JPS6174254A - 固体薄膜電池およびその製造方法 - Google Patents
固体薄膜電池およびその製造方法Info
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- JPS6174254A JPS6174254A JP59195336A JP19533684A JPS6174254A JP S6174254 A JPS6174254 A JP S6174254A JP 59195336 A JP59195336 A JP 59195336A JP 19533684 A JP19533684 A JP 19533684A JP S6174254 A JPS6174254 A JP S6174254A
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- film
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M6/00—Primary cells; Manufacture thereof
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- H01M6/18—Cells with non-aqueous electrolyte with solid electrolyte
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M50/00—Constructional details or processes of manufacture of the non-active parts of electrochemical cells other than fuel cells, e.g. hybrid cells
- H01M50/10—Primary casings; Jackets or wrappings
- H01M50/102—Primary casings; Jackets or wrappings characterised by their shape or physical structure
- H01M50/105—Pouches or flexible bags
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体薄膜電池およびその５！遣方法に関する。
従来、電解質に固体電解質を用いる電池では、薄形構造
をとる場合、第２図に示すようにゴム、樹脂などの弾性
飼料でつくられた封口体２３を電池容器２１の開口端部
の内方への締め付けによって電池蓋２２の周縁部と電池
容器２１の開口端部の内周面に圧接させて封口するか、
あるいは第３図に示すように金兄製の封口板３１．３２
とセラミック製スペーサ３３とをハンダ３４で接合して
封口する封口構造が採用されていた（たとえば特開昭５
５−１５７３５８号公報）。
をとる場合、第２図に示すようにゴム、樹脂などの弾性
飼料でつくられた封口体２３を電池容器２１の開口端部
の内方への締め付けによって電池蓋２２の周縁部と電池
容器２１の開口端部の内周面に圧接させて封口するか、
あるいは第３図に示すように金兄製の封口板３１．３２
とセラミック製スペーサ３３とをハンダ３４で接合して
封口する封口構造が採用されていた（たとえば特開昭５
５−１５７３５８号公報）。
第２図に示すような封口体２３による場合、発電要素を
基Ｆｙ、１とともに金属製の電池容器２１に入れ、負極
４上に１ｈばね２４を載置し、電池容器２１の開口端部
を内方に締め付けることによって、金属製の電池Ｈ２２
の周縁部に嵌合した封口体２３を電池蓋２２の周縁部と
電池容器２１の開口端部の内周面に圧接させているが、
このような封口構造をとる場合は、たとえ発電要素を薄
く形成したとしても、電池容器２１や電池蓋２２がある
一定以上の厚みを必要とするし、また密閉度を高く保つ
には、利口体２３にも一定以上の厚さを必要とするため
、全体の厚さを１ｍｍ以下にすることはできなかった。
基Ｆｙ、１とともに金属製の電池容器２１に入れ、負極
４上に１ｈばね２４を載置し、電池容器２１の開口端部
を内方に締め付けることによって、金属製の電池Ｈ２２
の周縁部に嵌合した封口体２３を電池蓋２２の周縁部と
電池容器２１の開口端部の内周面に圧接させているが、
このような封口構造をとる場合は、たとえ発電要素を薄
く形成したとしても、電池容器２１や電池蓋２２がある
一定以上の厚みを必要とするし、また密閉度を高く保つ
には、利口体２３にも一定以上の厚さを必要とするため
、全体の厚さを１ｍｍ以下にすることはできなかった。
また、第３図に示すような金属製の封口板３１．３２と
スペーサ３３とをハンダ３４で接合する場合も、封口板
３１．３２にある一定以上の厚みを必要とし、さらにハ
ンダ３４などの厚みも加わるので、この場合にも全体の
厚さを０．７ ａｍ以下にすることは非常に困紺であっ
た。
スペーサ３３とをハンダ３４で接合する場合も、封口板
３１．３２にある一定以上の厚みを必要とし、さらにハ
ンダ３４などの厚みも加わるので、この場合にも全体の
厚さを０．７ ａｍ以下にすることは非常に困紺であっ
た。
ところで、近年、固体電解質電池の研究が盛んになり、
発電要素をすべて気相法などて薄膜状に形成する方法が
見出されているが、たとえ発電要素を薄膜状に形成した
としても、上述のように封口構造が電池の厚みを支配し
ているため、電池の厚さをある一定以上の厚さにせざる
を得ず、１摸電池の特性を充分に生がしきれなかった。
発電要素をすべて気相法などて薄膜状に形成する方法が
見出されているが、たとえ発電要素を薄膜状に形成した
としても、上述のように封口構造が電池の厚みを支配し
ているため、電池の厚さをある一定以上の厚さにせざる
を得ず、１摸電池の特性を充分に生がしきれなかった。
１］問題点を解決するための手段〕
本発明は上述のような事１ｎに鑑みてなされたものであ
り、基板上に薄膜状の正極、固体電解質層および負極を
形成する固体薄膜電池において、封口に際し、金属製の
封口板や金属板から形成される電池容器や電池蓋などを
用いず、負極の露出部全面をＭ着で形成されるような金
属１桧で被覆し、正極や固体電解質層の露出部を高分子
膜で被覆することによって、高度な薄形化をはがり１犀
る固体薄膜電池を提供するとともに、該固体薄膜電池を
製造するに際して好適な製造方法を提供したものである
。
り、基板上に薄膜状の正極、固体電解質層および負極を
形成する固体薄膜電池において、封口に際し、金属製の
封口板や金属板から形成される電池容器や電池蓋などを
用いず、負極の露出部全面をＭ着で形成されるような金
属１桧で被覆し、正極や固体電解質層の露出部を高分子
膜で被覆することによって、高度な薄形化をはがり１犀
る固体薄膜電池を提供するとともに、該固体薄膜電池を
製造するに際して好適な製造方法を提供したものである
。
本発明の電池において、基板にはたとえばガラス板、あ
るいはステンレス鋼板、ニッケル坂などの金属板などが
用いられる。ガラス板を用いる場合、ガラス板の表面に
Ｉ Ｔｏ、不す股などの導電膜を形成して導電性を付与
しておくと外部へリードを取り出す際に便利である。
るいはステンレス鋼板、ニッケル坂などの金属板などが
用いられる。ガラス板を用いる場合、ガラス板の表面に
Ｉ Ｔｏ、不す股などの導電膜を形成して導電性を付与
しておくと外部へリードを取り出す際に便利である。
１所には、発電要素をすべて薄膜状に形成する関係上、
正（うも体積が小さくなり、それに伴なって電気容守も
小さくなるので、二次電池化が可能なものが好ましく、
たとえば二硫化チタン（ＴｉＳ２）、二硫化モリブデン
（ＭＯ３２）、三硫化モリブデン（ＭｏＳ３）−三硫化
リンニノケル（Ｎ ｉ Ｐ Ｓコ）、二硫化ニオブ（Ｎ
ｂＳ２）、ニオブセレナイド（ＮｂＳｅ２）、バナジウ
ムセレナイド（ＶＳ１１２）などリチウムイオンを可逆
的に出し入れできるものが好用される。
正（うも体積が小さくなり、それに伴なって電気容守も
小さくなるので、二次電池化が可能なものが好ましく、
たとえば二硫化チタン（ＴｉＳ２）、二硫化モリブデン
（ＭＯ３２）、三硫化モリブデン（ＭｏＳ３）−三硫化
リンニノケル（Ｎ ｉ Ｐ Ｓコ）、二硫化ニオブ（Ｎ
ｂＳ２）、ニオブセレナイド（ＮｂＳｅ２）、バナジウ
ムセレナイド（ＶＳ１１２）などリチウムイオンを可逆
的に出し入れできるものが好用される。
固体型Ｐ！Ｘ、？？とじては、たとえば１−ｉ４ｓｉｏ
ａ−Ｉ−ｉ３ＰＯ４、Ｌｉ５ＮＬｉｌなどが分解電工が
高いことから好用される。
ａ−Ｉ−ｉ３ＰＯ４、Ｌｉ５ＮＬｉｌなどが分解電工が
高いことから好用される。
負１】には、たとえばリチウム、ナトリウム、カリウム
などのアルカリ全屈やそれらを含む合金などが使用され
、特にリチウムまたはリチウム−アルミニウム、リチウ
ム−鉛、リチウム−ガリウム−インジウムなどのリチウ
ム合金が好用される。
などのアルカリ全屈やそれらを含む合金などが使用され
、特にリチウムまたはリチウム−アルミニウム、リチウ
ム−鉛、リチウム−ガリウム−インジウムなどのリチウ
ム合金が好用される。
前記正極の形成に際しては化学気相成長法、宗布法など
が採用でき、固体電解質層の形成に際してはスバ、り法
、圧粉成形法などが採用できる。
が採用でき、固体電解質層の形成に際してはスバ、り法
、圧粉成形法などが採用できる。
また負極の形成にあたっては蔑着法、圧着法などが採用
できる。しかし、それら発電要素を薄膜状に均一な厚み
でかつ安定して形成するには、発電要素をすべて気相法
、すなわち、正極を化学気相成長法、固体電解質層の形
成をスバフタ法、負極の形成を蒸着法というように発電
要素の形成をすべて気相法で行なうのが好ましい。
できる。しかし、それら発電要素を薄膜状に均一な厚み
でかつ安定して形成するには、発電要素をすべて気相法
、すなわち、正極を化学気相成長法、固体電解質層の形
成をスバフタ法、負極の形成を蒸着法というように発電
要素の形成をすべて気相法で行なうのが好ましい。
負極の露出部に形成する金属薄り９は、リチウムなどの
活性な金属で構成される負極が水分 酸素、窒素などと
接触してｖＪ食するのを防止するためであり、また高分
子膜を後述するようなプラズマ重合で形成する際に七ツ
マーガスが負極と接触して反応を起すのを防止するため
でもある。さらに、この金泥薄膜は負極の集電体として
の作用も存する。
活性な金属で構成される負極が水分 酸素、窒素などと
接触してｖＪ食するのを防止するためであり、また高分
子膜を後述するようなプラズマ重合で形成する際に七ツ
マーガスが負極と接触して反応を起すのを防止するため
でもある。さらに、この金泥薄膜は負極の集電体として
の作用も存する。
この金属薄１９の（、■成金属としては、リチウムと反
［心しないものであることが望ましく、たとえばニッケ
ル、ｔｌｆｌ、秩、コバルト、モリブデン、チタンなど
がＡＴ用される。特に二、ケルが導電性に優れ、かつ腐
食のおそれも少なく、またＩＩＩＩｉ格的にも鉄を除く
他の金属より安価なので好ましい。
［心しないものであることが望ましく、たとえばニッケ
ル、ｔｌｆｌ、秩、コバルト、モリブデン、チタンなど
がＡＴ用される。特に二、ケルが導電性に優れ、かつ腐
食のおそれも少なく、またＩＩＩＩｉ格的にも鉄を除く
他の金属より安価なので好ましい。
金属薄膜の形成は貫着によるのが薄膜を均一の曜みてか
つ容易に形成し得ることから好ましい。
つ容易に形成し得ることから好ましい。
金属い、す膜の１１λさは約２μｍ以上あればよいが、
この上に間分子秋を形成しない場合にはピンホールの発
生を避けなけ机ばならないので、３０μｍ以上の厚さに
形成することが好ましい。
この上に間分子秋を形成しない場合にはピンホールの発
生を避けなけ机ばならないので、３０μｍ以上の厚さに
形成することが好ましい。
高分子膜は、負極の露出部がすでに上記の金属薄膜で被
）されているので、正半へおよび固体電解質層の露出部
さえ被覆すればよいが、金泥面が必要以上に露出してい
ると短絡の原因になるので、正極および固体電解質層の
露出部と共に、負極の露出部を被覆する金ｇ、薄股も高
分子膜で被覆するのが好ましい。
）されているので、正半へおよび固体電解質層の露出部
さえ被覆すればよいが、金泥面が必要以上に露出してい
ると短絡の原因になるので、正極および固体電解質層の
露出部と共に、負極の露出部を被覆する金ｇ、薄股も高
分子膜で被覆するのが好ましい。
この高分子膜による被９はプラズマ重合による膜形成や
熱硬化性手討脂のスプレーコーティングなどによって行
なうことができるが、プラズマ重合による場合は所災部
位の表面に直接膜形成ができるので好ましい。
熱硬化性手討脂のスプレーコーティングなどによって行
なうことができるが、プラズマ重合による場合は所災部
位の表面に直接膜形成ができるので好ましい。
プラズマ重合による高分子膜の形成は、たとえシホメタ
ン、エタン、フ“ロバン、スチレン、ヘン七′ン、アセ
チレンなどの炭素数１０以下の飽和または不飽和炭化水
素からなる七ツマーガスをソースガマとしてｌ Ｘ １
０’ −Ｉ Ｘ ＩＱ−３ｍｍｌ１ｇ程度の減圧雰囲気
中でグロー放電をし、モノマーガスを励起して重合させ
ることによって行なわれる。
ン、エタン、フ“ロバン、スチレン、ヘン七′ン、アセ
チレンなどの炭素数１０以下の飽和または不飽和炭化水
素からなる七ツマーガスをソースガマとしてｌ Ｘ １
０’ −Ｉ Ｘ ＩＱ−３ｍｍｌ１ｇ程度の減圧雰囲気
中でグロー放電をし、モノマーガスを励起して重合させ
ることによって行なわれる。
高分子膜の厚さは、５μｍ以上とするのが好ましい、特
に信頼性を高めるには３０μｍ以上とするのが好ましく
、また厚すぎても薄膜電池としての特色が発揮できなく
なるので１００μｍ以下にするのが好ましい。
に信頼性を高めるには３０μｍ以上とするのが好ましく
、また厚すぎても薄膜電池としての特色が発揮できなく
なるので１００μｍ以下にするのが好ましい。
つぎに実施例をあげて本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１
第１し１は本実施例の電池を１９式的に示す断面図であ
り、第１図において、ｌはガラス板よりなる基板、２は
上記基板ｌ上に形成した二硫化チタンの薄１１Ｑよりな
る正（１ｆｉ ３は上記正極２上に形成したＬｉ４Ｓｉ
Ｏ４Ｌｉ５ＰＯａの薄膜よりなる固体電解質層、４は上
記固体電解質層３上に形成したリチウムの薄ＩＩＱより
なる負極である。
り、第１図において、ｌはガラス板よりなる基板、２は
上記基板ｌ上に形成した二硫化チタンの薄１１Ｑよりな
る正（１ｆｉ ３は上記正極２上に形成したＬｉ４Ｓｉ
Ｏ４Ｌｉ５ＰＯａの薄膜よりなる固体電解質層、４は上
記固体電解質層３上に形成したリチウムの薄ＩＩＱより
なる負極である。
５は負極４の露出部全面を被）する金属薄膜で、本実施
（９１（で（よごの金属薄膜５はニアケルの薄膜よりな
るものである。６は負極端子であり、７は正ＩＭ２の測
面およびそり、に続く基板ｌ上に形成し亡ニッケルの薄
Ｈｑよりなるリード部で、このリード部７の先端部は後
に説明するように正極例の端子となるものである。なお
、このリード部７は基板１が導電性をｆｒするものであ
れば、特に形成しなくてもよい。
（９１（で（よごの金属薄膜５はニアケルの薄膜よりな
るものである。６は負極端子であり、７は正ＩＭ２の測
面およびそり、に続く基板ｌ上に形成し亡ニッケルの薄
Ｈｑよりなるリード部で、このリード部７の先端部は後
に説明するように正極例の端子となるものである。なお
、このリード部７は基板１が導電性をｆｒするものであ
れば、特に形成しなくてもよい。
３はブラスマ土合法により形成したポリエチレンを上体
とする高分子膜で、この高分子膜８は、正極２および固
体電解質層３の露出部を被覆するとともに、Ｂ、 １％
４ Ｊ：に形成された金属薄膜５もその一部を除いて
破覆し、かつ正極２の側面に形成されたリード部７も被
覆している。そして、金属薄膜５の高分子膜８が被覆し
ていない部分には負極端子６が取り付けられ、リード部
７の高分子膜８が形成されなかった部分は正極例の端子
として使用される。
とする高分子膜で、この高分子膜８は、正極２および固
体電解質層３の露出部を被覆するとともに、Ｂ、 １％
４ Ｊ：に形成された金属薄膜５もその一部を除いて
破覆し、かつ正極２の側面に形成されたリード部７も被
覆している。そして、金属薄膜５の高分子膜８が被覆し
ていない部分には負極端子６が取り付けられ、リード部
７の高分子膜８が形成されなかった部分は正極例の端子
として使用される。
上記電池の製造は下記に示すようにして行なわれた。
基１ｉ１には厚さ１００ ＩＩ ｍ ”’Ｃ１０ｍｍ
Ｘ ｌｏ＋ｎｍの正方形１大のコーニングガラス７０５
９ （商品名）を用い、この基板上に四塩化チタン（Ｔ
ｉＣ１４）と硫化水素（Ｈ２Ｓ）をソースガスとして化
学気相成長法により二硫化チタン（ＴｉＳ２）を７ｍｍ
Ｘ７ｍｍ平方で約２０μｍ厚に形成して正極２とした。
Ｘ ｌｏ＋ｎｍの正方形１大のコーニングガラス７０５
９ （商品名）を用い、この基板上に四塩化チタン（Ｔ
ｉＣ１４）と硫化水素（Ｈ２Ｓ）をソースガスとして化
学気相成長法により二硫化チタン（ＴｉＳ２）を７ｍｍ
Ｘ７ｍｍ平方で約２０μｍ厚に形成して正極２とした。
つぎに、この正極２上にＬｉ４Ｓｉ０４−Ｌｉ３ＰＯａ
をスパッタ法により６ｍｍ×６＋ｎｍ平方で約ＩＯμｍ
厚に形成して固体電解質層３とし、さらに王記固体電解
質闇３上にリチウムを前着法により５ｍｍＸ５ｍｍ平方
で約１０μｍ厚に形成して負極４とした。つぎに、負極
４の露出部全面にニッケルを約２７７１１１’Ｘに；ぎ
着して負極４の露出部全面をニッケルを構成金属とする
金属薄膜５で被覆し０極４を保；隻した。
をスパッタ法により６ｍｍ×６＋ｎｍ平方で約ＩＯμｍ
厚に形成して固体電解質層３とし、さらに王記固体電解
質闇３上にリチウムを前着法により５ｍｍＸ５ｍｍ平方
で約１０μｍ厚に形成して負極４とした。つぎに、負極
４の露出部全面にニッケルを約２７７１１１’Ｘに；ぎ
着して負極４の露出部全面をニッケルを構成金属とする
金属薄膜５で被覆し０極４を保；隻した。
また、高分子ｎ９で被覆後の正極例のリード敗り出しを
容易にするために、正極２の一方の側面およびそれに続
く基１反ｌ上に茎着によって厚さ約１μｍのニノγル薄
胞を形成してリード部７とした。
容易にするために、正極２の一方の側面およびそれに続
く基１反ｌ上に茎着によって厚さ約１μｍのニノγル薄
胞を形成してリード部７とした。
つぎに、エチレ７’Ｃ２Ｈ４１１をソースガスとしてブ
ーｙ ス’ ？ ＠合Ｃｒｌ空度Ｉ Ｘ １１０−２ｍ
１ｌｌ１． ”Ｐｉｒ平販平極電極３．５６ Ｍ Ｈｚ
の高周波を印加してグロー放電を行なう）により正極２
および固体電解質層３の露出部ならびに負極４上に形成
した金属薄膜５および正（侃２の側面に形成したリード
部７上にポリエチレ／を生体とする高分子１１！ｉ８８
を形成した。膜厚は約５μｍであった。
ーｙ ス’ ？ ＠合Ｃｒｌ空度Ｉ Ｘ １１０−２ｍ
１ｌｌ１． ”Ｐｉｒ平販平極電極３．５６ Ｍ Ｈｚ
の高周波を印加してグロー放電を行なう）により正極２
および固体電解質層３の露出部ならびに負極４上に形成
した金属薄膜５および正（侃２の側面に形成したリード
部７上にポリエチレ／を生体とする高分子１１！ｉ８８
を形成した。膜厚は約５μｍであった。
ただし、上記高分子１１Ａｅの形成にあたっては、０、
氏端子６の取付けのために負極４上に形成した金属薄膜
５の一部、また正極側の端子として基板１上に形成した
リード部７の上にはマスクをして高分子膜が形成されな
いようにした。つぎに、負極４上に形成した金属薄膜５
の高分子膜８が形成されなかった部分に負極端子６を取
り付けて第１図に示す構成の電池を製造した。
氏端子６の取付けのために負極４上に形成した金属薄膜
５の一部、また正極側の端子として基板１上に形成した
リード部７の上にはマスクをして高分子膜が形成されな
いようにした。つぎに、負極４上に形成した金属薄膜５
の高分子膜８が形成されなかった部分に負極端子６を取
り付けて第１図に示す構成の電池を製造した。
上記電池は総厚でも約０．１５ｍｎ＋にすぎず、１１程
度にまでしか薄くできなかった第２図に示す従来電池や
０．７ｍｍ程度にまでしか薄くできなかった第３図に示
す従来電池に比べてはるかに薄形であり、また形状自在
性も有していた。
度にまでしか薄くできなかった第２図に示す従来電池や
０．７ｍｍ程度にまでしか薄くできなかった第３図に示
す従来電池に比べてはるかに薄形であり、また形状自在
性も有していた。
実施例２
ガラス基板上に実施例１と同様にして正極、固体電解質
層および負湊を薄模状に順次形成し、負極の露出部に茎
着により二、ケルの薄膜を形成して負極の露出部を被覆
し、かつ正極の一方の（！す面およびそれに続くガラス
基板上にニッケルの薄膜を形成してリード部とした。
層および負湊を薄模状に順次形成し、負極の露出部に茎
着により二、ケルの薄膜を形成して負極の露出部を被覆
し、かつ正極の一方の（！す面およびそれに続くガラス
基板上にニッケルの薄膜を形成してリード部とした。
つぎに、スチレンをソースガスとしてプラズマ重合（真
空度Ｉ Ｘ １０−２１０−２ｌ１、平行平板電極Ｃ１
３，５６ＭＨｚの高周波を印加してグロー放電を行なう
）により実施例１の電池と同様の部位に厚さ約５μｍの
ポリスチレンを主体とする高分子膜を形成した。
空度Ｉ Ｘ １０−２１０−２ｌ１、平行平板電極Ｃ１
３，５６ＭＨｚの高周波を印加してグロー放電を行なう
）により実施例１の電池と同様の部位に厚さ約５μｍの
ポリスチレンを主体とする高分子膜を形成した。
高分子膜の形成を上記のように行なったほかは実施例１
と同様にして固体薄膜電池を語造した。
と同様にして固体薄膜電池を語造した。
比較例１
ガラス基板上に実施例１と同様にして正極、固体電解？
を所およびｆＪ、極を薄膜伏に順次形成し、それを何ら
被覆することなくそのまま電池とした。
を所およびｆＪ、極を薄膜伏に順次形成し、それを何ら
被覆することなくそのまま電池とした。
上記゛ノζ施例１〜２および比較例１の電池を２０℃相
りｔ ７Ｓ＋！度３０９＜の空気中に所定時間放置した
ときの内部抵抗変化を第１表に示す。なお、比較例１の
電池は１０時間放置（７（には吸湿のため電池形状が保
てなくなり、内部抵抗のｊ１１定をすることができなか
った。
りｔ ７Ｓ＋！度３０９＜の空気中に所定時間放置した
ときの内部抵抗変化を第１表に示す。なお、比較例１の
電池は１０時間放置（７（には吸湿のため電池形状が保
てなくなり、内部抵抗のｊ１１定をすることができなか
った。
第 １ 表
第１表に示すように、負極の露出部を金属薄膜で被覆し
さらに該金属薄膜も含め正極および固体電解質層の露出
部をポリエチレン、ボリスチレ／などを主体とする高分
子膜で被覆した実施例１〜２の電池では、そのような金
属薄Ｉ１９や高分子膜による被覆をしていない比較例１
の電池に比へて、内部抵抗の増加が少なく、発電要素を
金属薄膜や高分子膜で被覆する封正によって、電池とし
て実用性を有することが明らかにされた。
さらに該金属薄膜も含め正極および固体電解質層の露出
部をポリエチレン、ボリスチレ／などを主体とする高分
子膜で被覆した実施例１〜２の電池では、そのような金
属薄Ｉ１９や高分子膜による被覆をしていない比較例１
の電池に比へて、内部抵抗の増加が少なく、発電要素を
金属薄膜や高分子膜で被覆する封正によって、電池とし
て実用性を有することが明らかにされた。
ただし、有機物の高分子膜は多かれ少なかれ透湿性、通
気性を有しているので、゛長間（呆存に対して：：問題
か山１、 ・ニーニー １ｊ、 ！ｆｉｌ Ｉイ”存が
要９１さね、イ。
気性を有しているので、゛長間（呆存に対して：：問題
か山１、 ・ニーニー １ｊ、 ！ｆｉｌ Ｉイ”存が
要９１さね、イ。
場合二こは、」二記夫廠ｆ９１＋ １および２の電池の
高分子＋９１ニコらに二、’ｒル、アルミニウム、１ｌ
＝ｌｉＬ亜紹、鉗 イノジウムなとから１巽ばれた合圧
の薄ＩＡを゛とイｑにり１．：形成し ・ば・要てｂ相
ぽさらにその上からプラズマ重合で高分子膜（市ねれば
よい。そのように巳でもＰｌ丑はせいせい２０〜５０Ｉ
ＪＩＮ程度１．か増ｌぷせず、第２凹め第３図に示す従
来電池に比へて：、Ｌろかにｒ：ｖいｒ”ａ ＋１！！
を！写ることができる。
高分子＋９１ニコらに二、’ｒル、アルミニウム、１ｌ
＝ｌｉＬ亜紹、鉗 イノジウムなとから１巽ばれた合圧
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ぽさらにその上からプラズマ重合で高分子膜（市ねれば
よい。そのように巳でもＰｌ丑はせいせい２０〜５０Ｉ
ＪＩＮ程度１．か増ｌぷせず、第２凹め第３図に示す従
来電池に比へて：、Ｌろかにｒ：ｖいｒ”ａ ＋１！！
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；イＣ明の功！！！〕
ｌり上説明しグこように、本発明によれば、超薄形の固
体薄膜電池が１２供される。
体薄膜電池が１２供される。
ｔａ面の簡単な説明
第１図５１本発明の固体薄膜電池の一犬施（夕１１を示
す断面図であり、第２図〜第３図は従来の薄形固（本電
解質電／也を示す断面図で５ちる。
す断面図であり、第２図〜第３図は従来の薄形固（本電
解質電／也を示す断面図で５ちる。
１ 基板 ２・・正極、 ３−・・固体電解′Ｒ層
、１− Ｑ、 １５７、 ラ・金属薄片９、 ８・・
高分子膜１・・−基板 ２−・・正ｊ÷ ３・ −固イネを解９Ｔ、４ン
、１− Ｑ、 １５７、 ラ・金属薄片９、 ８・・
高分子膜１・・−基板 ２−・・正ｊ÷ ３・ −固イネを解９Ｔ、４ン
Claims (4)
- （１）基板１上に薄膜状の正極２、固体電解質層３およ
び負極４を形成し、負極４の露出部全面を金属薄膜５で
被覆し、正極２および固体電解質層３の露出部を高分子
膜８で被覆したことを特徴とする固体薄膜電池。 - （２）負極４の露出部を被覆する金属薄膜５も高分子膜
８で被覆した特許請求の範囲第１項記載の固体薄膜電池
。 - （３）基板１上に正極２、固体電解質層３および負極４
を順次気相法で薄膜状に形成し、負極４の露出部全面に
蒸着により金属薄膜５を形成して負極４の露出部全面を
金属薄膜５で被覆し、正極２および固体電解質層３の露
出部上にプラズマ重合により高分子膜８を形成して正極
２および固体電解質層３の露出部を高分子膜８で被覆す
ることを特徴とする固体薄膜電池の製造方法。 - （４）負極４の露出部を被覆する金属薄膜５上にもプラ
ズマ重合により高分子膜８を形成して金属薄膜５も高分
子膜８で被覆する特許請求の範囲第３項記載の固体薄膜
電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59195336A JPS6174254A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 固体薄膜電池およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59195336A JPS6174254A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 固体薄膜電池およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174254A true JPS6174254A (ja) | 1986-04-16 |
Family
ID=16339476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59195336A Pending JPS6174254A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 固体薄膜電池およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6174254A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01130473A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Kimoto & Co Ltd | 薄型一次電池 |
| JP5076034B1 (ja) * | 2012-06-08 | 2012-11-21 | 太陽誘電株式会社 | 電気化学デバイス |
| JP2013021347A (ja) * | 2012-09-06 | 2013-01-31 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電気化学デバイス |
| US9485883B2 (en) | 2006-09-28 | 2016-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless sensor device |
-
1984
- 1984-09-17 JP JP59195336A patent/JPS6174254A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01130473A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Kimoto & Co Ltd | 薄型一次電池 |
| US9485883B2 (en) | 2006-09-28 | 2016-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless sensor device |
| US10148301B2 (en) | 2006-09-28 | 2018-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless sensor device |
| US10587297B2 (en) | 2006-09-28 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless sensor device |
| US11006832B2 (en) | 2006-09-28 | 2021-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless sensor device |
| US11317806B2 (en) | 2006-09-28 | 2022-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless sensor device |
| JP5076034B1 (ja) * | 2012-06-08 | 2012-11-21 | 太陽誘電株式会社 | 電気化学デバイス |
| JP2013021347A (ja) * | 2012-09-06 | 2013-01-31 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電気化学デバイス |
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