JP3450618B2 - 面実装形半導体パッケージの交換用治具および交換方法、面実装形半導体パッケージを有する回路モジュール - Google Patents

面実装形半導体パッケージの交換用治具および交換方法、面実装形半導体パッケージを有する回路モジュール

Info

Publication number
JP3450618B2
JP3450618B2 JP31942096A JP31942096A JP3450618B2 JP 3450618 B2 JP3450618 B2 JP 3450618B2 JP 31942096 A JP31942096 A JP 31942096A JP 31942096 A JP31942096 A JP 31942096A JP 3450618 B2 JP3450618 B2 JP 3450618B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor package
solder
jig
circuit board
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP31942096A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10163262A (ja
Inventor
和彦 長尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP31942096A priority Critical patent/JP3450618B2/ja
Publication of JPH10163262A publication Critical patent/JPH10163262A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3450618B2 publication Critical patent/JP3450618B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3201—Structure
    • H01L2224/32012—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
    • H01L2224/32013—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being larger than the bonding area, e.g. bond pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多数の半田ボール
を有する面実装形の半導体パッケージを交換する際に用
いる治具およびこの半導体パッケージの交換方法、なら
びに半導体パッケージを回路基板に面実装してなる回路
モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】面実装形の半導体パッケージとして、ボ
ールグリッドアレイ形（以下ＢＧＡと称す）の半導体パ
ッケージが知られている。この種の半導体パッケージに
は、パッケージ基材としてプリント基板を用いたプラス
チックＢＧＡ、パッケージ基材にセラミックを用いたセ
ラミックＢＧＡおよびパッケージ基材にフィルムを用い
たテープＢＧＡ等の種類があり、これらＢＧＡは用途に
応じて使い分けられている。
【０００３】このようなＢＧＡのうち、上記プラスチッ
クＢＧＡは、プリント基板にボンディングされたＩＣチ
ップと、このＩＣチップをモールドする合成樹脂製のモ
ールド材とを有し、これらモールド材とプリント基板と
によって偏平な箱状をなすパッケージ本体が構成されて
いる。
【０００４】プリント基板の裏面には、ボール状の多数
の半田バンプがマトリックス状に並べて配置されてい
る。半田バンプは、半導体パッケージの外部端子として
機能するものであり、上記プリント基板の裏面に半田付
けされている。
【０００５】このＢＧＡ形の半導体パッケージは、回路
基板に実装されている。この回路基板は、半導体パッケ
ージが実装される実装面を有している。この実装面に
は、多数のパッドがマトリックス状に並べて配置されて
いる。パッドは、回路基板に形成された導体パターンに
電気的に接続されており、これらパッドに半導体パッケ
ージの半田バンプが半田付けされている。
【０００６】ところで、この種の半導体パッケージで
は、半田バンプとパッドとの半田付け部が、パッケージ
本体と回路基板との間の微小な隙間に位置されるため
に、周辺部だけが半田付けされたＱＦＰ（quad flat pa
ckage ）のように、上記半田付け部を直接外方に露出さ
せることができない。
【０００７】このため、ＩＣチップの不良等により、半
導体パッケージを交換する必要が生じた場合、従来で
は、エアーリフローのような専用の設備で半導体パッケ
ージの実装部分に熱を加え、半田バンプとパッドとを接
合している半田を溶融させることで、半導体パッケージ
を回路基板の実装面から取り外している。
【０００８】ところが、この構成によると、交換すべき
半導体パッケージばかりでなく、この半導体パッケージ
の周囲に位置する他の回路部品や半導体パッケージも高
温に加熱されるために、これら回路部品や半導体パッケ
ージに対する熱影響が極めて大きくなり、不良発生の原
因となる。
【０００９】また、交換すべき半導体パッケージの周囲
に、耐熱性の低い回路部品が位置するような場合には、
半導体パッケージの実装部分を加熱する以前に、予め耐
熱性の低い回路部品を一時的に回路基板から取り外し、
熱による回路部品の損傷を防止する必要がある。そのた
め、作業工数が多くなり、半導体パッケージの取り外し
作業に多大な手間と労力を要するといった問題が生じて
くる。
【００１０】このような問題に対処するため、従来、上
記半田バンプとパッドとの半田付け部を直接加熱し得る
ようにした交換用治具が考案されている。この交換用治
具は、櫛歯状をなす複数の偏平な加熱部を含む治具本体
を有している。治具本体は、熱伝導性を有する材料にて
構成され、この治具本体の一端には、半田ごてやヒータ
のような熱源が挿入される接続口が形成されている。
【００１１】このような交換用治具を用いて半導体パッ
ケージを回路基板から取り外すには、まず、治具本体の
加熱部を回路基板とパッケージ本体との間の隙間に差し
込み、この加熱部を隣り合う半田バンプの間に位置させ
る。加熱部は、熱源からの熱伝達により加熱されるの
で、この加熱部の熱が半田バンプとパッドとの半田付け
部に集中して伝わり、半田バンプとパッドとを接合して
いる半田が溶融する。
【００１２】そのため、交換すべき半導体パッケージの
周囲の回路部品に対する熱影響を抑えつつ、半田バンプ
とパッドとの半田付けを容易に解除することができ、半
導体パッケージの取り外しが可能となる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
交換用治具は、櫛歯状の治具本体を半導体パッケージと
回路基板との間の隙間に挿入する必要があるため、この
半導体パッケージの周囲に他の回路部品が配置されてい
ると、この回路部品が邪魔となって、上記隙間への治具
本体の挿入が不可能となる。
【００１４】そのため、交換用治具を使用するには、ま
ず最初に、交換すべき半導体パッケージの周囲に位置す
る回路部品を一旦回路基板から取り外して、この半導体
パッケージの周囲に治具本体を収めるスペースを確保し
なくてはならない。したがって、作業工数が多くなり、
半導体パッケージの取り外し作業に多大な手間と労力を
要するといった問題がある。
【００１５】しかも、上記交換用治具は、半導体パッケ
ージの周囲にスペースがないと使用できないために、回
路基板の実装面に多数の回路部品を高密度に実装するこ
とができなくなる。この結果、回路基板上にデッドスペ
ースが生じてしまい、半導体パッケージを含む回路部品
の配置に無理が生じたり、回路基板の大型化を招くとと
いった不具合が生じてくる。
【００１６】本発明は、このような事情にもとづいてな
されたもので、取り外すべき半導体パッケージの周囲へ
の熱影響を極力少なく抑えることができ、しかも、この
半導体パッケージの周囲に専用のスペースを確保する必
要もなく、半導体パッケージの取り外し作業を容易に行
えるとともに、高密度な実装が可能となる交換用治具お
よび交換方法、ならびに回路モジュールを得ることにあ
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載された発明は、パッケージ本体の裏
面に多数の半田バンプがマトリックス状に並べて配置さ
れた半導体パッケージを、上記半田バンプが半田付けさ
れた多数のパッドを有する回路基板から取り外す際に用
いる交換用治具であって、この交換用治具は、上記パッ
ケージ本体に支持され、このパッケージ本体と上記回路
基板との間に介在されるとともに、上記半田バンプとパ
ッドとを接合する半田を溶融させるに足りる温度に発熱
又は加熱される治具本体と、この治具本体に形成され、
上記半田バンプが入り込む複数の開口部と、を備えてい
る。
【００１８】このような構成において、半導体パッケー
ジを回路基板から取り外すには、まず最初に、交換用治
具の治具本体を発熱又は加熱させる。すると、治具本体
の開口部の内側には、半田バンプが位置されているの
で、治具本体の熱は、開口部の開口周縁を通じて半田バ
ンプとパッドとを接合している半田に直接伝えられ、こ
の半田が溶融する。半田が溶融したならば、交換用治具
を半導体パッケージと共に回路基板に沿うようにスライ
ドさせる。このスライドにより、開口部の開口周縁が溶
融状態にある半田に接触し、この半田を分断する。この
結果、半田バンプとパッドとの半田付けが解除され、半
導体パッケージを回路基板から取り外すことができる。
【００１９】このような交換用治具は、予め半導体パッ
ケージと共に回路基板に実装されているので、半田バン
プとパッドとの半田付け部を直接かつ集中的に加熱する
ことができ、半導体パッケージの周囲への熱影響が少な
くなる。
【００２０】しかも、治具本体を半導体パッケージと回
路基板との間の微小な隙間に差し込む必要もないので、
この半導体パッケージの周囲に他の回路部品が配置され
ていても何等支障はない。そのため、半導体パッケージ
の周囲の回路部品を一旦取り外すといった面倒で手間の
かかる作業が不要となり、その分、作業工数が少なくな
って、半導体パッケージの取り外し作業を容易に行なう
ことができる。
【００２１】それとともに、取り外すべき半導体パッケ
ージの周囲に交換用治具を出し入れするスペースを確保
する必要もなくなるので、回路基板上からデッドスペー
スを排除することができ、高密度な実装が可能となる。
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【００３５】
【００３６】上記目的を達成するため、請求項４に記載
された発明は、多数の半田バンプがマトリックス状に並
べた配置された半導体パッケージを、上記半田バンプが
半田付けされた回路基板から取り外して交換する方法で
あって、上記半田バンプの間に介在される複数の半田切
断部を有する交換用治具を用意し、この交換用治具を上
記半導体パッケージに取り付けるとともに、この交換用
治具の半田切断部を上記半導体パッケージの隣り合う半
田バンプの間に介在させる第１の工程と、上記半導体パ
ッケージの半田バンプを上記回路基板上のパッドに半田
付けし、上記交換用治具の半田切断部を上記半導体パッ
ケージと回路基板との間に位置させる第２の工程と、上
記交換用治具を発熱又は加熱することにより、上記半田
バンプとパッドとを接合している半田を溶融させる第３
の工程と、上記半田が溶融された時に、上記交換用治具
の半田切断部で上記半田を切断することにより上記半田
バンプとパッドとを互いに分離させる第４の工程と、上
記交換用治具を回路基板から遠ざかる方向に移動させる
ことにより、上記半導体パッケージを回路基板から取り
出す第５の工程と、を備えている。
【００３７】この方法によれば、交換用治具は、予め半
導体パッケージと共に回路基板に実装されているので、
半田バンプとパッドとの半田付け部を直接かつ集中的に
加熱することができ、半導体パッケージの周囲への熱影
響が少なくなる。しかも、半田を溶融させる際に、治具
本体を半導体パッケージと回路基板との間の微小な隙間
に差し込む必要もなく、この半導体パッケージの周囲に
他の回路部品が配置されていても何等支障はない。その
ため、従来のように半導体パッケージの周囲の回路部品
を一旦取り外すといった面倒で手間のかかる作業が一切
不要となり、その分、作業工数が少なくなって、半導体
パッケージの取り外し作業を容易に行なうことができ
る。
【００３８】それとともに、取り外すべき半導体パッケ
ージの周囲に交換用治具を出し入れするスペースを確保
する必要もないので、回路基板上からデッドスペースを
排除することができ、高密度な実装が可能となる。
【００３９】上記目的を達成するため、請求項６に記載
された発明は、パッケージ本体の裏面に多数の半田バン
プがマトリックス状に並べて配置された半導体パッケー
ジと、この半導体パッケージが実装される実装面を有
し、この実装面に上記半田バンプに対応する多数のパッ
ドがマトリックス状に並べて配置された回路基板と、を
備えており、上記半導体パッケージの半田バンプを上記
回路基板のパッドに半田付けしてなる回路モジュールを
前提としている。そして、上記半導体パッケージと上記
回路基板との間に、この半導体パッケージを交換する際
に用いる治具を配置し、この治具は、熱伝導性を有し、
しかも、上記半田バンプとパッドとを接合する半田を溶
融させるに足りる温度に発熱又は加熱される治具本体を
有し、この治具本体は、上記パッケージ本体に支持され
ているとともに、上記半田バンプが入り込む複数の開口
部を備えている。
【００４０】この構成において、半導体パッケージを回
路基板から取り外すには、まず最初に、交換用治具の治
具本体を発熱又は加熱させる。すると、治具本体の開口
部の内側には、半田バンプが位置されているので、治具
本体の熱は、開口部の開口周縁を通じて半田バンプとパ
ッドとを接合している半田に直接伝えられ、この半田が
溶融する。半田が溶融したならば、交換用治具を半導体
パッケージと共に回路基板に沿うようにスライドさせ
る。このスライドにより、開口部の開口周縁が溶融状態
にある半田に接触し、この半田を分断する。この結果、
半田バンプとパッドとの半田付けが解除され、半導体パ
ッケージを回路基板から取り外すことができる。
【００４１】このような交換用治具は、予め半導体パッ
ケージと共に回路基板に実装されているので、半田バン
プとパッドとの半田付け部を直接かつ集中的に加熱する
ことができ、半導体パッケージの周囲への熱影響が少な
くなる。しかも、半田を溶融させる際に、治具本体を半
導体パッケージと回路基板との間の微小な隙間に差し込
む必要はなく、この半導体パッケージの周囲に他の回路
部品が配置されていても何等支障はない。そのため、従
来のように、半導体パッケージの周囲の回路部品を一旦
取り外すといった面倒で手間のかかる作業が不要とな
り、その分、作業工数が少なくなって、半導体パッケー
ジの取り外し作業を容易に行なうことができる。
【００４２】それとともに、取り外すべき半導体パッケ
ージの周囲に交換用治具を出し入れするスペースを確保
する必要もなくなるので、回路基板上からデッドスペー
スを排除することができ、高密度な実装が可能となる。
【００４３】
【００４４】
【００４５】
【００４６】
【００４７】
【００４８】
【００４９】
【００５０】
【００５１】
【００５２】
【００５３】
【００５４】
【００５５】
【００５６】
【００５７】
【００５８】
【００５９】
【００６０】
【００６１】
【００６２】
【発明の実施の形態】以下本発明の第１の実施の形態
を、図１ないし図８にもとづいて説明する。図１は、電
子機器としてのポータブルコンピュータ１を示してい
る。このコンピュータ１は、偏平な箱状をなす筐体２
と、この筐体２に支持されたフラットなディスプレイユ
ニット３とを備えている。
【００６３】筐体２は、ベース４と、このベース４に取
り外し可能に連結されたアッパカバー５とに分割されて
いる。ベース４は、平坦な底壁４ａを有している。アッ
パカバー５は、底壁４ａと向かい合う上壁５ａを有して
いる。上壁５ａの前部は、平坦なパームレスト６となっ
ており、このパームレスト６の後方にキーボード７が配
置されている。
【００６４】ディスプレイユニット３は、筐体２の後端
部にヒンジ軸８を介して支持されている。そのため、デ
ィスプレイユニット３は、パームレスト６やキーボード
７を上方から覆う閉じ位置と、キーボード７の後方にお
いて起立する開き位置とに亘って回動可能となってい
る。
【００６５】筐体２の内部には、回路モジュール９が収
容されている。回路モジュール９は、回路基板１０と、
この回路基板１０に実装されたＢＧＡ形の半導体パッケ
ージ１１およびこの半導体パッケージ１１に隣接して配
置されたその他の回路部品１２とを備えている。
【００６６】上記回路基板１０は、筐体２の底壁４ａに
取り外し可能に支持されている。この回路基板１０は、
図６の（Ａ）に示すように、例えばガラスエポキシある
いはポリイミド等により形成された絶縁基板１３を有
し、この絶縁基板１３の上に導体パターン１４が形成さ
れている。
【００６７】絶縁基板１３の表面は、平坦な実装面１３
ａをなしている。実装面１３ａには、図７に示すよう
に、多数のパッド１５がマトリックス状に並べて配置さ
れている。これらパッド１５は、上記導体パターン１４
に電気的に接続されている。パッド１５は、夫々円形の
平面形状を有し、夫々のパッド１５の表面は、半田層１
６によって覆われている。半田層１６は、パッド１５の
表面に半田ペーストを印刷することにより構成されてい
る。
【００６８】また、絶縁基板１３は、上記パッド１５に
対応する部分を除いてソルダレジスト層１８により覆わ
れている。
【００６９】図２に示すように、上記半導体パッケージ
１１は、パッケージ本体２０を有している。パッケージ
本体２０は、偏平な四角形箱状をなしている。このパッ
ケージ本体２０は、パッケージ基材としてのプリント基
板２１と、このプリント基板２１の表面２１ａに実装さ
れ、動作中に発熱するＩＣチップ２２と、このＩＣチッ
プ２２をプリント基板２１にモールドする合成樹脂ある
いはセラミック製のモールド材２３とを備えている。プ
リント基板２１の表面２１ａには、配線パターン２４が
形成されており、この配線パターン２４に上記ＩＣチッ
プ２２がワイヤーボンディングされている。
【００７０】プリント基板２１の裏面２１ｂは、モール
ド材２３によって覆われておらず、この裏面２１ｂに
は、図６の（Ａ）に示すような多数の接続パッド２６が
マトリックス状に並べて配置されている。接続パッド２
６は、上記配線パターン２４に導通されている。プリン
ト基板２１の裏面２１ｂは、上記接続パッド２６に対応
する部分を除いてソルダレジスト層２５により覆われて
いる。
【００７１】プリント基板２１の接続パッド２６には、
夫々球形の半田バンプ２７が接合されている。半田バン
プ２７の外周面は、夫々半田層２８によって覆われてお
り、この半田層２８によって半田バンプ２７と接続パッ
ド２６とが互いに接合されている。
【００７２】半田バンプ２７は、半導体パッケージ１１
の外部端子として機能するものであり、上記回路基板１
０のパッド１５と対応するように、上記プリント基板２
１の裏面２１ｂにマトリックス状に並べて配置されてい
る。すなわち、図５に示すように、多数の半田バンプ２
７は、上記プリント基板２１の裏面２１ｂに、複数のバ
ンプ列２９を構成している。各バンプ列２９において
は、複数の半田バンプ２７が互いに間隔を存して一列に
並べられており、これらバンプ列２９は、互いに間隔を
存して平行に配置されている。そのため、隣り合う半田
バンプ２７の間には、隙間３０が形成されている。
【００７３】なお、上記半田バンプ２７は、上記半田層
１６および２８よりも高融点の半田にて構成されてい
る。このような構成の半導体パッケージ１１は、リフロ
ー・半田付け方式により回路基板１０に実装される。こ
の実装手順について説明すると、まず、半導体パッケー
ジ１１を回路基板１０の実装面１３ａに供給し、半田バ
ンプ２７を所望のパッド１５に対応させる。次に、回路
基板１０を半導体パッケージ１１と共にリフロー炉に収
容し、これら回路基板１０および半導体パッケージ１１
を加熱する。この加熱により、半田層１６，２８が溶融
して互いに一体化され、これら半田層１６，２８を介し
て半田バンプ２７とパッド１５とが接合される。この結
果、半導体パッケージ１１がパッド１５に電気的に接続
されるとともに、回路基板１０に固着される。
【００７４】ところで、上記回路モジュール９における
半導体パッケージ１１の実装部分には、図８に示すよう
な交換用治具３１が一体的に実装されている。この交換
用治具３１は、半導体パッケージ１１を回路基板１０か
ら取り外す際に使用するものであり、以下この交換用治
具３１について説明する。
【００７５】図２および図８に示すように、交換用治具
３１は、治具本体３２を備えている。治具本体３２は、
熱伝導性に優れ、しかも、軽量なアルミニウム合金材料
にて構成されている。治具本体３２は、上記半導体パッ
ケージ１１のパッケージ本体２０よりも僅かに大きな平
面形状を有する平坦な板状をなしている。この治具本体
３２の肉厚は、上記半田バンプ２７の直径よりも小さく
定められている。
【００７６】治具本体３２には、複数の開口部３４が形
成されている。開口部３４は、上記半導体パッケージ１
１のバンプ列２９に対応するものであり、夫々バンプ列
２９の長手方向に延びるスリット状をなしている。開口
部３４の長軸方向の長さL1は、バンプ列２９の全長より
も大きく定められているとともに、開口部３４の短軸方
向の長さL2は、半田バンプ２７の直径よりも大きく定め
られている。そして、開口部３４は、互いに間隔を存し
て平行に配置されており、これら開口部３４の数は、上
記バンプ列２９の数と一致している。
【００７７】隣り合う開口部３４の間には、複数の半田
切断部３５が形成されている。半田切断部３５は、バン
プ列２９の方向に延びるバー状をなしており、これら半
田切断部３５は、開口部３４の開口周縁３４ａに連なっ
ている。
【００７８】治具本体３２は、半導体パッケージ１１の
プリント基板２１の裏面２１ｂに重ねられている。この
場合、半導体パッケージ１１のバンプ列２９は、夫々治
具本体３２の開口部３４の内側に入り込んでおり、隣り
合うバンプ列２９の間の隙間３０に上記半田切断部３５
が配置されている。そして、図６の（Ａ）に示すよう
に、半田切断部３５に連なる開口周縁３４ａと半田バン
プ２７とは、互いに向かい合っている。この開口周縁３
４ａや半田切断部３５を含む治具本体３２の外表面は、
耐熱性と電気絶縁性とを兼ね備えた絶縁被膜３６により
覆われている。そのため、治具本体３２と半田バンプ２
７およびプリント基板２１とは、電気的に絶縁された状
態に保たれている。
【００７９】治具本体３２は、一対の受熱部３７ａ，３
７ｂを一体に備えている。受熱部３７ａ，３７ｂは、治
具本体３２の外周部において、上記開口部３４の長軸方
向に互いに離間して配置されている。そのため、受熱部
３７ａ，３７ｂは、開口部３４を挾んで互いに向かい合
っている。
【００８０】受熱部３７ａ，３７ｂの下端部と治具本体
３２の上面とで規定される角部には、係合溝３８ａ，３
８ｂが形成されており、これら係合溝３８ａ，３８ｂに
上記半導体パッケージ１１のプリント基板２１が取り外
し可能に係合されている。この係合により、治具本体３
２と半導体パッケージ１１とが一体化され、治具本体３
２がプリント基板２１の裏面２１ｂに重ねられている。
【００８１】そのため、半導体パッケージ１１を回路基
板１０に実装すると、これら半導体パッケージ１１と回
路基板１０との間に治具本体３２が介在されるようにな
っている。
【００８２】受熱部３７ａ，３７ｂは、夫々挿入口４０
を備えている。挿入口４０の終端は、上記治具本体３２
の外周部にまで達しており、これら挿入口４０には、熱
源としてのシーズヒータ４１が取り外し可能に挿入され
るようになっている。
【００８３】したがって、挿入口４０にシーズヒータ４
１を挿入すると、このシーズヒータ４１の熱が受熱部３
７ａ，３７ｂを介して治具本体３２に伝わり、この治具
本体３２が上記半田バンプ２７とパッド１５とを接合し
ている半田層１６，２８を溶融させるに足りる温度に加
熱されるようになっている。
【００８４】このような構成において、半導体パッケー
ジ１１のＩＣチップ２２に不良が発生した場合に、この
半導体パッケージ１１を交換する手順について説明す
る。まず最初に、回路基板１０を筐体２から取り出し、
半導体パッケージ１１と共に回路基板１０に実装されて
いる交換用治具３１の挿入口４０にシーズヒータ４１を
挿入する。
【００８５】このシーズヒータ４１の熱は、受熱部３７
ａ，３７ｂを通じて治具本体３２に伝えられ、その開口
周縁３４ａを含む半田切断部３５がパッド１５と半田バ
ンプ２７とを接合している半田層１６，２８を溶融させ
るに足りる温度に加熱される。
【００８６】すると、治具本体３２の開口周縁３４ａ
は、半田バンプ２７に隣接されているので、この治具本
体３２の熱が半田層１６，２８に直接伝えられ、半田層
１６，２８が溶融する。半田層１６，２８が溶融した
ら、図６の（Ｂ）や図７のの矢印に示すように、交換用
治具３１を半導体パッケージ１１と共に回路基板１０の
実装面１３ａに沿ってバンプ列２９の配列方向にスライ
ドさせる。
【００８７】このスライドにより、開口部３４の開口周
縁３４ａ、つまり半田切断部３５が上記溶融状態にある
半田層１６，２８に接触し、バンプ列２９上の複数の半
田バンプ２７とパッド１５とを接合している半田層１
６，２８を一度に分断する。この結果、半田バンプ２７
とパッド１５とが分離され、半導体パッケージ１１の半
田付けが解除される。
【００８８】最後に、半導体パッケージ１１を回路基板
１０の実装面１３ａから遠ざかる方向に引き上げ、この
半導体パッケージ１１を回路基板１０から取り外すこと
で、一連の作業が終了する。
【００８９】このような構成によれば、加熱される交換
用治具３１は、予め半導体パッケージ１１と共に回路基
板１０に実装され、その治具本体３２の半田切断部３５
が半田バンプ２７とパッド１５とを接合している半田層
１６，２８に隣接しているので、この半田層１６，２８
を直接かつ集中的に加熱することができる。したがっ
て、半導体パッケージ１１の周囲に位置する他の回路部
品１２への熱影響を少なく抑えることができる。
【００９０】しかも、交換用治具３１を半導体パッケー
ジ１１と回路基板１０との間の微小な隙間に差し込む必
要はなく、この半導体パッケージ１１の周囲に他の回路
部品１２が配置されていても何等支障は生じない。その
ため、従来のように半導体パッケージ１１の周囲に位置
する回路部品１２を一旦取り外すといった面倒で手間の
かかる作業は一切不要となり、その分、作業工数が少な
くなって、半導体パッケージ１１の取り外し作業を容易
に行なうことができる。
【００９１】特に、交換用治具３１は、バンプ列２９の
配列方向にスライドされるとともに、交換用治具３１の
半田切断部３５は、隣り合うバンプ列２９の間に介在さ
れているので、交換用治具３１をバンプ列２９の配置間
隔に対応した量だけスライドさせるだけの作業で、全て
の半田バンプ２７とパッド１５とを接合している半田層
１６，２８を分断することができる。
【００９２】そのため、交換用治具３１のスライド量が
少なくて済み、半導体パッケージ１１の周囲に交換用治
具３１のスライドを許容する広いスペースを必要としな
い。よって、高密度な実装を実現する上で好都合となる
とともに、多数の半田バンプ２７とパッド１５との分離
作業を短時間のうちに効率良く行なうことができる。
【００９３】それとともに、上記構成によると、交換用
治具３１は、予め半導体パッケージ１１と一体的に回路
基板１０に実装されているので、取り外すべき半導体パ
ッケージ１１の周囲に交換用治具３１を出し入れするス
ペースを確保する必要はない。そのため、回路基板１０
上からデッドスペースを排除することができ、高密度な
実装が可能となる。
【００９４】また、交換用治具３１は、その受熱部３７
ａ，３７ｂにシーズヒータ４１を差し込むことにより所
望の温度に加熱されるので、交換用治具３１に熱源を内
蔵する必要はなく、この交換用治具３１の構成を簡略化
することができる。そのため、交換用治具３１のコスト
を低減することができる。
【００９５】さらに、熱伝導性を有する治具本体３２
は、半導体パッケージ１１に接しているので、コンピュ
ータ１の動作に伴って半導体パッケージ１１が発熱する
と、この半導体パッケージ１１の熱が上記治具本体３２
に伝わる。この半導体パッケージ１１の熱は、治具本体
３２に拡散されるとともに、この拡散による自然空冷に
より筐体２の内部に放熱され、この筐体２を通じて空気
中に逃がされる。
【００９６】このため、半導体パッケージ１１を交換す
る必要がない時は、交換用治具３１を半導体パッケージ
１１のヒートシンクとして活用することができる。した
がって、筐体２の内部に専用のヒートシンクを収容する
必要はなく、限られた大きさの筐体２の内部を有効に活
用することができる。
【００９７】なお、本発明は、上記第１の実施の形態に
特定されるものではなく、図９に本発明の第２の実施の
形態を示す。この第２の実施の形態は、交換用治具３１
を加熱する構成が上記第１の実施の形態と相違してお
り、それ以外の構成は、上記第１の実施の形態と同様で
ある。そのため、第２の実施の形態において、第１の実
施の形態と同一の構成部分には、同一の参照符号を付し
てその説明を省略する。
【００９８】図９に示すように、交換用治具３１の治具
本体３２には、リード線５０を介してパルス電源５１が
取り外し可能に接続されている。このパルス電源５１
は、治具本体３２に瞬間的に大電流を流すことで、この
治具本体３２を加熱するものであり、この電流値を変化
させることで、治具本体３２の加熱温度を複数のステッ
プに自由に変えられるようになっている。
【００９９】このような構成によると、治具本体３２の
温度を複数のステップに自由に設定できるために、例え
ば交換用治具３１を回路基板１１に沿ってスライドさせ
る以前に、予め交換用治具３１そのものを半田層１６，
２８の溶融温度付近にまで加熱しておき、この交換用治
具３１の半田切断部３５が半田層１６，２８に接した瞬
間に、上記溶融温度よりも高い温度に交換用治具３１を
昇温させるといった制御が可能となる。
【０１００】そのため、パッド１５と半田バンプ２７と
を接合している半田層１６，２８を確実に分断すること
ができ、半導体パッケージ１１の半田付けを解除する際
の信頼性がより向上する。
【０１０１】また、図１０ないし図１２は、本発明の第
３の実施の形態を開示している。この第３の実施の形態
は、交換用治具３１を加熱する構成が上記第１の実施の
形態と相違しており、それ以外の構成は、上記第１の実
施の形態と同様である。したがって、この第３の実施の
形態においても、第１の実施の形態と同一の構成部分に
は、同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【０１０２】この第３の実施の形態は、交換用治具３１
を熱風あるいは蒸気のような加熱媒体を利用して加熱す
るようにしたものである。図１０および図１１に示すよ
うに、治具本体３１の一方の受熱部３７ａの内部には、
媒体供給室６１が形成され、他方の受熱部３７ｂの内部
には、媒体排出室６２が形成されている。
【０１０３】また、受熱部３７ａ，３７ｂに連なる治具
本体３２の両側部には、第１および第２の媒体通路６３
ａ，６３ｂが形成されている。第１の媒体通路６３ａ
は、上記媒体供給室６１に連なっている。第２の媒体通
路６３ｂは、上記媒体排出室６２に連なっている。
【０１０４】これら第１および第２の媒体通路６３ａ，
６３ｂは、上記開口部３４を挾んで互いに向かい合うと
ともに、開口部３４の配列方向に沿って直線状に延びて
いる。そして、第１および第２の媒体通路６３ａ，６３
ｂは、複数の連通路６４を介して互いに連通されてい
る。連通路６４は、治具本体３２の半田切断部３５に対
応して配置されており、これら半田切断部３５の内部を
貫通して延びている。
【０１０５】受熱部３７ａの媒体供給室６１には、媒体
供給管６５が取り外し可能に接続されている。この媒体
供給管６５は、図示しない媒体供給源に連なっている。
また、受熱部３７ｂの媒体排出室６２には、媒体排出管
６６が取り外し可能に接続されている。
【０１０６】このような構成の交換用治具３１を加熱す
るには、回路基板１０を筐体２から取り出した後、治具
本体３２の媒体供給室６１に媒体供給管６５を接続する
とともに、媒体排出室６２に媒体排出管６６を接続す
る。媒体供給管６５から供給される加熱媒体は、媒体供
給室６１を通じて第１の媒体通路６３ａに導かれ、ここ
から連通路６４に流れ込む。この加熱媒体の流通によ
り、主に治具本体３２の半田切断部３５が半田層１６，
２８を溶融させるに足りる温度に加熱される。そして、
この連通路６４を流れる加熱媒体は、第２の媒体通路６
３ｂを介して媒体排出室６２に導かれ、ここから媒体排
出管６６を介して治具本体３２の外方に排出される。
【０１０７】したがって、この第３の実施の形態による
と、治具本体３２の半田切断部３５を、連通路６４を流
れる加熱媒体によって加熱することができる。そのた
め、上記第１の実施の形態と同様に、交換用治具１１を
回路基板１０に沿ってスライドさせれば、加熱された半
田切断部３５によってパッド１５と半田バンプ２７とを
接合している半田層１６，２８を分断することができ、
半導体パッケージ１１の半田付けを解除することができ
る。
【０１０８】なお、上記第１の実施の形態では、治具本
体に複数のバンプ列に対応した数の開口部を形成した
が、本発明はこれに限らず、一つの開口部を二つのバン
プ列が入り込めるような大きさに形成しても良い。
【０１０９】また、治具本体の開口部をバンプ列の長さ
方向に沿って区分けすることにより、半田切断部を格子
状に形成するようにしても良い。さらに、交換用治具の
材質は、アルミニウム合金に特定されるものではなく、
例えば真鍮、モリブデン、マグネシウムあるいはステン
レスのような他の金属材料にて構成しても良い。
【０１１０】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、交換用治
具は、予め半導体パッケージと共に回路基板に実装され
ているので、半田バンプとパッドとの半田付け部を直接
かつ集中的に加熱することができ、半導体パッケージの
周囲への熱影響が少なくなる。
【０１１１】しかも、治具本体を半導体パッケージと回
路基板との間の微小な隙間に差し込む必要もないので、
この半導体パッケージの周囲に他の回路部品が配置され
ていても何等支障はない。そのため、半導体パッケージ
の周囲の回路部品を一旦取り外すといった面倒で手間の
かかる作業が不要となり、その分、作業工数が少なくな
って、半導体パッケージの取り外し作業を容易に行なう
ことができる。それとともに、取り外すべき半導体パッ
ケージの周囲に交換用治具を出し入れするスペースを確
保する必要もなくなるので、回路基板上からデッドスペ
ースを排除することができ、高密度な実装が可能となる
といった利点がある。
【０１１２】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態において、面実装形
半導体パッケージが実装された回路基板を有するポータ
ブルコンピュータの断面図。
【図２】面実装形半導体パッケージと交換用治具とを互
いに分離させた状態を示す断面図。
【図３】交換用治具を一体化した面実装形半導体パッケ
ージと回路基板との関係を示す断面図。
【図４】交換用治具および面実装形半導体パッケージを
回路基板に半田付けした状態を示す断面図。
【図５】図３のＡ−Ａ線に沿う矢視図。
【図６】（Ａ）は、図５のＢ−Ｂ線に断面図。（Ｂ）
は、交換用治具をスライドさせることにより、回路基板
のパッドと半導体パッケージの半田バンプとの半田付け
を解除した状態を示す断面図。
【図７】交換用治具をスライドさせた時の治具本体の開
口部とパッドとの位置関係を示す平面図。
【図８】交換用治具の斜視図。
【図９】本発明の第２の実施の形態において、交換用治
具および面実装形半導体パッケージを回路基板に半田付
けした状態を示す断面図。
【図１０】本発明の第３の実施の形態において、交換用
治具および面実装形半導体パッケージを回路基板に半田
付けした状態を示す断面図。
【図１１】交換用治具の断面図。
【図１２】図１１のＣ−Ｃ線に沿う断面図。
【符号の説明】９…回路モジュール １０…回路基板 １１…半導体パッケージ １３ａ…実装面 １５…パッド ２０…パッケージ本体 ２７…半田バンプ ３１…交換用治具 ３２…治具本体 ３４…開口部 ３５…半田切断部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−338545（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−186149（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−236984（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−139569（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−131151（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−345290（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−146440（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 H05K 3/34 H05K 13/04

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パッケージ本体の裏面に多数の半田バン
    プがマトリックス状に並べて配置された半導体パッケー
    ジを、上記半田バンプが半田付けされた多数のパッドを
    有する回路基板から取り外す際に用いる交換用治具であ
    って、 上記パッケージ本体に支持され、このパッケージ本体と
    上記回路基板との間に介在されるとともに、上記半田バ
    ンプとパッドとを接合する半田を溶融させるに足りる温
    度に発熱又は加熱される治具本体と、 この治具本体に形成され、上記半田バンプが入り込む複
    数の開口部と、を備えていることを特徴とする交換用治
    具。
  2. 【請求項２】 請求項１の記載において、上記半導体パ
    ッケージは、複数の半田バンプが一列に並べられた複数
    のバンプ列を有し、これらバンプ列は、互いに間隔を存
    して平行に配置されているとともに、上記治具本体の開
    口部は、上記バンプ列の方向に沿って延びるスリット状
    をなしており、これら開口部の数は、上記バンプ列の数
    に対応していることを特徴とする交換用治具。
  3. 【請求項３】 請求項１の記載において、上記治具本体
    は、熱伝導性を有する材料にて構成され、この治具本体
    は、熱源が取り外し可能に接続される受熱部を備えてい
    ることを特徴とする交換用治具。
  4. 【請求項４】 多数の半田バンプがマトリックス状に並
    べた配置された半導体パッケージを、上記半田バンプが
    半田付けされた回路基板から取り外して交換する方法で
    あって、 上記半田バンプの間に介在される複数の半田切断部を有
    する交換用治具を用意し、この交換用治具を上記半導体
    パッケージに取り付けるとともに、この交換用治具の半
    田切断部を上記半導体パッケージの隣り合う半田バンプ
    の間に介在させる第１の工程と、 上記半導体パッケージの半田バンプを上記回路基板上の
    パッドに半田付けし、上記交換用治具の半田切断部を上
    記半導体パッケージと回路基板との間に位置させる第２
    の工程と、 上記交換用治具を発熱又は加熱することにより、上記半
    田バンプとパッドとを接合している半田を溶融させる第
    ３の工程と、 上記半田が溶融された時に、上記交換用治具の半田切断
    部で上記半田を切断することにより、上記半田バンプと
    パッドとを互いに分離させる第４の工程と、 上記交換用治具を回路基板から遠ざかる方向に移動さ
    せ、上記半導体パッケージを回路基板から取り出す第５
    の工程と、 を備えていることを特徴とする半導体パッケージの交換
    方法。
  5. 【請求項５】 請求項４の記載において、上記交換用治
    具は、上記第４の工程の時に上記半導体パッケージと共
    に上記回路基板に沿ってスライドされることを特徴とす
    る半導体パッケージの交換方法。
  6. 【請求項６】 パッケージ本体の裏面に多数の半田バン
    プがマトリックス状に並べて配置された半導体パッケー
    ジと、 この半導体パッケージが実装される実装面を有し、この
    実装面に上記半田バンプに対応する多数のパッドがマト
    リックス状に並べて配置された回路基板と、を備え、上
    記半導体パッケージの半田バンプを上記回路基板のパッ
    ドに半田付けしてなる回路モジュールにおいて、 上記半導体パッケージと上記回路基板との間に、この半
    導体パッケージを交換する際に用いる治具を配置し、こ
    の治具は、熱伝導性を有し、しかも、上記半田バンプと
    パッドとを接合する半田を溶融させるに足りる温度に発
    熱又は加熱される治具本体を有し、この治具本体は、上
    記パッケージ本体に支持されているとともに、上記半田
    バンプが入り込む複数の開口部を備えていることを特徴
    とする回路モジュール。
  7. 【請求項７】 請求項６の記載において、上記半導体パ
    ッケージは、複数の半田バンプが一列に並べられた複数
    のバンプ列を有し、これらバンプ列は、互いに間隔を存
    して平行に配置されているとともに、上記治具本体の開
    口部は、バンプ列の方向に沿って延びるスリット状をな
    しており、これら開口部の数は、上記バンプ列の数に対
    応していることを特徴とする回路モジュール。
JP31942096A 1996-11-29 1996-11-29 面実装形半導体パッケージの交換用治具および交換方法、面実装形半導体パッケージを有する回路モジュール Expired - Fee Related JP3450618B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31942096A JP3450618B2 (ja) 1996-11-29 1996-11-29 面実装形半導体パッケージの交換用治具および交換方法、面実装形半導体パッケージを有する回路モジュール

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31942096A JP3450618B2 (ja) 1996-11-29 1996-11-29 面実装形半導体パッケージの交換用治具および交換方法、面実装形半導体パッケージを有する回路モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10163262A JPH10163262A (ja) 1998-06-19
JP3450618B2 true JP3450618B2 (ja) 2003-09-29

Family

ID=18110000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31942096A Expired - Fee Related JP3450618B2 (ja) 1996-11-29 1996-11-29 面実装形半導体パッケージの交換用治具および交換方法、面実装形半導体パッケージを有する回路モジュール

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3450618B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5594198B2 (ja) * 2011-03-16 2014-09-24 富士通株式会社 電子部品及び電子部品組立装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10163262A (ja) 1998-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5380956A (en) Multi-chip cooling module and method
US6132221A (en) Multi-pin connector
US6740822B2 (en) Printed circuit board having footprints, circuit module having a printed circuit board, and method of manufacturing a printed circuit board
US20060231541A1 (en) Heater that attaches electronic component to and detaches the same from substrate
JPH10303473A (ja) 多段電子冷却装置及びその製造方法
JPH0773152B2 (ja) 電子パッケージおよびその作成方法
KR100232214B1 (ko) 패키지 양면 실장형 피.씨.비 카드 및 그 제조방법
CN210958965U (zh) 印刷电路板
JP3450618B2 (ja) 面実装形半導体パッケージの交換用治具および交換方法、面実装形半導体パッケージを有する回路モジュール
JP7194542B2 (ja) モジュール及びプリント基板
JP2710986B2 (ja) 電子装置
US20210344259A1 (en) Electric machine
JP2002151634A (ja) 基板放熱装置
JPH04122053A (ja) 半導体チップの実装方法
JPH07321437A (ja) 実装構造
JPH1187906A (ja) 半導体装置およびその実装方法
JP3497680B2 (ja) 半導体パッケージを有する回路モジュールおよび回路モジュールを搭載した電子機器
JP2904274B2 (ja) Ｌｓｉパッケージの実装方法
JP2685024B2 (ja) Ｌｓｉパッケージの実装構造
JPH10125833A (ja) Ｂｇａ型パッケージ実装基板及びｂｇａ型パッケージ実装方法
JP3823654B2 (ja) 半導体装置の実装方法
JPH11274356A (ja) 表面実装型電子部品及びその実装方法
JP2746248B2 (ja) チップキャリア及びチップキャリアの半田付け方法
KR100415821B1 (ko) 히트 싱크를 구비한 전력반도체 모듈
JP2571873B2 (ja) プリント配線板への半導体パッケージの半田付け方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees