JPS6175587A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体レーザ装置の構成に関するもので、特
に半導体レーザチップを保持、保護する半導体レーザパ
ッケージに関するものである。

〔従来の技術〕

第３図及び第４図は従来の半導体レーザ装置を示す。図
において、１はレーザビームを出射する半導体レーザチ
ップ、２は該半導体レーザチップ１をマウントするため
のブロック、３は該ブロック２を保持するベースである
基台、４は一ト記半導体レーザチップ１から出射された
レーザビーム、５は上記半導体レーザチップ１からの出
力をモニターする光検知器、６は−Ｆ記半導体レーザチ
ップ１を保護する金属カバー、７は該金属カバー６に設
けられたレーザビーム４を透過せしめる出射窓、８は該
出射窓７を覆うように金属カバー６に装着されたカバー
ガラス、９ば上記半導体レーザチップ１に信号を供給す
るためのリード電極である。

（発明が解決しようとする問題点〕 ところで、」−記従来の半導体レーザ装置では、上記リ
ード電極９ばレーザビーム４の出射方向と同じ方向に延
びており、そのため該装置を機器に組み込んだ場合にレ
ーザビームの出射方向のスペースが大きくなり、そのた
め上記半導体レーザ装置では該装置を使用した機器の小
型化が困ｉｆｆであるという問題があった。

本発明は、上記従来装置の問題点に鑑みてなされたもの
で、レーザビームの出射方向の長さを短縮して機器の小
型化ができる半導体レーザ装置を提供することを目的と
している。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、半導体レーザチップと、該チップに信号を供
給するためのリード電極とを備えた半導体レーザ装置に
おいて、上記リード電極をレーザビームの出射方向と直
交する方向に配設したものである。

〔作用〕

本発明の半導体レーザ装置では、リード電極がレーザビ
ームの出射方向と直角になって該方向の長さが短縮され
、該装置を機器に組み込んだ場合に上記出射方向のスペ
ースが小さくてすむ。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図について説明する。

第１図及び第２図は本発明の一実施例を示し、図におい
て、１１は半導体レーザチップ１をマウントするブロッ
ク、１２は該半導体レーザチップ１から出射されたレー
ザビーム、１３は上記ブロック１１を保持するためのベ
ースで、該ベース１３は平板状のもので、これの略中夫
には切欠状の取付凹部１３ａが凹設されている。また該
ベース１３の上面は平坦に形成され、該装置を機器に取
付けるための基準面１３ｂになっており、また該ベース
１３の上記取付凹部左、右には半導体レーザ装置゛固定
用の穴１３ｄが貫通形成されている。

そして上記ブロック１１はベース１３の取付凹部１３ａ
の底面１３Ｃに、上記レーザビーム１２が基準面１３ｂ
に対して略垂直になるように取付けられている。さらに
また、上記ベース１３の取付凹部１３ａの開口部１３ｅ
には電極板゛１６が暇付けられ、該電極板１６にはリー
ド電極１５ａ、１５ｂ、１５ｃが挿入保持されており、
該リード電極１５ａ〜１５ｃは絶縁部材１７ａ　〜１７
ｃにより電極板１６から絶縁されている。

１８は保護用のカバーガラス、１９は該半導体レーザ装
置の出力をモニターする光検知器であり、上記ベース１
３の下面、上面に光検知器１９．カバーガラス１８が配
設されたサンドイッチ構造が構成され、また上記ベース
１３．電極板１６．カバーガラス１８．光検知器１９に
よって密閉空間が形成され、牛将該空間内にはチッ素ガ
ス等の不活性ガスが注入され、これにより半導体チップ
１を保護している。

以上のように本実施例では、リード電極１５ａ。

１５ｂ、１５ｃをレーザビーム１２の出射する軸方向と
、直交するような方向に設けたので、半導体レーザ装置
を機器に組み込んだ場合に、レーザビーム１２の出射す
る軸方向のスペースが小さくてすみ、半導体レーザ装置
を使用した機器の小型化ができる。

また、ベース１３を板状にしたのでプレス加工による製
作が可能であり、さらにカバーガラス１８とモニター用
の光検知器１９とによって、へ−ス１３をはさみ込むよ
うなサンドイッチ構造をとったので、従来のような形状
が複雑で高精度なベースは必要なくなり、構造を簡単に
でき、コス１−を低減できる。

なお、上記実施例では絶縁部材１７ａ〜１７ｃを用いて
リード電極を絶縁した場合について説明したが、上記実
施例では電極板１６がベース１３から分離されているの
で、電極板１６の材料にプラスチック材あるいはセラミ
ック材のような絶縁材を使用することもでき、このよう
にすれば別途！ｆ！ｌ縁部材を用いることなくリード電
極１５ａ、１５ｂ、１５ｃを容易に絶縁できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明に係る半導体レーザ装置に
よれば、リード電極をレーザビームの出射方向と直交す
る方向に設けたので、実際に機器に組み込んだ時の半導
体レーザ装置の専有スペースを小さくでき、機器を小型
化できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置の斜
視図、第２図はその分解斜視部、第３図は従来の半導体
レーザ装置の平面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線断
面図である。 ｌ・・・半導体し〜ザチソプ、１１・・・ブロック、１
２・・・レーザビーム、１３・・・ベース、１３ａ・・
・凹部、１３ｂ・・・基準面、１３Ｃ・・・底面、１３
ｅ・・・開口、１５８〜１５ｃ・・・リード電極、１６
・・・電極板、１８・・・カバーガラス、１９・・・光
検知器。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）レーザビームを出射する半導体レーザチップと、
   該チップに信号を供給するためのリード電極とを備えた
   半導体レーザ装置において、上記リード電極がレーザビ
   ームの出射方向と直交する方向に配設されていることを
   特徴とする半導体レーザ装置。
2. （２）上記半導体レーザチップをマウントするブロック
   を保持するベースは、平板状で切欠状の凹部を有し、該
   凹部の底面に上記ブロックが装着されていることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
3. （３）上記半導体レーザチップをマウントするブロック
   を保持するベースは、該半導体レーザ装置を被取付部材
   に取付けるための基準面を有し、上記ブロックは上記基
   準面に対して上記レーザビームが略垂直に出射するよう
   に装着されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項又は第２項記載の半導体レーザ装置。
4. （４）上記半導体レーザチップをマウントするブロック
   を保持するベース、上記レーザビームを透過させるカバ
   ーガラス及び上記レーザビームをモニターするための光
   検知器は、該ベースの取付基準面側、その反対側に各々
   カバーガラス、光検知器が配設されたサンドイッチ構造
   を構成していることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   ないし第３項のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
5. （５）上記リード電極は、上記ベースの凹部の開口部に
   取付けられた電極板に取付けられていることを特徴とす
   る特許請求の範囲第２項記載の半導体レーザ装置。
6. （６）上記電極板は、上記ベースの凹部底面に取付けら
   れた上記ブロックと対向していることを特徴とする特許
   請求の範囲第５項記載の半導体レーザ装置。
7. （７）上記半導体レーザチップをマウントするブロック
   を保持するベース、上記レーザビームを透過させるカバ
   ーガラス、上記レーザビームをモニターするための光検
   知器及びリード電極を支持する電極板によって密閉空間
   が形成され、該空間内に上記ブロックが配設されており
   、該空間には不活性ガスが充填されていることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記
   載の半導体レーザ装置。
8. （８）上記電極板は、セラミック等の絶縁材料を用いて
   形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第５項
   ないし第７項のいずれかに記載の半導体レーザ装置。