JPS6159741A - 半導体素子の実装構造 - Google Patents
半導体素子の実装構造Info
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- JPS6159741A JPS6159741A JP18107984A JP18107984A JPS6159741A JP S6159741 A JPS6159741 A JP S6159741A JP 18107984 A JP18107984 A JP 18107984A JP 18107984 A JP18107984 A JP 18107984A JP S6159741 A JPS6159741 A JP S6159741A
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- JP
- Japan
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- substrate
- semiconductor element
- board
- package
- connector
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は冷却手段が設けられた半導体素子のパッケージ
が所定の基板に挿脱可能に装着された半導体素子の実装
構造に係り、特に該半導体素子のパッケージは突出され
た電源ポストによって保持および電源の供給が行われる
ように形成された半導体素子の実装構造に関する。
が所定の基板に挿脱可能に装着された半導体素子の実装
構造に係り、特に該半導体素子のパッケージは突出され
た電源ポストによって保持および電源の供給が行われる
ように形成された半導体素子の実装構造に関する。
電子装置に広く用いられるＬＳＩ素子などの半導体素子
が収納されたパッケージは多層配線基板に実装され、そ
れぞれの半導体素子は冷却媒体によって強制的に冷却す
ることにより、冷却効率の向上によって高密度実装を図
り、パッケージ間の配線路を極力短縮し高速化および、
小型化の推進がおこなわれている。
が収納されたパッケージは多層配線基板に実装され、そ
れぞれの半導体素子は冷却媒体によって強制的に冷却す
ることにより、冷却効率の向上によって高密度実装を図
り、パッケージ間の配線路を極力短縮し高速化および、
小型化の推進がおこなわれている。
また、一方、このような半導体素子に障害が発生した場
合は障害の探索、および交換などの処置を行う保守点検
が必要である。
合は障害の探索、および交換などの処置を行う保守点検
が必要である。
したがって、冷却効率が良＜、シかも、保守点検が容易
に行われるように形成されることが重要である。
に行われるように形成されることが重要である。
従来は第２図の斜視図に示すように構成されていた。
多層配線基板ｌの実装面には所定の配列で半導体素子２
が実装され、それぞれの半導体素子２の回路は多層配線
基板１のパターン配線を介して接続されている。この多
層配線基板１は１例えばフロロカーボン液７などの熱伝
達用不活性液が注入されたケース６に内設されて形成さ
れ、ケース６の上面には気体または液体の冷媒が循環さ
れるコールドプレート４が固着されて構成されている。
が実装され、それぞれの半導体素子２の回路は多層配線
基板１のパターン配線を介して接続されている。この多
層配線基板１は１例えばフロロカーボン液７などの熱伝
達用不活性液が注入されたケース６に内設されて形成さ
れ、ケース６の上面には気体または液体の冷媒が循環さ
れるコールドプレート４が固着されて構成されている。
このコールドプレート４には良熱伝導材によって形成さ
れたフィン５が櫛状に突出されるように固着されている
。
れたフィン５が櫛状に突出されるように固着されている
。
そこで、冷媒が供給口４Ａより排出口４Ｂに流出される
ことにより半導体素子２の発熱はフロロカーボン液７と
フィン５とを介して吸収される。
ことにより半導体素子２の発熱はフロロカーボン液７と
フィン５とを介して吸収される。
しかし、このような構成では半導体素子２の障害が発生
した場合はケース６より多層配線基板１を取り出さなけ
ればならなく、保守点検が困難な問題を有しており、更
に、冷却は半導体素子２の外周に接したフロロカーボン
液７の蒸気がフィン５を介してコールドプレート４の循
環路に流れる冷媒によって液化されることで行われるた
め、冷却効率が悪い問題も有していた。
した場合はケース６より多層配線基板１を取り出さなけ
ればならなく、保守点検が困難な問題を有しており、更
に、冷却は半導体素子２の外周に接したフロロカーボン
液７の蒸気がフィン５を介してコールドプレート４の循
環路に流れる冷媒によって液化されることで行われるた
め、冷却効率が悪い問題も有していた。
〔問題点を解決するための手段〕
前述の問題点は、実装された複数の半導体素子を冷却す
る冷却手段が設けられた第１の基板と。
る冷却手段が設けられた第１の基板と。
該第１の基板がコネクタを介して挿脱可能に装着される
第２の基板とを備えると共に、該第１の基板より突出さ
れた電源ポストは該第２の基板の所定箇所の貫通穴に係
止された金具によって保持され、かつ、それぞれの互い
の電源層が接続されるよう形成された本発明による。実
装構造により解決される。
第２の基板とを備えると共に、該第１の基板より突出さ
れた電源ポストは該第２の基板の所定箇所の貫通穴に係
止された金具によって保持され、かつ、それぞれの互い
の電源層が接続されるよう形成された本発明による。実
装構造により解決される。
即ち、冷却手段が設けられた第１の基板によって形成さ
れたパッケージは信号線がコネクタを介して、ｉｔ電源
線電源ポストを“介してそれぞれ第２の基板に接続され
るため、パッケージの着脱は容易に行うことができる。
れたパッケージは信号線がコネクタを介して、ｉｔ電源
線電源ポストを“介してそれぞれ第２の基板に接続され
るため、パッケージの着脱は容易に行うことができる。
したがって、障害などによって半導体素子を取り出した
い場合はパッケージを脱抜することで行え、従来のよう
な多層配線基板１の取り外しは不要となり、簡単に行う
ことができる。
い場合はパッケージを脱抜することで行え、従来のよう
な多層配線基板１の取り外しは不要となり、簡単に行う
ことができる。
以下本発明を第１図の一実施例を参考に詳細に説明する
。（ａ）、 （ｂ）図は斜視図、 （Ｃ）図は断面図
を示し、企図全通し、同一符号は同一対象物を示す。
。（ａ）、 （ｂ）図は斜視図、 （Ｃ）図は断面図
を示し、企図全通し、同一符号は同一対象物を示す。
（ｂ）図に示すように、パッケージ１５は半導体素子２
が実装された多層配線基板の第１の基板１２の実装面に
対してはケース１３が固着され。
が実装された多層配線基板の第１の基板１２の実装面に
対してはケース１３が固着され。
実装面と反対の面に対してはコンタクト１６と電源ポス
ト１４とが突出されて形成され、パッケージ１５が（ａ
）図に示すように貫通穴１０Ａとコネクタ１１とを設け
た多層配線基板よりなる第２の基板ＩＯに矢印六方向に
装着されるように構成したものである。
ト１４とが突出されて形成され、パッケージ１５が（ａ
）図に示すように貫通穴１０Ａとコネクタ１１とを設け
た多層配線基板よりなる第２の基板ＩＯに矢印六方向に
装着されるように構成したものである。
この装着は（ｃ）図に示すように形成することで行える
。
。
第２の基板１０の貫通穴１０Ａにはホルダ１７が電源層
に半田１８によって半田付けされ、コネクタ１１のリー
ド端子１１Ａは、第２の基板１０のそれぞれのパターン
配線１０Ｂに接続されている。
に半田１８によって半田付けされ、コネクタ１１のリー
ド端子１１Ａは、第２の基板１０のそれぞれのパターン
配線１０Ｂに接続されている。
一方、パフケージ１５の第１の基板１２に実装された半
導体素子２の端子２Ａはそれぞれのパターン配線１２Ａ
に接続され、更に、パターン配線１２Ａよりコンタクト
１６に接続されており、また、電源ポスト１４は図示さ
れていない電源層に接続されている。
導体素子２の端子２Ａはそれぞれのパターン配線１２Ａ
に接続され、更に、パターン配線１２Ａよりコンタクト
１６に接続されており、また、電源ポスト１４は図示さ
れていない電源層に接続されている。
そこで、コンタクト１６がコネクタ１１に、電源ボス１
−１４がホルダ１７に添れぞれ挿入されることにより、
信号線および電源線の接続がおこなえると共に、パッケ
ージ１５の保持が行える。
−１４がホルダ１７に添れぞれ挿入されることにより、
信号線および電源線の接続がおこなえると共に、パッケ
ージ１５の保持が行える。
また、冷却はケース１３にカプラ２０を介してパイプ２
１を配設し、温度、圧力および流量を検出するセンサ２
２をコネクタ２３と２４とによって設け、一方のパイプ
２１より他方のパイプ２１に冷媒を送出することで行、
える。
１を配設し、温度、圧力および流量を検出するセンサ２
２をコネクタ２３と２４とによって設け、一方のパイプ
２１より他方のパイプ２１に冷媒を送出することで行、
える。
このように構成することにより、半導体素子２はカプラ
２０とコネクタ２４−とを取り外し、パフケ・−ジ１５
をコンタクト１６とホルダ１７とを脱抜すことで容易に
取り外しが行えるため、パッケージ１５を保守単位とす
ると敏速な障害処理が行える、また、冷却はケース１３
に冷媒を送り込むことで直接半導体素子２を冷却するこ
とができるため、冷却効率の向上が図れる。・ 〔発明の効果〕 以上説明したように２本発明は半導体素子が実装され、
冷却手段を備えたパッケージが着脱容易に多層基板に設
けられるようにしたものである。
２０とコネクタ２４−とを取り外し、パフケ・−ジ１５
をコンタクト１６とホルダ１７とを脱抜すことで容易に
取り外しが行えるため、パッケージ１５を保守単位とす
ると敏速な障害処理が行える、また、冷却はケース１３
に冷媒を送り込むことで直接半導体素子２を冷却するこ
とができるため、冷却効率の向上が図れる。・ 〔発明の効果〕 以上説明したように２本発明は半導体素子が実装され、
冷却手段を備えたパッケージが着脱容易に多層基板に設
けられるようにしたものである。
これにより、保守点検作業工数の削減が図れ。
更に、冷却効率の向上が図れ、実用効果は大である。
第１図は本発明の一実施例を示し、（ａ）。
（ｂ）図は斜視図、（Ｃ）図は断面図。
第２図は従来の斜視図を示す。
図において。
■は多層配線基板、 ２は半導体素子。
４はコールドプレート、５はフィン。
６．１３はケース、 ７はフロロカーボン液。
１０は第２の基板、 １１はコネクタ。
１２は第１の基板、 １４は電源ポスト。
１５はパッケージ、 １６はコンタクト。
１７はホルダ、 １８は半田。
２０はカブラ、 ２１はパイプ１．２２はセン
サ、 ２３．２４はコネクタを示す。 第Ｌ Ｉ、ｉ （ｂ）
サ、 ２３．２４はコネクタを示す。 第Ｌ Ｉ、ｉ （ｂ）
Claims (1)
- 実装された複数の半導体素子を冷却する冷却手段が設
けられた第１の基板と、該第１の基板がコネクタを介し
て挿脱可能に装着される第２の基板とを備えると共に、
該第１の基板より突出された電源ポストは該第２の基板
の所定箇所の貫通穴に係止された金具によって保持され
、かつ、それぞれの互いの電源層が接続されるよう形成
されたことを特徴とする半導体素子の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18107984A JPS6159741A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体素子の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18107984A JPS6159741A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体素子の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159741A true JPS6159741A (ja) | 1986-03-27 |
Family
ID=16094439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18107984A Pending JPS6159741A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体素子の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159741A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148455U (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-17 | ||
| US6765285B2 (en) | 2002-09-26 | 2004-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power semiconductor device with high radiating efficiency |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP18107984A patent/JPS6159741A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148455U (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-17 | ||
| US6765285B2 (en) | 2002-09-26 | 2004-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power semiconductor device with high radiating efficiency |
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