JPS6177729A - 熱電堆型赤外検出素子の製造方法 - Google Patents
熱電堆型赤外検出素子の製造方法Info
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- JPS6177729A JPS6177729A JP59200016A JP20001684A JPS6177729A JP S6177729 A JPS6177729 A JP S6177729A JP 59200016 A JP59200016 A JP 59200016A JP 20001684 A JP20001684 A JP 20001684A JP S6177729 A JPS6177729 A JP S6177729A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、熱赤外線計測において、熱赤外発生部の面積
を熱赤外量で検知することにより、熱赤外発生部の位置
情報を得るための赤外検出素子、−例として、一定温度
の発熱体の一端を監視し、その端部の位置を測定するの
に用いる赤外検出素子の製造方法に関する。
を熱赤外量で検知することにより、熱赤外発生部の位置
情報を得るための赤外検出素子、−例として、一定温度
の発熱体の一端を監視し、その端部の位置を測定するの
に用いる赤外検出素子の製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
従来の熱電堆型赤外検出素子を、第１図によって説明す
ると、左右の支持台１，１の上に配置された基板薄膜２
に、二種類の金属薄層３，４が交互にその両端が重積接
合されて直列に配置され、この二種類の金属薄層３，４
の重積接合部が一つおきに感温接合部５と基準接合部６
（第２図参照）に分離配置され、感温接合部６の上に赤
外吸収層７が配置されている。尚、基準接合部６は左右
の支持台１，１が位置する基板薄＠２の左右両側上面に
位置していて、赤外線が入射しても昇温しないようにな
っている。８は直列に接合配置された二種類の金属薄層
３，４の末端部に重合配置された信号取出電極である。
ると、左右の支持台１，１の上に配置された基板薄膜２
に、二種類の金属薄層３，４が交互にその両端が重積接
合されて直列に配置され、この二種類の金属薄層３，４
の重積接合部が一つおきに感温接合部５と基準接合部６
（第２図参照）に分離配置され、感温接合部６の上に赤
外吸収層７が配置されている。尚、基準接合部６は左右
の支持台１，１が位置する基板薄＠２の左右両側上面に
位置していて、赤外線が入射しても昇温しないようにな
っている。８は直列に接合配置された二種類の金属薄層
３，４の末端部に重合配置された信号取出電極である。
斯かる構成の熱電堆型赤外検出素子９は、赤外吸収層７
に赤外線が照射されると、感温接合部６に昇温し、基準
接合部６との温度差に相当した起電力がゼーベック効果
により信号取出電極８に発生するが、赤外線のエネルギ
ーを有効に電気信号に変換するために感温接合部６は極
力熱容量を小さくする必要がある。そのため、赤外吸収
層７及び感温接合部６の蒸着される基板薄膜２の厚さは
極力薄くするわけであるが、１０μｍ程度の厚さになる
と、甚だ取扱いが厄介で、各層の蒸着作業及びマウント
作業、特に基板薄膜２を支持台１゜１に接着するのをや
めて、支持台１，１上に配置゛される金属板への接着は
因難を極め、赤外検出素子９を製造する上での歩留低下
の原因となっている。
に赤外線が照射されると、感温接合部６に昇温し、基準
接合部６との温度差に相当した起電力がゼーベック効果
により信号取出電極８に発生するが、赤外線のエネルギ
ーを有効に電気信号に変換するために感温接合部６は極
力熱容量を小さくする必要がある。そのため、赤外吸収
層７及び感温接合部６の蒸着される基板薄膜２の厚さは
極力薄くするわけであるが、１０μｍ程度の厚さになる
と、甚だ取扱いが厄介で、各層の蒸着作業及びマウント
作業、特に基板薄膜２を支持台１゜１に接着するのをや
めて、支持台１，１上に配置゛される金属板への接着は
因難を極め、赤外検出素子９を製造する上での歩留低下
の原因となっている。
発明の目的
本発明は、熱電堆型赤外検出素子を製造する上での歩留
りの向上を図ることができ、量産化、低価格化を可能に
した製造方法を提供せんとするものである。
りの向上を図ることができ、量産化、低価格化を可能に
した製造方法を提供せんとするものである。
発明の構成
本発明の熱電堆型赤外検出素子の製造方法は、中間が座
ぐりされその中央部が開口された金属板の座ぐ９部の周
辺に基板薄膜を接着し、次に基板薄膜の前記金属板の反
対側の面に二種類の金属薄層を交互にその両端が重積し
直列に配置されるように蒸着し且つその金属薄層の末端
に信号取出電極を蒸着し、最後に金属板の開口部から基
板薄膜の＃臨接合部の反対面に赤外吸収層を蒸着するこ
とを特徴とする。
ぐりされその中央部が開口された金属板の座ぐ９部の周
辺に基板薄膜を接着し、次に基板薄膜の前記金属板の反
対側の面に二種類の金属薄層を交互にその両端が重積し
直列に配置されるように蒸着し且つその金属薄層の末端
に信号取出電極を蒸着し、最後に金属板の開口部から基
板薄膜の＃臨接合部の反対面に赤外吸収層を蒸着するこ
とを特徴とする。
実施例の説明
本発明による熱電堆型赤外検出電子の製造方法の実施例
を第２図ａ、ｂによって説明する。先ず中間部が前後両
端部を残して座ぐりされて厚さ０．１−になされ、さら
にその中央部が開口された厚さ０．２柵の銅板よりなる
金属板１０の座ぐり部１１の左右両側部に架渡して厚さ
１部μｍのカプトンフィルムよりなる基板薄膜２を接着
する。前記金属板１Ｑはフォトマスクを用いて、エツチ
ング法により容易に製作できるものである。前記基板薄
膜２を接着する接着剤は二液混合型のエポキシ樹脂系を
用い、３００″ＣＫで固化させる。次に第２図ａに示さ
れるようなパターンの蒸着マスクを金属薄膜２の前記金
属板１０とは反対側の面に順次セットして、ビスマス、
アンチモノ、金の順で蒸着して、二種類のビスマス、ア
ンチモンの金属薄層３，４を交互に配してその両端を重
積接合して直列に配置し、且つその金属薄層３，４の末
端に金の信号取出電極８を配置する。ビスマス。
を第２図ａ、ｂによって説明する。先ず中間部が前後両
端部を残して座ぐりされて厚さ０．１−になされ、さら
にその中央部が開口された厚さ０．２柵の銅板よりなる
金属板１０の座ぐり部１１の左右両側部に架渡して厚さ
１部μｍのカプトンフィルムよりなる基板薄膜２を接着
する。前記金属板１Ｑはフォトマスクを用いて、エツチ
ング法により容易に製作できるものである。前記基板薄
膜２を接着する接着剤は二液混合型のエポキシ樹脂系を
用い、３００″ＣＫで固化させる。次に第２図ａに示さ
れるようなパターンの蒸着マスクを金属薄膜２の前記金
属板１０とは反対側の面に順次セットして、ビスマス、
アンチモノ、金の順で蒸着して、二種類のビスマス、ア
ンチモンの金属薄層３，４を交互に配してその両端を重
積接合して直列に配置し、且つその金属薄層３，４の末
端に金の信号取出電極８を配置する。ビスマス。
アンチモンは約２００°Ｃに昇温して蒸着する。前記二
種類の金属薄層３，４の重積接合部は、一つおきに感温
接合部５と基準接合部６とに分離配置される。最後に基
板薄膜２上の感温接合部５群の反対側の面に金属板１ｏ
の開口部１２から全黒を蒸着して、赤外吸収層７を配置
する。
種類の金属薄層３，４の重積接合部は、一つおきに感温
接合部５と基準接合部６とに分離配置される。最後に基
板薄膜２上の感温接合部５群の反対側の面に金属板１ｏ
の開口部１２から全黒を蒸着して、赤外吸収層７を配置
する。
このようにして製造した熱電堆型赤外検出素子は、その
後信号取出電極８に直径３ｏμｍの微細金線をドータイ
トで接着し、支持台１，１を介してパッケージに固定す
る。その後、微細金線をパッケージの端子にドータイト
で接着して、赤外線透過板であるゲルマニウム窓板をパ
ッケージに気密に接着し、排気銅パイプから真空排気し
て、真空封止する。かくして、熱電堆型赤外検出器が完
成する。
後信号取出電極８に直径３ｏμｍの微細金線をドータイ
トで接着し、支持台１，１を介してパッケージに固定す
る。その後、微細金線をパッケージの端子にドータイト
で接着して、赤外線透過板であるゲルマニウム窓板をパ
ッケージに気密に接着し、排気銅パイプから真空排気し
て、真空封止する。かくして、熱電堆型赤外検出器が完
成する。
発明の効果
以上詳記した通り本発明の熱電堆型赤外検出素子の製造
方法によれば、基板薄膜を、中間を座ぐりしその中央部
を開口した金属板に接着した状態で、該基板薄膜に二種
類の金属薄層、信号取出電極を蒸着マスクを用いて容易
に蒸着して配置でき、また金属板の開口部から開口部を
蒸着マスクとして基板薄膜に赤外吸収層を同一面積で同
一位置に蒸着して配置できるので、寸法精度の高い赤外
吸収層を容易に得ることができる。このように基板薄膜
を金属板に接着した状態で、全ての蒸着作業を行うこと
ができるので、歩留りが良くなり、しかも比較的世間の
かかる蒸着工程が金属板への基板薄膜の接着後となった
ので、接着失敗によって蒸着作業が無効になるというこ
とが無くなり、歩留向上と共に無効作業時間を大巾に削
減できた。
方法によれば、基板薄膜を、中間を座ぐりしその中央部
を開口した金属板に接着した状態で、該基板薄膜に二種
類の金属薄層、信号取出電極を蒸着マスクを用いて容易
に蒸着して配置でき、また金属板の開口部から開口部を
蒸着マスクとして基板薄膜に赤外吸収層を同一面積で同
一位置に蒸着して配置できるので、寸法精度の高い赤外
吸収層を容易に得ることができる。このように基板薄膜
を金属板に接着した状態で、全ての蒸着作業を行うこと
ができるので、歩留りが良くなり、しかも比較的世間の
かかる蒸着工程が金属板への基板薄膜の接着後となった
ので、接着失敗によって蒸着作業が無効になるというこ
とが無くなり、歩留向上と共に無効作業時間を大巾に削
減できた。
実際に熱電堆型赤外検出素子の製造において、従来は無
効作業が５０％であったものが、本発明では５％とに以
下に低下した。
効作業が５０％であったものが、本発明では５％とに以
下に低下した。
第１図は従来の熱電堆型赤外検出素子の断面図、第２図
ａ、ｂは本発明の製造法により製造された熱電堆型赤外
検出素子を示し、同図ａは平面図、同図すは同図ａのＡ
−Ａ断面図である。 １・・・・・・支持台、２・・・・・・基板薄膜、３，
４・・・・・・金属薄層、６・・・・・・感温接合部、
６・・−・・・基準接合部、７・・・・・・赤外吸収層
、８・・・・・・信号取出電極、９′・・・・・・本発
明の製造方法によシ作られた熱電堆型赤外検出素子、１
ｏ・・・・・・金属板、１１・・・・・・座ぐり、１２
・・・・・・開口部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＠１
図 第２図
ａ、ｂは本発明の製造法により製造された熱電堆型赤外
検出素子を示し、同図ａは平面図、同図すは同図ａのＡ
−Ａ断面図である。 １・・・・・・支持台、２・・・・・・基板薄膜、３，
４・・・・・・金属薄層、６・・・・・・感温接合部、
６・・−・・・基準接合部、７・・・・・・赤外吸収層
、８・・・・・・信号取出電極、９′・・・・・・本発
明の製造方法によシ作られた熱電堆型赤外検出素子、１
ｏ・・・・・・金属板、１１・・・・・・座ぐり、１２
・・・・・・開口部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＠１
図 第２図
Claims (1)
- 中間が座ぐりされその中央部が開口された金属板の座ぐ
り部の周辺に基板薄膜を接着し、次に基板薄膜の前記金
属板の反対側の面に二種類の金属薄層を交互にその両端
が重積し直列に配置されるように蒸着し且つその金属薄
層の末端に信号取出電極を蒸着し、最後に金属板の開口
部から基板薄膜の感温接合部の反対面に赤外吸収層を蒸
着することを特徴とする熱電堆型赤外検出素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200016A JPS6177729A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 熱電堆型赤外検出素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200016A JPS6177729A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 熱電堆型赤外検出素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177729A true JPS6177729A (ja) | 1986-04-21 |
| JPH0462014B2 JPH0462014B2 (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=16417397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59200016A Granted JPS6177729A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | 熱電堆型赤外検出素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0476966A (ja) * | 1990-07-19 | 1992-03-11 | Anritsu Corp | 紫外線センサ |
| KR20170105409A (ko) * | 2016-03-09 | 2017-09-19 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 차지 펌프 회로, 반도체 시스템, 차량 및 반도체 장치의 제어 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120767A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Yoshio Furusawa | Stas type film thermocouple radiation detictor and its manufacturing m ethod |
| JPS52134786A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-11 | Fuji Electric Co Ltd | Radiation detector |
| JPS5739338U (ja) * | 1980-08-14 | 1982-03-03 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554420A (en) * | 1978-06-23 | 1980-01-12 | Takenaka Komuten Co Ltd | Method of and apparatus for treating mud or sludge |
-
1984
- 1984-09-25 JP JP59200016A patent/JPS6177729A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120767A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Yoshio Furusawa | Stas type film thermocouple radiation detictor and its manufacturing m ethod |
| JPS52134786A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-11 | Fuji Electric Co Ltd | Radiation detector |
| JPS5739338U (ja) * | 1980-08-14 | 1982-03-03 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0476966A (ja) * | 1990-07-19 | 1992-03-11 | Anritsu Corp | 紫外線センサ |
| KR20170105409A (ko) * | 2016-03-09 | 2017-09-19 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 차지 펌프 회로, 반도체 시스템, 차량 및 반도체 장치의 제어 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0462014B2 (ja) | 1992-10-02 |
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