JPS6173131A - 液晶表示素子の製造法 - Google Patents
液晶表示素子の製造法Info
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- JPS6173131A JPS6173131A JP19457284A JP19457284A JPS6173131A JP S6173131 A JPS6173131 A JP S6173131A JP 19457284 A JP19457284 A JP 19457284A JP 19457284 A JP19457284 A JP 19457284A JP S6173131 A JPS6173131 A JP S6173131A
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- spacer
- display element
- crystal display
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、二枚の透明電極基板間に、スペーサーを介し
て液晶表示素子を製造する液晶表示素子の製造法に関す
るものである。
て液晶表示素子を製造する液晶表示素子の製造法に関す
るものである。
［従来の技術］
従来、液晶表示素子を製造するに際して。
二枚のパターニングされた透明電極基板を、所定の間隙
をもって、ほぼ平行に配置するために、サイズの揃った
チョップしたガラスファイバーや、アルミナ、ガラスあ
るいはプラスチックから成る球状粒子等からなる微粒状
のスペーサーか、電極基板上に、液晶の分子配列制御を
容易にするための配向膜を形成し、ラビング等の配向処
理をして後、その上に適当量散布し、周辺シール材を介
して、液晶を充填するための表示セルを形成する製造法
がとられていた。
をもって、ほぼ平行に配置するために、サイズの揃った
チョップしたガラスファイバーや、アルミナ、ガラスあ
るいはプラスチックから成る球状粒子等からなる微粒状
のスペーサーか、電極基板上に、液晶の分子配列制御を
容易にするための配向膜を形成し、ラビング等の配向処
理をして後、その上に適当量散布し、周辺シール材を介
して、液晶を充填するための表示セルを形成する製造法
がとられていた。
〔発明の解決しようとする問題点］
従来の液晶表示素子の製造方法は、以上の様に配向膜を
形成しで後、微粒状のスペーサーが散布される方法をと
っているので、スペーサーが特に電極面上に固定されて
いないため１表示素子に外力が加わって、表示素子に変
形が生じた場合に、液晶の流動が素子内部に起ると共に
、これらスペーサーも移動し、初期に設定した散布密度
とは異った密度分布の不均一が促進され゛る他に、表示
素子を駆動中にも、表示電極部およびその近傍では液晶
の流動があり、表示セグメントのエッヂ部にスペーサー
が移動して凝集し、スペーサーの密度分布の不均一が生
ずる。こうしたスペーサー密度の不均一は、表示部のセ
ル間隙の不均一を生じ、電気光学特性の不均一性、特に
ツィスティッドネマチック素子では、リターデーション
による表示面の着色のムラ等の不良を発生させる他に、
電極エッチ部に凝集した場合には、その近傍の液晶分子
の配列制御力が弱くなっているので、リバースティルト
による表示コントラストの不均一性等の欠陥を生ずる不
都合があった。
形成しで後、微粒状のスペーサーが散布される方法をと
っているので、スペーサーが特に電極面上に固定されて
いないため１表示素子に外力が加わって、表示素子に変
形が生じた場合に、液晶の流動が素子内部に起ると共に
、これらスペーサーも移動し、初期に設定した散布密度
とは異った密度分布の不均一が促進され゛る他に、表示
素子を駆動中にも、表示電極部およびその近傍では液晶
の流動があり、表示セグメントのエッヂ部にスペーサー
が移動して凝集し、スペーサーの密度分布の不均一が生
ずる。こうしたスペーサー密度の不均一は、表示部のセ
ル間隙の不均一を生じ、電気光学特性の不均一性、特に
ツィスティッドネマチック素子では、リターデーション
による表示面の着色のムラ等の不良を発生させる他に、
電極エッチ部に凝集した場合には、その近傍の液晶分子
の配列制御力が弱くなっているので、リバースティルト
による表示コントラストの不均一性等の欠陥を生ずる不
都合があった。
［問題点を解決するための手ｉ９
本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、二枚の透明電極基板を微粒状のスペーサーおよび周
辺シール材を介して、ほぼ平行に配置し、内幕板間に液
晶を封入する液晶表示素子の製造法において、スペーサ
ーを、あらかじめ電極基板上に散布して後に、その上か
ら液晶分子の配列制御を容易にする配向膜を転写印刷し
て形成し、配向膜中にスペーサー・を固定化する事を特
徴とした液晶表示素子の製造法である。
り、二枚の透明電極基板を微粒状のスペーサーおよび周
辺シール材を介して、ほぼ平行に配置し、内幕板間に液
晶を封入する液晶表示素子の製造法において、スペーサ
ーを、あらかじめ電極基板上に散布して後に、その上か
ら液晶分子の配列制御を容易にする配向膜を転写印刷し
て形成し、配向膜中にスペーサー・を固定化する事を特
徴とした液晶表示素子の製造法である。
本発明に用いる微粒状のスペーサーとしては、チョップ
したガラスファイバーの様な、シリンダー状のスペーサ
ーを用いる事もできるが、ガラスピーズ、プラスチック
粒子、アルミナ粒子等の球形もしくは球形に近い形状の
ものの方が、ラビング等の配向処理をした場合、スペー
サー近傍で配向処理がされにくい面積が減少し、安定し
た配向状態を得るために好ましい。
したガラスファイバーの様な、シリンダー状のスペーサ
ーを用いる事もできるが、ガラスピーズ、プラスチック
粒子、アルミナ粒子等の球形もしくは球形に近い形状の
ものの方が、ラビング等の配向処理をした場合、スペー
サー近傍で配向処理がされにくい面積が減少し、安定し
た配向状態を得るために好ましい。
また本発明に用いる透明電極基板ト＝斗は、ガラス基板
あるいはプラスチック基板のいずれでも良く、駆動中に
生ずる表示セグメント電極エッヂにスペーサーが凝集す
る欠点の改良策としては、同様に有効であるが、特に剛
性のないプラスチックフィルム例えばポリエステル、ポ
リエーテルサルフォン、ウレタン、ポリカーボネート等
を基板とした表示素子の場合には、同じ外圧に対しても
、素子の変形が大きく、よりスペーサーの移動が起り易
いので、特に有用である。
あるいはプラスチック基板のいずれでも良く、駆動中に
生ずる表示セグメント電極エッヂにスペーサーが凝集す
る欠点の改良策としては、同様に有効であるが、特に剛
性のないプラスチックフィルム例えばポリエステル、ポ
リエーテルサルフォン、ウレタン、ポリカーボネート等
を基板とした表示素子の場合には、同じ外圧に対しても
、素子の変形が大きく、よりスペーサーの移動が起り易
いので、特に有用である。
本発明による配向膜の塗布方法は、表示部のみに選択的
に配向膜を、形成できる転写印刷法であり、スピンコー
ドの様に、散布されたスペーサーに、遠心力をかけない
で、スペーサーを上から抑え込む様に配向１１りを塗布
できるので、スペーサーの飛散による１牧存密度の変化
が少なく、密度の制御性が良い、この配向膜の材質は公
知の種々の配向膜材料か使用でき、ポリイミド ポリア
ミド゛ ポリシリコン ポリウレー等の樹脂、有機シリ
コン化合物、有機チタン化合物等の有機金属化合物等が
あり、必要に応じて着色材料を混入したり、２層構造に
してもよい。
に配向膜を、形成できる転写印刷法であり、スピンコー
ドの様に、散布されたスペーサーに、遠心力をかけない
で、スペーサーを上から抑え込む様に配向１１りを塗布
できるので、スペーサーの飛散による１牧存密度の変化
が少なく、密度の制御性が良い、この配向膜の材質は公
知の種々の配向膜材料か使用でき、ポリイミド ポリア
ミド゛ ポリシリコン ポリウレー等の樹脂、有機シリ
コン化合物、有機チタン化合物等の有機金属化合物等が
あり、必要に応じて着色材料を混入したり、２層構造に
してもよい。
またプラスチックフィルムを基板として用いた場合に、
表示面でのスペーサーの密度は３０００〜１５０００個
／ＣＴＩ＋の範囲が良く、かつ片面の電極上にそれぞれ
約半分ずつである１５００〜７５００個／ｄの範囲で分
けて行う事が、スペーサーの局部的な髪集個数の減少を
はかる上で好ましい、これ以上の散布密度にすると、二
枚の電極基板を壬、ね合せた時に、それぞれの基板上に
固定化されたスペーサー同志の毛なりが生じ易くなり、
所定のキャップ以上に大きくなる率が増え、一方これ以
下では、局部的にスペーサー密度が小さい部分で所定ギ
ャップより小さくなる部分か発生する率が増えるため、
表示面に３０００〜１５０００個／ＣＴｌ（、特には５
０００〜１００００個／ＣＴＩ＋の範囲が好ましい。
表示面でのスペーサーの密度は３０００〜１５０００個
／ＣＴＩ＋の範囲が良く、かつ片面の電極上にそれぞれ
約半分ずつである１５００〜７５００個／ｄの範囲で分
けて行う事が、スペーサーの局部的な髪集個数の減少を
はかる上で好ましい、これ以上の散布密度にすると、二
枚の電極基板を壬、ね合せた時に、それぞれの基板上に
固定化されたスペーサー同志の毛なりが生じ易くなり、
所定のキャップ以上に大きくなる率が増え、一方これ以
下では、局部的にスペーサー密度が小さい部分で所定ギ
ャップより小さくなる部分か発生する率が増えるため、
表示面に３０００〜１５０００個／ＣＴｌ（、特には５
０００〜１００００個／ＣＴＩ＋の範囲が好ましい。
：ｆＳ１図は、本発明によって得た素子の断面を（２）
は透明電極、（３）は配向膜、（４）は固定化されたス
ペーサー、（５）は液晶層を示している。
は透明電極、（３）は配向膜、（４）は固定化されたス
ペーサー、（５）は液晶層を示している。
第２図は、本発明を実施する際に配向膜を転写印刷する
ための装置の正面図であり、（１１）がスペーサーが散
布された透明電極基板、（１２）が基板をセットするテ
ーブル、（１３）、 （１４）、（１５）が転写印刷を
行うためのロール、（１６）が配向膜溶液をロール（１
３）上に定埴滴下するためのディスペンサーである。ロ
ール（１３）上に滴下された配向膜溶液は、ロール（１
４）により均一化され、転写版が形成されたロール（１
５）に選択的に写し取られ、テーブル（１２）がロール
（１５）の下に移動して、電極基板の所定の位置に配向
膜が転写印刷される様に構成されている。
ための装置の正面図であり、（１１）がスペーサーが散
布された透明電極基板、（１２）が基板をセットするテ
ーブル、（１３）、 （１４）、（１５）が転写印刷を
行うためのロール、（１６）が配向膜溶液をロール（１
３）上に定埴滴下するためのディスペンサーである。ロ
ール（１３）上に滴下された配向膜溶液は、ロール（１
４）により均一化され、転写版が形成されたロール（１
５）に選択的に写し取られ、テーブル（１２）がロール
（１５）の下に移動して、電極基板の所定の位置に配向
膜が転写印刷される様に構成されている。
［作用］
本発明の方法によって得られた液晶表示素子は、スペー
サーが固定化されているので、使用中におけるスペーサ
ーの移動がなく、セルキャップの不均一化による電気光
学特性の不均一化、表示外観変化がなく、シかも所定の
キャンプが安定して得られる等、イ１頼性が高く、表示
品位の高い液晶表示素子とするπがでＪる。又、プラス
チックフィルムを基板として、ツィスティッドネマチッ
ク型の表示素子とするために、二枚の偏光板をラミネー
ター等の外圧を強く加えて、張り付ける工程においても
、安定したセルキャップが保持され、製造歩留りが向上
する利点も有している。
サーが固定化されているので、使用中におけるスペーサ
ーの移動がなく、セルキャップの不均一化による電気光
学特性の不均一化、表示外観変化がなく、シかも所定の
キャンプが安定して得られる等、イ１頼性が高く、表示
品位の高い液晶表示素子とするπがでＪる。又、プラス
チックフィルムを基板として、ツィスティッドネマチッ
ク型の表示素子とするために、二枚の偏光板をラミネー
ター等の外圧を強く加えて、張り付ける工程においても
、安定したセルキャップが保持され、製造歩留りが向上
する利点も有している。
［実施例］
実施例１
透明電極として、ＩＴＯがパターンニングされたガラス
基板上に、平均粒径が９７ｚｍの「ミクロパール」スペ
ーサー（積木ファインケミカル社製）をアルコールを分
散剤として、スプレー法により散布時間をコントロール
する水によって約４０００個／ＣＴ１１散布し、乾燥に
よる溶剤除去後、樹脂分６％のポリイミド系配向膜を転
写印刷後、 １７０℃ｌｈｒの熱処理により、硬化処理
を行った。この時の配向膜圧は約３００人であった。次
に、アクリル系の布を用いて一定方向にラヒングによる
配向処理を行った二枚の電極基板のラビング方向を直交
する様に配置して、エポキシ・シール剤で、熱圧着した
ところ、平均セルキャップが９．３ｐｍの、セルかでき
、ギャップの均一性および再現性は良好であった。この
セルに、ビフェニル系Ｅ−７液晶（ＢＤＨ社製）に ０
．１％のコレステリルノナノエートを添加した液晶を封
入した。６０℃で１０００ｈｒ ５ Ｖの交流電圧を印
加して駆動した後も、表示セグメントのエツジ部にスペ
ーサーの移動による凝集は観察されず、初期の位置か、
らスペーサーが移動する事はなかった。このため表示特
性との変化はなかった。この実施例において、ラビング
時の圧力を高くすると、約１０００％程度のスペーサー
か消失する事があったが、圧力を弱めるネで、５％以下
の消失にコントロールする亀が可能であった命 実施例２ 透明電極基板として、 ｌ００４ｍ厚のポリエーテル
サルフォ／のプラスナックフィルムを用いて、実施例１
と同様の方法で表示素子を形成した。同様の通電テスト
実施後も、スペーサーの移動は認められず、表示特性、
外観に変化はなかった。平均ギャップは９．５膳ｍであ
り、再現性、均一性が良好であった。この素子に、粘、
ａ剤のついた偏光子をラミネーターにより、貼り付けた
ところ、特に問題はなく、スペーサーの移動はなかった
。
基板上に、平均粒径が９７ｚｍの「ミクロパール」スペ
ーサー（積木ファインケミカル社製）をアルコールを分
散剤として、スプレー法により散布時間をコントロール
する水によって約４０００個／ＣＴ１１散布し、乾燥に
よる溶剤除去後、樹脂分６％のポリイミド系配向膜を転
写印刷後、 １７０℃ｌｈｒの熱処理により、硬化処理
を行った。この時の配向膜圧は約３００人であった。次
に、アクリル系の布を用いて一定方向にラヒングによる
配向処理を行った二枚の電極基板のラビング方向を直交
する様に配置して、エポキシ・シール剤で、熱圧着した
ところ、平均セルキャップが９．３ｐｍの、セルかでき
、ギャップの均一性および再現性は良好であった。この
セルに、ビフェニル系Ｅ−７液晶（ＢＤＨ社製）に ０
．１％のコレステリルノナノエートを添加した液晶を封
入した。６０℃で１０００ｈｒ ５ Ｖの交流電圧を印
加して駆動した後も、表示セグメントのエツジ部にスペ
ーサーの移動による凝集は観察されず、初期の位置か、
らスペーサーが移動する事はなかった。このため表示特
性との変化はなかった。この実施例において、ラビング
時の圧力を高くすると、約１０００％程度のスペーサー
か消失する事があったが、圧力を弱めるネで、５％以下
の消失にコントロールする亀が可能であった命 実施例２ 透明電極基板として、 ｌ００４ｍ厚のポリエーテル
サルフォ／のプラスナックフィルムを用いて、実施例１
と同様の方法で表示素子を形成した。同様の通電テスト
実施後も、スペーサーの移動は認められず、表示特性、
外観に変化はなかった。平均ギャップは９．５膳ｍであ
り、再現性、均一性が良好であった。この素子に、粘、
ａ剤のついた偏光子をラミネーターにより、貼り付けた
ところ、特に問題はなく、スペーサーの移動はなかった
。
実施例３
実施例２と同様の方法で１表示素子内のスペーサー密度
を約１０００個／ｄ、約３０００個／ｄ、ル′〕５００
０個／ｃｍ（、約７０００個／ＣＴＩ（、約 １０００
０個／ｄ、約１５０００個／ｄと約２００００個／ＣＴ
１１のレヘルの表示素子を作成したところ、スペーサー
の凝集個牧が８個以上ある部分が、散！ＩＪ密度が多く
なるに従って増えた。第１表に１２ｇ、ｍ以上のキヤ。
を約１０００個／ｄ、約３０００個／ｄ、ル′〕５００
０個／ｃｍ（、約７０００個／ＣＴＩ（、約 １０００
０個／ｄ、約１５０００個／ｄと約２００００個／ＣＴ
１１のレヘルの表示素子を作成したところ、スペーサー
の凝集個牧が８個以上ある部分が、散！ＩＪ密度が多く
なるに従って増えた。第１表に１２ｇ、ｍ以上のキヤ。
プが局部的に生じたセルの率と局部的にセル−＝ｓ’−
’ツブが７ｐｍ以下になったセルの率を示す。なお、ス
ペーサー密度が約８０００個／−の例については実施例
２で製造したものを利用した。
’ツブが７ｐｍ以下になったセルの率を示す。なお、ス
ペーサー密度が約８０００個／−の例については実施例
２で製造したものを利用した。
第１表
実施例４
実施例２ヌは３と同様の方法で、片側の基板のみにスペ
ーサーを約５０００個／−１約７０００個／ｄ、約８０
００個／ｄ、約１００００個／ｃ＋ｔｌｌｔｋ布したセ
ルでは、７０００個／ＣＴＩＩ以上の密度でスペーサー
の凝集個数か８個以上ある部分が多くなり、両面に半々
形成したものに比して液晶の配向力か小さくなり、電圧
印加時にリバースティルト不良の発生頻度が多くなった
。
ーサーを約５０００個／−１約７０００個／ｄ、約８０
００個／ｄ、約１００００個／ｃ＋ｔｌｌｔｋ布したセ
ルでは、７０００個／ＣＴＩＩ以上の密度でスペーサー
の凝集個数か８個以上ある部分が多くなり、両面に半々
形成したものに比して液晶の配向力か小さくなり、電圧
印加時にリバースティルト不良の発生頻度が多くなった
。
〔発明の効果コ
以上の如く、本発明は、球状スペーサーを透明電極基板
上に散布して後、転写印刷により、配向膜形成を行うこ
ととしたので、キャップの制御性が良い他、素子の変形
時あるいは駆動中におけるスペーサーの移動がないため
に、液晶表示素子とじての電気光学特性の均一性、表示
品位の低下のない優れたものであった。またプラスチッ
クフィルムを基板とした素子の場合にも、ガラスセルと
同様の方法で、容易に偏光板の貼り付けが可能となる等
、優れたものである。
上に散布して後、転写印刷により、配向膜形成を行うこ
ととしたので、キャップの制御性が良い他、素子の変形
時あるいは駆動中におけるスペーサーの移動がないため
に、液晶表示素子とじての電気光学特性の均一性、表示
品位の低下のない優れたものであった。またプラスチッ
クフィルムを基板とした素子の場合にも、ガラスセルと
同様の方法で、容易に偏光板の貼り付けが可能となる等
、優れたものである。
第１図は本発明の例の基本構造を示す断面図であり、ス
ペーサーが配向膜によって固定化されている状態を示す
。 第２図は、本発明を実施する際に、配向膜を転写印刷を
するための装置の正面図である。 １：基板 ２・透明電極 ３：配向膜 ４ニスペーサ− ５：液晶層 第 １ 図 第 ２ 図
ペーサーが配向膜によって固定化されている状態を示す
。 第２図は、本発明を実施する際に、配向膜を転写印刷を
するための装置の正面図である。 １：基板 ２・透明電極 ３：配向膜 ４ニスペーサ− ５：液晶層 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (3)
- （１）二枚の透明電極基板を、微粒状のスペーサーおよ
び周辺シール材を介して、ほぼ平行に配置し、両基板間
に液晶を封入する液晶表示素子の製造法において、スペ
ーサーを、あらかじめ電極基板上に散布して後に、その
上から液晶分子の配列制御を容易にする配向膜を転写印
刷して、形成して、配向膜中にス ペーサーを固定化する事を特徴とした液晶表示素子の製
造法。 - （２）二枚の透明電極基板として、プラスチックフィル
ムを基板として用いる特許請求範囲第１項記載の液晶表
示素子の製造法。 - （３）スペーサーの散布密度が二枚の電極基板を重ね合
せ、表示素子とした場合５０００〜１００００個／ｃｍ
＾２とした特許請求範囲第１項または第２項記載の液晶
表示素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19457284A JPS6173131A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 液晶表示素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19457284A JPS6173131A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 液晶表示素子の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6173131A true JPS6173131A (ja) | 1986-04-15 |
Family
ID=16326764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19457284A Pending JPS6173131A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 液晶表示素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6173131A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62251721A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-02 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPS6381326A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Toshiba Corp | 液晶素子 |
| JPS6478227A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-23 | Ricoh Kk | Liquid crystal display element |
| JPH05158008A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-06-25 | Nissha Printing Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH05158009A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-06-25 | Nissha Printing Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| US5812232A (en) * | 1995-04-12 | 1998-09-22 | Fujitsu Limited | Optical switching device with hard spacers exhibiting thermoplastic property at a temperature not higher than 150° C. and fabrication process |
| JP2001221998A (ja) * | 1991-08-01 | 2001-08-17 | Seiko Epson Corp | 液晶表示素子及び電子機器 |
Citations (2)
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| JPS57202520A (en) * | 1981-05-27 | 1982-12-11 | Fuidereku Ag | Liquid crystal display and manufacture thereof |
| JPS58142316A (ja) * | 1982-02-18 | 1983-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示素子 |
-
1984
- 1984-09-19 JP JP19457284A patent/JPS6173131A/ja active Pending
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