JPS6175546A - 半導体プラスチツクパツケ−ジのマ−キング前処理方法 - Google Patents
半導体プラスチツクパツケ−ジのマ−キング前処理方法Info
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- JPS6175546A JPS6175546A JP59197965A JP19796584A JPS6175546A JP S6175546 A JPS6175546 A JP S6175546A JP 59197965 A JP59197965 A JP 59197965A JP 19796584 A JP19796584 A JP 19796584A JP S6175546 A JPS6175546 A JP S6175546A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体プラスチックパッケージの表面にマー
キングを行なう際の前処理方法の改良に関する。
キングを行なう際の前処理方法の改良に関する。
最近、半導体製品のコストを低減する目的で半導体素子
をプラスチックで封止した構造の半導体製品が多く採用
されている。こうした半導体プラスチックパッケージの
製造における最終工程では、半導体の特性テストの結果
を表示するために、その表面にマーキングすることが行
われている。しかしながら、プラスチックパッケージの
表面にはプラスチック封止の工程で、封止金型表面から
の離型剤が被覆される。このため、プラスチックパッケ
ージ表面へのマーキングの接着強度が低下するという問
題があった。
をプラスチックで封止した構造の半導体製品が多く採用
されている。こうした半導体プラスチックパッケージの
製造における最終工程では、半導体の特性テストの結果
を表示するために、その表面にマーキングすることが行
われている。しかしながら、プラスチックパッケージの
表面にはプラスチック封止の工程で、封止金型表面から
の離型剤が被覆される。このため、プラスチックパッケ
ージ表面へのマーキングの接着強度が低下するという問
題があった。
このようなことから、従来よりマーキングの前処理とし
て、ノズルから砥粒を半導体プラスチックパッケージの
表面に吹付け、その表面を微視的に荒らすサンドブラス
ト方法、又は脱脂綿を用いアルコール等でプラスチック
パッケージの表面を拭き取る方法が行われている。
て、ノズルから砥粒を半導体プラスチックパッケージの
表面に吹付け、その表面を微視的に荒らすサンドブラス
ト方法、又は脱脂綿を用いアルコール等でプラスチック
パッケージの表面を拭き取る方法が行われている。
しかしながら、前者の方法では、砥粒が周辺に飛散り、
安全管理上、好ましくない。このため、通常は隔離され
た部屋で、しかも作業者は防護マスクやメガネを着用し
て作業を行なっている。また、前処理工程を組立てライ
ンとは別の箇所で行なう必要があるため、−貫した組立
て作業が困難となり、自動化のネックとなっていた。
安全管理上、好ましくない。このため、通常は隔離され
た部屋で、しかも作業者は防護マスクやメガネを着用し
て作業を行なっている。また、前処理工程を組立てライ
ンとは別の箇所で行なう必要があるため、−貫した組立
て作業が困難となり、自動化のネックとなっていた。
一方、アルコール等で拭き取る方法は多くの人手を必要
とし、生産性の向上が困難となる。
とし、生産性の向上が困難となる。
本発明は、半導体プラスチックパッケージを良好な環境
下で前処理でき、しかも前後工程との一貫性、自動化が
可能な半導体プラスチックパッケージのマーキング前処
理方法を提供しようとするものである。
下で前処理でき、しかも前後工程との一貫性、自動化が
可能な半導体プラスチックパッケージのマーキング前処
理方法を提供しようとするものである。
本発明は、高周波電力によるプラズマ発生系で生成され
た少なくとも活性ガスを半導体プラスチックパッケージ
に導入して、その表面改質を行なうことを特徴とするも
のである。かかる方法によれば、パッケージの表面で活
性ガスとプラスチックとが化学的に反応し・で、パッケ
ージ表面が微視的に凹凸となり、その結果マーキングに
使用される塗料との密着性が良好となり、接着強度の高
いマーキングを付与できる。また、従来のようなサンド
プラス１〜方法と異なり、真空中で行なうため、良好な
作業環境下で前処理することができる。
た少なくとも活性ガスを半導体プラスチックパッケージ
に導入して、その表面改質を行なうことを特徴とするも
のである。かかる方法によれば、パッケージの表面で活
性ガスとプラスチックとが化学的に反応し・で、パッケ
ージ表面が微視的に凹凸となり、その結果マーキングに
使用される塗料との密着性が良好となり、接着強度の高
いマーキングを付与できる。また、従来のようなサンド
プラス１〜方法と異なり、真空中で行なうため、良好な
作業環境下で前処理することができる。
上記活性ガスによる半導体プラスチックパッケージの表
面改質手段として、具体的には次のような二通りの方法
がある。一つは、プラズマ発生系内に半導体プラスチッ
クパッケージを設置し、高周波電力を投入すると共に、
該発生系に０２で希釈されたＣＦ４ガス、空気、Ｎ２と
０２混合ガスを導入し、真空中でプラズマを発生して前
記ガスを活性化し、プラズマと活性ガスによりパッケー
ジの表面改質を行なう方法。二つ目は、プラズマ発生系
に高周波電力、特にマイクロ波管からマイクロ波を導入
すると共に、前述した。２で希釈されたＣＦ４ガス、空
気、Ｎ２と０２混合ガスを該発生系に供給してその発生
系内を真空状態にしてプラズマを発生させ、ガスの活性
化を行ない、該発生系中の活性ガスのみを発生系とは別
の処理室に導入し、該処理室内に設置した半導体プラス
チックパッケージの表面改質を行なう方法。特に、公社
の方法は、処理室でプラズマを発生させていないため、
部屋形状に制約がなく、パッケージの処理邑やパッケー
ジを保持する治具の形状応じて自由に処理室の設計が可
能となる。しかも、前後工程との連結が可能な装置を実
現でき、自動化がより容易となる。
面改質手段として、具体的には次のような二通りの方法
がある。一つは、プラズマ発生系内に半導体プラスチッ
クパッケージを設置し、高周波電力を投入すると共に、
該発生系に０２で希釈されたＣＦ４ガス、空気、Ｎ２と
０２混合ガスを導入し、真空中でプラズマを発生して前
記ガスを活性化し、プラズマと活性ガスによりパッケー
ジの表面改質を行なう方法。二つ目は、プラズマ発生系
に高周波電力、特にマイクロ波管からマイクロ波を導入
すると共に、前述した。２で希釈されたＣＦ４ガス、空
気、Ｎ２と０２混合ガスを該発生系に供給してその発生
系内を真空状態にしてプラズマを発生させ、ガスの活性
化を行ない、該発生系中の活性ガスのみを発生系とは別
の処理室に導入し、該処理室内に設置した半導体プラス
チックパッケージの表面改質を行なう方法。特に、公社
の方法は、処理室でプラズマを発生させていないため、
部屋形状に制約がなく、パッケージの処理邑やパッケー
ジを保持する治具の形状応じて自由に処理室の設計が可
能となる。しかも、前後工程との連結が可能な装置を実
現でき、自動化がより容易となる。
上記プラズマ発生系に導入するガスとしてＣＦ４と０２
とのガスを使用した場合には、ＣＦ４５〜１５重量％、
０２９５〜８５％の範囲することが好ましい。また、真
空度は０．１〜Ｑ、ｇｔｏｒｒの範囲することが望まし
い。
とのガスを使用した場合には、ＣＦ４５〜１５重量％、
０２９５〜８５％の範囲することが好ましい。また、真
空度は０．１〜Ｑ、ｇｔｏｒｒの範囲することが望まし
い。
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
第１図は本実施例に用する前処理装置の概略図であり、
図中の１はプラズマ発生チャンバである。
図中の１はプラズマ発生チャンバである。
このチャンバ１にはマイクロ波発生器２がマイク０波導
波管３を介して連結されている。前記チャンバ１の左端
には、ガス導入管４が連結されている。前記チャンバ１
の右端には輸送管５が連結されている。この輸送管５が
処理室６内に挿入されており、かつ該輸送管５の先端に
はノズル７が付設されている。また、前記処理室６の下
部には、排気管８が設けられている。この排気管８は図
示しない真空ポンプに連結されている。
波管３を介して連結されている。前記チャンバ１の左端
には、ガス導入管４が連結されている。前記チャンバ１
の右端には輸送管５が連結されている。この輸送管５が
処理室６内に挿入されており、かつ該輸送管５の先端に
はノズル７が付設されている。また、前記処理室６の下
部には、排気管８が設けられている。この排気管８は図
示しない真空ポンプに連結されている。
次に、前述した第１図図示の前処理装置を用いて半導体
プラスチックパッケージの前処理方法を説明する。
プラスチックパッケージの前処理方法を説明する。
まず、処理室６内に半導体プラスチックパッケージ９を
セットシた。つづいて、図示しない真空ポンプを作動し
て処理室６内を０．５ｔｏｒｒ程度の真空度にすると共
に、輸送管５を通してチャンバ１内も同様な真空度した
。ひきつづき、ガス導入管４からＣＦ４ ：０２の比が
１：１０の混合ガスを供給し、同時にマイクロ波発生器
２がら５００Ｗのマイクロ波を導波管３を通してチャン
バ１に投入してチャンバ１内にプラズマを発生する−６
＝ と共に、前記混合ガスを活性化した。次いで、チャンバ
１内の活性ガスを輸送管５を通してその先端のノズル７
から処理室６内のパッケージ９に吹付けて該パッケージ
９の表面を改質して前処理を行なった。
セットシた。つづいて、図示しない真空ポンプを作動し
て処理室６内を０．５ｔｏｒｒ程度の真空度にすると共
に、輸送管５を通してチャンバ１内も同様な真空度した
。ひきつづき、ガス導入管４からＣＦ４ ：０２の比が
１：１０の混合ガスを供給し、同時にマイクロ波発生器
２がら５００Ｗのマイクロ波を導波管３を通してチャン
バ１に投入してチャンバ１内にプラズマを発生する−６
＝ と共に、前記混合ガスを活性化した。次いで、チャンバ
１内の活性ガスを輸送管５を通してその先端のノズル７
から処理室６内のパッケージ９に吹付けて該パッケージ
９の表面を改質して前処理を行なった。
しかして、本発明によればプラズマ発生チャンバ１から
の活性ガスをパッケージ９がセットされた処理室６に導
入することによって、パッケージ９の表面で活性ガスと
プラスチックとが化学的に反応するため、パッケージ９
の表面が微視的に凹凸が形成される。その結果、前処理
を施した後のパッケージ９に塗料を使用してマーキング
を行なうと、従来のサンドブラスト法と同等乃至それ以
上高い密着力を有するマーキングを付与できる。
の活性ガスをパッケージ９がセットされた処理室６に導
入することによって、パッケージ９の表面で活性ガスと
プラスチックとが化学的に反応するため、パッケージ９
の表面が微視的に凹凸が形成される。その結果、前処理
を施した後のパッケージ９に塗料を使用してマーキング
を行なうと、従来のサンドブラスト法と同等乃至それ以
上高い密着力を有するマーキングを付与できる。
また、従来のサンドブラスト法のように砥粒の飛散等が
ないため、作業環境を著しく改善できると共に、該砥粒
によるパッケージの汚染等を防止でき高信頼性のマーキ
ングが付与されたパッケージを得ることができる。
ないため、作業環境を著しく改善できると共に、該砥粒
によるパッケージの汚染等を防止でき高信頼性のマーキ
ングが付与されたパッケージを得ることができる。
なお、本発明に係わる前処理方法は、前述した第１図図
示の装置を使用して行なう場合に限定されず、第２図に
示す装置を用いて前処理を行なってもよい。即ち、図中
の１１は処理室である。この処理室１１は上面が開口さ
れたケース１２と該ケース１２の開口部にヒンジ機構１
３により開閉自在に取着される蓋体１４とから構成され
ている。
示の装置を使用して行なう場合に限定されず、第２図に
示す装置を用いて前処理を行なってもよい。即ち、図中
の１１は処理室である。この処理室１１は上面が開口さ
れたケース１２と該ケース１２の開口部にヒンジ機構１
３により開閉自在に取着される蓋体１４とから構成され
ている。
なお、前記ケース１２と蓋体１４の当接部分にはＯリン
グ１５が介装されて処理室１１が外界から気密に封止し
ている。前記処理室１１内には、８棒１６がケース１２
の下面から貫通して設けられている。この８棒１６は、
前記ケース１２底面に配置されたモータ１７により回転
される。また、前記８棒１６には、バレル型のカセット
１８が嵌合して支持されている。このカセット１８の周
面には複数本のスティックを夫々その高さ方向の２点で
固定するためのホルダ１９が取付けられている。前記力
セラ１〜１８の上面には取手２０が設けられている。更
に、前記ケース１２の左側壁には活性ガスの導入管２１
が連結されている。前記ケース１２の右側壁には、排気
管２２が連結されている。なお、この排気管２２は図示
しない真空ポンプに連結されている。
グ１５が介装されて処理室１１が外界から気密に封止し
ている。前記処理室１１内には、８棒１６がケース１２
の下面から貫通して設けられている。この８棒１６は、
前記ケース１２底面に配置されたモータ１７により回転
される。また、前記８棒１６には、バレル型のカセット
１８が嵌合して支持されている。このカセット１８の周
面には複数本のスティックを夫々その高さ方向の２点で
固定するためのホルダ１９が取付けられている。前記力
セラ１〜１８の上面には取手２０が設けられている。更
に、前記ケース１２の左側壁には活性ガスの導入管２１
が連結されている。前記ケース１２の右側壁には、排気
管２２が連結されている。なお、この排気管２２は図示
しない真空ポンプに連結されている。
次に、上述した第２図図示の装置による前処理方法を説
明する。まず、第３図に示すスティック２３に複数、例
えば７個の半導体プラスチックパッケージ９を収納した
後、複数本のスティック２３をバレル型のカセット１８
のホルダに挟んで上下端を固定する。つづいて、処理室
１１の蓋体１４を解放し、スティック２３を固定したカ
セット１８を処理室１１内の８棒１６に嵌合した後、蓋
体１４を閉じる。次いで、排気管２２に連結した図示し
ない真空ポンプを作動して処理室１１内を所定の真空度
に保持した後、導入管２１から活性ガスを処理室１１内
に導入すると共に、モータ１７を動作してカセット１８
を所定の速度で回転し、活性ガスによりカセット１８に
取付けた複数本のスティック２３のパッケージ９の前処
理を行なう。
明する。まず、第３図に示すスティック２３に複数、例
えば７個の半導体プラスチックパッケージ９を収納した
後、複数本のスティック２３をバレル型のカセット１８
のホルダに挟んで上下端を固定する。つづいて、処理室
１１の蓋体１４を解放し、スティック２３を固定したカ
セット１８を処理室１１内の８棒１６に嵌合した後、蓋
体１４を閉じる。次いで、排気管２２に連結した図示し
ない真空ポンプを作動して処理室１１内を所定の真空度
に保持した後、導入管２１から活性ガスを処理室１１内
に導入すると共に、モータ１７を動作してカセット１８
を所定の速度で回転し、活性ガスによりカセット１８に
取付けた複数本のスティック２３のパッケージ９の前処
理を行なう。
こうした装置を使用して前処理を行なえば、大量のパッ
ケージ９を一度に処理できると共に、カセット１８を回
転することにより各スティック２３に収納されたパッケ
ージ９を均一に前処理できる。
ケージ９を一度に処理できると共に、カセット１８を回
転することにより各スティック２３に収納されたパッケ
ージ９を均一に前処理できる。
また、本発明に係わる前処理方法は上述した第１図図示
の装置を使用すめる場合に限定されない。
の装置を使用すめる場合に限定されない。
例えば、第４図に示すように半導体素子の性能テスト装
置、前処理装置及びマーキング装置をインライン化した
システムとし、テスト、前処理及びマーキングの工程を
連続して行なうようにしてもよい。即ち、図中の３１は
前述したスティック２３を収納す乞ローダ用ストッカで
ある。このストッカ３１の下方には、第１コンベア３２
１が配設されている。このコンベア３２ｓには、ストッ
カ３１内のスティックを一本つづ取出すための爪３３が
立設されている。
置、前処理装置及びマーキング装置をインライン化した
システムとし、テスト、前処理及びマーキングの工程を
連続して行なうようにしてもよい。即ち、図中の３１は
前述したスティック２３を収納す乞ローダ用ストッカで
ある。このストッカ３１の下方には、第１コンベア３２
１が配設されている。このコンベア３２ｓには、ストッ
カ３１内のスティックを一本つづ取出すための爪３３が
立設されている。
前記第１コンベア３２！の後段側には、処理室３５１を
備えたテスト装置旦が配置しである。
備えたテスト装置旦が配置しである。
この処理室３５１内には、第２コンベア３２２が配設さ
れている。この第２コンベア３２２の上方には、テスト
ヘッド３６が配置され、かつ該テストヘッド３６はテス
タ３７に配線３８を介して接続されている。なお、前記
テスタ３７によるテスト結果は後述するマーキング装置
のゴム印字ローラにフィードバックされ、テスト結果に
応じたマーキングがなされるようになっている。
れている。この第２コンベア３２２の上方には、テスト
ヘッド３６が配置され、かつ該テストヘッド３６はテス
タ３７に配線３８を介して接続されている。なお、前記
テスタ３７によるテスト結果は後述するマーキング装置
のゴム印字ローラにフィードバックされ、テスト結果に
応じたマーキングがなされるようになっている。
前記デス１〜装置且の後段側には、処理室３５２を備え
た前処理装置１Ｗが配置されている。
た前処理装置１Ｗが配置されている。
この処理室３５２は、前記テスト装置１上の処理室３５
１のシャッタ４０五を介して連結されている。前記処理
室３５２内には第３コンベア３２３が配置されている。
１のシャッタ４０五を介して連結されている。前記処理
室３５２内には第３コンベア３２３が配置されている。
このコンベア３２３の上方には、活性ガス導入用ノズル
４１が配置されている。
４１が配置されている。
前記処理室３５２の底部には排気管４２が取着されてお
り、かつ該排気管４２には図示しない真空ポンプが連結
されている。
り、かつ該排気管４２には図示しない真空ポンプが連結
されている。
前記前処理装置１則の後段側には、処理室３５３を備え
たマーキング装置土工が配置されている。この処理室３
５３は、前記前処理装置１亀の処理室３５２とシャッタ
４０２を介して連結されている。前記処理室３５３内に
は第４コンベア３２４が配置されている。このコンベア
３２４の上方にはゴム印字ローラ４４が配設されており
、かつ該ローラ４４はインク供給［１−ラ４５摺接され
いる。このインク供給ローラ４５の上方には該ローラ４
５にインクを供給するためのインク壺４６が配置されて
いる。なお、第４コンベア３２は前記印字ローラ４４０
回転速度と同期して回転するようになっている。
たマーキング装置土工が配置されている。この処理室３
５３は、前記前処理装置１亀の処理室３５２とシャッタ
４０２を介して連結されている。前記処理室３５３内に
は第４コンベア３２４が配置されている。このコンベア
３２４の上方にはゴム印字ローラ４４が配設されており
、かつ該ローラ４４はインク供給［１−ラ４５摺接され
いる。このインク供給ローラ４５の上方には該ローラ４
５にインクを供給するためのインク壺４６が配置されて
いる。なお、第４コンベア３２は前記印字ローラ４４０
回転速度と同期して回転するようになっている。
更に、前記マーキング装置上１の後段側にはアンローダ
用スｌ〜ツカ４７配置されている。このストッカ４７の
ストック高さはラックとピニオンの機構４８により調節
される。
用スｌ〜ツカ４７配置されている。このストッカ４７の
ストック高さはラックとピニオンの機構４８により調節
される。
次に、上述した第４図図示のシステムによるテスト、前
処理及びマーキングを説明する。まず、第３図に示すス
ティック２３に複数、例えば７個の半導体プラスチック
パッケージ９を収納した後、複数本のスティック２３を
ローダ用ス１〜ツク３１に収納する。つづいて、第１コ
ンベア３２１を動作させ、前記ストッカ３１内のスティ
ック２３を爪３３に係合させて該コンベア３２１で搬送
し、デス１〜装Ｍ３４の処理室３５１内の第２コンベア
３２２上に送る。第２コンベア３２２で搬送されるステ
ィック２３のパッケージをテストヘッド３６で走査し、
テスタ３７で各パッケージの特性を検査し、その結果を
マーキング装置土工にフィードバックさせる。ひきつづ
き、前処理装置１匹の真空ポンプ（図示せず）を作動し
て処理室３５２内を所定の真空度に保持した後、シャッ
タ４０ｔを開き、テスト済みのパッケージが収納された
スティック２３を処理室３５２の第３コンベア３２３上
に送る。この前処理装＠３９で活性ガス導入用ノズル４
１からの活性ガスによりスティック２３のパッケージ表
面を改質して前処理を行なう。次いで、シャッタ４０２
を開き、第３コンベア３２３上のスティック２３をマー
キング装置Ｕの処理室３５３の第４コンベア３２４上に
搬送した後、ゴム印字ローラ４４を回転させて前記テス
ト装置上１のテスト結果に応じたマーキングをスティッ
ク２３内のパッケージ表面に施す。この後、第４コンベ
ア３２４によりマーキング済みのパッケージが収納され
たスティック２３をアンロード用ストッカ４７に収納し
て一連の操作を完了する。
処理及びマーキングを説明する。まず、第３図に示すス
ティック２３に複数、例えば７個の半導体プラスチック
パッケージ９を収納した後、複数本のスティック２３を
ローダ用ス１〜ツク３１に収納する。つづいて、第１コ
ンベア３２１を動作させ、前記ストッカ３１内のスティ
ック２３を爪３３に係合させて該コンベア３２１で搬送
し、デス１〜装Ｍ３４の処理室３５１内の第２コンベア
３２２上に送る。第２コンベア３２２で搬送されるステ
ィック２３のパッケージをテストヘッド３６で走査し、
テスタ３７で各パッケージの特性を検査し、その結果を
マーキング装置土工にフィードバックさせる。ひきつづ
き、前処理装置１匹の真空ポンプ（図示せず）を作動し
て処理室３５２内を所定の真空度に保持した後、シャッ
タ４０ｔを開き、テスト済みのパッケージが収納された
スティック２３を処理室３５２の第３コンベア３２３上
に送る。この前処理装＠３９で活性ガス導入用ノズル４
１からの活性ガスによりスティック２３のパッケージ表
面を改質して前処理を行なう。次いで、シャッタ４０２
を開き、第３コンベア３２３上のスティック２３をマー
キング装置Ｕの処理室３５３の第４コンベア３２４上に
搬送した後、ゴム印字ローラ４４を回転させて前記テス
ト装置上１のテスト結果に応じたマーキングをスティッ
ク２３内のパッケージ表面に施す。この後、第４コンベ
ア３２４によりマーキング済みのパッケージが収納され
たスティック２３をアンロード用ストッカ４７に収納し
て一連の操作を完了する。
以上詳述した如く、本発明によれば半導体プラスチック
パッケージを良好な環境下で前処理して、従来のサンド
ブラスト法と同等乃至それ以上の密着強度を有するマー
キングを可能とすると共に、パッケージへの汚染等を防
止して信頼性の向上化を達成でき、しかも前後工程との
一貫性、自動化が可能な半導体プラスチックパッケージ
のマーキング前処理方法を提供できる。
パッケージを良好な環境下で前処理して、従来のサンド
ブラスト法と同等乃至それ以上の密着強度を有するマー
キングを可能とすると共に、パッケージへの汚染等を防
止して信頼性の向上化を達成でき、しかも前後工程との
一貫性、自動化が可能な半導体プラスチックパッケージ
のマーキング前処理方法を提供できる。
第１図は本発明の実施例における前処理方法に使用され
る装置の概略図、第２図は本発明の他の実施例の前処理
方法に使用される装置の部分断面図、第３図は第２図の
装置に使用されるスティックの斜視図、第４図は本発明
の更に他の実施例に使用されるテスト、前処理及びマー
キングのインラインシステムを示す概略図である。 １・・・プラズマ発生チャンバ、２・・・マイクロ波発
生器、３・・・マイクロ波導波管、５・・・輸送管、６
、１１．３５１〜３５３・・・処理室、８．２２．４１
・・・排気管、２３・・・スティック、１２・・・ケー
ス、１６・・・８棒、１７・・・・モータ、１８・・・
バレル型カセット、１９・・・ホルダ、２１・・・導入
管、３１・・・ローダ用ストッカ、３２１〜３２４・・
・コンベア、ＬＬ・・・テスト装置、３６・・・テスト
ヘッド、３７・・・テスタ、１１・・・前処理装置、４
３ ・・・マーキング装置、４４・・・ゴム印字ローラ
、４７・・・アンローダ用ストッカ。
る装置の概略図、第２図は本発明の他の実施例の前処理
方法に使用される装置の部分断面図、第３図は第２図の
装置に使用されるスティックの斜視図、第４図は本発明
の更に他の実施例に使用されるテスト、前処理及びマー
キングのインラインシステムを示す概略図である。 １・・・プラズマ発生チャンバ、２・・・マイクロ波発
生器、３・・・マイクロ波導波管、５・・・輸送管、６
、１１．３５１〜３５３・・・処理室、８．２２．４１
・・・排気管、２３・・・スティック、１２・・・ケー
ス、１６・・・８棒、１７・・・・モータ、１８・・・
バレル型カセット、１９・・・ホルダ、２１・・・導入
管、３１・・・ローダ用ストッカ、３２１〜３２４・・
・コンベア、ＬＬ・・・テスト装置、３６・・・テスト
ヘッド、３７・・・テスタ、１１・・・前処理装置、４
３ ・・・マーキング装置、４４・・・ゴム印字ローラ
、４７・・・アンローダ用ストッカ。
Claims (2)
- （１）高周波電力によるプラズマ発生系で生成された少
なくとも活性ガスを半導体プラスチックパッケージに導
入して、その表面改質を行なうことを特徴とする半導体
プラスチックパッケージのマーキング前処理方法。 - （２）高周波電力によるプラズマ発生系から活性ガスの
みを該発生系とは別の処理室に導入し、該処理室に配置
された半導体プラスチックパッケージの表面改質を行な
うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
プラスチックパッケージのマーキング前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59197965A JPS6175546A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 半導体プラスチツクパツケ−ジのマ−キング前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59197965A JPS6175546A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 半導体プラスチツクパツケ−ジのマ−キング前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175546A true JPS6175546A (ja) | 1986-04-17 |
Family
ID=16383264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59197965A Pending JPS6175546A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 半導体プラスチツクパツケ−ジのマ−キング前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6175546A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247869A (ja) * | 1986-04-22 | 1987-10-28 | Mazda Motor Corp | 液体不透過性を有するプラスチツクタンクの製造方法 |
| JP2008055596A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-13 | Hanmi Semiconductor Co Ltd | 位置変更装置及び半導体パッケージ加工システム |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP59197965A patent/JPS6175546A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62247869A (ja) * | 1986-04-22 | 1987-10-28 | Mazda Motor Corp | 液体不透過性を有するプラスチツクタンクの製造方法 |
| JP2008055596A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-13 | Hanmi Semiconductor Co Ltd | 位置変更装置及び半導体パッケージ加工システム |
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