JPS6177755A - 水素イオン濃度測定センサ− - Google Patents

水素イオン濃度測定センサ−

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JPS6177755A
JPS6177755A JP59200000A JP20000084A JPS6177755A JP S6177755 A JPS6177755 A JP S6177755A JP 59200000 A JP59200000 A JP 59200000A JP 20000084 A JP20000084 A JP 20000084A JP S6177755 A JPS6177755 A JP S6177755A
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JP
Japan
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electrode
membrane
conductor
hydrogen
aqueous solution
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Application number
JP59200000A
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English (en)
Inventor
Hideichiro Yamaguchi
秀一郎 山口
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Terumo Corp
Original Assignee
Terumo Corp
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Publication date
Application filed by Terumo Corp filed Critical Terumo Corp
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Publication of JPS6177755A publication Critical patent/JPS6177755A/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/416Systems
    • G01N27/4161Systems measuring the voltage and using a constant current supply, e.g. chronopotentiometry

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  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■3発明の背景 〔技術分野〕 この発明は、水答液中の水素イオンA度全測定する際に
用いられる水素イオン濃度測定センサーに関する。
〔先行技術および問題点〕
溶液中の水素イオン濃度を測定する機器の一つとして水
素電極が知られている。この水素電極は白金黒/出会′
心極を用い、水素ガスの還元反応を電極電位として取9
出しこれに基いて溶液中の水素イオンa度を測定するも
のであシ応答速度が早いという利点がある。しかし、こ
のような水素電極においては、溶液中に水素ガスを直接
吹き込んでお)、白金電極を定常的に水素ガスと接触さ
せることが困難であり電極電位が安定し雌いという欠点
がめった。また、白金電極は酸素に敏感であシ、水素イ
オン濃度の測定に際し、m液中に溶存酸素が存在すると
その影響を受け、正確な水素イオン濃度のfill定を
おこなうことができない。
このような従来の水素電極の問題点を解決するものとし
て、本出願人は特願昭58−152626号に、複合膜
を水素イオンセンサーとする水素イオン(a匿の測定装
置を出願している。この出願に係る水素イオン濃度の測
定装置は、溶液中の水素イオン濃度を電位応答で測定す
るために用いられる装置であって、溶液中の水素イオン
濃度に応答して電位を発生する手段として導電体の一方
の表面に疎水性の多孔質膜を被着しかつ該4亀体の他方
の表面に溶液中の水素イオンを透過させる膜を被着して
なるセンサーを有し、かつ該センサーを該水素イオン透
過膜側において溶液と接触させる手段と該センサーを該
多孔質膜側において水素ガスまたは酸素ガスと接触させ
る手段とを具備する。
この装置において、水素ガスを用いると水素イオンセン
サーの平衡電位値が安定し、溶液中の水素イオン濃度を
精度よく測定することができるO しかしながら、この装置においては、水素ガスを導入す
るためにセンサーとは別の機構を必要とし、小型化でき
ない。また、水素ガス漏れやその処理に特別の手段を講
じる必要があるなどなお改善の余地がある。
■1発明の目的 したがって、この発明の目的は、小型化が計れ、水素ガ
スの取扱いに不都合のない水素イオン濃度測定センサー
を提供することにある。
上記目的を達成するために、この発明によれば、測定水
溶液中の水素イオン一度に応答した電位を発生させるだ
めの導電体と、該導電体の測定水溶液と接触すべき一方
の面に形成され、該測定水溶液中の水素イオンを選択的
に透過させる膜と、該導電体の他方の面に形成された疎
水性多孔質膜と、該多孔質膜に接して形成された第1の
電極と、該電極に接して形成された固体電解質膜と、該
固体電解質膜に接して形成された第2の電極とを具備し
てなり、該第1の電極と$2の電極との間に直流電圧を
印加して該固体電解質膜の作用によシ測定雰囲気中の水
分を分解して該第1の電極上に水素を発生させ、該発生
した水素を該多孔質膜を介して該導電体表面に供給する
ようにしたことを特徴とする水溶液中の水素イオン4度
測定センサーが提供される。
上記導電体としては、水素の還元反応の媒体として機能
する白金族金属(白金、/フラジラム等)が用いられる
。また、上記水素イオン選択透過膜としては、ポリ(ヒ
ドロキシ芳香族化合物)、ポリ(窒素含有化合物もしく
はこれらの共重合体、ポリカーボネート、ポリ(ビニル
芳香族化合物)、これらのアニオン系もしくはカチオン
系誘導体、?リエーテルポリウレタン等が用いられる。
さらに、上記多孔質膜としては、フッ素含有高分子、セ
ルロース系高分子、ポリ(塩化ビニル)およびその共重
合体、ポリ塩化ビニリデン、シリコーン、ポリアクリロ
ニトリルおよびその共重合体が用いられる。また、固体
電解質としては、側鎖にスルホン酸基を有するフッ素樹
脂が用いられる。
■8発明の詳細な説明 第1図は、この発明の水素イオン良度測定用センサーの
基本構成を示している。図示のように、この発明の水素
イオン濃度測定用センサー10は、測定水溶液中の水素
イオン濃度に応答した電位を発生させるだめの導電体1
1を備えている。この導電体11は、水素の酸化還元反
応を発現させる媒体となるものであシ、白金族金属(白
金、パラジウム等)を用いることができる。厚さは、0
.01ないし0.5μmであることが好ましい。この導
電体11にはリード線18が接続されている。
導電体11の一方の表面上には、多孔質膜12が形成さ
れている。この多孔質膜12は、水素ガスが透過し得る
という意味で多孔性のものであり、また液体の透過を防
ぐために疎水性であることが好ましい。このような多孔
質膜としては、フッ素樹脂(例えば、ポリ(フッ化ビ二
すデン、テフロン)、セルロース系高分子(例、tば、
ニトロセルロース、再生セルロース)、ポリ(塩化ビニ
ル)およびその共重合体(例えば、ポリ(塩化ビニル−
エチレン)、ポリ塩化ビニリデン、シリコーン、ポリア
クリロニトリルおよびその共重合体(例えば、ポリ(ア
クリロニトリル−ゲタジエン))等が用いられる。この
多孔質膜12の厚さは、50μmないし1.0LIII
+であることが望ましく、またその気孔径は、0.05
ないし50#Iであることが好ましい。
なお、導電体11は、スパッタ等により多孔質膜12上
に形成できる。
多孔/X膜12とは反対側の導電体11表面上には、測
定溶液中の水素イオンを選択的に透過させる膜13が形
成されている。このような水素イオン選択透過膜として
は、ポリ(ヒドロキシ芳香族化合−例えばポリフェノー
ル、ポリ(4索含有芳香族化合■例えばポIJ (1,
2−ノアミンベンゼン)もしくはこれらの共重合体、ポ
リカーボネート、ポリ(ビニル芳香族化合物)例えば、
ポリスチレン、これらのアニオン系もしくはカチオン系
誘導体例えば、ポリ(ビニルピリジ711級化物)、ポ
リエーテル、ポリウレタン等が用いられる。この膜13
の厚さは、O,OSμmないし0.2truxであるこ
とが好ましい。
この種の水素イオン選択透過膜13は、真空蓄積(スパ
ッタ、蒸着等)、′#IL解酸化(特に、ぼり(ヒドロ
キシ芳香族化合■および(または)ポリ(窒素含有芳香
族化合物)の場合)、塗布等によシ形成できる。
さて、多孔質膜12の表面上には、第1の電極g14(
例えば、白金)が形成されており、この電極M&140
表面上には、高分子電解質、漠15が形成されている。
この高分子電解質膜−15の表面上には、第1の電極膜
14と対向して第2の電極膜16(例えば、白金)が形
成されている。第1の電極膜14および第2の電極膜1
6は例えば、無′1i、解メッキによって高分子電解質
膜15上に形成できる。また、第1の電極膜14および
第2の電極膜16とに直流電圧を印加するための電源2
0がそれぞれリード線19aおよび19bによって接続
されている。
その際、第1の電極膜I4が負側に、第2の電極膜16
が正側に接続される。高分子電解質膜15は、後に詳述
するように、第1および第2の電極膜間に直流電圧が印
加されると、測定雰囲気中に存在する水分を分解し第1
の電極膜14側に水素を発生させる。このような高分子
固体電解質としては、側鎖にスルホン酸基を有するフッ
素樹脂例えば、デュポン社から入手できるナフィオンが
ある。またカル?ン酸基を有するフッ素樹脂例えば旭化
成社から入手できるフVミオンを用いることができる。
なお、第2の電極膜16を覆ってガス透過性膜を形成し
てもよい。
■8発明の具体的作用 以上述べたこの発明の水素イオン濃度測定用センサーを
用いて水溶液中の水素イオン濃度を測定するには、水素
イオン濃度を測定すべき水溶液をセンサー10の水素イ
オン選択透過膜13と接触させ、センサー10の第2の
電極膜16を大気に露出する。そして、第1の電極膜1
4および第2の電極膜16間に直流電圧を印加した状態
で・、測定水溶夜中に接触させた基準電極例えば、飽和
カロメル電極と導電体11との間に生じた起電力を電位
差計で測定し、その値から、目的とする水素イオンdi
(PH)を知ることができる。
センサー10の高分子電解質膜15内には、水素イオン
選択透過all、4電体12および第1の電極膜I4を
介して水容液中の水分子が、あるいは第2の電極膜16
を介して大気雰囲気中の水分が侵入し、その水分子は電
離して水素イオンおよび水酸イオンを生成している。第
1の電極膜14および第2の電極膜16間に直流電圧を
印加すると、高分子電解質15中の水素イオンおよび水
酸イオンは以下の式(I)および式(II)に従って各
電極膜上でそれぞれ遣元および酸化され、水素ガス分子
と酸素12分子が微面ではあるが発生する。
第1の電極14上の反応 2H+2e″″ =  H2(1) 第2の電極16上の反応 40H−→02+2H20+4e−(It)この際、高
分子電解質15そのものは、酸化・還元反応に関与せず
、単に水を保持しこれを水素イオンと水酸イオンとに電
離させる媒体として作用する。こうして第1の電極膜1
4上に発生した水素ガスは、多孔質膜12を透過して導
電体I2に供給される。水素イオン選択透過膜13は測
定水溶液と接触しているので、当該水溶液中の水素イオ
ンがこれを透過して導電体1ノ上で上記発生した水素ガ
スと接触する。こうして、導電体12は水素電極として
の電位を安定に発生する。この電位は、測定水溶液中の
水素イオン濃度の対数値に比例し、したがってこの発明
のセンサーは一センサーとして作用する。なお、第2の
電極膜16上に発生した酸素がスは大気雰囲気中に放散
される。
この発明の水素イオンd)度測定用センサー1−e用い
て水溶液中の水素イオン凝度をyQIJ定するために、
第2図に示す二室セル30を用いるとよい。このセル3
0は、液体室3ノと開放室32とから構成され、それぞ
れの口部31aおよび32tsが対向して配置されてい
る。液体室3ノには、水素イオン濃度を測定すべき水溶
f133が収容され、その上部に設けられた開口31b
から栓35を介して基準電極34が水溶液33に達して
挿入されている。一方、開放室32は、大気に開放して
いる。液体室3ノと開放室32、との相対向する口部3
1aおよび32a間には、第1図に示したようなこの発
明のセンサー10が口部3ノ&および32aを密に寒ぐ
ように挿入されている。このために、ゴム等で形成され
たバッキングを介挿してもよい。いうまでもなく、セン
サー10の第2の電極膜16が開放室32側に、そして
水素イオン選択透過膜13が液体室31側に位置するよ
うにセンサー10が配置されている。基準電極34とセ
ンサー10の導電体11とは、高入力抵抗の電位差計3
5に接続されている。
以下、この発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
実施例 囚 高分子固体電解質としてナフィオン125(側鎖に
スルホン酸基を有するフッ素樹脂、デエポン社展)(1
0簡×6調X0.18頑)の両面に白金薄膜を無電解メ
ッキ法によシ被着した。すなわち、このナフィオン膜を
隔膜とする2つの液室全準備する。一方の液室(これを
A室とする)には0.01モル/リットルのテトラクロ
ロ白金(IV) mの水溶液を充填し、他方の液室(こ
れをB室とする)には0.1モル/リットルの水素化ホ
ウ素ナトリウムの水溶液を充填した。約30分でA呈側
の隔膜表面に白金薄膜(厚さ0.1μm)が形成された
。次にA、8画室を水洗し、A室とB室とに先とは逆に
それぞれの水溶液を充填し、隔膜の反対表面に白金薄膜
を形成した。なお、この無電解メッキの際、隔膜の両表
面の白金薄膜が相互に連絡することがないように、隔膜
の両面を幅1mの粘着テープで縁取シしておいた。こう
して得た積層体を:d!層体Iとする。
(B)  多孔質膜としてフロロボア(平均孔径0.1
μmのポリ(4フツ化エチVン)、住友電工(株〕製)
(20m+aX6順xo、os謔)を用い、その片面に
、2極式マグネトロンスパッタ装置SPF −210K
 (アネルパ社)によって200Wで15秒の条件で白
金薄膜(4さ約250k)を形成した。こうして得だ積
層体を積層体■とする。さらに、全く同様にして積層体
■を作製した。積層体■および積層体■の白金薄膜にそ
れぞれリード線を接続した。
(0上記(B)で用いたものと同様の多孔質tdの片面
に同様にして白金薄膜をス・卆ツタにより形成し、これ
を作用極とし、飽和塩化ナトリウムカロメル電極(5S
CE )を基準電極とし、白金1114を対向電極とし
て10ミリモル/リットルの1.2−ジアミノベンゼン
を含むpH6,86の緩衝溶液中において+1,0ボル
ト(対5SCE )で3分間電解酸化重合反応を作用電
極表面上でおこなわせることによって作用電極の白金薄
膜上に、1.2−ノアミンベンゼンの電解酸化重合膜(
厚さ0.05μm)よシなる水素イオン選択透過膜を形
成した。こうして得た積層体を積層体■とする。なお、
この電解重合の際、多孔質膜上の白金薄膜の上部に電解
酸化重合膜が形成されないように保護しておいた。この
積層体■の白金薄膜にリード線を接続した〇 ■)積層体Iの両側から積層体■および積層体■を、そ
れぞれの白金薄膜が接合するように圧接した@ついで、
積層体■を積層体Hに対してその多孔質膜が積層体Hの
白金薄膜と接合するように圧接した。得られた構造体の
側面を接着剤で固定して各積ノ一体間の気密性を確保し
た。
こうして、第1図に示す構成のこの発明の水素イオン遺
産測定用センサーを炸裂した。
実験例1 上記実施例で作裂したセンサーを第2図に示すように二
基セルに設置し、液体室3ノに50ミリモル/リットル
のリン酸緩衝溶液と基準電極34としての5SCEを設
置した。また、第2図に示すように直流電源2oおよび
電位差計35を接続した。なお、リードd 19 a内
に電流計を配置した。
直流電源20から3ボルトの電圧を印加し、高分子固体
電解質によシ水の″を解をおこないつつ導電体(白金薄
膜)11の起′ε力と電極膜(白金薄膜)14.16間
の電流(高分子固体電解質による水の電解電流)値の経
時変化を測定した。結果を第3図に示す。第3図中勝a
は電流値の経時変化を、?fsbは起電力の経時変化を
示す。この図かられかるように、電流値は2分後に極小
値?とったのちゆるやかに増加し、80分後に一定値に
達している。また、起電力値は70分後に一定値(−5
83mV対5SCE )に達している。このように、導
電体11の起電力が負電位になる理由は、電解にょシ発
生した水素ガスが導電体11に達し、水素ガスと水素イ
オンとの酸化還元電位となるためである。かくして、液
体寞31から透過してきた水分子が高分子固体電解質1
5で電解されて水素ガスが発生し、これが導電体11ま
で達していることがわかる。なお、電解電流値から計算
される水素ガス発生の理論値は、約1rnt/時(25
℃)であった(ただし、H−4−e −+W H2の反
応が効率100%で進行するものと仮定した)。
実験例2 液体室31中の緩衝溶液のpHを変化させ、実験例1の
条件で操作をおこない、起電力と川値との関係全米めた
。結果を第4図に示す。この図かられかるように、この
発明のセンサーを用いた場合、起電力値と両値とはネル
ンストの式に近い直線関係を満足し、その直線の傾きは
−s 4 mV/PHであった。また−変化に95%応
答するまでの時間は1分以内と非常に早かった。
また、水の電解電流値は約47FIAで一定であった。
10発明の具体的効果 以上述べたように、この発明の水素イオン濃度測定用セ
ンサーによれば、導電体に供給される水素ガスは、高分
子固体電解質の作用による電解によっておこなわれるた
め、水素ガス供給のだめの特別の付属機器を必要とせず
、全ての構成要素を固体膜で形成できるため小型化でき
る。また、水素ガスの発生量が少ないのでその排出機構
は特に必要とせず、また安全性が高い。
さらに、この発明のセンサーは水素電極の原理を利用し
ているため、応答速度が早い。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の水素イオン4度測定用センサーの
基本構成を示す断面図、第2図は、この発明の水素イオ
ン濃度測定用センサーを用いて水溶液中の水素イオン濃
度を測定する際に用いて好適な測定装置の概略断面図、
第3図および第4図は、この発明の水素イオンa度測定
用センサーの特性を示すグラフ図。 ノド・・導電体、12・・・多孔質膜、13・・・水素
イオン選択透過膜、14.16・・・電極膜、15・・
・高分子電解質、20・・・直流電源、34・・・基準
電極、35・・・電位差計。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第2図 3日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 測定水溶液中の水素イオン濃度に応答した電位を発生さ
    せるための導電体と、該導電体の測定水溶液と接触すべ
    き一方の面に形成され、該測定水溶液中の水素イオンを
    選択的に透過させる膜と、該導電体の他方の面に形成さ
    れた疎水性多孔質膜と、該多孔質膜に接して形成された
    第1の電極と、該電極に接して形成された固体電解質膜
    と、該固体電解質膜に接して形成された第2の電極とを
    具備してなり、該第1の電極と第2の電極との間に直流
    電圧を印加して該固体電解質膜の作用により測定雰囲気
    中の水分を分解して該第1の電極上に水素を発生させ、
    該発生した水素を該多孔質膜を介して該導電体表面に供
    給するようにしたことを特徴とする水溶液中の水素イオ
    ン濃度測定センサー。
JP59200000A 1984-09-25 1984-09-25 水素イオン濃度測定センサ− Pending JPS6177755A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003254936A (ja) * 2002-02-28 2003-09-10 Apurikusu:Kk 酸化還元電位測定方法及び酸化還元電位測定装置
KR100475303B1 (ko) * 2001-03-15 2005-03-10 주식회사 코리아센텍 피이브이씨-실리콘 혼합으로 이루어진 고분자막을 사용한고체형 수소이온 농도 측정 전극
JP2005331284A (ja) * 2004-05-18 2005-12-02 Kobe Steel Ltd 水素ガス検知剤および水素ガス検知装置
JP2009198410A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Gunze Ltd 水素ガスセンサ

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