JPS6175588A - セラミツク多層配線基板材料 - Google Patents
セラミツク多層配線基板材料Info
- Publication number
- JPS6175588A JPS6175588A JP59196695A JP19669584A JPS6175588A JP S6175588 A JPS6175588 A JP S6175588A JP 59196695 A JP59196695 A JP 59196695A JP 19669584 A JP19669584 A JP 19669584A JP S6175588 A JPS6175588 A JP S6175588A
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- JP
- Japan
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- multilayer wiring
- wiring board
- alumina
- mullite
- silica
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、セラミック多層配線基板材料及びその製造方
法に係り、特に電気信号の入出力のだめのピンを取り付
けたシ半導体部品を塔載して機能モジュールを構成する
だめのセラミック基板材料に好適なものである。
法に係り、特に電気信号の入出力のだめのピンを取り付
けたシ半導体部品を塔載して機能モジュールを構成する
だめのセラミック基板材料に好適なものである。
近年、ＬＳＩ等の集積回路は、高速化、高密度にともな
って、放熱や素子の高速化を計るために回路基板上に直
接チップを実装する方式が用いられるようになってきて
いる。しかしながら、この実装方式においては、−ＬＳ
Ｉ等の集積回路のサイズが大きくなるにつれて、Ｔ、
Ｓ Ｉ等の集イ★回路材料と回路基板材料との間で実装
時の温度変化によって生ずる応力が大きくなるという問
題があった。
って、放熱や素子の高速化を計るために回路基板上に直
接チップを実装する方式が用いられるようになってきて
いる。しかしながら、この実装方式においては、−ＬＳ
Ｉ等の集積回路のサイズが大きくなるにつれて、Ｔ、
Ｓ Ｉ等の集イ★回路材料と回路基板材料との間で実装
時の温度変化によって生ずる応力が大きくなるという問
題があった。
すなわち、従来より一般に回路基板として使用されてい
るアルミナの熱膨張係数は７５Ｘ１０ル乍（室温〜５０
０Ｃ）であり、この値は、ＬＳＩ等の集積回路の材料で
あるシリコンの熱膨張係数３０ Ｘ ］、 ］０−７／
Ｃ室温〜５００Ｃ）ＶＣ比べて２倍以上太きいため、実
装時の温度変化により生ずる応力が大きくなり、接続部
の信頼性低下という問題があった。また、アルミナを主
成分とする焼結体を絶縁体に使った基板の問題は、電気
信号の伝播速度が遅いということであり、この原因とし
ては、アルミナ自身の比誘電率が約１０ （ｉ ＭＨｚ
）と大きいためである。
るアルミナの熱膨張係数は７５Ｘ１０ル乍（室温〜５０
０Ｃ）であり、この値は、ＬＳＩ等の集積回路の材料で
あるシリコンの熱膨張係数３０ Ｘ ］、 ］０−７／
Ｃ室温〜５００Ｃ）ＶＣ比べて２倍以上太きいため、実
装時の温度変化により生ずる応力が大きくなり、接続部
の信頼性低下という問題があった。また、アルミナを主
成分とする焼結体を絶縁体に使った基板の問題は、電気
信号の伝播速度が遅いということであり、この原因とし
ては、アルミナ自身の比誘電率が約１０ （ｉ ＭＨｚ
）と大きいためである。
従って、この信号伝播速度が遅いという問題点を解決す
るためには、比誘電率の小さい絶縁体を用いた基板が研
究開発されている。その−例が、特開昭５７−１１５８
９５号「ムライト焼結体およびその製造法」である。こ
の公報の記事によれば主成分であるムライト粉７０重曽
部、ガラス粉３０重量部（Ｓ１０２；５５％、Ａｔ２０
．： ３０％、 Ｍｇ０９％、Ｃａｂ： ６％）の組成
物の焼結体をセラミック絶縁体として用いれば、比誘電
率が６以下（ＩＭＨｚ）と小さく、電気絶縁性、機械的
強度である抗折強度が１１〜１５ ｋｇ ｆ ／ｌｎｍ
２ と十分満足しうるものであるとｆｉｅ＃れている
。
るためには、比誘電率の小さい絶縁体を用いた基板が研
究開発されている。その−例が、特開昭５７−１１５８
９５号「ムライト焼結体およびその製造法」である。こ
の公報の記事によれば主成分であるムライト粉７０重曽
部、ガラス粉３０重量部（Ｓ１０２；５５％、Ａｔ２０
．： ３０％、 Ｍｇ０９％、Ｃａｂ： ６％）の組成
物の焼結体をセラミック絶縁体として用いれば、比誘電
率が６以下（ＩＭＨｚ）と小さく、電気絶縁性、機械的
強度である抗折強度が１１〜１５ ｋｇ ｆ ／ｌｎｍ
２ と十分満足しうるものであるとｆｉｅ＃れている
。
しかし、このような利点があるにもかかわらずムライト
系のセラミックが多層配線基板の分野で適用されにくい
理由は、アルミナ基板はどの熱的機樟的１牛質がないた
めである。
系のセラミックが多層配線基板の分野で適用されにくい
理由は、アルミナ基板はどの熱的機樟的１牛質がないた
めである。
従って、基板への入出力用のビン等のろう付は工程で熱
による応力で発生する基板のクラック及び表面メタライ
ズのはく離等の欠陥が発生し、高品質で且つ畠信幀性の
多層配線基板内料が歩留り良く得られないという問題が
あった。
による応力で発生する基板のクラック及び表面メタライ
ズのはく離等の欠陥が発生し、高品質で且つ畠信幀性の
多層配線基板内料が歩留り良く得られないという問題が
あった。
本発明の目的は、ムライト系多層配線基板において、低
比誘電率で且つ高強度のセラミック多層配線基板材料及
びその製造方法を提供することにある。
比誘電率で且つ高強度のセラミック多層配線基板材料及
びその製造方法を提供することにある。
本発明の要旨とするところけ、セラミック絶縁材料と導
体材料を交互に積層してなる多層配線基板において、七
ラミック絶縁材料として、ムライトを主成分とし、焼結
助剤としてシリカを７〜２５ｗｔ％、アルカリ土類金禎
酸化物とアルミナのトータル添加量を０．１〜７ｗｔ％
にすることを特徴とするセラミック多層配線基板材ｆ”
ｌ及びその製造方法にある。すなわち、現在セラミック
多層配線基板の主流であるアルミナは、アルミナ自身の
熱膨張係数７５ Ｘ ｌ Ｏ−７／Ｃで、Ｔ、ＳＩ等の
集積回路材料であるシリコンの熱膨張係数３０ｘ１０−
７／ｌｌ：’（室温〜５００’Ｃ）ＶＣ比べ、約２倍以
上大きい。
体材料を交互に積層してなる多層配線基板において、七
ラミック絶縁材料として、ムライトを主成分とし、焼結
助剤としてシリカを７〜２５ｗｔ％、アルカリ土類金禎
酸化物とアルミナのトータル添加量を０．１〜７ｗｔ％
にすることを特徴とするセラミック多層配線基板材ｆ”
ｌ及びその製造方法にある。すなわち、現在セラミック
多層配線基板の主流であるアルミナは、アルミナ自身の
熱膨張係数７５ Ｘ ｌ Ｏ−７／Ｃで、Ｔ、ＳＩ等の
集積回路材料であるシリコンの熱膨張係数３０ｘ１０−
７／ｌｌ：’（室温〜５００’Ｃ）ＶＣ比べ、約２倍以
上大きい。
このため、アルミナ系多層配線基板へＬ Ｓ Ｉなどの
シリコン半導体チップを直接半田などで接続する場合、
半田接続部に熱膨張係数差に伴う熱応力ｌ−が発生し、
実装の高寿命が得られない欠点がある。
シリコン半導体チップを直接半田などで接続する場合、
半田接続部に熱膨張係数差に伴う熱応力ｌ−が発生し、
実装の高寿命が得られない欠点がある。
′ ノ （、）特に、Ｌ
ＳＩチップの大型化、高密度化による半田接続部の微細
化は実装寿命を増々悪化させる傾向にある。
ＳＩチップの大型化、高密度化による半田接続部の微細
化は実装寿命を増々悪化させる傾向にある。
この問題を解決するためには、多層配線基板の熱膨張係
数をシリコンに近づけると共に、多層配線基板内の嘔気
信号の伝播速度の高速化をはかるためＶｃＦｉ、低比誘
電率の基板材料を開発する必要がある。この目的のため
に、ムライト（３Ａｔ２ Ｏ３・２ Ｓ ｉ ０２ ）
系の焼結体を用いた多層配線基板が考えられる。その理
由は、ムライト自身の熱膨張係数が４５〜６５ Ｘ １
０−７／Ｃとシリコンのそれに近く、且つ、比誘電率が
約７ （Ｉ ＭＨｚ ）と低いためである。しかし、ム
ライトの組成であるアルミナ（Ａｔ２ （−）ｓ ）と
シリカ（Ｓｉ２０）を混合した系で多層配線基板を作製
しようとした場合、アルミナ系多層配線基板に適用され
ている焼成温度１６００Ｃ付近では、アルミナ、シリカ
などが未反応の状態で残り、多孔質であり、熱膨張係数
が大きいなどの欠点がある。ち密質のムライト材料を作
製するためには１ｓｏｏｃ以上の高温で焼結しなければ
ならず、量産する上で適する炉がないなどの問題がある
。そこで、１６００ｔＺ’付近の温度で焼結できるムラ
イト材料の開発が必要であった。
数をシリコンに近づけると共に、多層配線基板内の嘔気
信号の伝播速度の高速化をはかるためＶｃＦｉ、低比誘
電率の基板材料を開発する必要がある。この目的のため
に、ムライト（３Ａｔ２ Ｏ３・２ Ｓ ｉ ０２ ）
系の焼結体を用いた多層配線基板が考えられる。その理
由は、ムライト自身の熱膨張係数が４５〜６５ Ｘ １
０−７／Ｃとシリコンのそれに近く、且つ、比誘電率が
約７ （Ｉ ＭＨｚ ）と低いためである。しかし、ム
ライトの組成であるアルミナ（Ａｔ２ （−）ｓ ）と
シリカ（Ｓｉ２０）を混合した系で多層配線基板を作製
しようとした場合、アルミナ系多層配線基板に適用され
ている焼成温度１６００Ｃ付近では、アルミナ、シリカ
などが未反応の状態で残り、多孔質であり、熱膨張係数
が大きいなどの欠点がある。ち密質のムライト材料を作
製するためには１ｓｏｏｃ以上の高温で焼結しなければ
ならず、量産する上で適する炉がないなどの問題がある
。そこで、１６００ｔＺ’付近の温度で焼結できるムラ
イト材料の開発が必要であった。
この目的のために、ムライトとガラスとからなる材料が
考えられる。その−例として、ムライト焼結体およびそ
の製造法（％開昭５７−１１５８９５号）がある。この
例は、ガラスとして例えばコージェライト（２Ａｔ２０
３・２Ｍｇ０・５Ｓｉ０２）組成よりなっている。しか
し、この材料は、ムライト結晶が、ガラスまたはガラス
から生成する結晶により結合されたものである。したが
って、材料の強度はムライト結晶を結合するガラスまた
はそれから生成する結晶に左右される。実際、この材料
の強度は最大１６ ｋｇ ｆ ／１ｒｒｎ２である。こ
のため、多層配線基板に信号の入出力用のビンをろう付
けした場合、ろう材料と多層配線基板との熱膨張係数差
により、基板にクラックを生ずる。ムライト系材料を用
いて有用な多層配線基板を得るためには、さらに強度の
大きい材料を開発することが必要である。
考えられる。その−例として、ムライト焼結体およびそ
の製造法（％開昭５７−１１５８９５号）がある。この
例は、ガラスとして例えばコージェライト（２Ａｔ２０
３・２Ｍｇ０・５Ｓｉ０２）組成よりなっている。しか
し、この材料は、ムライト結晶が、ガラスまたはガラス
から生成する結晶により結合されたものである。したが
って、材料の強度はムライト結晶を結合するガラスまた
はそれから生成する結晶に左右される。実際、この材料
の強度は最大１６ ｋｇ ｆ ／１ｒｒｎ２である。こ
のため、多層配線基板に信号の入出力用のビンをろう付
けした場合、ろう材料と多層配線基板との熱膨張係数差
により、基板にクラックを生ずる。ムライト系材料を用
いて有用な多層配線基板を得るためには、さらに強度の
大きい材料を開発することが必要である。
この目的のために、ムライト曖とガラス量の比率、ガラ
ス材料の組成などを検討してきた。
ス材料の組成などを検討してきた。
多層配線基板材料の熱膨張係数をシリコンに近づけ、低
比誘電率で、且つ高強度の多層配線基板材料を製造する
ためには、ムライトを主成分とし、焼結助剤としてシリ
カを７〜２５ ｗｔ％、 アルカリ土類金属酸化物とア
ルミナのトータル添加量を０．１〜７ｗｔ％にして焼結
体を製造すれば良い。組成物の製造に用いるアルカリ土
類金属酸化物は、一般的に反応しやすく、不安定なので
、好ましくは炭酸物、水酸化物等を使用する。
比誘電率で、且つ高強度の多層配線基板材料を製造する
ためには、ムライトを主成分とし、焼結助剤としてシリ
カを７〜２５ ｗｔ％、 アルカリ土類金属酸化物とア
ルミナのトータル添加量を０．１〜７ｗｔ％にして焼結
体を製造すれば良い。組成物の製造に用いるアルカリ土
類金属酸化物は、一般的に反応しやすく、不安定なので
、好ましくは炭酸物、水酸化物等を使用する。
本発明に用いる焼結助剤である前記成分を用いるという
ことは、まず、シリカについて述べるとシリカ自身の比
誘電率が約４ （Ｉ ＭＨｚ ）と小さいことと焼結時
の結晶粒の粒成長を抑制する効果があるため、強度が向
上し、現在用いられているアルミナの比誘電率約１０
（ＩＭＨｚ ）より低く、且つ、アルミナの強度に近づ
くことが出来るためである。シリカの添加前７〜２５ｗ
ｔ％が望ましい理由については、シリカ添加量が７ｗｔ
％より少ない場合は、焼結温度が高くなるのと、比誘電
率はそれほど低くならない。シリカ添加量が２５ｗｔ％
より多い場合は、シリカ添加量が多いため、比誘電
率は低くなる傾向にあるが焼結体の機械的性質が十分な
値を示さないため不適当である。従って、比誘電率が小
さく、十分な機械的性質を満足させるためには、シリカ
添加量を７〜２５ｗｔ％に配合すればよい。また、本発
明で、アルカリ土類金属酸化物とアルミナをトータルし
て０．１〜７ｗｔ％添加している理由としては、焼結体
への機械的強度の影響はそれほど大きな効果はないが、
導体であるタングステン及びモリブデンの焼結を助ける
効果が大なためである。すなわち、導体のタングステン
、モリブデンの焼結にはアルミナ。
ことは、まず、シリカについて述べるとシリカ自身の比
誘電率が約４ （Ｉ ＭＨｚ ）と小さいことと焼結時
の結晶粒の粒成長を抑制する効果があるため、強度が向
上し、現在用いられているアルミナの比誘電率約１０
（ＩＭＨｚ ）より低く、且つ、アルミナの強度に近づ
くことが出来るためである。シリカの添加前７〜２５ｗ
ｔ％が望ましい理由については、シリカ添加量が７ｗｔ
％より少ない場合は、焼結温度が高くなるのと、比誘電
率はそれほど低くならない。シリカ添加量が２５ｗｔ％
より多い場合は、シリカ添加量が多いため、比誘電
率は低くなる傾向にあるが焼結体の機械的性質が十分な
値を示さないため不適当である。従って、比誘電率が小
さく、十分な機械的性質を満足させるためには、シリカ
添加量を７〜２５ｗｔ％に配合すればよい。また、本発
明で、アルカリ土類金属酸化物とアルミナをトータルし
て０．１〜７ｗｔ％添加している理由としては、焼結体
への機械的強度の影響はそれほど大きな効果はないが、
導体であるタングステン及びモリブデンの焼結を助ける
効果が大なためである。すなわち、導体のタングステン
、モリブデンの焼結にはアルミナ。
アルカリ土類金属酸化物及びシリカの三元系で作るガラ
ス相が必要なためである。アルカリ土類金属酸化物とア
ルミナのトータル添加液としては、０．１〜７ｗｔ％が
望ましい。その理由については、トータル酸０．１ｗｔ
％ よシ少ない場合は、ガラス相が少ないため導体であ
るタングステン及びモリブデンの焼結を助ける効果が極
めて小さいためである。トータル量が７ｗｔ％ よυ多
い場合は、ガラス相は多いが、アルカリ土類金属酸化物
（Ｍｇｏ。
ス相が必要なためである。アルカリ土類金属酸化物とア
ルミナのトータル添加液としては、０．１〜７ｗｔ％が
望ましい。その理由については、トータル酸０．１ｗｔ
％ よシ少ない場合は、ガラス相が少ないため導体であ
るタングステン及びモリブデンの焼結を助ける効果が極
めて小さいためである。トータル量が７ｗｔ％ よυ多
い場合は、ガラス相は多いが、アルカリ土類金属酸化物
（Ｍｇｏ。
Ｂａｄ、 ｃａｏ、 ＳｒＯ等）及びアルミナの比誘電
率が約１０〜１１（ＩＭＨｚ）と大きいため、比誘電率
の小さい多層配線基板材料ができないためである。アル
カリ土類金属酸化物とアルミナのトータル添加量の配合
比による影響はそれほど大差はないが、機械的性質を考
慮するならばアルミナを多くした方が良い。
率が約１０〜１１（ＩＭＨｚ）と大きいため、比誘電率
の小さい多層配線基板材料ができないためである。アル
カリ土類金属酸化物とアルミナのトータル添加量の配合
比による影響はそれほど大差はないが、機械的性質を考
慮するならばアルミナを多くした方が良い。
従って、健全な多層配線基板材料を製造するためには、
ムライトを主成分とし、焼結助剤としてシリカを７〜２
５ｗｔ％、アルカリ土類金属酸化物とアルミナのトータ
ル量を０．１〜７ｗｔ％にして焼結すればよい。
ムライトを主成分とし、焼結助剤としてシリカを７〜２
５ｗｔ％、アルカリ土類金属酸化物とアルミナのトータ
ル量を０．１〜７ｗｔ％にして焼結すればよい。
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
なお、以下の例中に部とあるのは重量部を、俤とあるの
は重量％を意味する。
は重量％を意味する。
原料の配合組成を表１に示す。ムライト原料粉末（３Ａ
ｔ！ Ｏｓ ・２ Ｓ ＋ ０２ ）は平均粒径２μｍ
、石英原料粉末（ＳｉＯ２）ｉ″ｉ平均粒径１μｍ１ア
ルミナ原料粉末（Ａｔ２０３ ）は平均粒径０５μｍ１
アルカリ土類金属炭酸物または水酸化物は平均粒径Ｏ１
３〜１μｍである。これらの原料粉末を表１に示す配合
組成比に秤量し、原料配合粉末１００部に、樹脂として
平均重合度１０００のポリビニルブチラールを６．０部
をボールミルに入れ、３時間乾式混合する。さらに、可
塑剤としてブチルフタリルグリコール酸ブチル２．０部
、溶媒としてトリクロルエチレン６２部、テトラクロル
エチレン１３部及びノルマルブチルアルコール１７部の
混合溶剤を加え、２０時時間式混合しスラリーを作製す
る。ボールミルによりスラリー中に入った気泡を真空脱
気処理によシ除去する。次いで、スラＩＪ−をドクター
ブレードを用いてシリコンコートしたポリエステルフィ
ルム支持体上ＶＣＯ，２５ｔｒｎｎの厚さに塗布し、乾
燥炉に通して溶媒を飛散し、グリーンシートを作製する
。このグリーンシー）ヲ２００Ｘ２０（Ｉｗｍの大きさ
に切断した後、パンチ法により所定位置にスルーホール
をあける。さらに、タングステン粉末二ニトロセルロー
ス：エチルセルロース：ポリビニルプチラール：トリク
ロルエチレン＝１００：３：１：２：２３（重量比）の
導体ペーストをスクリーン印刷法によシ所定回路パター
ンにしたがって印刷する。導体ペーストは層間の接続の
ためのスルーホール内にも充填する。
ｔ！ Ｏｓ ・２ Ｓ ＋ ０２ ）は平均粒径２μｍ
、石英原料粉末（ＳｉＯ２）ｉ″ｉ平均粒径１μｍ１ア
ルミナ原料粉末（Ａｔ２０３ ）は平均粒径０５μｍ１
アルカリ土類金属炭酸物または水酸化物は平均粒径Ｏ１
３〜１μｍである。これらの原料粉末を表１に示す配合
組成比に秤量し、原料配合粉末１００部に、樹脂として
平均重合度１０００のポリビニルブチラールを６．０部
をボールミルに入れ、３時間乾式混合する。さらに、可
塑剤としてブチルフタリルグリコール酸ブチル２．０部
、溶媒としてトリクロルエチレン６２部、テトラクロル
エチレン１３部及びノルマルブチルアルコール１７部の
混合溶剤を加え、２０時時間式混合しスラリーを作製す
る。ボールミルによりスラリー中に入った気泡を真空脱
気処理によシ除去する。次いで、スラＩＪ−をドクター
ブレードを用いてシリコンコートしたポリエステルフィ
ルム支持体上ＶＣＯ，２５ｔｒｎｎの厚さに塗布し、乾
燥炉に通して溶媒を飛散し、グリーンシートを作製する
。このグリーンシー）ヲ２００Ｘ２０（Ｉｗｍの大きさ
に切断した後、パンチ法により所定位置にスルーホール
をあける。さらに、タングステン粉末二ニトロセルロー
ス：エチルセルロース：ポリビニルプチラール：トリク
ロルエチレン＝１００：３：１：２：２３（重量比）の
導体ペーストをスクリーン印刷法によシ所定回路パター
ンにしたがって印刷する。導体ペーストは層間の接続の
ためのスルーホール内にも充填する。
このグリーンシートをガイド穴の位置を合わせて１１重
積層し、ホットプレス装實で１２０ＣＸ２５ ｋｇ ／
ｃｍ ”で加圧し積層圧着することによりセラミック積
層板を作製する。次に、セラミック積層板を焼成炉内に
入れ、水素３〜７容量チを含み、かつ微量の水蒸気を含
む窒素雰囲気とし、１時間に１００Ｃ以下の昇温速度で
ゆっくり昇温し、セラミック積層板中の樹脂分を除去し
、その後、最高温度１６５０ｒで１時間保持して焼成す
る。これによシ、絶縁層１１層と導体層１２層が交互に
あるセラミック多層配線基板３となる。この基板の表面
層と裏面層の導体パターンに無電解ニッケルメッキ及び
無電解金メッキを施した後、カーボン治具を用いた通常
の方法で裏面層にコバールピンを金−スズロウを用いて
接続する。また、表面層には、シリコン半導体素子６を
フェーズダウンにて直接半田５でセラミック多層配線基
板３と接続して塔載した。
積層し、ホットプレス装實で１２０ＣＸ２５ ｋｇ ／
ｃｍ ”で加圧し積層圧着することによりセラミック積
層板を作製する。次に、セラミック積層板を焼成炉内に
入れ、水素３〜７容量チを含み、かつ微量の水蒸気を含
む窒素雰囲気とし、１時間に１００Ｃ以下の昇温速度で
ゆっくり昇温し、セラミック積層板中の樹脂分を除去し
、その後、最高温度１６５０ｒで１時間保持して焼成す
る。これによシ、絶縁層１１層と導体層１２層が交互に
あるセラミック多層配線基板３となる。この基板の表面
層と裏面層の導体パターンに無電解ニッケルメッキ及び
無電解金メッキを施した後、カーボン治具を用いた通常
の方法で裏面層にコバールピンを金−スズロウを用いて
接続する。また、表面層には、シリコン半導体素子６を
フェーズダウンにて直接半田５でセラミック多層配線基
板３と接続して塔載した。
各組成で焼成したムライト系材料の曲げ強さ、比誘電率
、熱膨張係数及びセラミック多層配線基板を作製した際
の導体との適合性の良否を表２に示す。総合評価として
は、曲げ強さ２０ｋｇ／ｍｍ”以上、比誘電率６．５以
下、熱膨張係数３０〜５０ｘｉｏ−７／Ｃで導体との適
合性が良いものを０゜１項目でも満足しないものは×と
した。
、熱膨張係数及びセラミック多層配線基板を作製した際
の導体との適合性の良否を表２に示す。総合評価として
は、曲げ強さ２０ｋｇ／ｍｍ”以上、比誘電率６．５以
下、熱膨張係数３０〜５０ｘｉｏ−７／Ｃで導体との適
合性が良いものを０゜１項目でも満足しないものは×と
した。
例えば、組成Ｎｏ３は、シリカを２６．９ ％添加した
ため、比誘電率は６．１と小さくなっているが曲げ強さ
が１８．６ｋｇ／ｗ２と小さくなっている。
ため、比誘電率は６．１と小さくなっているが曲げ強さ
が１８．６ｋｇ／ｗ２と小さくなっている。
また、組成Ｎｏ３０は、アルミナ及びマグネシアの添加
量が多いために、比誘電率が６．７と大きくなっている
。
量が多いために、比誘電率が６．７と大きくなっている
。
表１に示した配合組成で焼結体１を作製した結果表２に
示したようになり、従って、健全な多層配線基板材料を
製造するためには、ムライトを主成分とし、焼結助剤と
して、シリカを７〜２５ｗｔ係アルカリ土類金属酸化物
とアルミナのトータル量を０．１〜７ｗｔ％ にする
ことにより得られた。
示したようになり、従って、健全な多層配線基板材料を
製造するためには、ムライトを主成分とし、焼結助剤と
して、シリカを７〜２５ｗｔ係アルカリ土類金属酸化物
とアルミナのトータル量を０．１〜７ｗｔ％ にする
ことにより得られた。
曲げ強さ２０ｋｇ／ａｍ２以上、比誘電率６５以下、熱
膨張係数３０〜５０Ｘ１０−７／ｒで導体であるタング
ステンとの適合性も良いことがわかる。
膨張係数３０〜５０Ｘ１０−７／ｒで導体であるタング
ステンとの適合性も良いことがわかる。
凶凶凶−−凶一一凶−Ｐ−Ｉ Ｐ−Ｉ Ｆ−１１−１？
−１１−１＋Ｓ Ｆ−Ｉ Ｆ−１凶
へト −寸
のｃｉ Ｏ？−１００ｃ３
０−（Ｖ）■凶Ｑ ωロヘ■寸−囚Ｑ口の畔への％ Ａ
ｃｉ ｃＪ Ａ ｃｉ Ａ Ａ ｃｉ ｃ３ ｃ
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ｃｉｏｏｏＯ：ｌ ｒＱ寸トＯｔＱ寸トの寸トの−のり
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ＣＣ５ｍ〔発明の効果〕 本発明によれば、ムライト（３Ａｔ２０ ｓ・２ＳｉＯ
□）にシリカ（ＳｉＯ２）７〜２５ｗｔ％、アルカリ土
類金属酸化物（ＭｇＯ，Ｃａｂ、Ｂａｄ、５ｒＯ）
とアルミナ（Ａ４０３）のトータル量を０１〜７ｗｔ係
添加して焼結することにより比誘電率が低く、目４つ高
強度のセラミック多層配線基板月料が提供され、従来問
題になっていた熱による応力で発生する基板のクラック
及び基板とシリコンチップの接続部の断線等を防止し、
高品質で目、つ高倍軸性のセラミック多層配線基板材料
が傅られる。
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ＣＣ５ｍ〔発明の効果〕 本発明によれば、ムライト（３Ａｔ２０ ｓ・２ＳｉＯ
□）にシリカ（ＳｉＯ２）７〜２５ｗｔ％、アルカリ土
類金属酸化物（ＭｇＯ，Ｃａｂ、Ｂａｄ、５ｒＯ）
とアルミナ（Ａ４０３）のトータル量を０１〜７ｗｔ係
添加して焼結することにより比誘電率が低く、目４つ高
強度のセラミック多層配線基板月料が提供され、従来問
題になっていた熱による応力で発生する基板のクラック
及び基板とシリコンチップの接続部の断線等を防止し、
高品質で目、つ高倍軸性のセラミック多層配線基板材料
が傅られる。
図は七ラミック多層配線基板の碩、要図である。
Claims (1)
- １、セラミツク絶縁材料と導体材料を交互に積層してな
る多層配線基板において、セラミツク絶縁材料としてム
ライトを主成分とし、焼結助剤としてシリカ７〜２５ｗ
ｔ％アルカリ土類金属酸化物の群中の少なくとも１種以
上とアルミナのトータル添加量を０．１〜７ｗｔ％にす
ることを特徴とするセラミツク多層配線基板材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59196695A JPS6175588A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | セラミツク多層配線基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59196695A JPS6175588A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | セラミツク多層配線基板材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175588A true JPS6175588A (ja) | 1986-04-17 |
Family
ID=16362048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59196695A Pending JPS6175588A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | セラミツク多層配線基板材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6175588A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5723672A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-06 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Muddy water preparation agent for excavation |
| JPS58204871A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-29 | 富士通株式会社 | セラミツク組成物 |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP59196695A patent/JPS6175588A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5723672A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-06 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Muddy water preparation agent for excavation |
| JPS58204871A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-29 | 富士通株式会社 | セラミツク組成物 |
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