JPS6158302A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
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- JPS6158302A JPS6158302A JP17934384A JP17934384A JPS6158302A JP S6158302 A JPS6158302 A JP S6158302A JP 17934384 A JP17934384 A JP 17934384A JP 17934384 A JP17934384 A JP 17934384A JP S6158302 A JPS6158302 A JP S6158302A
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- Japan
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- transistor
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電圧制御発振器に関し、特にセラミック振動
子等の周波数選択素子を使用し、例えば同期検波回路あ
るいはパイロット信号検出回路等に使用される電圧制御
発振器に関する。
子等の周波数選択素子を使用し、例えば同期検波回路あ
るいはパイロット信号検出回路等に使用される電圧制御
発振器に関する。
（従来の技術）
一般に、セラミック振動子あるいは水晶振動子等を使用
した電圧制御発振器は、引き込み周波数範囲を例えば発
振周波数に対して０．５％と狭くする必要がある場合に
利用される。し九がって、この二つな電圧制御発振器に
おいては、中心周波数は温度変〔ヒおよび各部品の定数
の偏差等に１って生ずるばらつきｔ＆力少なくすること
が要求されるＣ 第４図は、従来形の電圧制御発振器を示す。同図の電圧
制御発振器は、第１の差動増幅回路を構成するトランジ
スタロ工ｅ Ｑ２ および抵抗Ｒ１と、第２の差動増
幅回路を構成するトランジスタＱｓｒＱ４ および定
１！流回路Ｉ Ｓ＋と、エミッタホロワを構成するトラ
ンジスタＱ５ と、トランジスタＱ。
した電圧制御発振器は、引き込み周波数範囲を例えば発
振周波数に対して０．５％と狭くする必要がある場合に
利用される。し九がって、この二つな電圧制御発振器に
おいては、中心周波数は温度変〔ヒおよび各部品の定数
の偏差等に１って生ずるばらつきｔ＆力少なくすること
が要求されるＣ 第４図は、従来形の電圧制御発振器を示す。同図の電圧
制御発振器は、第１の差動増幅回路を構成するトランジ
スタロ工ｅ Ｑ２ および抵抗Ｒ１と、第２の差動増
幅回路を構成するトランジスタＱｓｒＱ４ および定
１！流回路Ｉ Ｓ＋と、エミッタホロワを構成するトラ
ンジスタＱ５ と、トランジスタＱ。
のエミッタとトランジスタＱ４ のペース間に接続され
たセラミック振動子Ｘ１ と、トランジスタＱ４のペ
ースとグランド間に接続されたコンデンサＣ２と、トラ
ンジスタＱ４ のコレクタとトランジスタＱ、のペー
ス間に接続された抵抗Ｒ２およびコンデンサＣ１からな
る整相回路とを具備する。
たセラミック振動子Ｘ１ と、トランジスタＱ４のペ
ースとグランド間に接続されたコンデンサＣ２と、トラ
ンジスタＱ４ のコレクタとトランジスタＱ、のペー
ス間に接続された抵抗Ｒ２およびコンデンサＣ１からな
る整相回路とを具備する。
第４図の発振回路においては、トランジスタＱ４のペー
スすなわちノードＰ２ から第２の差動増何回路のトラ
ンジスタＱ、のコレクタ、第１の差動増（隅回路のトラ
ンジスタＱ２ のコレクタ、トランジスタＱ、のエミ゛
ツタすなわちノードＰ１、およびセラミック振動子Ｘ１
からノードＰ２ に至る正帰還回路にＬって発振
が行なわれる。そして、トランジスタＱ４ のコレク
タからトランジスタＱ。
スすなわちノードＰ２ から第２の差動増何回路のトラ
ンジスタＱ、のコレクタ、第１の差動増（隅回路のトラ
ンジスタＱ２ のコレクタ、トランジスタＱ、のエミ゛
ツタすなわちノードＰ１、およびセラミック振動子Ｘ１
からノードＰ２ に至る正帰還回路にＬって発振
が行なわれる。そして、トランジスタＱ４ のコレク
タからトランジスタＱ。
のペースに接続された移相回路に工ってノードＰ１およ
びＰ２ 間の移相量が適切に調整され、制御電圧ＶｃＮ
Ｔ がＯｖすなわちトランジスタＱ１ とＱ２のコレ
クタ電流がバランス状態にある時の発振周波数が中心周
波数として設定される。そして、制御電圧ｖＣＮＴ
”正および負の値に変比させることに工って、正帰還回
路の利得が変ｆヒレ、この利得変化に応じて、ノードＰ
□およびＰ２の間の移相量が変比し、したがって発振周
波数が変化する０なお、ノードＰ２ とグランド間に
接続されたコンデンサＣ２は高調波の発振を抑制するた
めのものである。
びＰ２ 間の移相量が適切に調整され、制御電圧ＶｃＮ
Ｔ がＯｖすなわちトランジスタＱ１ とＱ２のコレ
クタ電流がバランス状態にある時の発振周波数が中心周
波数として設定される。そして、制御電圧ｖＣＮＴ
”正および負の値に変比させることに工って、正帰還回
路の利得が変ｆヒレ、この利得変化に応じて、ノードＰ
□およびＰ２の間の移相量が変比し、したがって発振周
波数が変化する０なお、ノードＰ２ とグランド間に
接続されたコンデンサＣ２は高調波の発振を抑制するた
めのものである。
ところが、第４図の発振回路においては、制御電圧■ｃ
ＮＴがＯｖ、すなわちトランジスタＱ１ とＱ２
の電流がバランスしている場合に中心周波数の発振が行
なわれるが、この場合にもノードＰ１とＰ２ 間には抵
抗Ｒ２とコンデンサＣ１とに！、って構成される移相回
路および正帰還回路の利得等に二って決定される位相推
移が与えられている。
ＮＴがＯｖ、すなわちトランジスタＱ１ とＱ２
の電流がバランスしている場合に中心周波数の発振が行
なわれるが、この場合にもノードＰ１とＰ２ 間には抵
抗Ｒ２とコンデンサＣ１とに！、って構成される移相回
路および正帰還回路の利得等に二って決定される位相推
移が与えられている。
このため、中心Ｊｉ！１ａ数がセラミツク振動子Ｘ１自
体の固有周波数から若干ずれ７ｃ値となり、特に発振回
路を集積回路化した場合にコンデンサＣ１の容量値がば
らつくことにエフ中心周波数が精密に設定されなくなる
という不都合がありた。また、コンデンサＣ８の容量値
および正帰還回路の利得等が温度変ｆヒ等の環境条件の
変化に工って変動し、こねにエフ中心周波数が不安定に
なるという不都合もあった。
体の固有周波数から若干ずれ７ｃ値となり、特に発振回
路を集積回路化した場合にコンデンサＣ１の容量値がば
らつくことにエフ中心周波数が精密に設定されなくなる
という不都合がありた。また、コンデンサＣ８の容量値
および正帰還回路の利得等が温度変ｆヒ等の環境条件の
変化に工って変動し、こねにエフ中心周波数が不安定に
なるという不都合もあった。
（発明が解決しょうとする問題点１
本発明に、セラミック振動子等の周波数選択素子を用い
た電圧制御発振器において、中心周波数が周波数選択素
子自体の固有周仮数によって決定さｎるようにし、各部
品の定数値の偏差および温度変１ヒ等による中心周波数
のばらつきおよび変動を除去すること？目的とする。
た電圧制御発振器において、中心周波数が周波数選択素
子自体の固有周仮数によって決定さｎるようにし、各部
品の定数値の偏差および温度変１ヒ等による中心周波数
のばらつきおよび変動を除去すること？目的とする。
（間３点を解決するための手段）
上述の問題点を解決する之め、本発明に１ｎば、周波数
選択素子、該周′ｅ、数選択素子が接続さｆ′Ｌｆｃ正
帰還回路勿有する発振回路部、および周波数制御部？具
備し、該周波数制御部はコンデンサと、該コンデンサに
流几る電五と略同極性および逆極性の電ａｋ作戊すｔ極
性変換回路と、該同極性および逆極性の４：ｒＬ流流側
制御信号応じた比率で混合して該属性変換回路に帰還す
る（０回路と忙有し、制御信号に応じて正負両極性の等
価容量忙発生することに、ｃｖ発振周波数の設定２行な
うこと？１−特徴とする電圧制御発振器が提供さｎる。
選択素子、該周′ｅ、数選択素子が接続さｆ′Ｌｆｃ正
帰還回路勿有する発振回路部、および周波数制御部？具
備し、該周波数制御部はコンデンサと、該コンデンサに
流几る電五と略同極性および逆極性の電ａｋ作戊すｔ極
性変換回路と、該同極性および逆極性の４：ｒＬ流流側
制御信号応じた比率で混合して該属性変換回路に帰還す
る（０回路と忙有し、制御信号に応じて正負両極性の等
価容量忙発生することに、ｃｖ発振周波数の設定２行な
うこと？１−特徴とする電圧制御発振器が提供さｎる。
（作用）
本発明にＪ：２’Ｌば２上述の手段に剛いることによっ
て、発振菌性を設定する発振回路部とＪ、ｆｌｉｌ条数
を設定する周波数制御部とが互いに独立して愼能し、中
心周波数においては周波数制御部の等価容量がゼロとな
り、発振回路部は周波数選択素子に固有の周波数で発振
を行なうことができる。しにかって、中心周波数がコン
デンサの容量お＝び帰還回路の利得等の各回路定数の影
響を受けなくなる〇 （実施例） 以下、図面にエフ本発明の実施例ｔ−説明する。
て、発振菌性を設定する発振回路部とＪ、ｆｌｉｌ条数
を設定する周波数制御部とが互いに独立して愼能し、中
心周波数においては周波数制御部の等価容量がゼロとな
り、発振回路部は周波数選択素子に固有の周波数で発振
を行なうことができる。しにかって、中心周波数がコン
デンサの容量お＝び帰還回路の利得等の各回路定数の影
響を受けなくなる〇 （実施例） 以下、図面にエフ本発明の実施例ｔ−説明する。
第１図は、本発明の１実施例に係わる電圧制御発振器を
示す。同図の発振器は、差動増幅器ｋｒＡ成するトラン
ジスタＱ６＝Ｑｔ および定電流回路ＩＳｚと、該差動
増幅器の正帰還回路に挿入されたセラミック振動子Ｘｌ
および抵抗Ｒｓ ｋ翌する発振回路部、および、それ
ぞれ差動増幅回路を構成するトランジスタＱ８．Ｑ５．
Ｑ１゜＋Ｑｔ＋ 、およびＱ１□。
示す。同図の発振器は、差動増幅器ｋｒＡ成するトラン
ジスタＱ６＝Ｑｔ および定電流回路ＩＳｚと、該差動
増幅器の正帰還回路に挿入されたセラミック振動子Ｘｌ
および抵抗Ｒｓ ｋ翌する発振回路部、および、それ
ぞれ差動増幅回路を構成するトランジスタＱ８．Ｑ５．
Ｑ１゜＋Ｑｔ＋ 、およびＱ１□。
Ｑｓｓと、定を流回路ＩＳ、 と、コンデンサＣ３と
を有する周波数制御部を具備する。周波数制御部におい
て、互いに接続されたトランジスタＱ８ およびＱｌｌ
のペースと互いに接続されたトランジスタＱ、およびＱ
ｌ。のペースとのＩＩＪには制＃電圧ｖＣＮＴが印加さ
れる。トランジスタＱ、およびＱｌｌのコレクタは互い
に接続され発振回路部のトランジスタＱ７ のコレク
タに接続され、かつコンデンサＣ３ヲ介してトランジス
タＱ１３のベースに接続されている。トランジスタＱＩ
２のコレクタおよびＱ １３のコレクタはそれぞれ互い
に接続されたトランジスタＱ８ おＬびＱ、のエミッタ
およびトランジスタＱ、。おＬびＱ ｔ ｓのエミッタ
に接続されている。また、発振回路部のトランジスタＱ
６おＬび周波数制御部のトランジスタＱｇ ｔＱｔｏ
のコレクタは共に電源ＶＣｃに接続されている。
を有する周波数制御部を具備する。周波数制御部におい
て、互いに接続されたトランジスタＱ８ およびＱｌｌ
のペースと互いに接続されたトランジスタＱ、およびＱ
ｌ。のペースとのＩＩＪには制＃電圧ｖＣＮＴが印加さ
れる。トランジスタＱ、およびＱｌｌのコレクタは互い
に接続され発振回路部のトランジスタＱ７ のコレク
タに接続され、かつコンデンサＣ３ヲ介してトランジス
タＱ１３のベースに接続されている。トランジスタＱＩ
２のコレクタおよびＱ １３のコレクタはそれぞれ互い
に接続されたトランジスタＱ８ おＬびＱ、のエミッタ
およびトランジスタＱ、。おＬびＱ ｔ ｓのエミッタ
に接続されている。また、発振回路部のトランジスタＱ
６おＬび周波数制御部のトランジスタＱｇ ｔＱｔｏ
のコレクタは共に電源ＶＣｃに接続されている。
第１図の回路において、発振回路部のトランジスタＱ７
のコレクタから、セラミック振動子Ｘ１が接続され
たノードＰ３ および抵抗Ｒ３を通りトランジスタＱ
６ のベースに至る正帰還回路に二ってセラばツク振
動子Ｘ１ の固有周波数を中心周波数とする発振が行な
われる。一方、ノードＰ３ からコンデンサＣ３に流
れる電流工、と同極性および逆極性の電流がそれぞれト
ランジスタＱ１ｇお＝びＱｌ３のコレクタに発生し、そ
れぞれの電流が制御電圧Ｖ、Ｎ、 Ｋ対応する割合で混
合されて互いに接続すれ之トランジスタＱ、およびＱｌ
ｌのコレクタに出力され、ノードＰ、およびコンデンサ
Ｃ３ヲ介してトランジスタＱ１３のベースに帰遺される
。
のコレクタから、セラミック振動子Ｘ１が接続され
たノードＰ３ および抵抗Ｒ３を通りトランジスタＱ
６ のベースに至る正帰還回路に二ってセラばツク振
動子Ｘ１ の固有周波数を中心周波数とする発振が行な
われる。一方、ノードＰ３ からコンデンサＣ３に流
れる電流工、と同極性および逆極性の電流がそれぞれト
ランジスタＱ１ｇお＝びＱｌ３のコレクタに発生し、そ
れぞれの電流が制御電圧Ｖ、Ｎ、 Ｋ対応する割合で混
合されて互いに接続すれ之トランジスタＱ、およびＱｌ
ｌのコレクタに出力され、ノードＰ、およびコンデンサ
Ｃ３ヲ介してトランジスタＱ１３のベースに帰遺される
。
したがって、制御電圧ｖｃＮＴの値に応じて正および負
の等価容量がノードＰ、に接続されることになり、制御
電圧ｖｃＮＴＱ値に応じて発振周波数の調節上行なうこ
とができる。
の等価容量がノードＰ、に接続されることになり、制御
電圧ｖｃＮＴＱ値に応じて発振周波数の調節上行なうこ
とができる。
上述の動作を数式を用いてエフ詳Ａ町に説明する。
トランジスタＱ１２ ＋ Ｑｌ３ の電流増幅率をβ
１、トランジスタＱｓ ＝ Ｑ７の電流増＠藁？β２
とし、Ｐ＝ｊＷ とする。また、各トランジスタ対Ｑｓ
＋Ｑ、およびＱｌ。＋ＱｔｔＶＣ−おけるトランジ
スタＱｓおよびＱｌｌの電流の分流比７にとすると、各
トランジスタ対における他のトランジスタＱ９ および
Ｑｌｌの分流比は（１，［）となる。そして、ノードＰ
、の電位ｋＥとし、トランジスタＱ１３の入力インピー
ダンスが充分小さいものとするとトランジスタＱ １ｚ
のペース篭流工、は １、 ＝ＥＰＣ３・・・ ・・・ （ｌンとな
る。この時、トランジスタＱ１□およびＱｌ３のコレク
タに概れる電流はそれぞれ−βＩ ＩＩおよびβ、１１
となり、さらに各トランジスタＱ、およびＱ１□のコレ
クタに流れる１！流はそれぞれ−（１−Ｋ ”）ＩＩ
ＩＩ および■（β１工、となるからノーＦＰｐら各
トランジスタＱ、およびＱ１＋のコレクタに流れる電流
工２ は Ｉ ２ ” Ｅ Ｐ Ｃ３β、（２に−１＋ ・・・
・・・（２）となる。また−ノードＰ３ から抵抗Ｒ３
？介してトランジスタＱ６ のベースに１７ｉＬれる電
流Ｉ、およびノードＰ３７＞らトランジスタＱ７ のコ
レクタに流れる電流Ｉ４ はそれぞれ以下の工うになる
。
１、トランジスタＱｓ ＝ Ｑ７の電流増＠藁？β２
とし、Ｐ＝ｊＷ とする。また、各トランジスタ対Ｑｓ
＋Ｑ、およびＱｌ。＋ＱｔｔＶＣ−おけるトランジ
スタＱｓおよびＱｌｌの電流の分流比７にとすると、各
トランジスタ対における他のトランジスタＱ９ および
Ｑｌｌの分流比は（１，［）となる。そして、ノードＰ
、の電位ｋＥとし、トランジスタＱ１３の入力インピー
ダンスが充分小さいものとするとトランジスタＱ １ｚ
のペース篭流工、は １、 ＝ＥＰＣ３・・・ ・・・ （ｌンとな
る。この時、トランジスタＱ１□およびＱｌ３のコレク
タに概れる電流はそれぞれ−βＩ ＩＩおよびβ、１１
となり、さらに各トランジスタＱ、およびＱ１□のコレ
クタに流れる１！流はそれぞれ−（１−Ｋ ”）ＩＩ
ＩＩ および■（β１工、となるからノーＦＰｐら各
トランジスタＱ、およびＱ１＋のコレクタに流れる電流
工２ は Ｉ ２ ” Ｅ Ｐ Ｃ３β、（２に−１＋ ・・・
・・・（２）となる。また−ノードＰ３ から抵抗Ｒ３
？介してトランジスタＱ６ のベースに１７ｉＬれる電
流Ｉ、およびノードＰ３７＞らトランジスタＱ７ のコ
レクタに流れる電流Ｉ４ はそれぞれ以下の工うになる
。
Ｉ、＝Ｅ／Ｒ，・・・・・・ （３）
Ｉ４＝−Ｅβ２／Ｒ３・・・・・・（４）したがって、
ノードＰ３ ’ｉ＞−ら各トランジスタＱ７ ｅＱ
９ ＃ Ｑ＋ ＋ に流れる電流の総和である電ｌん
工、はＩ、＝Ｉ、＋Ｉ。
ノードＰ３ ’ｉ＞−ら各トランジスタＱ７ ｅＱ
９ ＃ Ｑ＋ ＋ に流れる電流の総和である電ｌん
工、はＩ、＝Ｉ、＋Ｉ。
＝Ｅ（−β２／Ｒ３÷ＰＣ，β１（、２！（−１））・
・（５）となる。式（５）から明らかなように電ηｊＩ
５ の作り出すインピーダンスの等価回路に第２図の
工うになる。
・（５）となる。式（５）から明らかなように電ηｊＩ
５ の作り出すインピーダンスの等価回路に第２図の
工うになる。
第２図から明らかな工うに、電流工、の作り出すインピ
ーダンスは負性抵抗−Ｒ，／β２？有しており、この負
性抵抗に１って信号の発振が行なわれる。また、電流工
、の作り出すインピーダンスは容量成分Ｃ３／、（２に
−１）を富んでおり、分流比には制御電圧ＶｃＮＴに工
って制御されるから、この容量成分Ｃ３β、（２に一］
）に工って発振周波数の制御が行なわれる。そして、こ
の容量成分Ｃ１β１（２に−１）に、Ｋが１に近づくと
正の容量となり発振周波数が低くなり、ＫがＯ１Ｃ近づ
くと負の容量となって発振周波数が高くなる。そして、
Ｋ＝１／２の場合、すなわち各トランジスタ対Ｑｇ ＋
Ｑ、お＝びＱｓｏ ＋ Ｑｕに流れる電流がそれぞれバ
ランス状態にある時には該容量成分はゼロとなる。すな
わち、制御電圧■ｃＮＴが９１１えばＯｖであってに＝
】／２の場合には、第１図の回路はセラミック振動子の
固有の周波数によって発振を行ない、この固有の周波数
が中心周波数となる。そして、制御電圧ＶＣＮＴ ｋ変
化させることＩｃニジこの中心周波数を基４１として発
振周波数をエリ高い周波数およびニジ低い周波数に調節
することができる。
ーダンスは負性抵抗−Ｒ，／β２？有しており、この負
性抵抗に１って信号の発振が行なわれる。また、電流工
、の作り出すインピーダンスは容量成分Ｃ３／、（２に
−１）を富んでおり、分流比には制御電圧ＶｃＮＴに工
って制御されるから、この容量成分Ｃ３β、（２に一］
）に工って発振周波数の制御が行なわれる。そして、こ
の容量成分Ｃ１β１（２に−１）に、Ｋが１に近づくと
正の容量となり発振周波数が低くなり、ＫがＯ１Ｃ近づ
くと負の容量となって発振周波数が高くなる。そして、
Ｋ＝１／２の場合、すなわち各トランジスタ対Ｑｇ ＋
Ｑ、お＝びＱｓｏ ＋ Ｑｕに流れる電流がそれぞれバ
ランス状態にある時には該容量成分はゼロとなる。すな
わち、制御電圧■ｃＮＴが９１１えばＯｖであってに＝
】／２の場合には、第１図の回路はセラミック振動子の
固有の周波数によって発振を行ない、この固有の周波数
が中心周波数となる。そして、制御電圧ＶＣＮＴ ｋ変
化させることＩｃニジこの中心周波数を基４１として発
振周波数をエリ高い周波数およびニジ低い周波数に調節
することができる。
第３図は、第１図の等価回整を具体でヒした発振回路を
示す。同図の発振回路においては第１図の回路における
定電旋回路■Ｓ２およびＩＳ３がそれぞれトランジスタ
Ｑ１４およびＱ１０によって実現され、電源ｖｃｃとグ
ランド間に直列接続された抵抗Ｒ７およびダイオードＤ
１．Ｄ２ 、Ｄｓの＠路に１って作成されたバイアス電
圧が回路各部に供給されている。すなわち、抵抗Ｒ７と
ダイオードＤ１の接続点からトランジスタＱ７ およ
びＱ１□のペースＶＣ直接バイアス電圧が供給され、さ
らにそれぞｆ’を抵抗Ｒ＜ オニびＲ６ｋ介して各ト
ランジスタＱ６およびＱ １３のベースにバイアス電圧
が供給されているＣま７乙ダイオード島 とＤ３ の
接続点から各トランジスタＱ＋４およびＱ１５のペース
にバイアス電圧が供給されている。なお、コンデンサｃ
４ に直流遮断用のカップリングコンデンサであり、抵
抗Ｒ５は谷トランジヌタＱ７ ＊ ＱＤ ＋ Ｑ＋＋に
共通に設けらｔ′Ｌだコレクタ抵抗である。
示す。同図の発振回路においては第１図の回路における
定電旋回路■Ｓ２およびＩＳ３がそれぞれトランジスタ
Ｑ１４およびＱ１０によって実現され、電源ｖｃｃとグ
ランド間に直列接続された抵抗Ｒ７およびダイオードＤ
１．Ｄ２ 、Ｄｓの＠路に１って作成されたバイアス電
圧が回路各部に供給されている。すなわち、抵抗Ｒ７と
ダイオードＤ１の接続点からトランジスタＱ７ およ
びＱ１□のペースＶＣ直接バイアス電圧が供給され、さ
らにそれぞｆ’を抵抗Ｒ＜ オニびＲ６ｋ介して各ト
ランジスタＱ６およびＱ １３のベースにバイアス電圧
が供給されているＣま７乙ダイオード島 とＤ３ の
接続点から各トランジスタＱ＋４およびＱ１５のペース
にバイアス電圧が供給されている。なお、コンデンサｃ
４ に直流遮断用のカップリングコンデンサであり、抵
抗Ｒ５は谷トランジヌタＱ７ ＊ ＱＤ ＋ Ｑ＋＋に
共通に設けらｔ′Ｌだコレクタ抵抗である。
（発明の効果）
以上の工うに本発明にＬＦ′Ｌば、発振回路を是振条件
を設定するための発振口＠部と周波数条件を設定するた
めの周波数制御部とによって構成し、該周波数制御部の
等価容量が中心周波数でゼロとなる工うにすることがで
きるから、′市王制御斃憑器の中心周波数をセラミック
憑動子等の周波ａ選択素子に固有のＷｔＪ技数とするこ
とが可δととなり、各部品の定数の偏差および周囲温度
等によって中心周波数がばらつきかつ変動することが防
止され、集積回路比した場合にも極めて高精度かつ高安
定度の発揚回路金構成することが可能ＶＣなる。
を設定するための発振口＠部と周波数条件を設定するた
めの周波数制御部とによって構成し、該周波数制御部の
等価容量が中心周波数でゼロとなる工うにすることがで
きるから、′市王制御斃憑器の中心周波数をセラミック
憑動子等の周波ａ選択素子に固有のＷｔＪ技数とするこ
とが可δととなり、各部品の定数の偏差および周囲温度
等によって中心周波数がばらつきかつ変動することが防
止され、集積回路比した場合にも極めて高精度かつ高安
定度の発揚回路金構成することが可能ＶＣなる。
第１図は本発明の１実施り］に係わる電圧制御発振器Ｖ
等価回路を示す電気回路図、第２図はψｌ′図の回路の
等価インピーダンスを示す可気回跨図、第３図は第１図
の等価回路を具体化した発振回路上水す電気回路図、そ
して第４図は従来形の電圧制御発振器を示す電気回路図
である。 Ｑ１１Ｑ２１・・・・・・ｓＱ＋ｓ：）ランジスタ、Ｒ
，Ｉｎ２１・・・・・・Ｒ７：抵抗、Ｃ１，Ｃ，２，Ｃ
ｓ 、Ｃ４：コンデンサ、ｒｓ＋＋Ｉｓｚ＋Ｉｓｓ：定
電流回路、Ｘｌ：セラミック愚動子、ＤＩ ＋ Ｄｉ
ｎ Ｄ３：ダイオード。
等価回路を示す電気回路図、第２図はψｌ′図の回路の
等価インピーダンスを示す可気回跨図、第３図は第１図
の等価回路を具体化した発振回路上水す電気回路図、そ
して第４図は従来形の電圧制御発振器を示す電気回路図
である。 Ｑ１１Ｑ２１・・・・・・ｓＱ＋ｓ：）ランジスタ、Ｒ
，Ｉｎ２１・・・・・・Ｒ７：抵抗、Ｃ１，Ｃ，２，Ｃ
ｓ 、Ｃ４：コンデンサ、ｒｓ＋＋Ｉｓｚ＋Ｉｓｓ：定
電流回路、Ｘｌ：セラミック愚動子、ＤＩ ＋ Ｄｉ
ｎ Ｄ３：ダイオード。
Claims (1)
- 周波数選択素子、該周波数選択素子が接続された正帰還
回路を有する発振回路部、および周波数制御部を具備し
、該周波数制御部はコンデンサと、該コンデンサに流れ
る電流と略同極性および逆極性の電流を作成する極性変
換回路と、該同極性および逆極性の電流を制御信号に応
じた比率で混合して該極性変換回路に帰還する回路とを
有し、制御信号に応じて正負両極性の等価容量を発生す
ることにより発振周波数の設定を行なうことを特徴とす
る電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17934384A JPS6158302A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17934384A JPS6158302A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 電圧制御発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158302A true JPS6158302A (ja) | 1986-03-25 |
Family
ID=16064178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17934384A Pending JPS6158302A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6158302A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6339642B1 (en) | 1995-03-24 | 2002-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Telephone apparatus with howling prevention function |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4879957A (ja) * | 1972-01-28 | 1973-10-26 | ||
| JPS5139391A (ja) * | 1974-10-01 | 1976-04-01 | Tokyo Shibaura Electric Co | Juyotanatsuryokuseigyosochi |
| JPS5619208A (en) * | 1979-06-25 | 1981-02-23 | Rca Corp | Oscillator |
| JPS58117702A (ja) * | 1982-01-05 | 1983-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発振装置 |
| JPS59179343A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-11 | 松下電工株式会社 | 建築板の成形装置 |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP17934384A patent/JPS6158302A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4879957A (ja) * | 1972-01-28 | 1973-10-26 | ||
| JPS5139391A (ja) * | 1974-10-01 | 1976-04-01 | Tokyo Shibaura Electric Co | Juyotanatsuryokuseigyosochi |
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| JPS59179343A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-11 | 松下電工株式会社 | 建築板の成形装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6339642B1 (en) | 1995-03-24 | 2002-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Telephone apparatus with howling prevention function |
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