JPS6167283A

JPS6167283A - 圧電セラミツクス

Info

Publication number: JPS6167283A
Application number: JP59188037A
Authority: JP
Inventors: Takashi Yamamoto; 孝山本; Hideji Igarashi; 五十嵐　秀二; Kazuyasu Hikita; 和康疋田
Original assignee: Mitsubishi Mining and Cement Co Ltd
Current assignee: Mitsubishi Mining and Cement Co Ltd
Priority date: 1984-09-10
Filing date: 1984-09-10
Publication date: 1986-04-07
Also published as: JPH0443873B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は圧電セラミックスに関し、特に電気機械エネル
ギ変換効率が高くかつ機械的強度が大きいため、高出力
圧電素子および高周波圧電素子として用いるのに好適な
圧電セラミックスに関する。

〔背景の技術〕

電気・機械エネルギ変換効率の高い圧電セラミックス材
料の１つとしてチタン酸ノルコン酸鉛がある。このチタ
ン酸ジルコン酸鉛（以下ＰＺＴと略称する）はＰｂ（Ｚ
ｒ）（Ｔｉ　１−１）Ｏ３の組成式で表わされ、Ｘ：Ｑ
〜０．９　の広い範囲に亘って固溶体を形成し、特にＸ
＝０．５２〜０．５３　にあるモルフオトロピック相境
界（以下ＭＰＢと略称する）近傍で高い電気・機械エネ
ルギ変換効率を示す材料として知られている。

圧電セラミックスの分野では、その用途が高出力領域お
よび高周波領域に拡大するに従い、高エネルギ変換効率
を有しながらかつ高強度、高靭性を有する圧電セラミッ
クス材料の出現が要望されている。この場合、エネルギ
変換効率の点からみれば、ＭＰＢ近傍の組成を有するＰ
ＺＴを用いることが望ましいが１ＭＰＢ近傍では機械的
強度が低下するという問題点があり、それに加えて。

ＰＺＴ自体が同じペロプスカイト壓結晶構造を有する圧
電材料である例えばチタン酸バリウムに比較して機械的
強度が低いという性質を有しているため、ＭＰＢ近傍の
組成を有するＰＺＴを上記の用途に用いることは機械的
強度の点で難点があった。

このため、従来よ抄ＰＺＴの機械的強度を向上させるた
めの種々の試みがなされ、その１つとして、ＰＺＴＫＳ
ｒ、ＭｎまたはＣａ等の添加物を添加する方法がある。

しかしながら、このような添加物を添加すると、その添
加物によってＰＺＴの電気的特性が変化して所望の特性
が得られない欠点があり、満足な結果は得られなかった
。

そこで本発明者等はこの問題を解決すべく種々の考察お
よび数々の実験の結果１本発明を提案するに至ったもの
である。

〔発明の目的〕

本発明は良好な圧電特性と機械的強度とを兼ね備えた圧
電セラミックスを提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明は、ＰＺＴ系酸化物を仮焼しかつ粉砕して得られ
た原料と０１０５〜１．０重量％の繊維状炭化けい素と
の混合物を成形および焼成してなる圧電セラミックスで
ある。ＰＺＴ系酸化物は、ＭＰＢ近傍の組成を有するＰ
ＺＴＫ以下に記載する２つのグループの化合物すなわち
。

＋１１グループ１：Ｎｂ　２０５、ＭｎＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３，Ｆ
ｅ２Ｏ３，Ｎｉｏ。

Ｃｏ２Ｏ３，ＰｂＮｂ２Ｏ６，ＰｂＴａ２Ｏ６、ＢａＴ
ｉＯ３，ＣａＴｉＯ３゜ＰｂＳｒＯ３、ＳｒＴｉＯ５お
よび５ｒＴｉ０３（２）グループ２：Ｐｂ（Ｍｇ、、Ｎｂ、３）Ｏ．　、　Ｐｂ（Ｍｎ、、Ｎ
ｂ２７３）Ｏ，。

Ｐｂ（Ｃへ、Ｗ、、）Ｏ，・Ｐｂ（Ｓｂ賜Ｓｎ　＋３）
Ｏ３・Ｐｂ（Ｙ、、Ｎｂ、、　）０３・Ｐｂ　（ＣＯ１
，３’Ｎｂ化）０３・Ｐｂ（Ｎｉ１７３Ｎｂ２．３）Ｏ
５　、　Ｐｂ（Ｚｎ１．、Ｎｂ２．３）Ｏ３　。

Ｐｂ（ＮｉζＷζ）０３・Ｐｂ（Ｃｏ＋、Ｗ劣）０３　
　およびＳｒ　（Ｌｉ２．、Ｗ５．　）Ｏ３の中から選ばれた少なくとも１つの化合物を添加物とし
て用いたもののほか、チタン酸鉛およびジルコン酸鉛に
、上記グルー７″２の化合物の中から選ばれた１つの化
合物を加えたものでもよい。さらに、この３つの酸化物
に、上記した添加物（但し前記グループの中から選ばれ
た１つの化合物を除く）の中から選ばれた少なくとも１
つを添加したものでもよい。

炭化けい素ＳｉＣはウィスカーであることが好ましく、
後述する実施例では直径０．２〜０．５μｍのものを用
いたが、焼成するセラミックス材料の粒径によっては、
直径０．０５〜１．５μｍの範囲のＳｉＣウィスカーを
用いることができる。またウィスカーの長さは、マトリ
ックスとなるセラミックス材料の粒径より長いものが機
械的強度を増加させるために好適であり、後述する実施
例では長さ３０〜３００μｍのＳｉＣウィスカーを用い
たが。

０．１〜５００μｍ程度の範囲内のものを用いることが
できる。

また圧電セラミックスの機械的強度を高めるために有効
なＳｉＣウィスカーの添加量は０．０５〜１．０重量％
の範囲内である。このＳｉＣウィスカーの添加量と機械
的強度との関係は、原料となるＰＺＴ系酸化物における
添加物の種類および添加量によって若干具なるが、適正
量のＳｉＣウィスカーが添加された圧電セラミックスは
、添加されない場合と比較して機械的強度が３５〜４４
％も増大することが確認された。

また、不発明による圧電セラミックスにおいては、繊維
状のＳｉＣの添加により、その機械的強度が増大するの
みでなく、その電気的特性も使用目的により好ましい変
化を示す。すなわち、厚み振動を利用する円板状共振子
において、径方向の電気機械結合係数に、は減少するが
、厚み方向の電気機械結合係数に、はほとんど変化しな
いため。

厚み方向の振動、モードが強調されることが確認された
。

厚み方向の電気機械結合係数Ｋｔと径方向の電気機械結
合係数に、との比Ｋｔ／に、は、　ＳｉＣウィスカーを
添加しない場合０．７８であったものが。

ＳｉＣウィスカーを０．２５重量％添加した場合Ｋｔ／
に、が１．０　となり、またＳｉＣウィスカーを０．７
０チ添加した場合１．４７に増加することが確認された
。

〔実施例による説明〕

実施例１゜ＭＰＢ近傍の組成を有するＰｂ（ＺｒＯ，５３Ｔｉ０．
４７）Ｏ３に対し、圧電特性の向上のため０．５モルチ
のＮｂ　２０５を添加した材料を用いた。

出発原料は、いずれも９９．５１以上の高純度の酸化物
を用い、また焼成時の鉛の蒸発を考慮して。

ＰｂＯを１モルチ過剰に添加したため、調合組成は以下
の組成式であられされるものとなった。

Ｐｂ（ＺｒＯ０５３Ｔｉｏ、４７）Ｏ３＋０．５モルチ
Ｎ′ｂ２０５＋１モル％ＰｂＯ上記組成の混合物を、密閉した硬質アルミナケースに入
れ、電気炉中で昇温し、８００〜８５０℃の温度で２時
間の仮焼を行なった。

次にこの仮焼物をアルミナ乳鉢で粉砕後、市販のＳｉＣ
ウィスカーを０．０５重量％から１０重量％加え、ゲー
ルミルを用いて１〜ｌＯ時間湿式混合を行なった。本実
施例で用いたＳｉＣウィスカーは。

直径０．２〜０．５　ａｍ、長さ３０〜３００μｍの範
囲のものである。

次に２濾過乾燥後、バインダーとして８％ＰＶＡ溶液を
５重量％加え、造粒および整粒後、１０００に９／ｃｌ
ｔの圧力で直径２５駆、厚さ１．５ｍ１ｔの円板状に加
圧成形した。

次にこの成形体をケース内に収容し、電気炉中で１１０
０’〜１２８０℃の温度で本焼成を行なった。

焼成時間は温度に依存し、１１００℃では６時間。

１１５０℃では３時間、１１８０℃では２時間。

１２８０℃では１時間の焼成を必要とした。なお、成形
体を収容するケースは、鉛雰囲気を密封するため蓋付の
もので、アルミナ質の緻密なものあるいはマグネシア質
のものを用いた。

次にこの焼成体を直径２０１１１、厚さ０．５朋の円板
状に加工し、さらに両面に銀電極を焼付けて分極処理し
たものを電気的特性測定のための試料とした。また、こ
の焼成体を２．５ＸＩＸ１０ｍｍの寸法の直方体に加工
したものを機械的強度測定のための試料とした。機械的
強度の測定は３点曲げ法による抗折力の測定によって行
ない、ＰＺＴに対するＳｉＣウィスカー添加量を０重量
％から１０重量％まで段階的に変化させた各試料につい
て抗折力を測定した。

第１図は、温度１１８０℃で２時間焼成して得た圧電セ
ラミックスの抗折強度のワイブルプロットから求めた平
均抗折強度をＳｉＣウィスカー添加量に対してプロット
したものを示す。

第１図によれば、　ＳｉＣウィスカーの添加量が０．７
重量％までは、抗折力はＳｉＣウィスカーの添加量にほ
ぼ比例して増加することが示されており。

ＳｉＣウィスカーの無添加の場合、平均抗折強度は８９
０　ｋｇ／ｃＪである。ＳｉＣウィスカーを０．０５重
量％添加することにより平均抗折強度は９２０　ｋｇ／
ｌｊに増加し、０．２５重量％添加した場合は１０６０
ｋｇ／ｃＪ、ｏ、ｓ重量ｅｓ’ｏ添加で１２１０ｋｇ／
Ｊとなり。

ＳｉＣウィスカー無添加の場合より機械的強度が３６係
も増加し、０．７重量％添加すれば平均抗折強度が１２
７０　ｋｇ／ｃｄとなり、約４３％も向上した。

しかしながら、添加量が０．７重量％を超えると抗折強
度が低下しはじめ、１．０重量％の添加量で１０３０ｋ
ｌｉ’／ｃ＋４に減少し、１．２重量％添加すると無添
加の場合よりも強度が低下することが確認された。

なお焼成温度が１３００℃を超えた場合、ＳｉＣウィス
カーの添加による抗折強度の増加は見られなかった。す
なわち１３００℃を超える温度では、セラミックス材料
とＳｉＣとの反応が著しく生じてＳｉＣウィスカーの強
度が劣化することが判明した。

従って、特に鉛成分の多いチタン酸ノルコン酸鉛系の材
料では、　ＳｉＣとの反応の少ない焼成温度および焼成
時間を選択する必要がある。

一方１機械的強度の測定に用いた試料と同じ焼成条件、
すなわち１１８０℃で２時間焼成を行なって得られた電
気的特性測定用の試料についての誘電特性および圧電特
性の測定結果は次のとおりである。

誘電率はＳｉＣウィスカーの添加によって減少した。誘
電損失−δは、　ＳｉＣウィスカー無添加のとき１．７
５％であり、ＳｉＣウィスカーの添加によって若干増加
はするが、添加量０．７重量％までは１．９〜２．１チ
の範囲である。

周波数定数ｆｒ−ｄは、　ＳｉＣウィスカー無添加のと
き約２０００Ｈｚｍであるが、　ＳｉＣウィスカーの添
加によって増加し、０．５重量％のＳｉＣウィスカーの
添加によって、２２００Ｈｚｍとなシ、０．７重量％の
添加によって２２５０Ｈｚｍとなって１０〜１２ｅｌｂ
の増加が見られた。

Ｑｍ（機械的Ｑ）は、無添加のとき５３で、　ＳｉＣウ
ィスカーの添加によってやや増加するが、添加量が０．
５重量％までは５５〜６２と若干増加する。

添加量が０．７重量％では４８とやや減少するが。

減少度は１０％以内である。

電気機械結合係数についてみれば１円板状素子の径方向
の電気機械結合係数に、は、　　ＳｉＣウィスカー無添
加の場合に０．６４である。ＳｉＣウィスカーを０．０
５重量％添加するとＫｐは０．５９となり、０．１重量
％の添加で０．５５となり、０．３５重量％の添加で０
．４６．０．５０重量％の添加で０．４０　。

０．７重量％の添加で０．３４．１．０重量％の添加で
０．２９と減少するが、圧電材料として十分実用になる
変換効率を保っている。

一方、厚み方向の電気機械結合係数Ｋｔは、径方向の電
気機械結合係数Ｋｐに比較してＳｉＣウィスカー添加に
よる減少の割合が小さい。従って。

両者の比率Ｋｔ／に、は、第２図に示すようにＳｉＣウ
ィスカーの添加量の増加に応じて増加する。第２図から
明らかなように、ＳｉＣウィスカー無添加の場合、Ｋｔ
／に、は０．７８であったが、　ＳｉＣウィスカーの添
加量が０．０５重量％、０．３５重量％。

０．５０重量％、０．７０重量％および１．０重量％と
増加するに従い、Ｋｔ／Ｋｐはそれぞれ０．８４　。

１．１３，１．２０，１．４７および１．７２と増加し
、厚み方向の振動モードが強調これるようになる。

この特性は例えばチタン酸系圧電セラミックスの圧電特
性に近いものであり、音波の送受器用素子のように、縦
方向のモードの音波や機械的振動エネルギの電気的エネ
ルギへの変換、およびその逆の電気的エネルギから縦方
向のモードをもつ機械的振動エネルギへの変換を目的と
し、横方向モードの振動の影響を小ζくしたい場合のト
ランスデユーサの材料として好適である。

以上述べた特性は、Ｐ　Ｚ−Ｔ　Ｋ　Ｎｂ２Ｏ５ヲＯ−
５モルチ添加した組成物を温度１１８０°Ｃで２時間焼
成した圧電セラミックスに対するＳｉＣウィスカーの添
加によって得られたものであるが、焼成条件を変えた場
合１例えば焼成温度を１１５０℃から１２８０℃の間で
変化させ、これに応じて焼成時間を６時間から１時間ま
で変化させた場合にも、機械的特性、誘電特性および圧
電特性に関して同様の結果が得られた。

このような結果は、圧電セラミックス材料とＳｉＣとの
複合化により形成されるセラミックスの微構造により得
られるものである。

本実施例においては、ＰＺＴＫＮｂ２０５を添加した圧
電セラミックス材料に、ＳｉＣウィスカーを添加した場
合であるが、ＰＺＴに他の複合酸化物が添加された組成
を有するＰＺＴ系の圧電セラミックス材料にＳｉＣウィ
スカーを添加した複合材料においても同様の効果を奏す
ることができる。その−例を実施例２．に示す。

実施例２゜Ｐ　Ｚ　Ｔ　ＦｃＰｂ＜Ｍｇ、７３Ｎｂｐ、）Ｏｓ　　
を添加した組成を有する材料とＳｉＣウィスカーとの複
合化を行なった。用いた圧電材料の組成は０．２７５　
ＰｂＺｒＯ３−０、３５０ＰｂＴｉＯ３−０，３７５Ｐ
ｂ（Ｍｇｔ、Ｎｂｑ）０３であり、この原料混合物を温
度８５０　’Ｃで２時間仮焼して得られた仮焼物を粉砕
した後、　ＳｉＣウィスカーを０．０５重量％から３重
量％加え、攪拌装置を用いて２〜６時間湿式混合を行な
った。

濾過乾燥後、バインダーとして５重量％メチルセルロー
ス溶液を６重量％加え、造粒と整粒を行ない、再び乾燥
した後、直径２５１１１．厚さ１．５罪の円板状に１０
００ｋｌｉ’／ｃＪの圧力下で加圧成形した。

この成形体を、１１５０〜１３００℃の温度で６〜１時
間焼成を行ない、圧電セラミックス素子を得。

実施例１の場合と同様の方法で機械的強贋および電気的
特性の測定を行なった。

一例として、１２８０℃の温度で２時間焼成した試料に
ついてみると、ＳｉＣウィスカーの添加によって平均抗
折強度の増大がみられた。すなわちＳｉＣウィスカーを
０．１０重量％、０．２５重量％およびＯ，ＳＯ重量％
添加することによって、それぞれ平均抗折強度が８％、
１９チおよび３６チ増大することが確認された。また温
度１１５０℃で６時間、１２５０℃で３時間、および１
３００℃で１時間または２時間焼成した複合材料でも同
様の平均抗折強度の増大が確認された。

しかしながら、　ＳｉＣウィスカーの添加量が０．６な
いし０．８重量％を超えると、抗折強度の減少が始まる
ため、この組成物に対し１機械的強度を改善できるＳｉ
Ｃウィスカーの添加量は１．０重量％が限度であった。

焼成温度が高い場合１例えば１３３０℃で２時間焼成す
ると、　ＳｉＣウィスカーの添加による強度増大は見ら
れず１本実施例における焼成温度の上限は１３００℃で
あった。

誘電特性および圧電特性について見ると、誘電率は実施
例１と同様にＳｉＣウィスカーの添加に伴ない減少した
。誘電損失は、ＳｉＣウィスカーの添加量が０．７重量
％までは一定で、添加量が１．０重量％を超えると増加
した。

周波数定数およびＱｍ（機械的Ｑ）はＳｉＣウィスカー
の添加量の増加に伴ない実施例１と同様の傾向を示した
。

また電気機械結合係数についても、径方向のＫｐはＳｉ
Ｃウィスカーの添加量の増加に伴ない減少するが、縦方
向のＫｔがほぼ一定であるため、Ｋｔ／ＫｐはＳｉＣウ
ィスカーの添加量の増加に伴ない増加した。このように
本実施例の組成においても。

ＳｉＣウィスカーの添加により、縦方向モードが強調さ
れた材料が得られた。なお、　ＳｉＣウィスカーを１．
０重量％より多く添加すると、Ｋｐは０．２５あるいは
これより小さい値となった。

以上のように、実施例１ではＰＺＴＫＮｂ□０５を添加
した圧電セラミックス材料に、また実施例２ではＰＺＴ
にＰｂ（Ｍｇ、、Ｎｂ、３）Ｏ３を添加した組成のもの
にＳｉＣウィスカーをそれぞれ添加しているが。

それのみでなく、下記の２つのグルーｆ（１１および（
２）の化合物の１つもしくは複数の組合せを選択して添
加物としてＰＺＴに添加した組成のものにＳｉＣウィス
カーを加えても同様の効果を得ることができる。

ｆｌ＋グループ１：Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５．　Ｃｒ２Ｏ５，ＭｎＯ２，Ｆ
ｅ２Ｏ３、Ｎｉｐ。

Ｃｏ２Ｏ３，ＰｂＮｂ２Ｏ６、ＰｂＴａ２０６　、　Ｂ
ａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３。

ＰｂＳｒＯ３、ＳｒＴｉＯ３および５ｒＴｉ０３　。

（２）グループ２：Ｐｂ　（Ｍｇ１／３Ｎｂ２．、　）Ｏ３　、　Ｐｂ　（
Ｍｎ　ｈＮｂ２．）０３　。

Ｐｂ（Ｃｄｌ、Ｗｌ、２）０３　、　Ｐｂ（ＳＪ、　Ｓ
ｎ１．　）０３　。

Ｐｂ（Ｙψｂ、、）Ｏ，・Ｐｂ（Ｃ・ｂ冷２，３）Ｏ３
・Ｐｂ（Ｎｉ残Ｎｂ、、　）ｏ、　、　Ｐｂ（Ｚｎ１．
Ｎｂ２．　）０３　。

Ｐｂ（Ｎｉ、、Ｗ、３）Ｏ３．　ＰｂＣＣｏ、、Ｗ、、
＞０５　　ｋヨ（ｉＳｒ（Ｌｉ、、、Ｗ、、３）Ｏ３また、チタン酸鉛およびジルコン酸鉛に、上記グルー７
０２の化合物の中から選ばｈた１つの化合物を加えた３
成分系のものでもよい。さらに、この３つの酸化物に、
上記したグループ１および２の化合物（但し前記グルー
プ２の中から選ばれた１つの化合物を除く）の中から選
ばれた少なくとも１つの化合物を添加物として用いたも
のでもよい。

なお、上記の組成物においては、各々の材料に応じて適
切な仮焼温度および本焼成温度を選択すればよい。ただ
し、鉛を含む組成物であるため。

ＳｉＣと鉛とが反応しないかまたは反応の少ない焼成温
度と焼成時間を選ぶ必要がある。例えば前記実施例１お
よび２においては、１３００℃を超える温度で焼成した
場合、　ＳｉＣウィスカーの添加による機械的強度の増
大は見られなかった。従ってＳｉＣと鉛との反応を回避
するため１例えば１２８０℃以下、望ましくは１２００
℃以下の比較的低い温度で本焼成しうる圧電セラミック
ス原料を選択するのがよい。

〔発明の効果〕

以上の説明で明らかなように、本発明によればＭＰＢ近
傍の組成を有するＰＺＴ系圧電セラミックスが本来備え
ている優れた電気的特性を損うことなく機械的強度の増
大を図った圧電セラミックスを得ることができる。従っ
て、ＰＺＴ系圧電セラミックスを高出力素子に適用する
ことができ、さらに周波数定数が増加することにより高
周波用素子としても適用できる。

さらに本発明による圧電セラミックスを厚み振動を利用
する円板状共振子に適用した場合、径方向振動の影響が
少なく、厚み方向のモードが強調される利点がある。

以上述べた効果は、圧電セラミックス材料に対する繊維
状ＳｉＣの添加による構造的な改善によって得られるた
め、圧電材料の材質を広い範囲に亘って選択することが
可能になり、目的に応じて材料組成を選択できるため１
種々のトランすデー一サとしての性能を向上させること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による圧電セラミックスにおけるＳｉＣ
ウィスカー添加量と平均抗折強度との関係を示すグラフ
、第２図は同ＳｉＣウィスカー添加量とＫｔ／Ｋｐとの
関係を示すグラフである。

Claims

【特許請求の範囲】１、チタン酸ジルコン酸鉛系酸化物を仮焼しかつ粉砕し
て得られた原料と０．０５〜１．０重量％の繊維状炭化
けい素との混合物を成形および焼成してなる圧電セラミ
ックス。２、特許請求の範囲第１項に記載された圧電セラミック
スにおいて、前記チタン酸ジルコン酸鉛系酸化物がＰｂ
（Ｚｒ＿０＿．＿５＿３Ｔｉ＿０＿．＿４＿７）Ｏ＿３
を主成分とする前記圧電セラミックス。３、特許請求の範囲第１項に記載された圧電セラミック
スにおいて、前記繊維状炭化けい素がＳｉＣウィスカー
よりなる前記圧電セラミックス。４、特許請求の範囲第１項に記載された圧電セラミック
スにおいて、前記チタン酸ジルコン酸鉛系酸化物が、チ
タン酸鉛と、ジルコン酸鉛と、次のグループＰｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐ
ｂ（Ｍｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ
（Ｃｄ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｓ
ｂ＿１＿／＿２Ｓｎ＿１＿／＿２）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｙ＿
１＿／＿２Ｎｂ＿１＿／＿２）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｃｏ＿１
＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿
／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／
＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿
２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｃｏ＿１＿／＿２Ｗ
＿１＿／＿２）Ｏ＿３およびＳｒ（Ｌｉ＿２＿／＿５Ｗ
＿３＿／＿５）Ｏ＿３の中から選ばれた１つの化合物と
よりなる３成分系の前記圧電セラミックス。５、特許請求の範囲第１項に記載された圧電セラミック
スにおいて、前記チタン酸ジルコン酸鉛系酸化物が、チ
タン酸ジルコン酸鉛に、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｔａ＿２Ｏ＿５、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、Ｍ
ｎＯ＿２、Ｆｅ＿２Ｏ＿３、ＮｉＯ、Ｃｏ＿２Ｏ＿３、
ＰｂＮｂ＿２Ｏ＿６、ＰｂＴａ＿２Ｏ＿６、ＢａＴｉＯ
＿３、ＣａＴｉＯ＿３、ＰｂＳｒＯ＿３、ＳｒＴｉＯ＿
３、Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３
、Ｐｂ（Ｍｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、
Ｐｂ（Ｃｄ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３、Ｐｂ
（Ｓｂ＿１＿／＿２Ｓｎ＿１＿／＿２）Ｏ＿３、Ｐｂ（
Ｙ＿１＿／＿２Ｎｂ＿１＿／＿２）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｃｏ
＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｎｉ＿
１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｚｎ＿１
＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿
／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３、Ｐｂ（Ｃｏ＿１＿／＿
２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３およびＳｒ（Ｌｉ＿２＿／＿
５Ｗ＿３＿／＿５）Ｏ＿３の中から選ばれた少なくとも
１つの化合物を添加物として用いたものよりなる前記圧
電セラミックス。６、特許請求の範囲第４項に記載された圧電セラミック
スにおいて、さらに、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｔａ＿２Ｏ＿５
、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、ＭｎＯ＿２、Ｆｅ＿２Ｏ＿３、Ｎｉ
Ｏ、Ｃｏ＿２Ｏ＿３、ＰｂＮｂ＿２Ｏ＿６、ＰｂＴａ＿
２Ｏ＿６、ＢａＴｉＯ＿３、ＣａＴｉＯ＿３、ＰｂＳｒ
Ｏ＿３、ＳｒＴｉＯ＿３および前記１つの化合物を除く
前記グループの各化合物の中から選ばれた少なくとも１
つの化合物を添加物として用いたものよりなる前記圧電
セラミックス。