JPS6170415U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6170415U JPS6170415U JP15502484U JP15502484U JPS6170415U JP S6170415 U JPS6170415 U JP S6170415U JP 15502484 U JP15502484 U JP 15502484U JP 15502484 U JP15502484 U JP 15502484U JP S6170415 U JPS6170415 U JP S6170415U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power amplifier
- source
- bipolar transistor
- explanatory diagram
- circuit
- Prior art date
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- Pending
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の説明図、第２図は
本考案の第２番目の実施例の説明図、第３図は本
考案の第３番目の実施例の説明図、第４図は本考
案の第４番目の実施例の説明図、第５図は従来の
パワーアンプの説明図、第６図は従来の他のパワ
ーアンプの説明図である。
１１，２１，３１，４１……負荷、１２，２２
，３２，４２……バイアス回路、１３，２３，３
３，４３……ドライブアンプ、１４……ＮＰＮ形
ダーリントン回路、１５，２５，３５，４５……
抵抗回路、１６……ＰＮＰ形ダーリントン回路、
また、３４，３４′，３４″，４４……上側出力
段、３６，３６′，３６″，４６……下側出力段
、３４１……ＮチヤネルＦＥＴ（ＦＥＴ３４１）
、３６１……ＰチヤネルＦＥＴ（ＦＥＴ３６１）
、３４２……ＰＮＰバイポーラトランジスタ（Ｔ
Ｒ３４２）、３６２……ＮＰＮバイポーラトラン
ジスタ（ＴＲ３６２）、４４１……Ｎチヤネル・
パワーMOSFET（MOSFET４４１）、４６１……Ｐチ
ヤネル・パワーMOSFET（MOSFET４６１）、４４２
……ＰＮＰバイポーラトランジスタ（ＴＲ４４２
）、４６２……ＮＰＮバイポーラトランジスタ（
ＴＲ４６２）、３４３，３６３……バイアス抵抗
（Ｒ３４３，Ｒ３６３）、３４４，３６４……バ
イポーラトランジスタからなるダーリントン回路
（ＴＲ３４４、ＴＲ３６４）。
Fig. 1 is an explanatory diagram of one embodiment of the invention, Fig. 2 is an explanatory diagram of the second embodiment of the invention, Fig. 3 is an explanatory diagram of the third embodiment of the invention, and Fig. 4 is an explanatory diagram of the third embodiment of the invention. FIG. 5 is an explanatory diagram of a fourth embodiment of the present invention, FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventional power amplifier, and FIG. 6 is an explanatory diagram of another conventional power amplifier. 11, 21, 31, 41...Load, 12, 22
, 32, 42...bias circuit, 13, 23, 3
3, 43... Drive amplifier, 14... NPN type Darlington circuit, 15, 25, 35, 45...
Resistance circuit, 16...PNP type Darlington circuit,
Also, 34, 34', 34'', 44...upper output stage, 36, 36', 36'', 46...lower output stage, 341...N channel FET (FET341)
, 361...P channel FET (FET361)
, 342...PNP bipolar transistor (T
R342), 362...NPN bipolar transistor (TR362), 441...N channel
Power MOSFET (MOSFET441), 461...P channel power MOSFET (MOSFET461), 442
...PNP bipolar transistor (TR442
), 462...NPN bipolar transistor (
TR462), 343, 363...Bias resistor (R343, R363), 344, 364...Darlington circuit (TR344, TR364) consisting of a bipolar transistor.
Claims (1)
トに加えられ、ソースが出力端側に接続されるＦ
ＥＴと、前記ＦＥＴのドレイン電流を検出、増幅
し、そのソースに出力するバイポーラトランジス
タ増幅手段からなる回路で構成したことを特徴と
するパワーアンプ。 The output stage of the power amplifier is connected to the F in which the drive input is applied to the gate and the source is connected to the output side.
A power amplifier comprising a circuit comprising an ET and bipolar transistor amplification means for detecting and amplifying the drain current of the FET and outputting it to its source.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15502484U JPS6170415U (en) | 1984-10-16 | 1984-10-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15502484U JPS6170415U (en) | 1984-10-16 | 1984-10-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6170415U true JPS6170415U (en) | 1986-05-14 |
Family
ID=30713020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15502484U Pending JPS6170415U (en) | 1984-10-16 | 1984-10-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6170415U (en) |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP15502484U patent/JPS6170415U/ja active Pending