυ、シDを介してこの光電変換素
子(1)刀・らの光電変換信号に応答するイ8号処理回
路などからなる光電変換素子駆動用集積回路(以下単に
集積回路という)(2)に接続され、また他方は端子a
ωを介して共通1!極(3)に接続されている。この集
積回路(2)は光電変換素子(1)を集積回路(2)を
介して選択的に通電してa取りをする入力信号804)
に接続されると共に出力信号用端子(5)と電ti?、
(61に接続さ力、ている。このような回#f’5構
成により枳1−別装置の読取りに光電変換素子fl)を
選択的に通電させることにより行なわれる。
第3図の回16構成をセンサ部と駆動回路部とに分割し
、合体基板上に実装組立てた状態を第4図の肋面図にエ
リ説5明する。
、合体基板上に実装組立てた状態を第4図の肋面図にエ
リ説5明する。
即ち、センサ基板曲の#1は中央位置には薄膜技術によ
り図ボしない光i−変換素子が紙面に直角に一列に高密
度で韮べられ、その上部にけ光電変換素子及びこの素子
からの導出パターンの外部からの機械rr=J保護を兼
ね次光透過用ガラス板(4υが設けられている。
り図ボしない光i−変換素子が紙面に直角に一列に高密
度で韮べられ、その上部にけ光電変換素子及びこの素子
からの導出パターンの外部からの機械rr=J保護を兼
ね次光透過用ガラス板(4υが設けられている。
またセンサ基板駆動用の薄膜配線基板りは集積回路(2
)を載置すると共にこの集積回路(2)に接続される回
路パターンが薄膜技術により構成され、この回路パター
ンの所定部と集積回路は、ボンディングh +sa 、
(i;aで接続されたのち、エンキャップ剤+1Jで
保護され、更に集積回路(2)、ボンディング線+、t
++ 、 h4及び回路パターンを外部から機械的に保
護する保護カバーで覆われている。
)を載置すると共にこの集積回路(2)に接続される回
路パターンが薄膜技術により構成され、この回路パター
ンの所定部と集積回路は、ボンディングh +sa 、
(i;aで接続されたのち、エンキャップ剤+1Jで
保護され、更に集積回路(2)、ボンディング線+、t
++ 、 h4及び回路パターンを外部から機械的に保
護する保護カバーで覆われている。
更にセンf基板(41の?1子(譲3し1の11)と珂
膜配f′、1基板Ozの端子(第3図の21)はボンテ
ィング線(461にエリ接続されたのち、エンキャップ
材(171で保険される。
膜配f′、1基板Ozの端子(第3図の21)はボンテ
ィング線(461にエリ接続されたのち、エンキャップ
材(171で保険される。
これら、センナ基板曲と薄膜配線基板Hzとは、合体基
板0&に載置され、第3図に示したような回路構成とな
る。
板0&に載置され、第3図に示したような回路構成とな
る。
この場合、問題となるのは薄膜配線基板9乙における集
積回路(2)周辺および配線間における金属イオンの移
動によるマイグレーションである。即ち。
積回路(2)周辺および配線間における金属イオンの移
動によるマイグレーションである。即ち。
薄膜技術により作製される光電変換素子の高密度化に伴
い、この駆動回路を構成する薄膜配線基板上の配欣密度
も高まると同時に配線間や集積回路周辺のスペースが狭
くなることにより電界は高まり、マイグレーションを誘
発させる危険が増加することになる。またi4膜配線基
板上における一層あ九〇の配線密贋を減らす手段として
多層化を採用する方法もあるが、集積回路をダイパッド
上にマウントするときに例えは銀、@等の導電ペースト
などの金F4を含むマウント材を用いることから、これ
らペーストと下部層の配線導体間においてマイグレーシ
ョンを起こす危険が増すので、こ11−をいかに防止す
るように配鞭専体や劫膜配線基板そのもQ)ヲに1成す
るかという点である。
い、この駆動回路を構成する薄膜配線基板上の配欣密度
も高まると同時に配線間や集積回路周辺のスペースが狭
くなることにより電界は高まり、マイグレーションを誘
発させる危険が増加することになる。またi4膜配線基
板上における一層あ九〇の配線密贋を減らす手段として
多層化を採用する方法もあるが、集積回路をダイパッド
上にマウントするときに例えは銀、@等の導電ペースト
などの金F4を含むマウント材を用いることから、これ
らペーストと下部層の配線導体間においてマイグレーシ
ョンを起こす危険が増すので、こ11−をいかに防止す
るように配鞭専体や劫膜配線基板そのもQ)ヲに1成す
るかという点である。
箭5図は従来の博膜配り基板の集村回路近傍を4II;
大して示した(2)である。
大して示した(2)である。
11ち、pJ/を回路(2)は薄膜配線基板(湘のダイ
パッド都6111上に導電ペースト5つにより接着後通
′帛150℃乃至200℃のi+’+j、囲でキユアリ
ングして固定する。
パッド都6111上に導電ペースト5つにより接着後通
′帛150℃乃至200℃のi+’+j、囲でキユアリ
ングして固定する。
この伝M 17d足を以下マウントと云う。このマウン
トされた集積回路(2)の入出力用ポンディングパッド
ao、5:’iと薄膜配線基板15U側の周辺回路との
外部接続リート庫o 、 5−i+とは細l#(ロ)、
0ルにより結線される。またダイパッド部e511の周
囲には接続リード64゜6イ)を残して一点銭線外側の
斜線で示す部分には無機系からなる薄膜配線導体のパッ
シベーション用オーバコート材69が蒸着やスパッタリ
ング法により破着される。なお図示のような薄膜配線導
体のパターン化は周知のホトエツチング法などで行なわ
れる。図においてωは高抵抗材からなる薄膜配線の基台
である。
トされた集積回路(2)の入出力用ポンディングパッド
ao、5:’iと薄膜配線基板15U側の周辺回路との
外部接続リート庫o 、 5−i+とは細l#(ロ)、
0ルにより結線される。またダイパッド部e511の周
囲には接続リード64゜6イ)を残して一点銭線外側の
斜線で示す部分には無機系からなる薄膜配線導体のパッ
シベーション用オーバコート材69が蒸着やスパッタリ
ング法により破着される。なお図示のような薄膜配線導
体のパターン化は周知のホトエツチング法などで行なわ
れる。図においてωは高抵抗材からなる薄膜配線の基台
である。
このように集積回路(2)を薄膜配線基板61J1に実
装し几後に図示しない有機系からなるエンキャップ剤等
で集積回路周辺の耐温性を良好にしてから実用に供せら
れる。
装し几後に図示しない有機系からなるエンキャップ剤等
で集積回路周辺の耐温性を良好にしてから実用に供せら
れる。
ところが集積回路(2)をダイパッド部51)にマウン
トするときに用いる導電ペースト62は低粘度で流動性
が大きいことから、ディスペンサ等を用いても塗付後、
集積回路(2)を導電ペースト53上に載置すると、ダ
イパッド部6υからはみだすことf二なり。
トするときに用いる導電ペースト62は低粘度で流動性
が大きいことから、ディスペンサ等を用いても塗付後、
集積回路(2)を導電ペースト53上に載置すると、ダ
イパッド部6υからはみだすことf二なり。
極端な場合には周囲の外部接続リード6・o、5にと接
触して電気的に短絡現象を起こす問題点がある。
触して電気的に短絡現象を起こす問題点がある。
また通常集積回路(2)のポンディングパッド(転)。
−は外部接続リード64)、 64との給徘を与易にす
る几め、集積回路(2)の周辺端に設けられており、マ
クント後のワイヤボンディングの信頼性およびワイヤボ
ンディング時の衝撃荷重が集積回路(2)の周辺へ集中
することを考慮して導電ペースト62は乗積回路(2)
より多少はみ出す程度にしてマウントするのが普通であ
り、更に、このようにすることによりマウント強度も高
められる利点がある。
る几め、集積回路(2)の周辺端に設けられており、マ
クント後のワイヤボンディングの信頼性およびワイヤボ
ンディング時の衝撃荷重が集積回路(2)の周辺へ集中
することを考慮して導電ペースト62は乗積回路(2)
より多少はみ出す程度にしてマウントするのが普通であ
り、更に、このようにすることによりマウント強度も高
められる利点がある。
またマウント時に導−1ペースト63が集積回路よりは
み出さないようにスタンピング法等に10塗付すること
も可能であるが、このようなスタンピング法においても
上述した現象をさけるため、集積回路(2)よりわずか
に導電ペーストがはみ出し、集積回路の側辺にはいあが
る程度に制御してマウント!i!li度をhめるように
作業されるのが一般的である。
み出さないようにスタンピング法等に10塗付すること
も可能であるが、このようなスタンピング法においても
上述した現象をさけるため、集積回路(2)よりわずか
に導電ペーストがはみ出し、集積回路の側辺にはいあが
る程度に制御してマウント!i!li度をhめるように
作業されるのが一般的である。
ま之1図示してないがダイパッド部6υあるいは集積回
路(2)の周辺+M下に薄い絶縁#を介して下部)t、
5の配#導体がある場合ri、この絶縁I−にピンホー
ルやクラックが入り易いし、エンキャップ材の乾燥硬化
後にわずかに残る水分やエンキャップ材を通して浸入し
てくる水分が絶縁層を通して導電ペーストの金属イオン
の移動を助ける几めダイパッドと下部配線導体間にマイ
ダレ−ジョンを引き起こし、回路@作の誤動作をまねく
ばかりでなく極端な揚台Vi集積回路を電気的に破壊す
ることになる。
路(2)の周辺+M下に薄い絶縁#を介して下部)t、
5の配#導体がある場合ri、この絶縁I−にピンホー
ルやクラックが入り易いし、エンキャップ材の乾燥硬化
後にわずかに残る水分やエンキャップ材を通して浸入し
てくる水分が絶縁層を通して導電ペーストの金属イオン
の移動を助ける几めダイパッドと下部配線導体間にマイ
ダレ−ジョンを引き起こし、回路@作の誤動作をまねく
ばかりでなく極端な揚台Vi集積回路を電気的に破壊す
ることになる。
[発明の概要]
即ち、本発明は、集積回路を載き実装するダイパット部
と、集積回路より、外部周辺回路配線iにワイヤボンデ
ィング接続する外部接続リードと、ダイパッド部と外部
接続リードとの間に形成された枠状の絶縁パターン部と
、周辺回路導体上に設けられた保一層とを少なくとも具
備することを特徴とする薄膜配線基板であり、絶縁パタ
ーン部と保護層が有機系絶縁物からなること、絶縁パタ
ーン部がダイパッド部に接続あるいは′:iなっている
こと、絶縁パターン部と保論層が同一成分の有機系絶縁
物の2層構造からなることを5A施!I14.様として
いる。
と、集積回路より、外部周辺回路配線iにワイヤボンデ
ィング接続する外部接続リードと、ダイパッド部と外部
接続リードとの間に形成された枠状の絶縁パターン部と
、周辺回路導体上に設けられた保一層とを少なくとも具
備することを特徴とする薄膜配線基板であり、絶縁パタ
ーン部と保護層が有機系絶縁物からなること、絶縁パタ
ーン部がダイパッド部に接続あるいは′:iなっている
こと、絶縁パターン部と保論層が同一成分の有機系絶縁
物の2層構造からなることを5A施!I14.様として
いる。
[発明の実施例]
次に、本発明のN膜配線基板の一実施例の要部を第1図
により説明する。
により説明する。
即ち、アルミナ基板等の高抵抗基板C100)の−下面
に24″RL薄膜を蒸着後、通常のフォトエッチフグ工
程により集積回路を載置するダイパッド部(101)、
外部接続リード(102)、 ClO2’)及びこの外
部接続リード(102)、 (102’)に接続されて
いる外部周辺回路配線を形成する。次にダイパッド部(
101)と外$ 4i Eリー)” (102)、 (
102’)除イア’c薄膜配線導体上に有機系絶縁物か
らなる保膿M (104)を印刷値付すると共にダイパ
ッド(101)と外部接続リード(102)、 (10
2’)との間に有機系絶縁物からなる枠状の絶縁パター
ン部(104’)を印刷塗布し、薄膜配線基板(106
)が完成される。
に24″RL薄膜を蒸着後、通常のフォトエッチフグ工
程により集積回路を載置するダイパッド部(101)、
外部接続リード(102)、 ClO2’)及びこの外
部接続リード(102)、 (102’)に接続されて
いる外部周辺回路配線を形成する。次にダイパッド部(
101)と外$ 4i Eリー)” (102)、 (
102’)除イア’c薄膜配線導体上に有機系絶縁物か
らなる保膿M (104)を印刷値付すると共にダイパ
ッド(101)と外部接続リード(102)、 (10
2’)との間に有機系絶縁物からなる枠状の絶縁パター
ン部(104’)を印刷塗布し、薄膜配線基板(106
)が完成される。
この枠状の絶縁パターン都(104’)は集積回路をタ
イパッドi (101)にマウントする時の導2 ペー
ストのはみ出しの障壁となり、ダイパッド部(101)
と外gHj接続リード(102)、 (102’)の短
絡防止がはかれるばかりでなく、マイグレーションを紡
発させるzml気侵入の距離を長くできる。まt集積回
路の下面全面に接着されるので集積回路の接着強度が高
まるはかりでなく、後工程のボンディング性の信頼性も
向上する。
イパッドi (101)にマウントする時の導2 ペー
ストのはみ出しの障壁となり、ダイパッド部(101)
と外gHj接続リード(102)、 (102’)の短
絡防止がはかれるばかりでなく、マイグレーションを紡
発させるzml気侵入の距離を長くできる。まt集積回
路の下面全面に接着されるので集積回路の接着強度が高
まるはかりでなく、後工程のボンディング性の信頼性も
向上する。
この場合、絶縁パターン都(104’)と保欣層(10
4)を有機系絶縁物とし次のは次の理由による。
4)を有機系絶縁物とし次のは次の理由による。
即ち、一般に薄膜配線導体上に施す耐湿を目的としたオ
ーバコート材であるパッシベーション材の耐湿性を調べ
る方法として、この上へ水滴を滴下し、配線導体間に流
れるマイグレー7ヨン電流を測定する方法が採用される
。発明者らもこの方法により種々な試料を使用してパッ
シベーション材の耐湿性について実験し定結果を表に示
す。
ーバコート材であるパッシベーション材の耐湿性を調べ
る方法として、この上へ水滴を滴下し、配線導体間に流
れるマイグレー7ヨン電流を測定する方法が採用される
。発明者らもこの方法により種々な試料を使用してパッ
シベーション材の耐湿性について実験し定結果を表に示
す。
表
次に表について説明すると、96%アルミナ基板上にア
ルミニウム薄膜を蒸着法によす1.4μm着膜し、周知
のフォトエツチング工程で配線導体幅0.5u+、配線
導体線間幅0.5mの#膜配線基板試料を参考例1〜3
とした。この配I/s4体上(ニオ−バコード材として
例えば高温ポリイミド8−133 (東し製)からなる
有機系絶縁物を20μm厚200メツシュのスクリーン
印制法で一回塗布し、N!雰囲気中にて80℃、30分
間キュア乾燥後、300℃、30分間のポストベーキン
グを実施したものを参考例4〜6とし次。この参考例4
〜6に史に有機系絶N(物を塗布したものを実施例1〜
3とし几。このようにして掛られたそれぞれの薄膜配線
基板の配線導体Mに直流電源にエリ電圧を印加し、水滴
約5ccを滴下した時点より配線導体間に流れるマイグ
レーションtiを微小電流計で読みとりその電流値と時
間とを記録した。なお印加電界は25V/。
ルミニウム薄膜を蒸着法によす1.4μm着膜し、周知
のフォトエツチング工程で配線導体幅0.5u+、配線
導体線間幅0.5mの#膜配線基板試料を参考例1〜3
とした。この配I/s4体上(ニオ−バコード材として
例えば高温ポリイミド8−133 (東し製)からなる
有機系絶縁物を20μm厚200メツシュのスクリーン
印制法で一回塗布し、N!雰囲気中にて80℃、30分
間キュア乾燥後、300℃、30分間のポストベーキン
グを実施したものを参考例4〜6とし次。この参考例4
〜6に史に有機系絶N(物を塗布したものを実施例1〜
3とし几。このようにして掛られたそれぞれの薄膜配線
基板の配線導体Mに直流電源にエリ電圧を印加し、水滴
約5ccを滴下した時点より配線導体間に流れるマイグ
レーションtiを微小電流計で読みとりその電流値と時
間とを記録した。なお印加電界は25V/。
5Q V/ M 、 80 V/關の3種にエリ各試料
のマイグレーション特性を評価した。高@はホットプレ
ートを用い基板前面で60℃になるように設定した。表
中に電流値と時間を示しであるものは最大電流値を示し
た。これら試料にすべて電流値が最大値を示した後は除
々に小さくなる傾向を示した。また0印は1時間経過し
てもマイグレーション電流が0.001mA以下であっ
たことを示す。
のマイグレーション特性を評価した。高@はホットプレ
ートを用い基板前面で60℃になるように設定した。表
中に電流値と時間を示しであるものは最大電流値を示し
た。これら試料にすべて電流値が最大値を示した後は除
々に小さくなる傾向を示した。また0印は1時間経過し
てもマイグレーション電流が0.001mA以下であっ
たことを示す。
この表からオーバコート材のないものは室温高湿、高温
高湿ともにマイグレーション電流が流れ。
高湿ともにマイグレーション電流が流れ。
その特性は悪いこと1)わかる。またオーバコート材と
して有機系絶縁物を一回塗布し几ものはオーバコート材
がないものよりも良好であるが、高温高湿においてはピ
ンホールのtめt流が流れだし耐湿構造としては充分な
ものとはいえない。これに対し、実施例1−3にみられ
るように有機系絶縁物を二重塗付したものは1時間以上
経過してもマイグレーション電流が0.001mA以下
と他のものと比較し著しくマイグレーション特性が向上
している。発明者らはこのような実験結果から薄膜配線
導体のパッシベーションおよびダイパット部と外部接続
リード間の絶縁パターンとしては有機系絶縁物を2Re
lt造とした。
して有機系絶縁物を一回塗布し几ものはオーバコート材
がないものよりも良好であるが、高温高湿においてはピ
ンホールのtめt流が流れだし耐湿構造としては充分な
ものとはいえない。これに対し、実施例1−3にみられ
るように有機系絶縁物を二重塗付したものは1時間以上
経過してもマイグレーション電流が0.001mA以下
と他のものと比較し著しくマイグレーション特性が向上
している。発明者らはこのような実験結果から薄膜配線
導体のパッシベーションおよびダイパット部と外部接続
リード間の絶縁パターンとしては有機系絶縁物を2Re
lt造とした。
、 このように2層+19造にすることにより、集積回
路と外部接続リードとを接読するボンディング線の保護
を兼ねて行なわれる集積回路保護のエンキャップ剤(通
常ゲル状の粘度の低い有機系絶縁物を用いる。)との踏
着性が高まり外気より浸入するfl湿気i減少し、マイ
グレーションを誘発させる機会はvIr、城する。
路と外部接続リードとを接読するボンディング線の保護
を兼ねて行なわれる集積回路保護のエンキャップ剤(通
常ゲル状の粘度の低い有機系絶縁物を用いる。)との踏
着性が高まり外気より浸入するfl湿気i減少し、マイ
グレーションを誘発させる機会はvIr、城する。
次に本発明の変形例を第2図により説明する。
1i L%第1図と同一符号は同一部を示し、特に説明
しない。
しない。
この変形例はダイパッド部(101)下に下部導体間I
Q (114)を有多層の蕩シ4配線基板(112)の
例である。この相合に問題となるのはJA8を回路のマ
ウント時に用いる4t、ペーストの金属イオンがマイグ
レーションにより層間絶縁層(113)を】亀して下部
M>体間fi (114)に達する層間ショートが起る
ことである。こ71を防止するには(2)に示すよ5に
枠状の絶嶽ハターン部(104’)の一部がダイパッド
部(101)と穎、なるか、完全に接触するようにすれ
ば下部6L体配N (114)と得すペーストのマイク
レージョンによる金属イオンの長い移動距離が設けられ
るばかりでなく、下部導体間H(114)へのパッシベ
ーションが施されることになり、外気の湿気やエンキャ
ップ剤中に残る水分が下部導体配線(114)に達する
機4Rは皆無となり、歩留りのよい信頼性の高い多層の
薄膜配線基板が得られる。
Q (114)を有多層の蕩シ4配線基板(112)の
例である。この相合に問題となるのはJA8を回路のマ
ウント時に用いる4t、ペーストの金属イオンがマイグ
レーションにより層間絶縁層(113)を】亀して下部
M>体間fi (114)に達する層間ショートが起る
ことである。こ71を防止するには(2)に示すよ5に
枠状の絶嶽ハターン部(104’)の一部がダイパッド
部(101)と穎、なるか、完全に接触するようにすれ
ば下部6L体配N (114)と得すペーストのマイク
レージョンによる金属イオンの長い移動距離が設けられ
るばかりでなく、下部導体間H(114)へのパッシベ
ーションが施されることになり、外気の湿気やエンキャ
ップ剤中に残る水分が下部導体配線(114)に達する
機4Rは皆無となり、歩留りのよい信頼性の高い多層の
薄膜配線基板が得られる。
「発明の効果」
本発明の薄膜配線基板には次のような効果がbるC
第1にダイパッド部と外部接続リード間でのマウント材
である導電ペーストの金属イオンによるマイグレーショ
ン防止ができる。
である導電ペーストの金属イオンによるマイグレーショ
ン防止ができる。
第2にダイパッド部の下に配設されている下部導体配線
との間において導電ペーストの金属イオンによるマイグ
レーション防止ができる。
との間において導電ペーストの金属イオンによるマイグ
レーション防止ができる。
第3にダイパッド部周囲に配設されている外部接続リー
ドと導電ペーストによる電気釣短銘現象が防止できる。
ドと導電ペーストによる電気釣短銘現象が防止できる。
第4にダイパッド部への集秒回路のマウント強Kが高ま
り、ボンディング性が向上する。
り、ボンディング性が向上する。
第5にパッシベーションF1児全となり回路動作の安定
化がけかれるばかりでなく実装組豆時の歩留りが向上し
、品質が安定すると共に高信頼性が得らtLる。
化がけかれるばかりでなく実装組豆時の歩留りが向上し
、品質が安定すると共に高信頼性が得らtLる。
M1凶は本発明の薄膜配線基板の一実施例の要部拡大図
であり、第1図(a)に午面図、第11’gJ (b)
は第1id(a)をA−A線に沿って切断して見た断面
図、第2肉は本発明の島原配線基板の変形例の侠部拡太
図でおり、第2図(a)は平面IW、第2図(b) u
’t= 2図(a) ’r L3− B filに沿
って切す、+[シて見た断面図、第3図t′lt冨着型
イメージセンサの回16構成図、第4図は第3図の密着
型イメージセ/すを実装組立てた時の断ItJ図、第5
図は従来の博腺配紛基叛の一例の要8′tsw、大11
M1であり、第5図(a)は平面図、第5図(b)は櫂
5はi (a)¥U−C鞭に市って切〜rして見几hJ
r011図である。 100・・・高抵抗柚板 101・・・ダイパッド部
102、102’・・・外8115接続リード 104
・・・保υ層104・・・杷糺パターン 1116.1
12・・・薄IH&配な1基板第 1 図 (b) 第 2 図 e1 1/牟 100 //4 第3図 号 ジ ? ?
であり、第1図(a)に午面図、第11’gJ (b)
は第1id(a)をA−A線に沿って切断して見た断面
図、第2肉は本発明の島原配線基板の変形例の侠部拡太
図でおり、第2図(a)は平面IW、第2図(b) u
’t= 2図(a) ’r L3− B filに沿
って切す、+[シて見た断面図、第3図t′lt冨着型
イメージセンサの回16構成図、第4図は第3図の密着
型イメージセ/すを実装組立てた時の断ItJ図、第5
図は従来の博腺配紛基叛の一例の要8′tsw、大11
M1であり、第5図(a)は平面図、第5図(b)は櫂
5はi (a)¥U−C鞭に市って切〜rして見几hJ
r011図である。 100・・・高抵抗柚板 101・・・ダイパッド部
102、102’・・・外8115接続リード 104
・・・保υ層104・・・杷糺パターン 1116.1
12・・・薄IH&配な1基板第 1 図 (b) 第 2 図 e1 1/牟 100 //4 第3図 号 ジ ? ?
Claims (4)
- (1)集積回路を載置実装するダイパット部と、前記集
積回路より外部周辺回路配線にワイヤボンディング接続
する外部接続リードと、前記ダイパッド部と前記外部接
続にリードとの間に形成された枠状の絶縁パターン部と
、周辺回路導体上に形成された保護層とを少なくとも具
備することを特徴とする薄膜配線基板。 - (2)絶縁パターン部と保護層が有機系絶縁物からなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の薄膜配線
基板。 - (3)絶縁パターン部がダイパッド部の周辺に接触ある
いは重なつていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項または第2項記載の薄膜配線基板。 - (4)絶縁パターン部と保護層が同一成分の有機系絶縁
物の2層構造からなることを特徴とする特許請求の範囲
第1項乃至第3項いずれかに記載の薄膜配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59199482A JPS6178127A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 薄膜配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59199482A JPS6178127A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 薄膜配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6178127A true JPS6178127A (ja) | 1986-04-21 |
Family
ID=16408537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59199482A Pending JPS6178127A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 薄膜配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6178127A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63159261U (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | ||
JPH04121779U (ja) * | 1991-04-18 | 1992-10-30 | 株式会社富士通ゼネラル | Tot接続ランド |
-
1984
- 1984-09-26 JP JP59199482A patent/JPS6178127A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63159261U (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | ||
JPH0545009Y2 (ja) * | 1987-04-06 | 1993-11-16 | ||
JPH04121779U (ja) * | 1991-04-18 | 1992-10-30 | 株式会社富士通ゼネラル | Tot接続ランド |
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