JPS6176377A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
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- JPS6176377A JPS6176377A JP59198472A JP19847284A JPS6176377A JP S6176377 A JPS6176377 A JP S6176377A JP 59198472 A JP59198472 A JP 59198472A JP 19847284 A JP19847284 A JP 19847284A JP S6176377 A JPS6176377 A JP S6176377A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thermal head
- thermal
- favorable
- broken
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は感熱式記録装置におけるサーマルヘッド、特に
薄膜、厚膜もしくは半導体技術を用いて所定のパターン
を形成するサーマルヘッドの基板構造に関する。
薄膜、厚膜もしくは半導体技術を用いて所定のパターン
を形成するサーマルヘッドの基板構造に関する。
感熱式記録装置は、その静粛性、高信頼性、低価格等の
特長を生かし近年普及の著しい記録方式である。その記
録厚理は、サーマルヘッドを感熱記録紙に圧接し、サー
マルヘッドに設けられた発熱体で感熱記録を加熱し発色
させて、文字及び図形等を発熱体形状（ドツト状）の連
続として表現するものである。
特長を生かし近年普及の著しい記録方式である。その記
録厚理は、サーマルヘッドを感熱記録紙に圧接し、サー
マルヘッドに設けられた発熱体で感熱記録を加熱し発色
させて、文字及び図形等を発熱体形状（ドツト状）の連
続として表現するものである。
第４図はサーマルヘッドの全体の平面図である。
図中１はアルミナＡ ｔｔ ０３等の絶縁材料で所定寸
法に形成された基板、２はこの基板１上に印刷と焼成技
術を用いて形成されたグレーズ、３はグレーズ２の中央
部に設けられた発熱体であり、該発 ・熱体３は複数個
形成されており、各々隣接する発熱体間は電気的に絶縁
された状態にある。４は導体電極、５は共通電極であり
、両電極４，５は、アルミニウム等の金属材料で構成さ
れている。
法に形成された基板、２はこの基板１上に印刷と焼成技
術を用いて形成されたグレーズ、３はグレーズ２の中央
部に設けられた発熱体であり、該発 ・熱体３は複数個
形成されており、各々隣接する発熱体間は電気的に絶縁
された状態にある。４は導体電極、５は共通電極であり
、両電極４，５は、アルミニウム等の金属材料で構成さ
れている。
第４図の断面ＡＡの状態を第５図に示す。図中１は基板
、２はグレーズ、４は導体電極、５は共通電極、６はエ
ツチング工程におけるグレーズ２がエツチング液で侵さ
れるのを防ぐ目的で設けられたアンダーコート、７は例
えば窒化タンタルＴａｚＮなとで形成された発熱抵抗体
、８は例えば二酸化ケイ素Ｓ ｉｏｓ などで構成さ
れ、発熱抵抗体７、導体電極４、共通電極５の酸化防止
機能を有する酸化防止層、９は前記酸化防止層８の上層
として構成され例えば五酸化タンタルＴａｚＯｓなどの
材料で構成された耐摩耗層である。これらの各層は薄膜
技術、厚膜技術もしくは半導体技術を用いて膜生成がな
され、その後にフォトプロセスにより所定のパターンを
形成するものである。
、２はグレーズ、４は導体電極、５は共通電極、６はエ
ツチング工程におけるグレーズ２がエツチング液で侵さ
れるのを防ぐ目的で設けられたアンダーコート、７は例
えば窒化タンタルＴａｚＮなとで形成された発熱抵抗体
、８は例えば二酸化ケイ素Ｓ ｉｏｓ などで構成さ
れ、発熱抵抗体７、導体電極４、共通電極５の酸化防止
機能を有する酸化防止層、９は前記酸化防止層８の上層
として構成され例えば五酸化タンタルＴａｚＯｓなどの
材料で構成された耐摩耗層である。これらの各層は薄膜
技術、厚膜技術もしくは半導体技術を用いて膜生成がな
され、その後にフォトプロセスにより所定のパターンを
形成するものである。
第６図にサーマルヘッドの実装状態を示す。図中１０は
サーマルヘッド本体、１１はサーマルヘッド電極部に接
続されたＦＰＣ，１２は熱伝導性の良い金属などで形成
されたヒートシンクであり、該ヒートシンク１２４Ｃは
サーマルヘッド本体１０を位置決めするための突起１２
ａが形成されている。
サーマルヘッド本体、１１はサーマルヘッド電極部に接
続されたＦＰＣ，１２は熱伝導性の良い金属などで形成
されたヒートシンクであり、該ヒートシンク１２４Ｃは
サーマルヘッド本体１０を位置決めするための突起１２
ａが形成されている。
第７図（ａ）に基板の外観図を示す。図中１３はアルミ
ナＡノ２０３などで形成された基板、１４は基板１３の
表面に印刷と焼成技術により複数個形成されたグレーズ
、１３ａは前記基板１３の裏面に形成された縦方向の分
割溝、１３ｂは横方向の分割溝である。
ナＡノ２０３などで形成された基板、１４は基板１３の
表面に印刷と焼成技術により複数個形成されたグレーズ
、１３ａは前記基板１３の裏面に形成された縦方向の分
割溝、１３ｂは横方向の分割溝である。
第７図（ｂｌは第７図（ａ）のＢ−Ｂ紗上の断面図であ
り図中の符号は第７図（ａｌと同様に付している。
り図中の符号は第７図（ａｌと同様に付している。
以上述べた構成からなる従来例の問題点は坂下に列記す
る通りである。
る通りである。
■第７図（ｂｌに示すグレーズ１４の製造手法は、印刷
と焼成技術を用いるものであるが、通常のグレーズ高さ
寸法４０〜６０μｍを確保するには、印刷、鋳成工程を
数回繰り返すため手間がかかること、及び焼成によるグ
レーズの収縮作用により、基板１３とグレーズ１４の境
界線が精度良く形成できないなどの欠点がある。
と焼成技術を用いるものであるが、通常のグレーズ高さ
寸法４０〜６０μｍを確保するには、印刷、鋳成工程を
数回繰り返すため手間がかかること、及び焼成によるグ
レーズの収縮作用により、基板１３とグレーズ１４の境
界線が精度良く形成できないなどの欠点がある。
■第７図（ａ）Ｋ示す縦及び横方向の分割溝１３ａ。
１３ｂは、通常レーザースポット加工によるため、分割
溝形状が連続した線とならず不連続なミシン目状に形成
される。従って、前記分割溝１−ａ ａ 。
溝形状が連続した線とならず不連続なミシン目状に形成
される。従って、前記分割溝１−ａ ａ 。
１３ｂに沿って基板１３を分割し小基板化する工程にお
いて、分割性が悪く、しかも分割後の小基板の外形形状
が精度良く仕上がらない欠点がある。
いて、分割性が悪く、しかも分割後の小基板の外形形状
が精度良く仕上がらない欠点がある。
■第５図に示すように、発熱抵抗体７０ベースとなる基
板１．グレーズ２は、アルミナＡｌ！Ｏｘ 。
板１．グレーズ２は、アルミナＡｌ！Ｏｘ 。
ガラス等の絶縁材料であり、熱伝導−が２０ Ｗ、／ｍ
・Ｋ前後と極めて悪いものである。従って第５図の発熱
抵抗体７で発生した熱エネルギーが下層に位置する基板
１及びグレーズ２の両層で蓄熱されるため、熱応答性の
悪いサーマルヘッド即ち高速印字に対応出来ないという
欠点がある。更忙前記基板ｌ及びグレーズ２に蓄熱され
た熱エネルギーを放熱させるため、ＷＪＧ図に示すヒー
トシンク１２を大聖化しなければならず、サーマルヘッ
ド実装上の小型化に対応しにくいという欠点もある。
・Ｋ前後と極めて悪いものである。従って第５図の発熱
抵抗体７で発生した熱エネルギーが下層に位置する基板
１及びグレーズ２の両層で蓄熱されるため、熱応答性の
悪いサーマルヘッド即ち高速印字に対応出来ないという
欠点がある。更忙前記基板ｌ及びグレーズ２に蓄熱され
た熱エネルギーを放熱させるため、ＷＪＧ図に示すヒー
トシンク１２を大聖化しなければならず、サーマルヘッ
ド実装上の小型化に対応しにくいという欠点もある。
本発明は以上説明した従来例の問題点に鑑みなされたも
ので、その目的とするところは、グレーズ寸法を精度良
く形成するとともに、膜生成後の基板の分割性を向上さ
せ合わせて熱応答性の良いサーマルヘッドを提供するこ
とである。
ので、その目的とするところは、グレーズ寸法を精度良
く形成するとともに、膜生成後の基板の分割性を向上さ
せ合わせて熱応答性の良いサーマルヘッドを提供するこ
とである。
第１図（ａ）〜（ｄ）に本発明によるサーマルヘッド基
板の製造方法及び構成を示す。図中の１５は感光性ガラ
ス等で一定−形状に加工された基板であり、該基板１５
の破線部１５ａを除去することにより第７図（ｂ）に示
すグレーズ１４に相当するグレーズ用凸部Ｊ６が形成さ
れる。尚、前記破線部１５ａの除去は一般に薄膜製造技
術で用いられるフォトプロセスと同様の手法で実現でき
るものである。
板の製造方法及び構成を示す。図中の１５は感光性ガラ
ス等で一定−形状に加工された基板であり、該基板１５
の破線部１５ａを除去することにより第７図（ｂ）に示
すグレーズ１４に相当するグレーズ用凸部Ｊ６が形成さ
れる。尚、前記破線部１５ａの除去は一般に薄膜製造技
術で用いられるフォトプロセスと同様の手法で実現でき
るものである。
即ち、基板１５上にレジストパターンを形成後、エツチ
ング工程により不必要部分のガラスを除去するものであ
る。
ング工程により不必要部分のガラスを除去するものであ
る。
この処理において、本発明で使用する感光性ガラスは、
紫外線照射により、フッ酸等のエツチング液に対するエ
ツチングレートが上昇するという特性を有するため、レ
ジストパターン形成後除去する部分に紫外線照射するこ
とにより、パターニングがより一石容易になる。同様の
手法で第１図（ｂ）の破線＄１５ｂ、第１図（ｃｊの破
線部１５ｃを除去し、それぞれ放熱用凹部１７２分割溝
１８を形成するものである。
紫外線照射により、フッ酸等のエツチング液に対するエ
ツチングレートが上昇するという特性を有するため、レ
ジストパターン形成後除去する部分に紫外線照射するこ
とにより、パターニングがより一石容易になる。同様の
手法で第１図（ｂ）の破線＄１５ｂ、第１図（ｃｊの破
線部１５ｃを除去し、それぞれ放熱用凹部１７２分割溝
１８を形成するものである。
前記放熱用凹部１・７は前記従来例であげたサーマルヘ
ッドの基板側への蓄熱により熱応答性が損なわれるとい
う欠点を補なう目的で設けられる。
ッドの基板側への蓄熱により熱応答性が損なわれるとい
う欠点を補なう目的で設けられる。
単純に本発明に用いる感光性ガラスと従来例で示された
アルミナＡｔ！Ｏｔとの熱伝導率を比較すると、アルミ
ナＡｔ５Ｏｓが２０ Ｗ ／ ｍ−ｋに対し、感光性ガ
ラスは２．５５ Ｗ ／ ｍ−にと熱伝導率が小さい。
アルミナＡｔ！Ｏｔとの熱伝導率を比較すると、アルミ
ナＡｔ５Ｏｓが２０ Ｗ ／ ｍ−ｋに対し、感光性ガ
ラスは２．５５ Ｗ ／ ｍ−にと熱伝導率が小さい。
このことは、同一板厚で基板を構成したとき、感光性ガ
ラスの方が蓄熱しやすいことを示している。前記放熱用
凹部１７は、この欠点を解消するために設けられ、後述
する膜生成技術を用いて放熱用凹部１７に金属層を充填
するものである。第１図はそれぞれ単品の状態のみ図示
しているが、基板の形成状態は、第７図に示すように複
数の小基板の集合として処理されていることは当然であ
る。
ラスの方が蓄熱しやすいことを示している。前記放熱用
凹部１７は、この欠点を解消するために設けられ、後述
する膜生成技術を用いて放熱用凹部１７に金属層を充填
するものである。第１図はそれぞれ単品の状態のみ図示
しているが、基板の形成状態は、第７図に示すように複
数の小基板の集合として処理されていることは当然であ
る。
第１図（ｄ） において、１９は前記放熱用凹部の底辺
部に薄膜製造技術等により設けられた例えばアルミニウ
ムなどからなる第一金属層、２ｏは該第−金属層１９の
上層に位置し無電解メッキ等の手法で形成された例えば
ニッケルなどからなる第二金属層である。
部に薄膜製造技術等により設けられた例えばアルミニウ
ムなどからなる第一金属層、２ｏは該第−金属層１９の
上層に位置し無電解メッキ等の手法で形成された例えば
ニッケルなどからなる第二金属層である。
第２図に本発明によるサーマルヘッドの断面図を示す。
図中１５は基板でその上にアンダーコート６、発熱抵抗
体７．導体電極４．共通電極５゜酸化防止層８．耐摩耗
層９の各層を薄膜技術、厚膜技術もしくは半導体技術を
用いて積層し形成することは従来例と同様である。
体７．導体電極４．共通電極５゜酸化防止層８．耐摩耗
層９の各層を薄膜技術、厚膜技術もしくは半導体技術を
用いて積層し形成することは従来例と同様である。
以上説明したような本発明による基板構造をとると以下
に列記するような効果が期待できる。
に列記するような効果が期待できる。
■第２図に示すグレーズ用凸部１６の形状を精度良く形
成できることから発熱抵抗体７の高さ寸法を精度良く形
成でき、従って感熱紙との圧接状態が均等となるため印
字品質の良いサーマルヘッドが提供できる。
成できることから発熱抵抗体７の高さ寸法を精度良く形
成でき、従って感熱紙との圧接状態が均等となるため印
字品質の良いサーマルヘッドが提供できる。
■第１図（ｄ） Ｉｃ示す分割溝１８の断面形状を連続
して形成できることから、サーマルヘッドパターン形成
後の分割性の向上が図れる。叉Ｋ、サーマルヘッド外形
寸法の精度も高められるという効果も同時に期待できる
。
して形成できることから、サーマルヘッドパターン形成
後の分割性の向上が図れる。叉Ｋ、サーマルヘッド外形
寸法の精度も高められるという効果も同時に期待できる
。
■第２図に示すように、発熱ドツト部７ａと対応した位
置に第−金Ｆ［［１９と第二金属層２ｏを形成しである
ことから矢印Ｃ方向の放熱効果が期待でき、熱応答性の
良いサーマルヘッドを提供できる。この効果を第３図を
用いて説明する。第３図（ａ）はサーマルヘッドに印加
する電圧パルスをグラフ化したもので、図中２１は単独
に印加電圧を加えたもの２１ａは電圧の立上がり、２１
ｂは電圧の立下がりを示し、ｔｌはオンタイムである８
また２２ａ〜２２ｄは連続して４回印加電圧を周期１、
で加えたものである。
置に第−金Ｆ［［１９と第二金属層２ｏを形成しである
ことから矢印Ｃ方向の放熱効果が期待でき、熱応答性の
良いサーマルヘッドを提供できる。この効果を第３図を
用いて説明する。第３図（ａ）はサーマルヘッドに印加
する電圧パルスをグラフ化したもので、図中２１は単独
に印加電圧を加えたもの２１ａは電圧の立上がり、２１
ｂは電圧の立下がりを示し、ｔｌはオンタイムである８
また２２ａ〜２２ｄは連続して４回印加電圧を周期１、
で加えたものである。
第３図（ｂ）は、横軸に時間、縦軸にサーマルヘッド表
面温度をとり、第３図（ａ）に示す印加電圧を付加した
ときの熱応答曲線を示す。図中実線で示される２３は本
発明によるサーマルヘッドの特性であり、一点鎖線で示
される２４は従来例のサーマルヘッドの特性である。二
つのサーマルヘッドの熱応答特性を比較すると第３図（
ａ）に示す単発パルス２４を印加したとき本発明による
サーマルヘッドは、常温Ｔ１から最高温度Ｔ２に達した
のち１１時間後に常温に復帰するのに対し、従来例のサ
ーマルヘッドではｔ４時間後即ち本発明によるサーマル
ヘッドに比べΔを時間遅れて常温に復帰する。このこと
は、サーマルヘッドの構造において本発明の構成が熱伝
導性の良い金属層を設けているのに対し、従来例の構成
では熱伝導性の悪いアルミナＭ２Ｏ１の基板そのままで
あり、放熱効果沈着しい差異があることによるものであ
る。
面温度をとり、第３図（ａ）に示す印加電圧を付加した
ときの熱応答曲線を示す。図中実線で示される２３は本
発明によるサーマルヘッドの特性であり、一点鎖線で示
される２４は従来例のサーマルヘッドの特性である。二
つのサーマルヘッドの熱応答特性を比較すると第３図（
ａ）に示す単発パルス２４を印加したとき本発明による
サーマルヘッドは、常温Ｔ１から最高温度Ｔ２に達した
のち１１時間後に常温に復帰するのに対し、従来例のサ
ーマルヘッドではｔ４時間後即ち本発明によるサーマル
ヘッドに比べΔを時間遅れて常温に復帰する。このこと
は、サーマルヘッドの構造において本発明の構成が熱伝
導性の良い金属層を設けているのに対し、従来例の構成
では熱伝導性の悪いアルミナＭ２Ｏ１の基板そのままで
あり、放熱効果沈着しい差異があることによるものであ
る。
次に連続パルスでサーマルヘッドを駆動した場合を比較
すると、本発明によるサーマルヘッドでは、印加電圧の
パルス周期１１時間より短かいｔ１時間でサーマルヘッ
ド表面温度が常温に復帰するため、第３図（ｂ）の実線
２５で示す熱応答特性に対し従来例のヘッドでは前記印
加電圧のパルス周期１２時間より長いｔ４時間でサーマ
ルヘッド表面温度が常温に復帰することから第３図中）
の一点鎖線２６で示される熱応答特性となる。即ち、第
一の印加パルス２２ａを印加後ｔ！待時間後まり第二の
印加パルスを印加する時点では、常温Ｔ、より３１度高
いＴ１温度にサーマルヘッドの表面温度があり、サーマ
ルヘッドに蓄熱された状態で第二、第三の印加電圧を加
えると、Ｔ３温度はＴ４． Ｔ、と推移し破線゛Ｄで示
されるカーブで昇温してい（ため、最終的にはサーマル
ヘッドの熱破壊が起る。以上の問題点を回避するために
は、このサーマルヘッドの熱応答特性に見合った印加パ
ルス周期を設定しなけ孔ばならず、このことは、サーマ
ルヘッドが高速印字に対応できないという欠点となる。
すると、本発明によるサーマルヘッドでは、印加電圧の
パルス周期１１時間より短かいｔ１時間でサーマルヘッ
ド表面温度が常温に復帰するため、第３図（ｂ）の実線
２５で示す熱応答特性に対し従来例のヘッドでは前記印
加電圧のパルス周期１２時間より長いｔ４時間でサーマ
ルヘッド表面温度が常温に復帰することから第３図中）
の一点鎖線２６で示される熱応答特性となる。即ち、第
一の印加パルス２２ａを印加後ｔ！待時間後まり第二の
印加パルスを印加する時点では、常温Ｔ、より３１度高
いＴ１温度にサーマルヘッドの表面温度があり、サーマ
ルヘッドに蓄熱された状態で第二、第三の印加電圧を加
えると、Ｔ３温度はＴ４． Ｔ、と推移し破線゛Ｄで示
されるカーブで昇温してい（ため、最終的にはサーマル
ヘッドの熱破壊が起る。以上の問題点を回避するために
は、このサーマルヘッドの熱応答特性に見合った印加パ
ルス周期を設定しなけ孔ばならず、このことは、サーマ
ルヘッドが高速印字に対応できないという欠点となる。
この点、本発明によれば、熱応答特性が良好な即ち高速
印字が可能なサーマルヘッドを提供しうるという効果が
期待できる。
印字が可能なサーマルヘッドを提供しうるという効果が
期待できる。
以上説明したように、本発明忙よれば、高印字品質で、
熱応答性の良い即ち高速印字可能なサーマルヘッドを提
供できるととも忙、従来の基板に比べ、低価格でかつ基
板分割性の高い即ち安価なサーマルヘッドを提供できる
。
熱応答性の良い即ち高速印字可能なサーマルヘッドを提
供できるととも忙、従来の基板に比べ、低価格でかつ基
板分割性の高い即ち安価なサーマルヘッドを提供できる
。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明によるサーマルヘッドの
基板製造方法を示す説明図、第２図は本発明によるサー
マルヘッドの断面図、第３図（ａ）ｔ （ｂ）は本発明
によるサーマルヘッドと従来のサーマルヘッドの熱応答
特性図、第４図はサーマルヘッドの全体の平面図、第５
図はそのＡＡ断面による従来のサーマルヘッドの断面図
、第６図はサーマルヘッドの実装状態を示す斜視図、第
７図（ａ） 、 （ｂ）は従来のサーマルヘッド基板の
製造工程を説明するための斜視図および断面図である。 ７・・・・・・発熱抵抗体、８・・・・・・酸化防止層
、９・・・・・・耐摩耗層、１５・・−・・・基板。 第１図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） 第２図 第３図 （ａλ 第４図 第６図 第７図 （ａ） ３ａ
基板製造方法を示す説明図、第２図は本発明によるサー
マルヘッドの断面図、第３図（ａ）ｔ （ｂ）は本発明
によるサーマルヘッドと従来のサーマルヘッドの熱応答
特性図、第４図はサーマルヘッドの全体の平面図、第５
図はそのＡＡ断面による従来のサーマルヘッドの断面図
、第６図はサーマルヘッドの実装状態を示す斜視図、第
７図（ａ） 、 （ｂ）は従来のサーマルヘッド基板の
製造工程を説明するための斜視図および断面図である。 ７・・・・・・発熱抵抗体、８・・・・・・酸化防止層
、９・・・・・・耐摩耗層、１５・・−・・・基板。 第１図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） 第２図 第３図 （ａλ 第４図 第６図 第７図 （ａ） ３ａ
Claims (1)
- 基板上に分離して設けられた複数個の発熱体と、この発
熱体の両端に形成された電極と、該発熱体、電極全体を
被覆する絶縁保護層とで構成されたサーマルヘッドにお
いて、前記基板を感光性ガラスで構成し、前記発熱体と
対応する位置でかつ前記基板の表面側に設けられた凸部
と、当該凸部と対向する位置で、かつ前記基板の裏面側
に設けられた凹部と、当該凹部に充填される金属層と、
所定のパターン毎に複数枚の小基板に分割されるべくあ
らかじめ設けられる断面形状を台形状とする分割溝とが
前記基板に一体となつて設けられたことを特徴とするサ
ーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59198472A JPS6176377A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59198472A JPS6176377A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6176377A true JPS6176377A (ja) | 1986-04-18 |
Family
ID=16391672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59198472A Pending JPS6176377A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6176377A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1018750A1 (en) * | 1997-07-03 | 2000-07-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistor and method of producing the same |
-
1984
- 1984-09-25 JP JP59198472A patent/JPS6176377A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1018750A1 (en) * | 1997-07-03 | 2000-07-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistor and method of producing the same |
| EP1018750A4 (en) * | 1997-07-03 | 2008-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | RESISTANCE AND ITS MANUFACTURING PROCESS |
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